《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法（第1-6部分）》系列團體標(biāo)準(zhǔn)編制說明

《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第1部分：可靠性鑒定及質(zhì)量一致性試驗》《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第1部分：可靠性鑒定及質(zhì)量一致性試驗》團體標(biāo)準(zhǔn)(征求意見稿)編制說明1.工作情況磁隨機存儲器(magneticrandom-accessmemory,MRAM)是新一代的高速高性能隨機存儲器，具有與DRAM媲美的ns級讀寫速度、擦寫次數(shù)高，同時還兼具非易失性、低功耗、抗輻射等優(yōu)異性能，被認(rèn)為是最具競爭潛力的新型存儲器。其可廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、工業(yè)控制、人工智能、航空航天、汽車電子、企業(yè)級存儲等領(lǐng)域，諸多領(lǐng)域的需求對MRAM的性能和可靠性提出更高要求。由于MRAM的優(yōu)異性能，國內(nèi)廠商及科研院所正在加大資金投入，積極地布局產(chǎn)品及量產(chǎn)技術(shù)開發(fā)。但隨著MRAM器件研究、產(chǎn)品試驗及應(yīng)用開發(fā)的持續(xù)性工作開展，一些產(chǎn)品可靠性試驗方面的問題逐步顯現(xiàn)出來，比如在技術(shù)術(shù)語、試驗方法、原理等方面出現(xiàn)了內(nèi)容空白、重疊、定義多樣等問題，導(dǎo)致許多單位對試驗方案產(chǎn)生了諸多分歧。不利于產(chǎn)品的質(zhì)量保證和市場規(guī)范。因此對試驗標(biāo)準(zhǔn)進行制定的需求十分迫切。本項目根據(jù)浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的浙半?yún)f(xié)〔2022〕3號文件《浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會關(guān)于〈磁隨機存儲器可靠性測試方法〉團體標(biāo)準(zhǔn)立項的通知》，由浙江馳拓科技有限公司為主起草單位，項目周期為6個月。在征求意見稿中更改標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)題為《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法》。標(biāo)準(zhǔn)由以下部分組成：——第1部分：可靠性鑒定及質(zhì)量一致性試驗；——第2部分：重復(fù)寫入次數(shù)試驗；——第3部分：高溫數(shù)據(jù)保存試驗；——第4部分：靜磁場數(shù)據(jù)保存試驗；——第5部分：靜磁場數(shù)據(jù)寫入試驗；——第6部分：讀干擾率試驗。本部分為第1部分：可靠性鑒定及質(zhì)量一致性試驗的編制說明。1.2.1預(yù)研階段對主要起草單位進行現(xiàn)場調(diào)研，主要圍繞標(biāo)準(zhǔn)立項的可行性和必要性、企業(yè)爭取項目意義、產(chǎn)品技術(shù)水平等方面進行調(diào)研。經(jīng)商討，確定了項目名稱、標(biāo)準(zhǔn)的主要框架，然后向浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會提出了標(biāo)準(zhǔn)制定立項申請。1.2.2成立標(biāo)準(zhǔn)工作組根據(jù)浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會下達(dá)的《磁隨機存儲器可靠性試驗方法》團體標(biāo)準(zhǔn)的立項通知，為了更好地開展編制工作，浙江馳拓科技有限公司邀請了杭州旗捷科技有限公司、杭州華瀾微電子股份有限公司、浙江中控研究院有限公司、上海矽朋微電子有限公司作為參編單位，成立了標(biāo)準(zhǔn)工作組，落實標(biāo)準(zhǔn)起草任務(wù)。1.2.3標(biāo)準(zhǔn)草案研制標(biāo)準(zhǔn)研制工作組通過收集國內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)資料和相關(guān)試驗方法等，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)編制原則，工作組內(nèi)部經(jīng)過不斷溝通、反復(fù)討論，確定標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容，編制了標(biāo)準(zhǔn)草案及其編制說明。1.2.4啟動會和標(biāo)準(zhǔn)研討會編制組召開行業(yè)討論會，對標(biāo)準(zhǔn)草案進行了詳細(xì)討論。