濺射靶材全球市場(chǎng)容量分析分析

濺射靶材全球市場(chǎng)容量分析分析濺射靶材全球市場(chǎng)容量分析濺射技術(shù)作為薄膜材料制備的主流工藝，其應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，如平面顯示、集成電路半導(dǎo)體、太陽(yáng)能電池、信息存儲(chǔ)、工具改性、光學(xué)鍍膜、電子器件、高檔裝飾用品等行業(yè)。20世紀(jì)90年代以來(lái)，隨著消費(fèi)電子等終端應(yīng)用市場(chǎng)的高速發(fā)展，高性能濺射靶材的市場(chǎng)規(guī)模日益擴(kuò)大，呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)的勢(shì)頭。據(jù)統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)，2013-2020年，全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)規(guī)模將從75．6億美元上升至195．63億美元，年復(fù)合增速為14．42%。相關(guān)研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)2021年全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)213億美元。主要增長(zhǎng)點(diǎn)包括平面顯示、集成電路半導(dǎo)體、太陽(yáng)能電池以及記錄媒體等領(lǐng)域。濺射靶材行業(yè)概述濺射工藝是物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，而濺射靶材正是該工藝的關(guān)鍵原材料。以晶圓制造為例，需要反復(fù)重復(fù)薄膜沉積工藝，用于導(dǎo)電層、阻擋層、接觸層、介電層等的制備，薄膜沉積工藝通常分為物理氣相沉積（PVD）技術(shù)和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)，其中PVD常用來(lái)生長(zhǎng)鋁、銅、鈦、鉭等金屬薄膜，CVD常用來(lái)制備氧化硅等絕緣薄膜。除鎢接觸層和銅互連層外的絕大多數(shù)金屬薄膜都是用PVD技術(shù)生成，而濺射則是目前最主流的PVD技術(shù)。濺射是利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能得離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。類似地，除晶圓制造外，顯示面板、薄膜太陽(yáng)能電池等的制造過(guò)程中也都會(huì)用到濺射工藝以制備薄膜材料。高性能靶材主要指應(yīng)用于半導(dǎo)體、平板顯示、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域的金屬純度為99．95%以上的濺射靶材。靶材制備位于產(chǎn)業(yè)鏈的中游，從產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，靶材上游原材料材質(zhì)主要包括純金屬、合金以及陶瓷化合物三類。下游應(yīng)用市場(chǎng)則較為廣泛，但整體來(lái)看主要集中在平板顯示、信息存儲(chǔ)、太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體四個(gè)領(lǐng)域。濺射靶材中游分析（一）濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模在經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展以及技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)下，我國(guó)芯片、光伏高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)獲得快速發(fā)展，隨著市場(chǎng)需求不斷釋放，濺射靶材行業(yè)規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。在應(yīng)用需求帶動(dòng)下，我國(guó)濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。2021年我國(guó)濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模達(dá)375．8億元，同比增長(zhǎng)9．7％。（二）高性能濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模中國(guó)高性能濺射靶材行業(yè)在國(guó)家戰(zhàn)略政策支持以及下游眾多應(yīng)用領(lǐng)域需求的支撐下，行業(yè)技術(shù)不斷突破，產(chǎn)品性能不斷提升，帶動(dòng)高性能濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。中國(guó)高性能濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模由2016年的98．9億元增長(zhǎng)至2020年的201．5億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為19．47%，預(yù)計(jì)2022年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)288．1億元。（三）ITO靶材市場(chǎng)規(guī)模中國(guó)已成為世界上最大的銦靶材需求國(guó)。2019年至2021年，我國(guó)ITO靶材市場(chǎng)容量從639噸增長(zhǎng)到1002噸，年復(fù)合增長(zhǎng)率為25．22%。未來(lái)2-3年內(nèi)，雖然國(guó)內(nèi)平面顯示行業(yè)的固定資產(chǎn)投資增速將有所放緩，但由于平面顯示行業(yè)存量需求及太陽(yáng)能光伏電池的增量需求，國(guó)內(nèi)ITO靶材市場(chǎng)容量仍將保持一定幅度的增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)2022年能達(dá)到1067噸，2024年達(dá)到1207噸。