專升本《CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計》

W升本＜CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計》B臥C所DJ^.標(biāo)準(zhǔn)答案：B一.（共75題,共150分）1.GordonMoore在1965年預(yù)言:每個芯片上晶體管的數(shù)目將每（）個月翻一番（2分）A.12B.18.標(biāo)準(zhǔn)答案：BC.20D.247.基本差分對電路中對共模增益影響最顯著的因素是（）。（2分）尾電流源的小信號輸出阻抗為有限值負載不匹配輸入MOS不匹配電路制造中的誤差.標(biāo)準(zhǔn)答案：C8.下列電路不能能使用半邊電路法計算差模增益（）。（2分）A二極管負載差分放大器電流源負載差分放大器有源電流鏡差分放大器Cascode負載Casocde差分放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案：CMOS管的小信號輸出電阻九是由MOS管的（）效應(yīng)產(chǎn)生的。（2分）體日.襯偏C.溝長調(diào)制D.亞閾值導(dǎo)通.標(biāo)準(zhǔn)答案：C在CMOS模擬集成電路設(shè)計中，我們一般讓MOS管工作在（）區(qū)。（2分）A.8.下列電路不能能使用半邊電路法計算差模增益（）。（2分）A二極管負載差分放大器電流源負載差分放大器有源電流鏡差分放大器Cascode負載Casocde差分放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案：CMOS管一旦出現(xiàn)（）現(xiàn)象，此時的MOS管將進入飽和區(qū)。（2分）A.夾斷日.反型C.導(dǎo)電D.耗盡.標(biāo)準(zhǔn)答案：A

9.鏡像電流源一般要求相同的（）。（2分）A.制造工藝B.器件寬長比C.器件寬度WD.器件長度L.標(biāo)準(zhǔn)答案：D應(yīng)取為（）。A.%』（）表征了MOS器件的靈敏度。（2分）Fb"C伊DJ^.標(biāo)準(zhǔn)答案：C6.Cascode放大器中兩個相同的NMOS管具有不相同的（）。（2分）Atb某一恒流源電流鏡如圖所示。忽略M3的體效應(yīng)。要使婦和電』嚴格相等，*應(yīng)取為（）。A.%』電路的等效輸入電阻為（）。民用A.1+J15.（）可提高圖中放大器的增益。（2分）減小4，減小4增大&,增大馬增大％，減小馬減小弓，增大4.標(biāo)準(zhǔn)答案：AB%叫C.%D%%.標(biāo)準(zhǔn)答案：A選擇題:下列結(jié)構(gòu)中密勒效應(yīng)最大的是（）。（2分）A.共源級放大器B.源級跟隨器共柵級放大器D.共源共柵級放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案：A電路的等效輸入電阻為（）。民用A.1+J15.（）可提高圖中放大器的增益。（2分）減小4，減小4增大&,增大馬增大％，減小馬減小弓，增大4.標(biāo)準(zhǔn)答案：A（2分）（2分）U"m+4)，(l*“).標(biāo)準(zhǔn)答案：A13.對電路進行直流工作點分析的Hspice命令是（）。（2分）A.DCB.ACC.OPD.IC.標(biāo)準(zhǔn)答案：C14.模擬集成電路設(shè)計中的第一步是（）。（2分）A.電路設(shè)計B.版圖設(shè)計C.規(guī)格定義D.電路結(jié)構(gòu)選擇.標(biāo)準(zhǔn)答案：C模擬集成電路設(shè)計中可使用大信號分析方法的是（）。（2分）（2分）A.增益B.輸出電阻C.輸出擺幅。.輸入電阻.標(biāo)準(zhǔn)答案：C模擬集成電路設(shè)計中可使用小信號分析方法的是（）。A.增益B.電壓凈空C.輸出擺幅。.輸入偏置.標(biāo)準(zhǔn)答案：A在NMOS中，若二",會使閾值電壓（）（2分）A.增大B.不變口減小D.可大可小.標(biāo)準(zhǔn)答案：ANMOS管中，如果VB變得更負，則耗盡層（）。（2分）A.不變B.變得更窄C.變得更寬D.幾乎不變.標(biāo)準(zhǔn)答案：CC.BipolarD.BiCMOSA.MOSB.CMOS.標(biāo)準(zhǔn)答案：B隨著微電子工藝水平提高，特征尺寸不斷減小，這時電路的工作電壓會（）（C.BipolarD.BiCMOSA.MOSB.CMOS.標(biāo)準(zhǔn)答案：BA.不斷提高B.不變C.可大可小D.不斷降低.標(biāo)準(zhǔn)答案：DMOS管漏電流的變化量除以柵源電壓的變化量是（）。（2分）A.電導(dǎo)B.