深度報告-DRAM存儲芯片研究框架

深度報告：DRAM存儲芯片研究框架

內容來源：智能計算芯世界深度報告：DRAM存儲芯片研究框架半導體存儲從應用上可劃分為易失性存儲器（RAM，包括DRAM和SRAM等），以及非易失性存儲器（ROM和非ROM）。動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）同屬于易失性存儲器，在斷電狀態(tài)下數(shù)據(jù)會丟失。兩者因結構不同，其應用場景有很大的不同。DRAM利用電容儲存電荷多少來存儲數(shù)據(jù)，需要定時刷新電路克服電容漏電問題，讀寫速度比SRAM慢，常用于容量大的主存儲器，如計算機、智能手機、服務器內存等。

SRAM讀寫速度快，制造成本高，常用于對容量要求較小的高速緩沖存儲器，如CPU一級、二級緩存等。DRAM由許多重復的“單元”——位元格（BitCell）組成，每一個cell由一個電容和一個晶體管（一般是N溝道MOSFET——控制電容充放電的開關）構成，電容可儲存1bit數(shù)據(jù)量，充放電后電荷的多少（電勢高低）分別對應二進制數(shù)據(jù)0和1。晶體管MOSFET則是控制電容充放電的開關。DRAM結構簡單，可以做到面積很小，存儲容量很大。

DRAM具有刷新特性。由于電容存在漏電現(xiàn)象，因此必須經常進行充電保持電勢（刷新），這個刷新的操作一直要持續(xù)到數(shù)據(jù)改變或者斷電。多個位元格（BitCell）組成矩陣結構，形成內存庫，數(shù)個內存庫形成DRAM存儲芯片。內存庫中，多個字元線與位元線交叉，每個交點均存在一個位元格處理信息。字元線改變電壓影響相應的位元格，位元格將電流傳至各自的位元線，由感測放大器偵測并放大電壓變化。DRAM的核心是利用0和1存儲數(shù)據(jù)。感測放大器會將小幅增加的電壓放大成高電壓（代表邏輯1），把微幅降低的電壓放大成零電壓（代表邏輯0），并將各個邏輯數(shù)值儲存至一個多閂結構。DRAM競爭格局歷經洗牌，現(xiàn)階段韓國三星、海力士、美國美光三大寡頭壟斷市場。從集中度看，三星、海力士、美光三家企業(yè)壟斷市場，top3市占率從2006年開始大幅度上升，集中度迅速提高，從2005年61.9%迅速提升到2018年95.5%，呈現(xiàn)“三足鼎立”之勢。DRAM行業(yè)歷經多輪周期洗禮，全球供應商的數(shù)量在1997年達到峰值，而后隨著產業(yè)的變遷逐步減小，目前僅以三家巨頭為主，其他廠商包括中國臺灣的南亞科技、華邦電子等。三星穩(wěn)居全球DRAM龍頭，海力士美光緊隨其后。2013年美光收購爾必達，市占率曾短暫超過海力士并接近三星，但三星堅守研發(fā)高投入，逆向投資等策略，隨即鞏固了在DRAM領域的優(yōu)勢。DRAM主要可以分為DDR（DoubleDataRate）系列、LPDDR（LowPowerDoubleDataRate）系列和GDDR（GraphicsDoubleDataRate）系列、HBM系列。DDR是內存模塊中使輸出增加一倍的技術，是目前主流的內存技術。LPDDR具有低功耗的特性，主要應用于便攜設備。GDDR一般會匹配使用高性能顯卡共同使用，適用于具有高帶寬圖形計算的領域。云計算、大數(shù)據(jù)的興起，服務器的數(shù)據(jù)容量和處理速度在不斷提高，推動了DDR技術的升級迭代，目前市場上主流技術規(guī)范為DDR4和LPDDR4，DDR5技術即將進入商用領域。

本文分享自《深度報告：DRAM存儲芯片研究框架》內容如下，作者為方正證券分析師陳航。下載鏈接：深度報告：DRAM存儲芯片研究框架一、DRAM投資邏輯框架DRAM驅動力及增量市場DRAM國產替代∶合肥長鑫為最大希望

DRAM供需導致價格波動

二、詳解DRAM∶存儲器最大細分領域DRAM定義與結構DRAM歷史與發(fā)展

DRAM分類及技術路徑

DRAM未來技術及制程

三、需求∶周期波動及需求分析DRAM行業(yè)變革及周期

DRAM供需與周期關系詳解DRAM六大需求剖析

四、知己知彼∶DRAM市場及競爭格局剖析DRAM市場規(guī)模及競爭格局

DRAM廠商主要特點DRAM三巨頭∶三星、海力士、美光

五、國內現(xiàn)狀∶大陸各DRAM廠商詳解

國內DRAM現(xiàn)狀解析

大陸主要DRAM項目

合肥長鑫∶DRAM國內最大希望下載鏈接：深度報告：DRAM存儲芯片研究框架相關下載：CPU和GPU研究框架合集1、行業(yè)深度報告：GPU研究框架2、信創(chuàng)產業(yè)研究框架3、ARM行業(yè)研究框架4、CPU研究框架5、國產CPU研究框架6、行業(yè)深度報告：GPU研究框架

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