貼片電容的封裝與耐壓值

貼片電容的封裝與耐壓值貼片電容是指片式多層陶瓷電容(MultilayerCeramicCapacitors)，簡稱MLCC，又叫做獨石電容.電容量-溫度特性是選用電介質種類的一個重要依據。按美國電工協(xié)會(EIA)標準，不同介質材料的貼片電容(MLCC)按溫度穩(wěn)定性分成三類：COG(NPO),X7R，Y5V(Z5U)COG(NPO)：一類電介質，超穩(wěn)定級(I類)。電氣性能最穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓與時間的改變而改變，適用于對穩(wěn)定性要求高的電路。NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55C到+125C時容量變化為0±30ppm/C，電容量隨頻率的變化小于土0.3△。：NPO電容的漂移或滯后小于±).05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。封裝DC=50VDC=100V08050.5---1000pF0.5---820pF12060.5---1200pF0.5---1800pF1210560---5600pF560---2700pF22251nF---33nF1nF---18nFX7R:二類電介質，穩(wěn)定級(II類)。電氣性能穩(wěn)定，在溫度、電壓與時間改變時性能的變化度不顯著，適用于隔直、偶合、旁路與對容量穩(wěn)定性要求不太高的鑒頻電路。由于X7R是一種強電介質，因而能造出容量比NPO介質更大的電容器X是最低溫度-55度7是最高承受溫度125度R是使用溫度內容值變化的范圍+-15%同理X5R只是最高溫度為85度X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在-55C到+125C時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%AC，表現為10年變化了約5%。X7R電容器主要應用于要求不高的工業(yè)應用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。封裝DC=50VDC=100V0805330pF---0.056卩F330pE0.012門12061000pF---0?15卩F1000pE0?047小12101000pF---0.22卩F1000pE0.1小22250.01f--f1(IF0.013■■?56(1FY5V(Z5U):三類電介質，能用級(川)。具有較高的介電常數，常用于生產比容較大的、標稱容量較高的大容量電容器產品，但其容量穩(wěn)定性較X7R差，容量、損耗對溫度，電壓等測試條件較敏感。在-30C到85C范圍內其容量變化可達+22%到-82%。Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于電容器Z5U主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達每10年下降5%。盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR)低、良好的頻率響應，使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用中。下表給出了Z5U電容

器的取值范圍。封裝DC=25VDC=50V08050.0112060.01R.F.12iF0.01i?F