2023年高考物理(考點(diǎn)解讀+命題熱點(diǎn)突破)專題09帶電粒子在復(fù)合場中的運(yùn)動_第1頁
2023年高考物理(考點(diǎn)解讀+命題熱點(diǎn)突破)專題09帶電粒子在復(fù)合場中的運(yùn)動_第2頁
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PAGEPAGE1專題09帶電粒子在復(fù)合場中的運(yùn)動【考向解讀】1.主要考試熱點(diǎn):(1)帶電粒子在組合復(fù)合場中的受力分析及運(yùn)動分析.(2)帶電粒子在疊加復(fù)合場中的受力分析及運(yùn)動分析.(3)帶電粒子在交變電磁場中的運(yùn)動.2.帶電粒子在復(fù)合場中的運(yùn)動應(yīng)該是2022年高考壓軸題的首選.(1)復(fù)合場中結(jié)合牛頓第二定律、運(yùn)動的合成與分解、動能定理綜合分析相關(guān)的運(yùn)動問題.(2)復(fù)合場中結(jié)合數(shù)學(xué)中的幾何知識綜合分析多解問題、臨界問題、周期性問題等.【命題熱點(diǎn)突破一】帶電粒子在組合場中的運(yùn)動磁偏轉(zhuǎn)〞和“電偏轉(zhuǎn)〞的差異電偏轉(zhuǎn)磁偏轉(zhuǎn)偏轉(zhuǎn)條件帶電粒子以v⊥E進(jìn)入勻強(qiáng)電場帶電粒子以v⊥B進(jìn)入勻強(qiáng)磁場受力情況只受恒定的電場力只受大小恒定的洛倫茲力運(yùn)動情況類平拋運(yùn)動勻速圓周運(yùn)動運(yùn)動軌跡拋物線圓弧物理規(guī)律類平拋知識、牛頓第二定律牛頓第二定律、向心力公式根本公式L=vt,y=eq\f(1,2)at2,a=eq\f(qE,m),tanθ=eq\f(at,v)r=eq\f(mv,qB),T=eq\f(2πm,qB),t=eq\f(θ,2π)T例1.如下圖,靜止于A處的離子,經(jīng)加速電場加速后沿圖中圓弧虛線通過靜電分析器,從P點(diǎn)垂直CN進(jìn)入矩形區(qū)域的有界勻強(qiáng)電場,電場方向水平向左.靜電分析器通道內(nèi)有均勻輻射分布的電場,圓弧虛線的半徑為R,其所在處場強(qiáng)為E、方向如下圖;離子質(zhì)量為m、電荷量為q;eq\x\to(QN)=2d、eq\x\to(PN)=3d,離子重力不計.(1)求加速電場的電壓U;(2)假設(shè)離子恰好能打在Q點(diǎn)上,求矩形區(qū)域QNCD內(nèi)勻強(qiáng)電場場強(qiáng)E0的值;(3)假設(shè)撤去矩形區(qū)域QNCD內(nèi)的勻強(qiáng)電場,換為垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,要求離子能最終打在QN上,求磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度B的取值范圍.(2)離子做類平拋運(yùn)動2d=vt3d=eq\f(1,2)at2由牛頓第二定律得qE0=ma.那么E0=eq\f(3ER,2d)(3)離子在勻強(qiáng)磁場中做勻速圓周運(yùn)動,洛倫茲力提供向心力,根據(jù)牛頓第二定律,有qBv=meq\f(v2,r)那么r=eq\f(1,B)eq\r(\f(EmR,q))離子能打在QN上,那么既沒有從DQ邊出去也沒有從PN邊出去,那么離子運(yùn)動徑跡的邊界如圖中Ⅰ和Ⅱ.由幾何關(guān)系知,離子能打在QN上,必須滿足:eq\f(3,2)d<r≤2d那么有eq\f(1,2d)eq\r(\f(EmR,q))≤B<eq\f(2,3d)eq\r(\f(EmR,q)).