（四）濺射靶材競(jìng)爭(zhēng)格局全球靶材市場(chǎng)呈寡頭競(jìng)爭(zhēng)格局，日美在高端濺射靶材領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯。目前，全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)主要有四家企業(yè)，分別是JX日礦金屬、霍尼韋爾、東曹和普萊克斯，市場(chǎng)份額分別為30%、20%、20%和10%，合計(jì)壟斷了全球80%的市場(chǎng)份額。靶材制備濺射靶材上游原材料為高純金屬，若金屬雜質(zhì)含量過(guò)高，則形成的薄膜無(wú)法達(dá)到使用所要求的電性能，且在濺射過(guò)程中易在晶圓上形成微粒，導(dǎo)致電路短路或損壞，嚴(yán)重影響薄膜的性能。而這對(duì)金屬提純的要求極高，且提純后往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，這個(gè)過(guò)程中需經(jīng)過(guò)熔煉、合金化和鑄造等步驟，對(duì)配比和工藝控制都有極高要求，因此目前高純銅、高純鉭等原材料都很大程度上由海外廠商把控，國(guó)內(nèi)靶材廠商的采購(gòu)容易受到限制。繼上游高純金屬原材料環(huán)節(jié)后，在濺射靶材制造環(huán)節(jié)，需要進(jìn)行反復(fù)的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關(guān)鍵指標(biāo)，再經(jīng)過(guò)焊接、機(jī)械加工、清洗干燥、真空包裝等工序，工序繁多且精細(xì)，工序流程管理及制造工藝水平將直接影響到濺射靶材的質(zhì)量和良品率。濺射靶材是一種新型的物理氣相鍍膜方式，主要是指用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。濺射靶材的要求較行業(yè)高，一般要求如，尺寸、純度、各項(xiàng)雜質(zhì)含量、密度、N/O/、尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、超高密度與超細(xì)晶粒等等。濺射靶材根據(jù)形狀分，可分為方靶，圓靶，異型靶；根據(jù)成份分，可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材；根據(jù)應(yīng)用不同分，可分為半導(dǎo)體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導(dǎo)陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等；根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域分，可分為微電子靶材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導(dǎo)電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材。濺射靶材應(yīng)用廣泛，主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、、、激光存儲(chǔ)器、電子控制器件等；亦可應(yīng)用于領(lǐng)域；還可以應(yīng)用于、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業(yè)。濺射靶材行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀近年來(lái)我國(guó)對(duì)濺射靶材行業(yè)重視程度不斷提升，各類政策出臺(tái)推動(dòng)行業(yè)積極發(fā)展。例如2019年《十四五規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)剛要》提出集成電路攻關(guān)方面，以重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料為研發(fā)方向。2021年3月，財(cái)政部、海關(guān)總署等聯(lián)合發(fā)布《關(guān)于支持集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)口稅收政策的通知》，明確對(duì)于國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)進(jìn)口國(guó)內(nèi)不能生產(chǎn)、性能不滿足需求的自用生產(chǎn)性原材料及消耗品免征進(jìn)口關(guān)稅。在國(guó)內(nèi)良好的政策環(huán)境和各細(xì)分市場(chǎng)廣闊的市場(chǎng)空間下，國(guó)內(nèi)濺射靶材企業(yè)市占率提升空間大，機(jī)會(huì)逐步開(kāi)啟。隨著政策利好、以及在技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)下芯片、光伏高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)需求不斷釋放，我國(guó)濺射靶材行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。數(shù)據(jù)顯示，2021年我國(guó)濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模達(dá)375．8億元，同比增長(zhǎng)9．7%。預(yù)計(jì)2022年我國(guó)濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到410億元。其中高性能濺射靶材市場(chǎng)在國(guó)家戰(zhàn)略政策支持以及下游眾多應(yīng)用領(lǐng)域需求的支撐下，行業(yè)技術(shù)不斷突破，產(chǎn)品性能不斷提升，帶動(dòng)市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。數(shù)據(jù)顯示，2021年我國(guó)高性能濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模由2016年的98．9億元增長(zhǎng)至241．8億元，預(yù)計(jì)2022年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)288．1億元。ITO靶材市場(chǎng)容量也在不斷擴(kuò)張。有數(shù)據(jù)顯示，2019-2021年，我國(guó)ITO靶材市場(chǎng)容量從639噸增長(zhǎng)到1002噸，年復(fù)合增長(zhǎng)率為25．22%。預(yù)計(jì)2022年我國(guó)ITO靶材市場(chǎng)容量能達(dá)到1067噸。平板顯示靶材應(yīng)用場(chǎng)景平板顯示主要包括液晶顯示（LCD）、等離子顯示（PDP）、有機(jī)發(fā)光二極管顯示（OLED）等，多由金屬電極、透明導(dǎo)電極、絕緣層、發(fā)光層組成，為了保證大面積膜層的均勻性，提高生產(chǎn)率和降低成本，濺射技術(shù)越來(lái)越多地被用來(lái)制備這些膜層。平板顯示鍍膜用濺射靶材主要品種有：鉬靶、鋁靶、鋁合金靶、鉻靶、銅靶、銅合金靶、硅靶、鈦靶、鈮靶和氧化銦錫（ITO）靶材等。若根據(jù)工藝的不同，F(xiàn)PD行業(yè)用靶材也可大致分為濺射用靶材和蒸鍍用靶材。其中濺射用靶材主要為Cu、Al、Mo和IGZO等材料。蒸鍍用靶材一般為Ag和Mg兩種金屬。Ag和Mg合金一般用于小尺寸OLED面板產(chǎn)線中的陰極制作。除此以外，Ag也可以作為頂發(fā)射OLED器件中的陽(yáng)極反射層使用。薄膜晶體管液晶顯示面板TFT-LCD由大量的液晶顯示單元陣列組成（如4K分辨率的屏幕含有800多萬(wàn)個(gè)顯示單元陣列），而每一個(gè)液晶顯示單元，都由一個(gè)單獨(dú)的薄膜晶體管（TFT）所控制和驅(qū)動(dòng)。薄膜晶體管陣列的制作原理，是在真空條件下，利用離子束流去轟擊靶材，使固體表面的原子電離后沉積在玻璃基板上，經(jīng)過(guò)反復(fù)多次的沉積+刻蝕，一層層（一般為7－12層）地堆積制作出薄膜晶體管陣列。OLED典型結(jié)構(gòu)是在氧化銦錫（ITO）玻璃上制作一層幾十納米厚的發(fā)光材料，ITO透明電極作為器件的陽(yáng)極，鉬或者合金材料作為器件的陰極。從陰陽(yáng)2極分別注入電子和空穴，在一定電壓驅(qū)動(dòng)下，被注入的電子和空穴分別經(jīng)過(guò)電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層并復(fù)合，形成激子并使發(fā)光分子產(chǎn)生單態(tài)激子，單態(tài)激子衰減發(fā)光。濺射靶材市場(chǎng)下游市場(chǎng)情況濺射靶材下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，在平面顯示、信息存儲(chǔ)、光伏電池、半導(dǎo)體芯片等行業(yè)被廣泛應(yīng)用。其中平面顯示市場(chǎng)中，應(yīng)用最為廣泛，占比34%；其次為、信息存儲(chǔ)、光伏電池，占比分別為29%、21%。濺射靶材能夠提升平板顯示器中大面積膜層的均勻性，提高生產(chǎn)率并降低成本。2016-2020年我國(guó)大陸平板顯示產(chǎn)能從29%提升到51%，居全球首位，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到56%。從產(chǎn)品類別來(lái)看，2020年平板顯示產(chǎn)品中OLED占比約為29．3%，預(yù)計(jì)2022年將提升到33．9%。目前國(guó)內(nèi)平板顯示產(chǎn)能全球領(lǐng)先，預(yù)計(jì)隨著OLED技術(shù)不斷成熟和產(chǎn)能逐步釋放，預(yù)計(jì)未來(lái)將持續(xù)滲透，驅(qū)動(dòng)濺射靶材市場(chǎng)空間增長(zhǎng)。濺射靶材是制備集成電路的核心材料之一。有相關(guān)資料顯示，濺射靶材在晶圓制造材料和封裝測(cè)試材料中，市場(chǎng)分別占比為2．6%和2．7%。2021年是中國(guó)十四五開(kāi)局之年，在國(guó)內(nèi)宏觀經(jīng)濟(jì)運(yùn)行良好的驅(qū)動(dòng)下，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)保持快速、平穩(wěn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，2021年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)首次突破萬(wàn)億元。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2021年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為10458．3億元，同比增長(zhǎng)18．2%。隨著下游市場(chǎng)不斷發(fā)展，帶動(dòng)國(guó)內(nèi)集成電路材料需求持續(xù)提升。有數(shù)據(jù)顯示，2021年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到650億元，預(yù)計(jì)2022年將增長(zhǎng)至665億元。而隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的進(jìn)一步增長(zhǎng)，濺射靶材需求將隨之繼續(xù)拉升，維系成長(zhǎng)。濺射靶材可用于薄膜太陽(yáng)能電池的制備中。據(jù)了解，和傳統(tǒng)的晶體硅太陽(yáng)能電池相比，薄膜太陽(yáng)能電池大大減少了材料用量，從而大幅降低制造成本和產(chǎn)品價(jià)格，同時(shí)，薄膜太陽(yáng)能電池還具有制造溫度低、應(yīng)用范圍大等特點(diǎn)，從市場(chǎng)前景來(lái)看，薄膜太陽(yáng)能電池在光伏建筑一體化、大規(guī)模低成本發(fā)電站建設(shè)等方面比傳統(tǒng)的晶體硅太陽(yáng)能電池具有更加廣闊的市場(chǎng)空間。由此隨著碳中和、碳達(dá)峰目標(biāo)的提出，光伏裝機(jī)量提升確定性強(qiáng)，光伏用濺射靶材市場(chǎng)將穩(wěn)步增長(zhǎng)。近年來(lái)隨著國(guó)內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，光伏電池規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)。數(shù)據(jù)顯示，2021年我國(guó)光伏發(fā)電累計(jì)裝機(jī)容量為30656萬(wàn)千瓦，較上年同比增長(zhǎng)21%，新增裝機(jī)容量為5493萬(wàn)千瓦，較上年同比增長(zhǎng)14%；2022年1-6月我國(guó)光伏發(fā)電累計(jì)裝機(jī)容量為33677萬(wàn)千瓦，較上年同比增長(zhǎng)25．8%，新增裝機(jī)容量為3088萬(wàn)千瓦，較上年同比增長(zhǎng)137．4%。隨著全球經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展及相關(guān)技術(shù)創(chuàng)新的推動(dòng)下，近年來(lái)全球?yàn)R射靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)資料顯示，2021年全球?yàn)R射靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為213億美元，同比增長(zhǎng)8．7%。得益于政策利好以及在技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)下芯片、光伏高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)需求不斷釋放，我國(guó)濺射靶材行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。據(jù)資料顯示，2021年我國(guó)建設(shè)靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為375．8億元，同比增長(zhǎng)11．5%。濺射靶材發(fā)展趨勢(shì)近年來(lái)我國(guó)對(duì)濺射靶材行業(yè)重視程度不斷提升，各類政策出臺(tái)推動(dòng)行業(yè)積極發(fā)展，明確對(duì)于國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)進(jìn)口國(guó)內(nèi)不能生產(chǎn)、性能不滿足需求的自用生產(chǎn)性原材料及消耗品免征進(jìn)口關(guān)稅。在國(guó)內(nèi)良好的政策環(huán)境和各細(xì)分市場(chǎng)廣闊的市場(chǎng)空間下，國(guó)內(nèi)濺射靶材企業(yè)市占率提升空間大，機(jī)會(huì)逐步開(kāi)啟。此外高性能濺射靶材是顯示面板、半導(dǎo)體、太陽(yáng)能電池、記錄媒體不可缺少的原材料，進(jìn)而廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、智能家電、通信照明、光伏、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、汽車電子等多個(gè)下游應(yīng)用領(lǐng)域。我國(guó)是全球最大的消費(fèi)電子產(chǎn)品生產(chǎn)國(guó)、出口國(guó)和消費(fèi)國(guó)，也是全球最大的集成電路半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)和進(jìn)口國(guó)，在最終下游眾多生產(chǎn)及消費(fèi)領(lǐng)域的需求驅(qū)動(dòng)了我國(guó)高性能濺射靶材行業(yè)快速增長(zhǎng)。因此，未來(lái)高性能濺射靶材行業(yè)高速成長(zhǎng)的確定性較高，基本不會(huì)受到偶發(fā)性或突發(fā)性因素影響。隨著全球平面顯示、半導(dǎo)體、太陽(yáng)能電池、記錄存儲(chǔ)等行業(yè)生產(chǎn)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張，直接帶動(dòng)了高性能濺射靶材行業(yè)的發(fā)展，使得中國(guó)國(guó)內(nèi)濺射靶材使用量快速增長(zhǎng)，給國(guó)內(nèi)濺射靶材廠商帶來(lái)良好的發(fā)展機(jī)遇。濺射靶材指采用物理氣相沉積技術(shù)在基材上制備薄膜的原材料，靶材是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，更換不同的靶材可以得到不同的薄膜。濺射靶材是PVD（物理氣相沉積）領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用量最大的鍍膜材料。濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用荷能粒子（通常是離子），在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的粒子束流，轟擊固體表面，粒子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基板表面，被轟擊的固體即為濺射靶材。濺射靶材的種類較多，即使相同材質(zhì)的濺射靶材也有不同的規(guī)格。按照不同的分類方法，可將濺射靶材分為不同的類別。濺射技術(shù)作為薄膜材料制備的主流工藝，其應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，如平面顯示、集成電路半導(dǎo)體、太陽(yáng)能電池、信息存儲(chǔ)、工具改性、光學(xué)鍍膜、電子器件、高檔裝飾用品等行業(yè)。濺射靶材產(chǎn)業(yè)集中度高、技術(shù)門檻高、設(shè)備投資大，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少，國(guó)內(nèi)高性能濺射靶材市場(chǎng)尚處于發(fā)展初期，具有規(guī)?；a(chǎn)能力和較強(qiáng)研發(fā)能力的廠商數(shù)量仍然偏少，隨著全球分工及產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移，國(guó)內(nèi)廠商正處于對(duì)國(guó)際廠商的加速替代過(guò)程中，已有如江豐電子、阿石創(chuàng)、有研新材、隆華科技、先導(dǎo)薄