會后對草案做進一步修改，包括調(diào)整標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)、補充欠缺內(nèi)容、修改標(biāo)準(zhǔn)格式、修正表述模糊或不正確的文字描述，形成征求意見稿。1.2.5征求意見(根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)版次調(diào)整)1.2.6專家評審(根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)版次調(diào)整)1.2.7標(biāo)準(zhǔn)報批(根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)版次調(diào)整)標(biāo)準(zhǔn)編制主要成員單位及其工作標(biāo)準(zhǔn)編制的主要成員單位包括杭州旗捷科技有限公司、杭州華瀾微電子股份有限公司、浙江中控研究院有限公司、上海矽朋微電子有限公司。以上單位參與標(biāo)準(zhǔn)分析、重大問題討論等工作。2.標(biāo)準(zhǔn)編制原則、主要內(nèi)容論據(jù)及解決的主要問題2.1標(biāo)準(zhǔn)編制原則本標(biāo)準(zhǔn)編制參考了國內(nèi)外存儲器、半導(dǎo)體集成電路的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合MRAM可靠性的技術(shù)特點，充分考慮國內(nèi)各領(lǐng)域?qū)RAM可靠性的需求，確定具體技術(shù)要求，保證該標(biāo)準(zhǔn)能夠切實符合MRAM的可靠性發(fā)展現(xiàn)狀。2.2標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容論據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了MRAM可靠性的鑒定與質(zhì)量一致性的試驗方法，重點參考了《GB/T12750-2006半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范 (不包括混合電路)》。但GB/T12750-2006制定較早，其中部分內(nèi)容已不能適應(yīng)目前的技術(shù)發(fā)展情況。故本標(biāo)準(zhǔn)在其技術(shù)基礎(chǔ)上，參考快閃存儲器、DRAM相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和JESD-47I標(biāo)準(zhǔn)，對部分試驗方法標(biāo)準(zhǔn)進行了更新，使之更為科學(xué)、合MRAM可靠性有其特殊技術(shù)特點，本標(biāo)準(zhǔn)補充了相關(guān)試驗方法，包括重復(fù)寫入次數(shù)試驗、高溫數(shù)據(jù)保存試驗、靜磁場數(shù)據(jù)保存試驗、靜磁場數(shù)據(jù)寫入試驗、讀干擾率試驗。2.3標(biāo)準(zhǔn)解決的主要問題本標(biāo)準(zhǔn)主要確定了MRAM可靠性檢驗要求。其所規(guī)定的篩選、鑒定試驗與質(zhì)量一致性試驗主要依據(jù)《GB/T12750-2006半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)》，但進行了以下內(nèi)容調(diào)整：1.部分試驗內(nèi)容進行加嚴(yán)。如B、C組的強加速濕熱試驗，試驗條件由130℃,85%RH,24h加嚴(yán)為130℃,85%RH,96h。這參考了國內(nèi)最新修訂發(fā)布的強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗方法，也與JESD-47I等國外常用的可靠性試驗標(biāo)準(zhǔn)相同。C5試驗中空封器件的溫度循環(huán)從10次改為700次，與JESD-47I保持一致。2.部分試驗條件予以明確。如C5溫度循環(huán)試驗溫度為-55℃-125℃。B8、C8高溫工作壽命試驗規(guī)定試驗溫度為125℃與最大工作溫度中的較大者。3.刪除部分試驗項目。如C2靜電放電敏感度試驗中刪除machinemodel(MM)試驗項。MM試驗項考察加工或測試機臺未良好接地情況下，積累電荷釋放至芯片的情況，然而在生產(chǎn)測試流程規(guī)范的情況下，機臺和工人接地應(yīng)比較充分，不存在積累電荷的情況，故MM試驗意義不大。最新版的JESD-47I也已篩除MM試驗項。4.補充部分試驗項目。MRAM作為一類新型非易失存儲器，除半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品通用的可靠性檢驗要求外，還需要關(guān)注其寫入耐久性、數(shù)據(jù)保存能力等。而作為一種磁性器件，磁場對MRAM的影響也需要注意。故本標(biāo)準(zhǔn)補充了以下試驗項：重復(fù)寫入次數(shù)試驗、高溫數(shù)據(jù)保存試驗、靜磁場數(shù)據(jù)保存試驗、靜磁場數(shù)據(jù)寫入試驗、讀干擾率試驗。重復(fù)寫入次數(shù)指芯片經(jīng)受多次數(shù)據(jù)寫入的能力。高溫數(shù)據(jù)保存指在規(guī)定的溫度和時間內(nèi)，芯片保存數(shù)據(jù)的能力。靜磁場數(shù)據(jù)保存指在規(guī)定的磁場強度和時間內(nèi)，芯片保存數(shù)據(jù)的能力。靜磁場數(shù)據(jù)寫入指芯片在規(guī)定的磁場強度下正常寫入的能力。讀干擾率指芯片經(jīng)受多次數(shù)據(jù)讀取后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的能力。除此以外，參考JESD-47I，標(biāo)準(zhǔn)中還增加了C14閂鎖試驗。3.主要驗證情況本標(biāo)準(zhǔn)中的各項要求已在該類產(chǎn)品的研制、生產(chǎn)、供貨檢驗中得到驗證。4.知識產(chǎn)權(quán)情況本標(biāo)準(zhǔn)不涉及專利及知識產(chǎn)權(quán)方面的內(nèi)容。5.標(biāo)準(zhǔn)水平與預(yù)期效果該標(biāo)準(zhǔn)的制定參考了《GB/T12750-2006半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)》，JESD-47I及快閃存儲器、DRAM等存儲器的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，并結(jié)合編制單位多年可靠性試驗經(jīng)驗，具備較高的實用價值、先進性與科學(xué)性，適用于MRAM產(chǎn)品可靠性的鑒定試驗與質(zhì)量一致性試驗。MRAM相關(guān)國際標(biāo)準(zhǔn)目前仍處于空白。MRAM相關(guān)國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)已有團體標(biāo)準(zhǔn)T/CIE092-2020《自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機存儲器試驗方法》、團體標(biāo)準(zhǔn)T/CIE126-2021《磁隨機存儲芯片試驗方法》、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計劃號2022-0584T-SJ《磁性隨機存儲芯片耐久性、數(shù)據(jù)保持及抗磁性試驗方MRAMTCIE1.未包括半導(dǎo)體集成電路通用的可靠性試驗項，僅有MRAM特殊試驗項，但亦不全面，如未包括重復(fù)寫入次數(shù)試驗、靜磁場數(shù)據(jù)寫入試驗；2.所有試驗項均未采取加速試驗，已不適應(yīng)MRAM可靠性越來越高的現(xiàn)狀；3.部分定義錯誤，如讀干擾率，業(yè)界一般指讀取過程導(dǎo)致MTJ翻轉(zhuǎn)的概率，而非該標(biāo)準(zhǔn)定義的讀取軟錯誤率。7.標(biāo)準(zhǔn)屬性本標(biāo)準(zhǔn)為浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會團體標(biāo)準(zhǔn)，為推薦性標(biāo)準(zhǔn)，建議在協(xié)會會員中推廣使用。經(jīng)協(xié)會同意，也可供其他企業(yè)使用。8.貫徹要求及建議本標(biāo)準(zhǔn)歸口單位為浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會，標(biāo)準(zhǔn)文本在浙江半導(dǎo)體協(xié)會官方網(wǎng)站上全文公布，供社會免費查閱。方法》標(biāo)準(zhǔn)編寫工作組《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第2部分：重復(fù)寫入次數(shù)試驗》《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第2部分：重復(fù)寫入次數(shù)試驗》團體標(biāo)準(zhǔn)(征求意見稿)編制說明1.工作情況本項目根據(jù)浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的浙半?yún)f(xié)〔2022〕3號文件《浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會關(guān)于〈磁隨機存儲器可靠性測試方法〉團體標(biāo)準(zhǔn)立項的通知》，由浙江馳拓科技有限公司為主起草單位，項目周期為6個月。在征求意見稿中更改標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)題為《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法》，并由以下部分組成：——第1部分：可靠性鑒定及質(zhì)量一致性試驗；——第2部分：重復(fù)寫入次數(shù)試驗；——第3部分：高溫數(shù)據(jù)保存試驗；——第4部分：靜磁場數(shù)據(jù)保存試驗；——第5部分：靜磁場數(shù)據(jù)寫入試驗；——第6部分：讀干擾率試驗。本部分為第2部分：重復(fù)寫入次數(shù)試驗的編制說明。請參考《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第1部分：可靠性鑒定及質(zhì)量一致性試驗》團體標(biāo)準(zhǔn)(征求意見稿)編制說明的1.2節(jié)。標(biāo)準(zhǔn)編制主要成員單位及其工作標(biāo)準(zhǔn)編制的主要成員單位包括杭州旗捷科技有限公司、杭州華瀾微電子股份有限公司、浙江中控研究院有限公司、上海矽朋微電子有限公司。以上單位參與標(biāo)準(zhǔn)分析、重大問題討論等工作。2.標(biāo)準(zhǔn)編制原則、主要內(nèi)容論據(jù)及解決的主要問題2.1標(biāo)準(zhǔn)編制原則本標(biāo)準(zhǔn)編制參考IEC62374：2007《Semiconductordevices-Timedependentdielectricbreakdown(TDDB)testforgatedielectricfilms》，并結(jié)合MRAM使用場景、MRAM柵介質(zhì)層的擊穿特點，確定具體技術(shù)要求，保證該標(biāo)準(zhǔn)能夠切實符合MRAM的重復(fù)寫入次數(shù)試驗要求。2.2標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容論據(jù)與解決的主要問題本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了MRAM重復(fù)寫入次數(shù)試驗方法，主要內(nèi)容為試驗條件的相關(guān)規(guī)定，包括試驗樣本數(shù)、試驗溫度、試驗電壓與試驗寫入次數(shù)、錯誤管理方法、試驗容量和試驗圖形數(shù)據(jù)。作為鑒定試驗，試驗樣本數(shù)引用了GB/T12750-2006相關(guān)規(guī)定。試驗溫度影響介質(zhì)層的時間相關(guān)擊穿(TDDB)效應(yīng)，本標(biāo)準(zhǔn)推薦為5℃。若另有規(guī)定，亦可進行相應(yīng)調(diào)整。試驗電壓與試驗寫入次數(shù)主要參考了IEC62374：2007《Semiconductordevices-Timedependentdielectricbreakdown(TDDB)testforgatedielectricfilms》。但IEC62374：2007描述了TDDB效應(yīng)的多個加速模型，各有其適用場景。本標(biāo)準(zhǔn)結(jié)合MRAM柵介質(zhì)層特點，選擇被業(yè)內(nèi)廣泛采用的冪律模型作為MRAM的TDDB效應(yīng)加速模型。重復(fù)寫入次數(shù)試驗業(yè)內(nèi)一般不使用錯誤管理方法，因錯誤管理一般用于軟錯誤糾錯。試驗數(shù)據(jù)圖形要求為“試驗中連續(xù)兩次寫入的圖形數(shù)據(jù)應(yīng)完全相反”，因這是重復(fù)寫入次數(shù)試驗最嚴(yán)格的寫入情況。3.主要驗證情況本標(biāo)準(zhǔn)中的各項要求已在該類產(chǎn)品的研制、生產(chǎn)、供貨檢驗中得到驗證。4.知識產(chǎn)權(quán)情況本標(biāo)準(zhǔn)不涉及專利及知識產(chǎn)權(quán)方面的內(nèi)容。5.標(biāo)準(zhǔn)水平與預(yù)期效果該標(biāo)準(zhǔn)的制定參考了IEC62374：2007，并結(jié)合編制單位多年可靠性試驗經(jīng)驗，具備較高的實用價值、先進性與科學(xué)性，適用于MRAM芯片重復(fù)寫入次數(shù)的鑒定試驗與質(zhì)量一致性試驗。IEC62374：2007標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了柵介質(zhì)層的TDDB效應(yīng)測試方法，但描述了多個加速模型，各有其適用場景。本標(biāo)準(zhǔn)結(jié)合MRAM柵介質(zhì)層特點，選擇被業(yè)內(nèi)廣泛采用的冪律模型作為MRAM的TDDB效應(yīng)加速模型。7.標(biāo)準(zhǔn)屬性本標(biāo)準(zhǔn)為浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會團體標(biāo)準(zhǔn)，為推薦性標(biāo)準(zhǔn)，建議在協(xié)會會員中推廣使用。經(jīng)協(xié)會同意，也可供其他企業(yè)使用。8.貫徹要求及建議本標(biāo)準(zhǔn)歸口單位為浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會，標(biāo)準(zhǔn)文本在浙江半導(dǎo)體協(xié)會官方網(wǎng)站上全文公布，供社會免費查閱。方法》標(biāo)準(zhǔn)編寫工作組《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第3部分：高溫數(shù)據(jù)保存試驗》《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第3部分：高溫數(shù)據(jù)保存試驗》團體標(biāo)準(zhǔn)(征求意見稿)編制說明1.工作情況本項目根據(jù)浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的浙半?yún)f(xié)〔2022〕3號文件《浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會關(guān)于〈磁隨機存儲器可靠性測試方法〉團體標(biāo)準(zhǔn)立項的通知》，由浙江馳拓科技有限公司為主起草單位，項目周期為6個月。在征求意見稿中更改標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)題為《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法》，并由以下部分組成：——第1部分：可靠性鑒定及質(zhì)量一致性試驗；——第2部分：重復(fù)寫入次數(shù)試驗；——第3部分：高溫數(shù)據(jù)保存試驗；——第4部分：靜磁場數(shù)據(jù)保存試驗；——第5部分：靜磁場數(shù)據(jù)寫入試驗；——第6部分：讀干擾率試驗。本部分為第3部分：高溫數(shù)據(jù)保存試驗的編制說明。請參考《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第1部分：可靠性鑒定及質(zhì)量一致性試驗》團體標(biāo)準(zhǔn)(征求意見稿)編制說明的1.2節(jié)。標(biāo)準(zhǔn)編制主要成員單位及其工作標(biāo)準(zhǔn)編制的主要成員單位包括杭州旗捷科技有限公司、杭州華瀾微電子股份有限公司、浙江中控研究院有限公司、上海矽朋微電子有限公司。以上單位參與標(biāo)準(zhǔn)分析、重大問題討論等工作。2.標(biāo)準(zhǔn)編制原則、主要內(nèi)容論據(jù)及解決的主要問題2.1標(biāo)準(zhǔn)編制原則本標(biāo)準(zhǔn)編制參考GB/T35003-2018《非易失性存儲器耐久和數(shù)據(jù)保持試驗方法(快閃存儲器)》，并結(jié)合MRAM的高溫數(shù)據(jù)保存特點，確定具體技術(shù)要求，保證該標(biāo)準(zhǔn)能夠切實符合MRAM的高溫數(shù)據(jù)保存試驗要求。2.2標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容論據(jù)與解決的主要問題本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了MRAM高溫數(shù)據(jù)保存試驗方法，主要內(nèi)容為試驗條件的相關(guān)規(guī)定，包括試驗樣本數(shù)、試驗溫度與試驗時間、試驗容量和試驗圖形數(shù)據(jù)。作為鑒定試驗，試驗樣本數(shù)引用了GB/T12750-2006相關(guān)規(guī)定。試驗溫度與試驗時間條件參考了GB/T35003-2018，亦使用阿倫尼烏斯模型。但區(qū)別在于GB/T35003-2018采用了恒定激活能，而MRAM的激活能Ea與溫度相關(guān)，業(yè)內(nèi)普遍使用EaT=AT2+BT，本標(biāo)準(zhǔn)也予以采用。試驗圖形數(shù)據(jù)方面，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定需進行“1”翻轉(zhuǎn)為“0”和“0”翻轉(zhuǎn)為“1”的試驗，這是由于MTJ存在內(nèi)部偏置磁場等原因，兩種數(shù)據(jù)的保存能力不同。對比GB/T35003-2018，本標(biāo)準(zhǔn)還刪除了耐久試驗后的數(shù)據(jù)保存試驗，因未發(fā)現(xiàn)MRAM存在數(shù)據(jù)保存隨寫入次數(shù)增加而下降的現(xiàn)象。3.主要驗證情況本標(biāo)準(zhǔn)中的各項要求已在該類產(chǎn)品的研制、生產(chǎn)、供貨檢驗中得到驗證。4.知識產(chǎn)權(quán)情況本標(biāo)準(zhǔn)不涉及專利及知識產(chǎn)權(quán)方面的內(nèi)容。5.標(biāo)準(zhǔn)水平與預(yù)期效果該標(biāo)準(zhǔn)的制定參考了GB/T35003-2018，并結(jié)合編制單位多年可靠性試驗經(jīng)驗，具備較高的實用價值、先進性與科學(xué)性，適用于MRAM芯片高溫數(shù)據(jù)保存的鑒定試驗與質(zhì)量一致性試驗。GB/T35003-2018標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了快閃存儲器的數(shù)據(jù)保存能力試驗，但不完全適用于MRAM，主要區(qū)別在于MRAM的激活能Ea與溫度相關(guān)。另外MRAM也不需要進行耐久試驗后的數(shù)據(jù)保存試驗。T/CIE126-2021《磁隨機存儲芯片試驗方法》也描述了數(shù)據(jù)保存試驗，但未采取加速試驗，已不適應(yīng)MRAM可靠性越來越高的現(xiàn)狀。7.標(biāo)準(zhǔn)屬性本標(biāo)準(zhǔn)為浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會團體標(biāo)準(zhǔn)，為推薦性標(biāo)準(zhǔn)，建議在協(xié)會會員中推廣使用。經(jīng)協(xié)會同意，也可供其他企業(yè)使用。8.貫徹要求及建議本標(biāo)準(zhǔn)歸口單位為浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會，標(biāo)準(zhǔn)文本在浙江半導(dǎo)體協(xié)會官方網(wǎng)站上全文公布，供社會免費查閱。方法》標(biāo)準(zhǔn)編寫工作組《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第4部分：靜磁場數(shù)據(jù)保存試驗》《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第4部分：靜磁場數(shù)據(jù)保存試驗》團體標(biāo)準(zhǔn)(征求意見稿)編制說明1.工作情況本項目根據(jù)浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的浙半?yún)f(xié)〔2022〕3號文件《浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會關(guān)于〈磁隨機存儲器可靠性測試方法〉團體標(biāo)準(zhǔn)立項的通知》，由浙江馳拓科技有限公司為主起草單位，項目周期為6個月。在征求意見稿中更改標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)題為《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法》，并由以下部分組成：——第1部分：可靠性鑒定及質(zhì)量一致性試驗；——第2部分：重復(fù)寫入次數(shù)試驗；——第3部分：高溫數(shù)據(jù)保存試驗；——第4部分：靜磁場數(shù)據(jù)保存試驗；——第5部分：靜磁場數(shù)據(jù)寫入試驗；——第6部分：讀干擾率試驗。本部分為第4部分：靜磁場數(shù)據(jù)保存試驗的編制說明。請參考《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第1部分：可靠性鑒定及質(zhì)量一致性試驗》團體標(biāo)準(zhǔn)(征求意見稿)編制說明的1.2節(jié)。標(biāo)準(zhǔn)編制主要成員單位及其工作標(biāo)準(zhǔn)編制的主要成員單位包括杭州旗捷科技有限公司、杭州華瀾微電子股份有限公司、浙江中控研究院有限公司、上海矽朋微電子有限公司。以上單位參與標(biāo)準(zhǔn)分析、重大問題討論等工作。2.標(biāo)準(zhǔn)編制原則、主要內(nèi)容論據(jù)及解決的主要問題2.1標(biāo)準(zhǔn)編制原則本標(biāo)準(zhǔn)編制參考業(yè)內(nèi)相關(guān)文獻、主要單位的MRAM產(chǎn)品手冊、使用說明等，結(jié)合編制單位多年可靠性試驗經(jīng)驗，確定具體技術(shù)要求，保證該標(biāo)準(zhǔn)能夠切實符合MRAM的靜磁場數(shù)據(jù)保存試驗要求。2.2標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容論據(jù)與解決的主要問題本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了MRAM靜磁場數(shù)據(jù)保存試驗方法，主要內(nèi)容為試驗條件的相關(guān)規(guī)定，包括試驗樣本數(shù)、試驗溫度、試驗磁場強度與試驗時間、試驗容量、試驗圖形數(shù)據(jù)和試驗磁場方向。作為鑒定試驗，試驗樣本數(shù)引用了GB/T12750-2006相關(guān)規(guī)定。試驗溫度影響數(shù)據(jù)保存效果，本標(biāo)準(zhǔn)推薦為25℃。若另有規(guī)定，亦可進行相應(yīng)調(diào)整。試驗磁場強度與試驗時間采用了業(yè)內(nèi)常用的加速模型，一般適[IEDM.2015.7409773]。試驗圖形數(shù)據(jù)方面，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定需進行“1”翻轉(zhuǎn)為“0”和“0”翻轉(zhuǎn)為“1”的試驗，這是由于MTJ存在內(nèi)部偏置磁場等原因，兩種數(shù)據(jù)的保存能力不同。試驗磁場方向應(yīng)使得數(shù)據(jù)更易翻轉(zhuǎn)，因此對“1”翻轉(zhuǎn)“0”的靜磁場數(shù)據(jù)保存進行試驗時，試驗磁場方向應(yīng)與“0”態(tài)自由層方向相同，反之亦然。試驗流程與失效判據(jù)參考了GB/T35003-2018相關(guān)內(nèi)容，也與第3部分：高溫數(shù)據(jù)保存試驗的相關(guān)內(nèi)容一致。3.主要驗證情況本標(biāo)準(zhǔn)中的各項要求已在該類產(chǎn)品的研制、生產(chǎn)、供貨檢驗中得到驗證。4.知識產(chǎn)權(quán)情況本標(biāo)準(zhǔn)不涉及專利及知識產(chǎn)權(quán)方面的內(nèi)容。5.標(biāo)準(zhǔn)水平與預(yù)期效果該標(biāo)準(zhǔn)的制定參考業(yè)內(nèi)相關(guān)文獻、主要單位的MRAM產(chǎn)品手冊、使用說明等，并結(jié)合編制單位多年可靠性試驗經(jīng)驗，具備較高的實用價值、先進性與科學(xué)性，適用于MRAM芯片靜磁場數(shù)據(jù)保存的鑒定試驗與質(zhì)量一致性試驗。T/CIE126-2021《磁隨機存儲芯片試驗方法》也描述了靜磁場數(shù)據(jù)保存試驗，但未采取加速試驗，已不適應(yīng)MRAM可靠性越來越高的現(xiàn)狀。7.標(biāo)準(zhǔn)屬性本標(biāo)準(zhǔn)為浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會團體標(biāo)準(zhǔn)，為推薦性標(biāo)準(zhǔn)，建議在協(xié)會會員中推廣使用。經(jīng)協(xié)會同意，也可供其他企業(yè)使用。8.貫徹要求及建議本標(biāo)準(zhǔn)歸口單位為浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會，標(biāo)準(zhǔn)文本在浙江半導(dǎo)體協(xié)會官方網(wǎng)站上全文公布，供社會免費查閱。方法》標(biāo)準(zhǔn)編寫工作組《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第5部分：靜磁場數(shù)據(jù)寫入試驗》《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第5部分：靜磁場數(shù)據(jù)寫入試驗》團體標(biāo)準(zhǔn)(征求意見稿)編制說明1.工作情況本項目根據(jù)浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的浙半?yún)f(xié)〔2022〕3號文件《浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會關(guān)于〈磁隨機存儲器可靠性測試方法〉團體標(biāo)準(zhǔn)立項的通知》，由浙江馳拓科技有限公司為主起草單位，項目周期為6個月。在征求意見稿中更改標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)題為《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法》，并由以下部分組成：——第1部分：可靠性鑒定及質(zhì)量一致性試驗；——第2部分：重復(fù)寫入次數(shù)試驗；——第3部分：高溫數(shù)據(jù)保存試驗；——第4部分：靜磁場數(shù)據(jù)保存試驗；——第5部分：靜磁場數(shù)據(jù)寫入試驗；——第6部分：讀干擾率試驗。本部分為第5部分：靜磁場數(shù)據(jù)寫入試驗的編制說明。請參考《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第1部分：可靠性鑒定及質(zhì)量一致性試驗》團體標(biāo)準(zhǔn)(征求意見稿)編制說明的1.2節(jié)。標(biāo)準(zhǔn)編制主要成員單位及其工作標(biāo)準(zhǔn)編制的主要成員單位包括杭州旗捷科技有限公司、杭州華瀾微電子股份有限公司、浙江中控研究院有限公司、上海矽朋微電子有限公司。以上單位參與標(biāo)準(zhǔn)分析、重大問題討論等工作。2.標(biāo)準(zhǔn)編制原則、主要內(nèi)容論據(jù)及解決的主要問題2.1標(biāo)準(zhǔn)編制原則本標(biāo)準(zhǔn)編制參考業(yè)內(nèi)相關(guān)文獻、主要單位的MRAM產(chǎn)品手冊、使用說明等，結(jié)合編制單位多年可靠性試驗經(jīng)驗，確定具體技術(shù)要求，保證該標(biāo)準(zhǔn)能夠切實符合MRAM的靜磁場數(shù)據(jù)寫入試驗要求。2.2標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容論據(jù)與解決的主要問題本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了MRAM靜磁場數(shù)據(jù)寫入試驗方法，主要內(nèi)容為試驗條件的相關(guān)規(guī)定，包括試驗樣本數(shù)、試驗溫度、試驗磁場強度與方向、試驗寫入次數(shù)、試驗容量和試驗圖形數(shù)據(jù)。作為鑒定試驗，試驗樣本數(shù)引用了GB/T12750-2006相關(guān)規(guī)定。試驗溫度影響數(shù)據(jù)保存效果，本標(biāo)準(zhǔn)推薦為25℃。若另有規(guī)定，亦可進行相應(yīng)調(diào)整。試驗磁場方向推薦為與芯片表面平行，這是由于目前最廣泛應(yīng)用的垂直磁化自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM在受到水平磁場干擾時數(shù)據(jù)寫入最惡劣。若另有規(guī)定，亦可進行相應(yīng)調(diào)整。3.主要驗證情況本標(biāo)準(zhǔn)中的各項要求已在該類產(chǎn)品的研制、生產(chǎn)、供貨檢驗中得到驗證。4.知識產(chǎn)權(quán)情況本標(biāo)準(zhǔn)不涉及專利及知識產(chǎn)權(quán)方面的內(nèi)容。5.標(biāo)準(zhǔn)水平與預(yù)期效果該標(biāo)準(zhǔn)的制定參考業(yè)內(nèi)相關(guān)文獻、主要單位的MRAM產(chǎn)品手冊、使用說明等，并結(jié)合編制單位多年可靠性試驗經(jīng)驗，具備較高的實用價值、先進性與科學(xué)性，適用于MRAM芯片靜磁場數(shù)據(jù)寫入的鑒定試驗與質(zhì)量一致性試驗。暫無類似標(biāo)準(zhǔn)。7.標(biāo)準(zhǔn)屬性本標(biāo)準(zhǔn)為浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會團體標(biāo)準(zhǔn)，為推薦性標(biāo)準(zhǔn)，建議在協(xié)會會員中推廣使用。經(jīng)協(xié)會同意，也可供其他企業(yè)使用。8.貫徹要求及建議本標(biāo)準(zhǔn)歸口單位為浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會，標(biāo)準(zhǔn)文本在浙江半導(dǎo)體協(xié)會官方網(wǎng)站上全文公布，供社會免費查閱。方法》標(biāo)準(zhǔn)編寫工作組《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第6部分：讀干擾率試驗》《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第6部分：讀干擾率試團體標(biāo)準(zhǔn)(征求意見稿)編制說明1.工作情況本項目根據(jù)浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的浙半?yún)f(xié)〔2022〕3號文件《浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會關(guān)于〈磁隨機存儲器可靠性測試方法〉團體標(biāo)準(zhǔn)立項的通知》，由浙江馳拓科技有限公司為主起草單位，項目周期為6個月。在征求意見稿中更改標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)題為《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法》，并由以下部分組成：——第1部分：可靠性鑒定及質(zhì)量一致性試驗；——第2部分：重復(fù)寫入次數(shù)試驗；——第3部分：高溫數(shù)據(jù)保存試驗；——第4部分：靜磁場數(shù)據(jù)保存試驗；——第5部分：靜磁場數(shù)據(jù)寫入試驗；——第6部分：讀干擾率試驗。本部分為第6部分：讀干擾率試驗的編制說明。請參考《磁隨機存儲芯片可靠性試驗方法第1部分：可靠性鑒定及質(zhì)量一致性試驗》團體標(biāo)準(zhǔn)(征求意見稿)編制說明的1.2節(jié)。標(biāo)準(zhǔn)編制主要成員單位及其工作標(biāo)準(zhǔn)編制的主要成員單位包括杭州旗捷科技有限公司、杭州華瀾微電子股份有限公司、浙江中控研究院有限公司、上海矽朋微電