答案(1)eq\f(1,2)ER(2)eq\f(3ER,2d)(3)eq\f(1,2d)eq\r(\f(EmR,q))≤B<eq\f(2,3d)eq\r(\f(EmR,q))【變式探究】如下圖的坐標(biāo)系中,第一象限內(nèi)存在與x軸成30°角斜向下的勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度E=400N/C;第四象限內(nèi)存在垂直于紙面向里的有界勻強(qiáng)磁場,x軸方向的寬度OA=20eq\r(3)cm,y軸負(fù)方向無限大,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1×10-4T.現(xiàn)有一比荷為eq\f(q,m)=2×1011C/kg的正離子(不計重力),以某一速度v0從O點(diǎn)射入磁場,α=60°,離子通過磁場后剛好從A點(diǎn)射出,之后進(jìn)入電場.(1)求離子進(jìn)入磁場B的速度v0的大小;(2)離子進(jìn)入電場后,經(jīng)多少時間再次到達(dá)x軸上;(3)假設(shè)離子進(jìn)入磁場B后,某時刻再加一個同方向的有界勻強(qiáng)磁場使離子做完整的圓周運(yùn)動,求所加磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度的最小值.解析離子的運(yùn)動軌跡如下圖(2)離子進(jìn)入電場后,設(shè)經(jīng)過時間t再次到達(dá)x軸上.離子沿垂直電場方向做速度為v0的勻速直線運(yùn)動,位移為l1l1=v0t離子沿電場方向做初速度為零的勻加速直線運(yùn)動,加速度為a,位移為l2Eq=mal2=eq\f(1,2)at2由幾何關(guān)系可知tan60°=eq\f(l2,l1)代入數(shù)據(jù)解得t=eq\r(3)×10-7s(3)由Bqv=eq\f(mv2,r)知,B越小,r越大.設(shè)離子在磁場中最大半徑為R由幾何關(guān)系得R=eq\f(1,2)(r1-r1sin30°)=0.05m由牛頓運(yùn)動定律得B1qv0=meq\f(v\o\al(2,0),R)得B1=4×10-4T那么外加磁場ΔB1=3×10-4T答案(1)4×106m/s(2)eq\r(3)×10-7s(3)3×10-4T【感悟提升】帶電粒子在組合場中的運(yùn)動問題,一般都是單物體多過程問題,求解策略是“各個擊破〞:(1)先分析帶電粒子在每個場中的受力情況和運(yùn)動情況,抓住聯(lián)系相鄰兩個場的紐帶——速度(一般是后場的入射速度等于前場的出射速度),(2)然后利用帶電粒子在電場中往往做類平拋運(yùn)動或直線運(yùn)動,在磁場中做勻速圓周運(yùn)動的規(guī)律求解.【命題熱點(diǎn)突破二】帶電粒子在疊加復(fù)合場中的運(yùn)動例2.如下圖,水平線AC和豎直線CD相交于C點(diǎn),AC上開有小孔S,CD上開有小孔P,AC與CD間存在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,磁場方向垂直紙面向里,∠DCG=60°,在CD右側(cè)、CG的下方有一豎直向上的勻強(qiáng)電場E(大小未知)和垂直紙面向里的另一勻強(qiáng)磁場B1(大小未知),一質(zhì)量為m、電荷量為+q的塑料小球從小孔S處無初速度地進(jìn)入勻強(qiáng)磁場中,經(jīng)一段時間恰好能從P孔水平勻速飛出而進(jìn)入CD右側(cè),小球在CD右側(cè)做勻速圓周運(yùn)動而垂直打在CG板上,重力加速度為g.(1)求豎直向上的勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度E的大?。?2)求CD右側(cè)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1的大??;(3)假設(shè)要使小球進(jìn)入CD右側(cè)后不打在CG上,那么B1應(yīng)滿足什么條件?解析(1)因小球在CD右側(cè)受重力、電場力和洛倫茲力作用而做勻速圓周運(yùn)動,所以有mg=qE,即E=eq\f(mg,q).(2)小球進(jìn)入磁場后,由于重力作用,速率不斷增大,同時在洛倫茲力的作用下小球右偏,當(dāng)小球從小孔P水平勻速飛出時,受力平衡有Bqv=mg,即v=eq\f(mg,Bq)從S到P由動能定理得mgeq\x\to(CP)=eq\f(1,2)mv2,即eq\x\to(CP)=eq\f(m2g,2q2B2)因小球從小孔P水平飛入磁場B1后做勻速圓周運(yùn)動而垂直打在CG上,所以C點(diǎn)即為小球做圓周運(yùn)動的圓心,半徑即為r=eq\x\to(CP)又因B1qv=meq\f(v2,r)聯(lián)立得B1=2B.答案(1)eq\f(mg,q)(2)2B(3)B1≥4.3B【變式探究】如下圖,離子源A產(chǎn)生的初速度為零、帶電荷量為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U1的加速電場加速后進(jìn)入一電容器中,電容器兩極板之間的距離為d,電容器中存在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場和勻強(qiáng)電場.正離子能沿直線穿過電容器,垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小也為B的扇形勻強(qiáng)磁場中,∠MNQ=90°.(不計離子的重力)(1)求質(zhì)量為m的離子進(jìn)入電容器時,電容器兩極板間的電壓U2;(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運(yùn)動的半徑;(3)假設(shè)質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處.求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上正離子的質(zhì)量范圍.解析(1)設(shè)離子經(jīng)加速電場后獲得的速度為v1,應(yīng)用動能定理有U1e=eq\f(1,2)mveq\o\al(2,1)離子進(jìn)入電容器后沿直線運(yùn)動,有eq\f(U2e,d)=Bev1得U2=Bdeq\r(\f(2U1e,m))(3)根據(jù)(2)中R=eq\r(\f(2U1m,B2e)),質(zhì)量為4m的離子在磁場中運(yùn)動打在S1處,運(yùn)動半徑為R1=eq\r(\f(2U14m,B2e))質(zhì)量為16m的離子在磁場中運(yùn)動打在S2處,運(yùn)動半徑為R2=eq\r(\f(2U116m,B2e))又ON=R2-R1由幾何關(guān)系可知S1和S2之間的距離ΔS=eq\r(R\o\al(2,2)-ON2)-R1聯(lián)立解得ΔS=2(eq\r(3)-1)eq\r(\f(2U1m,B2e))由R′2=(2R1)2+(R′-R1)2解得R′=eq\f(5,2)R1再根據(jù)eq\f(1,2)R1≤Rx≤eq\f(5,2)R1解得m≤mx≤25m答案(1)Bdeq\r(\f(2U1e,m))(2)eq\r(\f(2U1m,B2e))(3)m≤mx≤25m【命題熱點(diǎn)突破三】帶電粒子在交變電磁場中的運(yùn)動及多解問題例3、如圖甲所示,寬度為d的豎直狹長區(qū)域內(nèi)(邊界為L1、L2),存在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場和豎直方向上的周期性變化的電場(如圖乙所示),電場強(qiáng)度的大小為E0,E>0表示電場方向豎直向上.t=0時,一帶正電、質(zhì)量為m的微粒從左邊界上的N1點(diǎn)以水平速度v射入該區(qū)域,沿直線運(yùn)動到Q點(diǎn)后,做一次完整的圓周運(yùn)動,再沿直線運(yùn)動到右邊界上的N2點(diǎn).Q為線段N1N2的中點(diǎn),重力加速度為g.上述d、E0、m、v、g為量.(1)求微粒所帶電荷量q和磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小.