電阻C.跨導(dǎo)D.跨阻.標(biāo)準(zhǔn)答案：C工作在飽和區(qū)的MOS管，可以被看作是一個（）。（2分）A.恒壓源B.電壓控制電流源C.恒流源D.電流控制電壓源.標(biāo)準(zhǔn)答案：B密勒效應(yīng)最明顯的放大器是（）。（2分）A.共源極放大器B.源極跟隨器C.共柵極放大器D.共基極放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案：AMOS器件小信號模型中的gml是由MOS管的（）效應(yīng)弓I起。（2分）A.二級日.襯偏C.溝長調(diào)制D.亞閾值導(dǎo)通.標(biāo)準(zhǔn)答案：BPMOS管的導(dǎo)電溝道中依靠（）導(dǎo)電。（2分）人電子日.空穴C.正電荷D.負電荷.標(biāo)準(zhǔn)答案：B29.當(dāng)MOS管的寬長比是定值時，其跨導(dǎo)與漏源電流的關(guān)系曲線是（）。不能直接工作的共源極放大器是（）共源極放大器。（2分）A.電阻負載B.二極管連接負載C.電流源負載D.二極管和電流源并聯(lián)負載.標(biāo)準(zhǔn)答案：C模擬集成電路設(shè)計中的最后一步是（）。（2分）A.電路設(shè)計B.版圖設(shè)計C.規(guī)格定義D.電路結(jié)構(gòu)選擇.標(biāo)準(zhǔn)答案：B在當(dāng)今的集成電路制造工藝中，（）工藝制造的IC在功耗方面具有最大的優(yōu)勢。（2分）如果MOS管的柵源過驅(qū)動電壓給定，L越（），輸出電流越理想。（2分）A.大B.小C.近似于WD.精確.標(biāo)準(zhǔn)答案：AMOS電容中對電容值貢獻最大的是（）。（2分）命CgdGCDBD.Csb.標(biāo)準(zhǔn)答案：A下面幾種電路中增益線性度最好的是（）。（2分）A.電阻負載共源級放大器電流源負載共源級放大器C.二極管負載共源級放大器源極負反饋共源級放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案：C電阻負載共源級放大器中，下列措施不能提高放大器小信號增益的是（）。（2分）A.增大器件寬長比增大負載電阻C.降低輸入信號直流電平增大器件的溝道長度L.標(biāo)準(zhǔn)答案：D36.下面放大器的小信號增益為（）。A.grB.1gmORsC.1D.理論上無窮大（2分）34.電阻負載共源級放大器中，讓輸入信號從VDD下降，NMOS管首先進入（）區(qū)。（2分）A.亞閾值區(qū)深三極管區(qū)三極管區(qū)飽和區(qū).標(biāo)準(zhǔn)答案：B.標(biāo)準(zhǔn)答案：A37.下列不是基本差分對電路中尾電流的作用的是（）。（2分）A.為放大器管提供固定偏置為.放大管提供電流通路C.減小放大器的共模增益提）高放大器的增益35.下圖的共源共柵放大器中，選擇合適的偏置電壓VB，讓輸入電壓Vin從0逐.標(biāo)準(zhǔn)答案：D漸增加，則先從飽和區(qū)進入線性區(qū)的MOS管是（）。（2分）A.M1C.兩個同時進入.標(biāo)準(zhǔn)答案：D38.下圖電流鏡的輸出電壓最小值為（）。腿一~g理-L.（2分）B.M2都有可能2VOD2V2VVODth2VOD2V2VA.thB.C.D.ODGS.標(biāo)準(zhǔn)答案：C日.不能39.下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請計算該A.能日.不能A.1+AB.1+1ACrG+A）D.R（+其）電路的等效輸出電阻為（）。（2分）C.不知道能不能D.在特殊的極限情況下能.標(biāo)準(zhǔn)答案：ACMOS工藝里不容易加工的器件為（）。（2分）A.電阻日.電容C.電感D.MOS1?.標(biāo)準(zhǔn)答案：CMOS管的特征尺寸通常是指（）。（2分）A.WB.LC.W/LD.tox.標(biāo)準(zhǔn)答案：B.標(biāo)準(zhǔn)答案：B40.（）可提高圖中放大器的增益。（2分）蘭〕

入減小V"12,僅增大L12,增大""12，匕僅減小W，—.標(biāo)準(zhǔn)答案：CMOS管從不導(dǎo)通到導(dǎo)通過程中，最先出現(xiàn)的是（）。（2分）人反型B.夾斷C.耗盡口導(dǎo)通.標(biāo)準(zhǔn)答案：C源極跟隨器通常不能用作（）。（2分）緩沖器B.放大器C.電平移動D.驅(qū)動器.標(biāo)準(zhǔn)答案：B能較大范圍提高閾值電壓的方法是（）。（2分）A.增大MOS管尺寸B.提高過驅(qū)動電壓C.制造時向溝道區(qū)域注入雜質(zhì)D.增大襯底偏置效應(yīng).標(biāo)準(zhǔn)答案：CPMOS管導(dǎo)電，依靠的是溝道中的（）。（2分）人電子.標(biāo)準(zhǔn)答案：B40.（）可提高圖中放大器的增益。（2分）蘭〕