(2)求電場變化的周期T.(3)改變寬度d,使微粒仍能按上述運(yùn)動過程通過相應(yīng)寬度的區(qū)域,求T的最小值.(2)設(shè)微粒從N1運(yùn)動到Q的時間為t1,做圓周運(yùn)動的周期為t2,那么eq\f(d,2)=vt1 ⑤(1分)qvB=meq\f(v2,R) ⑥(2分)2πR=vt2 ⑦(1分)聯(lián)立③④⑤⑥⑦得t1=eq\f(d,2v);t2=eq\f(πv,g) ⑧(2分)電場變化的周期T=t1+t2=eq\f(d,2v)+eq\f(πv,g) ⑨(1分)(3)假設(shè)微粒能完成題述的運(yùn)動過程,要求d≥2R ⑩(1分)聯(lián)立③④⑥得R=eq\f(v2,2g) ?(1分)設(shè)在N1Q段直線運(yùn)動的最短時間為t1min,由⑤⑩?得t1min=eq\f(v,2g)因t2不變,T的最小值Tmin=t1min+t2=eq\f(2π+1v,2g). (2分)【感悟提升】空間存在的電場或磁場是隨時間周期性變化的,一般呈現(xiàn)“矩形波〞的特點(diǎn).交替變化的電場及磁場會使帶電粒子順次經(jīng)過不同特點(diǎn)的電場、磁場或疊加的場,從而表現(xiàn)出多過程現(xiàn)象,其特點(diǎn)較為隱蔽,應(yīng)注意以下兩點(diǎn):(1)仔細(xì)確定各場的變化特點(diǎn)及相應(yīng)時間,其變化周期一般與粒子在磁場中的運(yùn)動周期關(guān)聯(lián).(2)把粒子的運(yùn)動過程用直觀草圖進(jìn)行分析.【變式探究】如圖甲所示,兩豎直線所夾區(qū)域內(nèi)存在周期性變化的勻強(qiáng)電場與勻強(qiáng)磁場,變化情況如圖乙、丙所示,電場強(qiáng)度方向以y軸負(fù)方向?yàn)檎?,磁感?yīng)強(qiáng)度方向以垂直紙面向外為正.t=0時刻,一質(zhì)量為m、電量為q的帶正電粒子從坐標(biāo)原點(diǎn)O開始以速度v0沿x軸正方向運(yùn)動,粒子重力忽略不計,圖乙、丙中E0=eq\f(3B0v0,4π),t0=eq\f(πm,qB0),B0.要使帶電粒子在0~4nt0(n∈N)時間內(nèi)一直在場區(qū)運(yùn)動,求:(1)在t0時刻粒子速度方向與x軸的夾角;(2)右邊界到O的最小距離;(3)場區(qū)的最小寬度.解析(1)由牛頓第二定律,得E0q=mavy=eq\f(qE0,m)t0 (2分)E0=eq\f(3B0v0,4π)tanθ=eq\f(vy,v0) (1分)θ=37° (1分)(2)x1=v0t0 (1分)如下圖,由幾何關(guān)系得x2=R1-R1cos53° (1分)B0qv=meq\f(v2,R1) (1分)v=eq\f(v0,cos37°) (1分)x=x1+x2=(π+0.5)eq\f(mv0,qB0) (1分)答案(1)37°(2)(π+0.5)eq\f(mv0,qB0)(3)(1.5n+1.5+π)eq\f(mv0,qB0)【高考真題解讀】1.(2022·福建理綜,22,20分)如圖,絕緣粗糙的豎直平面MN左側(cè)同時存在相互垂直的勻強(qiáng)電場和勻強(qiáng)磁場,電場方向水平向右,電場強(qiáng)度大小為E,磁場方向垂直紙面向外,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B.一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電的小滑塊從A點(diǎn)由靜止開始沿MN下滑,到達(dá)C點(diǎn)時離開 MN做曲線運(yùn)動.A、C兩點(diǎn)間距離為h,重力加速度為g. (1)求小滑塊運(yùn)動到C點(diǎn)時的速度大小vC; (2)求小滑塊從A點(diǎn)運(yùn)動到C點(diǎn)過程中克服摩擦力做的功Wf; (3)假設(shè)D點(diǎn)為小滑塊在電場力、洛倫茲力及重力作用下運(yùn)動過程中速度最大的位置,當(dāng)小滑塊運(yùn)動到D點(diǎn)時撤去磁場,此后小滑塊繼續(xù)運(yùn)動到水平地面上 的P點(diǎn).小滑塊在D點(diǎn)時的速度大小為vD,從D點(diǎn)運(yùn)動到P點(diǎn)的時間 為t,求小滑塊運(yùn)動到P點(diǎn)時速度的大小vP. (3)如圖,小滑塊速度最大時,速度方向與電場力、重力的合力方向垂直.撤 去磁場后小滑塊將做類平拋運(yùn)動,等效加速度為g′ g′=eq\r(〔\f(qE,m)〕2+g2)⑥ 且veq\o\al(2,P)=veq\o\al(2,D)+g′2t2⑦ 解得vP=eq\r(veq\o\al(2,D)+\b\lc\[\rc\](\a\vs4\al\co1(〔\f(qE,m)〕2+g2))t2)⑧ 答案(1)eq\f(E,B)(2)mgh-eq\f(mE2,2B2) (3)eq\r(veq\o\al(2,D)+\b\lc\[\rc\](\a\vs4\al\co1(〔\f(qE,m)〕2+g2))t2)2.(2022·重慶理綜,9,18分)如圖為某種離子加速器的設(shè)計方案.兩個半圓形金屬盒內(nèi)存在相同的垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場.其中MN 和M′N′是間距為h的兩平行極板,其上分別有正對的兩個小孔O和O′, O′N′=ON=d,P為靶點(diǎn),O′P=kd(k為大于1的整數(shù)).極板間存在方向向上的勻強(qiáng)電場,兩極板間電壓為U.質(zhì)量為m、帶電量為q的正離子從O點(diǎn)由靜止開始加速,經(jīng)O′進(jìn)入磁場區(qū)域.當(dāng)離子打到極板上O′N′區(qū)域(含N′點(diǎn))或外殼上時將會被吸收.兩虛線之間的區(qū)域無電場和磁場存在,離子可勻速穿過,忽略相對論效應(yīng)和離子所受的重力.求: (1)離子經(jīng)過電場僅加速一次后能打到P點(diǎn)所需的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小; (2)能使離子打到P點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度的所有可能值; (3)打到P點(diǎn)的能量最大的離子在磁場中運(yùn)動的時間和在電場中運(yùn)動的時間. 解析(1)粒子經(jīng)電場加速一次后的速度為v1,由動能定理得 qU=eq\f(1,2)mveq\o\al(2,1)① 粒子能打到P點(diǎn),那么在磁場中的軌道半徑r1=eq\f(kd,2)② 對粒子在磁場中由牛頓第二定律得qv1B1=eq\f(mveq\o\al(2,1),r1)③ 聯(lián)立①②③式解得B1=eq\f(2\r(2Uqm),qkd)④ (2)假設(shè)粒子在電場中加速n次后能打到P點(diǎn),同理可得 nqU=eq\f(1,2)mv2(n=1,2,3,…)⑤ rn=eq\f(kd,2)⑥ qvB=eq\f(mv2,rn)⑦ 聯(lián)立⑤⑥⑦式解得B=eq\f(2\r(2nqUm),qkd)⑧ 由題意可得當(dāng)n=1時,2r1′>d⑨ 解得n<k2⑩ 故⑧式中n的取值為n=1,2,3,…,k2-1 答案(1)eq\f(2\r(2Uqm),qkd)(2)eq\f(2\r(2nUqm),qkd)(n=1,2,3,…,k2-1) (3)eq\f(〔2k2-3〕πkmd,2\r(2Uqm〔k2-1〕))heq\r(\f(2〔k2-1〕m,Uq))3.(2022·天津理綜,12,20分)現(xiàn)代科學(xué)儀器常利用電場、磁場控制帶電粒子的運(yùn)動.真空中存在著如下圖的多層緊密相鄰的勻強(qiáng)電場和勻強(qiáng)磁場,電場與磁場的寬度均為d.電場強(qiáng)度為E,方向水平向右;磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向里,電場、磁場的邊界互相平行且與電場方向垂直.一個質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電粒子在第1層電場左側(cè)邊界某處由靜止釋放,粒子始終在電場、磁場中運(yùn)動,不計粒子重力及運(yùn)動時的電磁輻射. (1)求粒子在第2層磁場中運(yùn)動時速度v2的大小與軌跡半徑r2; (2)粒子從第n層磁場右側(cè)邊界穿出時,速度的方向與水平方向的夾角為θn, 試求sinθn; (3)假設(shè)粒子恰好不能從第n層磁場右側(cè)邊界穿出,試問在其他條件不變的情況 下,也進(jìn)入第n層磁場,但比荷較該粒子大的粒子能否穿出該層磁場右側(cè)邊界,請簡要推理說明之. (2)設(shè)粒子在第n層磁場中運(yùn)動的速度為vn,軌跡半徑為rn(各量的下標(biāo)均代表 粒子所在層數(shù),下同). nqEd=eq\f(1,2)mveq\o\al(2,n)⑤ qvnB=meq\f(veq\o\al(2,n),rn)⑥圖1 粒子進(jìn)入第n層磁場時,速度的方向與水平方向的夾角為αn,從第n層磁場右側(cè)邊界穿出時速度方向與水平方向的夾角為θn,粒子在電場中運(yùn)動時,垂直于電場線方向的速度分量不變,有 vn-1sinθn-1=vnsinαn⑦ 由圖1看出 rnsinθn-rnsinαn=d⑧ 由⑥⑦⑧式得 rnsinθn-rn-1sinθn-1=d⑨ 由⑨式看出r1sinθ1,r2sinθ2,…,rnsinθn為一等差數(shù)列,公差為d,可得 rnsinθn=r1sinθ1+(n-1)d⑩圖2 當(dāng)n=1時,由圖2看出 r1sinθ1=d 由⑤⑥⑩?式得 sinθn=Beq\r(\f(nqd,2mE))? (3)假設(shè)粒子恰好不能從第n層磁場右側(cè)邊界穿出,那么 θn=eq\f(π,2)? sinθn=1? 在其他條件不變的情況下,換用比荷更大的粒子,設(shè)其比荷為eq\f(q′,m′),假設(shè)能穿出第n層磁場右側(cè)邊界,粒子穿出時的速度方向與水平方向的夾角為θn,由于 eq\f(q′,m′)>eq\f(q,m)? 那么導(dǎo)致 sinθn′>1? 說明θn′不存在,即原假設(shè)不成立.所以比荷較該粒子大的粒子不能穿出該層磁場右側(cè)邊界. 答案(1)2eq\r(\f(qEd,m))eq\f(2,B)eq\r(\f(mEd,q))(2)Beq\r(\f(nqd,2mE))(3)見解析4.(2022·江蘇單科,15,16分)一臺質(zhì)譜儀的工作原理如下圖, 電荷量均為+q、質(zhì)量不同的離子飄入電壓為U0的加速電場,其初速度幾乎為零.這些離子經(jīng)加速后通過狹縫O沿著與磁場垂直的方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,最后打在底片上.放置底片的區(qū)域MN=L,且OM=L.某次測量發(fā)現(xiàn)MN中左側(cè)eq\f(2,3)區(qū)域MQ損壞,檢測不到離子,但右側(cè)eq\f(1,3)區(qū)域QN 仍能正常檢測到離子.在適當(dāng)調(diào)節(jié)加速電壓后,原本打在MQ的離子即可在QN檢測到. (1)求原本打在MN中點(diǎn)P的離子質(zhì)量m; (2)為使原本打在P的離子能打在QN區(qū)域,求加速電壓U的調(diào)節(jié)范圍; (3)為了在QN區(qū)域?qū)⒃敬蛟贛Q區(qū)域的所有離子檢測完整,求需要調(diào)節(jié)U的最少次數(shù).(取lg2=0.301,lg3=0.477,lg5=0.699) (2)由(1)知,U=eq\f(16U0r2,9L2)離子打在Q點(diǎn)時r=eq\f(5,6)L,U=eq\f(100U0,81) 離子打在N點(diǎn)時r=L,U=eq\f(16U0,9),那么電壓的范圍 eq\f(100U0,81)≤U≤eq\f(16U0,9) (3)由(1)可知,r∝eq\r(U) 由題意知,第1次調(diào)節(jié)電壓到U1,使原本Q點(diǎn)的離子打在N點(diǎn) eq\f(L,\f(5,6)L)=eq\f(\r(U1),\r(U0)) 此時,原本半徑為r1的打在Q1的離子打在Q上eq\f(\f(5,6)L,r1)=eq\f(\r(U1),\r(U0)) 解得r1=eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(5,6)))eq\s\up12(2)L 第2次調(diào)節(jié)電壓到U2,原本打在Q1的離子打在N點(diǎn),原本半徑為r2的打在Q2的離子打在Q上,那么:eq\f(L,r1)=eq\f(\r(U2),\r(U0)),eq\f(\f(5,6)L,r2)=eq\f(\r(U2),\r(U0)) 解得r2=eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(5,6)))eq\s\up12(3)L 同理,第n次調(diào)節(jié)電壓,有rn=eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(5,6)))eq\s\up12(n+1)L 檢測完整,有rn≤eq\f(L,2) 解得n≥eq\f(lg2,lg〔\f(6,5)〕)-1≈2.8 最少次數(shù)為3次. 答案(1)eq\f(9qB2L2,32U0)(2)eq\f(100U0,81)≤U≤eq\f(16U0,9)(3)3次5.(2022·浙江理綜,25,22分)離子推進(jìn)器是太空飛行器常用的動力系統(tǒng).某種推進(jìn)器設(shè)計的簡化原理如圖1所示,截面半徑為R的圓柱腔分為兩個工作區(qū).Ⅰ為電離區(qū),將氙氣電離獲得1價正離子;Ⅱ?yàn)榧铀賲^(qū),長度為L,兩端加有電壓,形成軸向的勻強(qiáng)電場.Ⅰ區(qū)產(chǎn)生的正離子以接近0的初速度進(jìn)入Ⅱ區(qū),被加速后以速度vM從右側(cè)噴出. Ⅰ區(qū)內(nèi)有軸向的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,在離軸線R/2處的C點(diǎn)持續(xù)射出一定速率范圍的電子.假設(shè)射出的電子僅在垂直于軸線的截面上運(yùn)動,截面如圖2所示(從左向右看).電子的初速度方向與中心O點(diǎn)和C點(diǎn)的連線成α角(0<α≤90°).推進(jìn)器工作時,向Ⅰ區(qū)注入稀薄的氙氣.電子使氙氣電離的最小速率為v0,電子在Ⅰ區(qū)內(nèi)不與器壁相碰且能到達(dá)的區(qū)域越大,電離效果越好.離子質(zhì)量為M;電子質(zhì)量為m,電荷量為e.(電子碰到器壁即 被吸收,不考慮電子間的碰撞) (1)求Ⅱ區(qū)的加速電壓及離子的加速度大?。?(2)為取得好的電離效果,請判斷Ⅰ區(qū)中的磁場方向(按圖2說明是“垂直紙面向里〞或“垂直紙面向外〞); (3)α為90°時,要取得好的電離效果,求射出的電子速率v的范圍; (4)要取得好的電離效果,求射出的電子最大速率vmax與α角的關(guān)系. 解析(1)由動能定理得eq\f(1,2)Mveq\o\al(2,M)=eU① U=eq\f(Mveq\o\al(2,M),2e)② a=eq\f(eE,M)=eeq\f(U,ML)=eq\f(veq\o\al(2,M),2L)③ (2)由題知電子在Ⅰ區(qū)內(nèi)不與器壁相碰且能到達(dá)的區(qū)域越大,電離效果越好,那么題圖2中顯然電子往左半部偏轉(zhuǎn)較好,故Ⅰ區(qū)中磁場方向應(yīng)垂直紙面向外 ④ (4)電子運(yùn)動軌跡如下圖, OA=R-r,OC=eq\f(R,2),AC=r 根據(jù)幾何關(guān)系得r=eq\f(3R,4〔2-sin

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