入減小V"12,僅增大L12,增大""12，匕僅減小W，—.標(biāo)準(zhǔn)答案：C41.MOS管的端電壓變化時，源極和漏極（）互換。（2分）（2分）人截止B.三極管C線性。.飽和A.夾斷層B.反型層C.導(dǎo)電層口耗盡層.標(biāo)準(zhǔn)答案：B形成（）的柵源電壓叫閾值電壓（）。（2分）A.夾斷層B.反型層C.導(dǎo)電層口耗盡層.標(biāo)準(zhǔn)答案：BNMOS管中，如果VBS變得更小，則耗盡層（）。（2分）A.不變B.變得更窄C.變得更寬D.幾乎不變.標(biāo)準(zhǔn)答案：CNMOS管的導(dǎo)電溝道中依靠（）導(dǎo)電。（2分）人電子日.空穴C.正電荷D.負電荷.標(biāo)準(zhǔn)答案：A.標(biāo)準(zhǔn)答案：DMOS管中最大的電容是（）。（A.夾斷層B.反型層C.導(dǎo)電層口耗盡層.標(biāo)準(zhǔn)答案：B形成（）的柵源電壓叫閾值電壓（）。（2分）A.夾斷層B.反型層C.導(dǎo)電層口耗盡層.標(biāo)準(zhǔn)答案：BNMOS管中，如果VBS變得更小，則耗盡層（）。（2分）A.不變B.變得更窄C.變得更寬D.幾乎不變.標(biāo)準(zhǔn)答案：CNMOS管的導(dǎo)電溝道中依靠（）導(dǎo)電。（2分）人電子日.空穴C.正電荷D.負電荷.標(biāo)準(zhǔn)答案：A（）在1965年預(yù)言:每個芯片上晶體管的數(shù)目將每18個月翻一番（2分）A.比爾蓋茨B.摩爾C.喬布斯D.貝爾.標(biāo)準(zhǔn)答案：B最常見的集成電路通常采用（）工藝制造。（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.標(biāo)準(zhǔn)答案：B工作在（）區(qū)的MOS管，可以被看作為電流源。（2分）入截止B.三極管C.深三極管。.飽和.標(biāo)準(zhǔn)答案：D工作在（）區(qū)的MOS管，其跨導(dǎo)是恒定值。（2分）入截止B.三極管C.深三極管。.飽和.標(biāo)準(zhǔn)答案：D載流子溝道就在柵氧層下形成（），源和漏之間“導(dǎo)通”。（2分）60.當(dāng)MOS管的寬長比是定值時，其跨導(dǎo)與過驅(qū)動電源的關(guān)系曲線是（）。BCD（2分）A.見圖B.見圖C.見圖D.見圖.標(biāo)準(zhǔn)答案：CMOS管的漏源電流受柵源過驅(qū)動電壓控制，我們定義（）來表示電壓轉(zhuǎn)換電流的能力。（2分）A.跨導(dǎo)B.受控電流源C.跨阻D.小信號增益.標(biāo)準(zhǔn)答案：A*為溝長調(diào)制效應(yīng)系數(shù)，對于較長的溝道，孟值（）（2分）人較大日.較小C.不變。.不定.標(biāo)準(zhǔn)答案：B69.下面電路的差模小信號增益為（）。（2分）A*RdBfJ；4C_（gIIg）（rIIr）D-g。IIr）,mlo4o2.標(biāo)準(zhǔn)答案：D共源共柵放大器結(jié)構(gòu)的一個重要特性就是輸出阻抗（）。（2分）A.低B.-般C.高口很高.標(biāo)準(zhǔn)答案：DNMOS管中，對閾值電壓影響最大的是（）。（269.下面電路的差模小信號增益為（）。（2分）A*RdBfJ；4C_（gIIg）（rIIr）D-g。IIr）,mlo4o2.標(biāo)準(zhǔn)答案：D小信號輸出電阻相對最小的放大器是（）。（2分）A.共源級放大器B.源級跟隨器C.共柵級放大器D.共源共柵級放大器,標(biāo)準(zhǔn)答案：B差分放大器中，共模輸入電平的變化不會引起差動輸出的改變的因素是（）。（2分）A.尾電流源輸出阻抗為有限值日.輸入MOS管不完全對稱C,負載不完全對稱。.輸入對管工作在飽和區(qū),標(biāo)準(zhǔn)答案：D下列不是基本差分對電路中尾電流的作用的是（）。（2分）A.為放大器管提供固定偏置B.為放大管提供電流通路C.減小放大器的共模增益D.提高放大器的增益70.某一恒流源電流鏡如圖所示。忽略M3的體效應(yīng)。若讓M2管工作在飽和區(qū)邊緣，V應(yīng)取為（）（2分）2V+2V%+匕2匕d2匕D+2吃,標(biāo)準(zhǔn)答案：B,標(biāo)準(zhǔn)答案：D下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請計算該,標(biāo)準(zhǔn)答案：D電路的等效輸出電阻為（）。（2分）R1+AR1+/AcaG+a）n標(biāo)準(zhǔn)答案: