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文檔簡介

ecneiciSc0001.燒結(jié)過程的主要傳質(zhì)機(jī)制 ,當(dāng)燒結(jié)分別進(jìn)行

與時間t的關(guān)系分別 、平有含移操作的對稱要素種類 0004.理想形態(tài),分別是 。 排列的固體 -lC離子)為例,屬于這個球的八面體隙數(shù) ,所以屬于這個球的四面體空隙數(shù) 與非0007.較晶體具有自限性、 0008.系晶胞中 其晶面的晶面指數(shù) 時,粗糙度越大θ表面接觸 ,就越容易濕潤; ,則粗糙 ,越不利于濕潤著00.

數(shù)氧a2OR25

時,橋氧又開 ,熱膨脹系數(shù)重新 001.晶體結(jié)構(gòu)中的點(diǎn)缺陷類型共 間隙中而形成點(diǎn)缺陷的反應(yīng)式和C2a。. 其擴(kuò)散活化, 組成. re積缺陷時 密 a + 離子數(shù)+離子數(shù)比反應(yīng)式 增加而減少,由此可判斷,

gT 0. 2i-0.8S2aO. . 2i 0.S 和0019. T圖中三, T代表,

。。

)

N不量 2ii21/2O 的玻璃中氧多面體平均非橋氧數(shù) 堆積 相對應(yīng) 方式相連時伴 的增加

0027.多種聚合物同時并存而不是一種獨(dú)存這就是熔體結(jié)構(gòu)在熔體的實(shí)質(zhì)。 于食例 lCaN而2H lC+HOH-等離子卻不能算是組元,因?yàn)樗鼈兌疾荒茏鳛楠?dú)立的物質(zhì)存在0029.在彎曲表面效應(yīng)中,附加壓PΔ總是指向曲面 ,當(dāng)曲面為凸面時 0 31-2eOF[2)]O(C 從而促進(jìn)-a石英向磷石英的轉(zhuǎn)化。水泥生產(chǎn)中 用作礦化劑,?a0則規(guī)無做,中質(zhì)032在0033.燒結(jié)的推動力是 ,它可憑下列方式推動物質(zhì)的遷移:蒸發(fā)凝聚傳質(zhì)擴(kuò)散傳質(zhì),流動傳質(zhì),溶解沉淀傳質(zhì)。0034.固體質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散的推動力 0035.固相分解反應(yīng)的特點(diǎn)是 3M= D=由能化活散, 組成 最常見的擴(kuò)散機(jī)制,其擴(kuò)散活化能包括和

擴(kuò)散,分相速 結(jié)構(gòu),分相開始界 突變.a穩(wěn)定分 b.介穩(wěn)分 .c成核-長大分 d.旋節(jié)分) 第二相組成不隨時間變化 分相區(qū)在液相線上 )( 分相開始 分相后具有液滴狀孤立結(jié); 分相速度 分相后的 有分相勢壘 ;)( 分相區(qū)在液相線下 )2T,PC 形成晶核的過程 90 的關(guān)系 屬 晶系,正負(fù)離子配位數(shù) ,單個晶胞占有正負(fù)離子的數(shù)目 lCg,lC 0045.序順小大程化極是的數(shù)位配變改果結(jié)化極, 4 19] (2a 2)S3[g (4)2i 4不同點(diǎn)

nlD 擴(kuò)散過程圖中各部分線段的斜率分別是( 。0051.造成二次再結(jié)晶的原因主要是及,,是及,等。Cl晶胞中0052.NaCl-離子作最緊密堆積,Na+100%面體空隙的,(的球個這于屬,例為)-離 晶體0053.的點(diǎn)缺陷類型共 三種 加

2中形成間隙式固溶體的的缺陷反應(yīng)式為 固, 答案填空題35/6/20002.對稱面、對稱中心、對稱軸,旋轉(zhuǎn)反伸軸;滑移面、螺旋軸;C、m 0003.、7、32、146、47、14、2300004. 0006. +2lCl 0012. 0013.由晶體內(nèi)本身的熱缺陷引起質(zhì)點(diǎn)遷移)R/xD 0015不變,不變,變大,變小t l K

l. 0034. 0035.)((海德華溫度03. 3 ,

0038.缺陷濃度,00042. 0044l.NCam3mF lgCA CKuS uSgA0046.組群狀,鏈狀,層狀,架狀,島狀密燒結(jié)體的溫度不同0-

0049.蒸發(fā)-凝聚,粉末體球形顆粒凸面與顆粒接觸點(diǎn)頸部之間的蒸氣壓差0050.缺氧條件下非計量化合HH/,2HH/ 本征擴(kuò)散化學(xué)計量擴(kuò)散本征擴(kuò)散或雜質(zhì)擴(kuò)0051.0052,1,2,6,棱,4。 r 2x1 x1x2二、判斷

i 0003 均勻一個液相和一個氣相.純0006在一定壓力下的是定值

它們是一個3相平衡共存 0007.純液體在一定溫度下的蒸汽壓為定值.0013. 0014.0000.000

=C時2P2 01. 0011答:不對,是化 0012.相反。錯位型螺。確正04答

01 三、

0004型00180019001800190020低共0028穩(wěn)定擴(kuò)散與不穩(wěn)定擴(kuò) 0029本征擴(kuò)散與非本征擴(kuò)0030自擴(kuò)散與互擴(kuò) 0031擴(kuò)散系數(shù)與擴(kuò)散通0032配位數(shù)與配位 0033同質(zhì)多晶與多晶轉(zhuǎn)0034位移性轉(zhuǎn)變與重建性轉(zhuǎn) 0035弗倫克爾缺陷與肖特基缺0036刃型位錯和螺型位 0037晶子學(xué)說和無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)0038晶體場理 0039配位場理 0040螢石型和反螢石0041類質(zhì)同晶和同質(zhì)多 0042二八面體型與三八面體0043同晶取代與陽離子交 0044尖晶石與反尖晶0045米勒指數(shù) 0046離子晶體的晶格能 0047離子極化 0049壓電效應(yīng)

0051熔體 0052界0053無序擴(kuò)散 0054燒結(jié)宏觀定義 0055非均相成核 0057晶界結(jié)構(gòu) 0058橋氧離子 0059吸附 0061初次再結(jié) 0062二次再結(jié) 0063晶粒長 06 0024體就稱為晶胞平行六面體相對應(yīng)的部分, .網(wǎng)0017成體、網(wǎng)絡(luò)、網(wǎng)絡(luò)改性鍵強(qiáng)度>335kl/ l/J ,這類氧化物不能形成玻璃,但能改變網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)從而使玻璃質(zhì)改變,稱為網(wǎng)絡(luò)形體。 250~33/0021.雙升點(diǎn):處于交叉位的單轉(zhuǎn)0022.雙降點(diǎn):處于共軛位的雙轉(zhuǎn) 產(chǎn)物;與這三個物質(zhì)相應(yīng)的初初晶區(qū)所包圍的三元無變量點(diǎn)是其結(jié)晶結(jié)束點(diǎn)。0027.重心規(guī)則:如無變點(diǎn)處于其相應(yīng)副三角形的重心位,則該無變點(diǎn)為低共:如無變點(diǎn)處于其相應(yīng)副三角形的交叉位,0和 和0p夠大的而擠到晶格點(diǎn)的間隙 0037

”微晶子晶格變形的有序區(qū) .螢0040:a FFa2型結(jié)構(gòu)中,+2按面心立方緊密排列,-占據(jù)晶胞中全部四面 -F的位置,-2占aC+2的位置。

24 型 充稱為二八面體型結(jié)構(gòu)4 +KaN進(jìn)等)體結(jié)構(gòu)來平衡多余的負(fù)電荷 AB2O4尖晶石型晶體結(jié)構(gòu)中,若A+2分布在四面體空隙、而.米0045

4,稱為反尖晶 .鐵0048.壓004902iS 2、0053化. .粉0054一定溫度作用下,發(fā)生團(tuán)結(jié),使氣孔率下降,致密度提高,強(qiáng)度增 0 PT,及組成不變的條件下,增加單位表面積對系統(tǒng)所做的功。 0或或 .量守. .B晶面夾角相.B理論.藝設(shè)計.

C晶面指數(shù)相同.格常數(shù)相同:2

..B.19 世紀(jì)80年 .量最低法21 2

.D..A .B三次對稱銅器時代,石器時代,陶器時

..D 器時代,陶器時代,青銅器時.

..BC三個反映面.個對稱軸 .

..B.B.C.C..1L.A.B.C.D

9.9P

表應(yīng),面稱9

99

C2.PD

C3

.2P

3

1i.A.B

C22 ..0.A.B

種點(diǎn)群 .2.32.230.3.

.轉(zhuǎn).B.A.B.

.C反映轉(zhuǎn)+反伸.A.B.C.D

.

. .B

.hk. C旋轉(zhuǎn)+反伸.轉(zhuǎn)+反映

.C hk. .B任意多 .A.C最多9

.u.[

.B多 種.C最多9 6.LAC

CC336i 可以等效表達(dá)為 C33

C33.LDP(0030.

0038.晶體的微觀對稱要素 .A.B.旋軸.

00031.四方晶系的晶體常數(shù)特征為 .aβα.a9γ

9 0c≠b≠.aD9≠0γ°≠β≠α, 0032.晶體常數(shù)特征為: .240≠.a°=β=α, .220.2109γ==α .210.a9γ

將 個八面體空隙存在.22n

心四方堆積.方堆積1

(0042.

將 個四面體空隙存在 .2n 1+.2.a9γ.a9γ

0 0044.三斜晶系的晶體常數(shù)特征為 類.aβα 9γ==α .a9γ

0 hk. u.Bhk.

.[

種效應(yīng)

個 配.10.11.12.13

種 ..B

.0.1

..225-..732-

晶系。2 屬 (高溫型 .0.732-0.732..414-0.414..225-0.225.0.155- .方.B.C四方.方

..B..Di08.0

3 2.13.1/3.2/..B方.

4.33ia系。 ..B0062.石晶胞含 個原子

.. i

種可能的方式 ..B

.C單斜特性 .有含中胞064.

.A.B子 .鍵 個分子

.D 晶胞中

. .B

.方. 屬 ..B

. 晶胞中含. 晶胞中 套等同點(diǎn)

2 0085.Z高溫型)2

2 2

屬 (金紅石

.A正 .B六 .C3 屬3

. 晶體是以O(shè)lA

..B 層重復(fù)而得到.1

方..12 晶體具3i

.1

.A.B子 .C

4

3i

.A.B

008。AB.C立 .D

0082. ..B

.C導(dǎo) 晶體共.083.氧

.1000硅

0093.玻璃態(tài)物質(zhì)具 大通性

0 ..

35J氧類這B

。..D

..B 20J氧類這 .C離于 .子鏈鏈.A.B

C ..D..B

1

..D

..B .子鏈間相互作

.D.2:

..A.B 個正離子連接

.心立方.方0106.液晶高分子 鍵合而成

.A.BC小分子液晶基元.子0

.A.B ..液

..BC間同立構(gòu).規(guī)立構(gòu)

個電荷 表示1.-22.-10.A.B..D

.1.A玻璃 B高彈態(tài).態(tài).

..B.C..BC熔化.化

相 溶體1

0K

.A0

位置來劃分,可以分 類.

0標(biāo)表示帶12.-6.13x方法

3.14.1/5.1/6.1 類.A.B限型固溶體.

1.A.B

個電荷 不寫表示1.-23..D不生成固溶體個電荷 ?0“231.-1 0128.料,設(shè) D為實(shí)驗(yàn)測定密 若 A.

.B置換 .隙 .生 .A化合 .B連續(xù)型固溶體 .限型固溶體 .D

x2- 3.14.1/5.1/ .B背1/ .電價相等,則生 .D垂..BC有限型固溶體.生成固溶體

.A.B0139.對于金屬材料,設(shè)D為實(shí)驗(yàn)測定 .C大若 .D大于等則固溶體 .位 大顆粒的溶解度。的溶解度.BC間隙型.生成

.AB大于.于.D30151r/ 0 ..AB連續(xù)型固溶體.限型固溶體

B降低.變..D148. D為實(shí)驗(yàn)的若 .A刃型位則固溶體 ..B

B螺旋位錯.合位錯.錯中心.C.D

.大

.B..B螺

..錯中心. 0.D先增大再減小

..B.A.B

.C溶質(zhì)...

.A溫.B. .. .散型相0 .B二級相 .C液-固相.度梯 .擴(kuò)散型相..C.。.A。.B...B原子互換機(jī) ...D置換機(jī)制 .組元的原子半徑不同.B

有關(guān),密排的晶面表面能...D兩組元中的空位濃度不同 .1.D.A.B

0005.A 0012.111009.A. ...C .D 0.0029028.B6..A.B..D

003034.00332.AC003.0..6.D.0.6.0.44.D0.0.0.8.B0055. .B.

.B..3.13.2/4.3/

2.1 . 007074.73.B0072.A 0076.C 0083.0082.000.A1 .. 00..8.088.B.A.B..D

..009.00.0.96.010.0.B 1.A.01.11.111.A0161.馬氏體轉(zhuǎn)變 .. . .. 0150.4048.47.B.. .D. .. 0141.014.13.138.B .0002.格子是何種關(guān)系?面體相同的參數(shù)來表征晶胞的幾何特征。其區(qū)別是單位平行六面體是不具任何物理化學(xué)特征的幾何點(diǎn)(等同點(diǎn))構(gòu)成的。而晶胞則是實(shí)在的具體質(zhì)點(diǎn)構(gòu)成。 l0a1N中( 離子)為例,它的正下方有1個八面稱 1個 6個八面體空隙與其直接相鄰 球還與另外2個面心、個頂角上的球構(gòu)成4個四面體空隙(81/小立方體的體心 4個四面體空隙由這個參與構(gòu)成。個四面體空隙由共有8個四面體空隙與其直接相鄰, 所以屬于4個球構(gòu)成,個球的四面體隙/8.

2+C X 中,間隙原子的表示符號iMiX;空位缺陷的表示符號為V XV。如果進(jìn) 晶體的雜質(zhì)原子是A,則其表示符號可寫成: XA(取代式)iA(間隙式) 2+C +K而出現(xiàn)點(diǎn)缺陷,其缺陷反應(yīng)式如下 2+C

+2lCl解:位置平衡是指在化ba 中,格點(diǎn)數(shù)與X格點(diǎn)數(shù)保持正確的比例關(guān)系M.分的從晶體穩(wěn)定性考慮,相互替代的離子尺寸愈相近,則固溶體愈穩(wěn)定。若以r1和2r分 項 項 0(=x~BAB+ 3 中的缺陷方程。3g 2+2g2+

2 3F 2+33F 6+4 3l→2A +2Y2→3C 置換,如方程(2)和 l→2A + (3)

3 3 3 試預(yù)計OgM3C 解:3A 32rOC 為為雖

C構(gòu)類 lCa 1=.89%0011. 2i 2i i 2iS-解N 系統(tǒng)中2iS 含量增加,η增大,σ2iS 合離子團(tuán)尺寸增大,遷移阻力增大,η,r/e 2i 2i i 系統(tǒng)很低,表面張力大;加2iS ,系統(tǒng)中出現(xiàn)聚合離子2iS 石英熔 i2 石英熔 i2 大 大熔 熔

2i i 解:利用X—射線檢測。晶2i 2i 2iS 4i4i 四面體排列成無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)結(jié)2i B—O—B鏈連成B 0017.)( 2i iS/ / / 時,則不能形玻璃,為什么構(gòu),如iS/O

2]i iS/ 值的增加,硅氧負(fù)離子不斷變小,iS/O 比值增至4時,硅-氧負(fù)離子全部拆散成為分4-4iS[ 降。2aON15%1%i致 氧四面體3

玻璃從原來二度空間層狀結(jié)構(gòu)部分轉(zhuǎn)變?yōu)槿瓤臻g的架狀結(jié)構(gòu)體的網(wǎng)絡(luò)不同,樣形成連續(xù)的三網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。 0019.在硅酸鹽熔體析晶的成核速率、生長速率隨T變化的關(guān)系圖中,標(biāo)出哪一條曲u u 0020.什么叫表面張力和表面能?在固態(tài)下和液態(tài)下這兩者有何差別所需作的功;σ=力/總長度/Nm物質(zhì)所做的非體積功稱為表/存在)0022. ,濕潤;利于濕潤。90°,則粗糙度越大, 在解:573℃以下的低2iS 的穩(wěn)定b-石英, 時在同一溫a發(fā)生逆轉(zhuǎn)變。 過熱到為a-鱗石英。a-鱗石英在加熱較快時,當(dāng)緩慢1670℃時熔融。 在870℃仍可逆地轉(zhuǎn)變?yōu)閍-石英;當(dāng)迅速冷卻時,沿虛線過冷,在163℃轉(zhuǎn)變?yōu)榻榉€(wěn)態(tài)的b-鱗石英,在117℃轉(zhuǎn)變?yōu)榻榉€(wěn)態(tài)的g-鱗石英。加熱時g-鱗石英仍在原轉(zhuǎn)變溫度以同樣的速度先后轉(zhuǎn)變?yōu)閎-鱗石英和a-鱗石英。a-鱗石英緩慢加 熱,1470a在-方石英, 71 ,時可逆a 璃。雖然它是介穩(wěn)態(tài),由于粘度很大在常溫下可以長期不變。如果在1000℃以上持久加熱,也會產(chǎn)生析晶。熔融狀2iS ,只有極其緩慢的冷卻,才會在1713℃可i 的相圖進(jìn)行分析發(fā)2i 0026.今有配料(1)3kg,配料(2)2kg,( 0027.

?什么情況解:由熱力學(xué)可知,在等溫、等壓 T T0S H若在任意溫度T的不平衡條件下則有 S若 與S不隨溫度而變化,將上式代入上式得 0G T/0

可見,相變過程要自發(fā)進(jìn)行,必須 T00若相變過程放熱(如凝聚、結(jié)晶等)H0G0,必須T0T, T0T0,T0T,這表明系統(tǒng)必須“過冷”。若相變過程吸熱(如蒸發(fā)、熔融等H0,要滿 G0這一條件則必 T0T0T島 4[S 4]iS[g組群狀2 12 六節(jié)環(huán)3 6]2iga3 2) 10i42 i 6]l

層中部 +M一水化條件下這(+aN多a+11:型結(jié)構(gòu),單網(wǎng)層與單網(wǎng)層之間以氫鍵相連,氫鍵強(qiáng)于范氏鍵,水化陽離子不易進(jìn) 答:蒙脫石和伊利石均為12:型結(jié)構(gòu)。但是,蒙脫石的鋁氧八面體層中大約31/的 61/4i+S 所取代+K進(jìn)入復(fù)網(wǎng)層間以平衡多余的負(fù)電荷+K位于上下二層硅氧層的六邊形網(wǎng)絡(luò)的中心,1] +K與硅氧層中的負(fù)電荷距離近,結(jié)合2+B2 i i (金紅石型)2a 2+B 2+M +C -r/+r數(shù)增大, 2FeB 42g 的8配位C原子之間是共價鍵,具有方向性和飽和性,每個C4C原遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于緊密堆積的74.05%。

要g +r g 使,Oa 結(jié)構(gòu)g 疏松 易于進(jìn)入]S2[a

解:島狀;架狀;單鏈;層狀(復(fù)網(wǎng));組群(雙四面體)0.S 解:透閃石雙鏈結(jié)構(gòu),鏈內(nèi)iS 鍵要比鏈間-aCO-gM 易沿鏈間結(jié)合力較弱處劈裂成為纖維狀;滑石復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu),復(fù)網(wǎng)層由4i 層 A 為什么能部分置換硅氧骨架中4i+S) 進(jìn)入硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)中 發(fā)生同晶取代,由于鮑林規(guī)則,只能部分取代 是部分取代 5iS[4i +K+C +B 進(jìn)入結(jié)構(gòu)中;(3) 3l+A 43/=4/1+4/ 2

到釋放全部多余能量而使整個熔體晶化為止。 g 楊氏方程僅適用厚度x隨時間而向球中心推進(jìn)。 fla 形成肖特基缺陷;2Ig 形成弗侖克爾缺陷 進(jìn)入間隙23iT bO la

′ g gg 2i 2b O b iOb-i

O+2 2T2bixOb- l

Caaa2ll2 c (θ)并且:C S fC/42/ c (21= =G-H//TT .0/ - --- ,<G

即0/0< >T0 0> <

散 組成等)(如粘性度質(zhì),離子結(jié)合晶體中晶格3也越牢固,離子擴(kuò)散也越,燒結(jié)溫度越高。保溫時間:高溫段以體積擴(kuò)散為主溫,以創(chuàng)造體積擴(kuò)散條件。4、氣氛的影響:氧化,還原,中性。5、成形壓力影響一般說成型壓力越大顆粒間接觸越緊密,對燒結(jié)越有利。個固相一固相一致析出 答:最低共;雙升點(diǎn);雙降點(diǎn)。0057.簡述固體內(nèi)粒子的遷移方式有幾種0058.說明外加劑對燒結(jié)的影響5)0059.影響固相反應(yīng)因素有哪些4)2)/(--0tK kt032/ 轉(zhuǎn)化--k -擴(kuò)散系數(shù)--n-分子--C 分子量;--產(chǎn)物密度。速度常數(shù)越小, K0R顆粒半徑平方成反比,2 熔體中隨 加入量的不同,粘度如何變化,為什么2i 粘度隨 值上升,m4i 子分給每一個O離子靜電1/6 △p=(r/+ 非球形)12 不連續(xù)152.< 連續(xù)>40%()4()場強(qiáng)因素。5()條中線的交點(diǎn),這里的三角形實(shí)際上是一個厚度均勻、密度均勻的三角形的板狀物而三元相圖水平截面中代表三相平衡區(qū)的共軛三角形, 下 樹脂與少量熱塑性彈性體下生成大量晶核,然后再讓晶核適度長大,從而在玻璃中產(chǎn)生數(shù)量眾多、非常細(xì)小0076.什么是柯肯達(dá)爾效應(yīng)試樣加熱到接近的高溫長時間保溫,有缺 域滑移面兩邊原子的結(jié)合鍵0079.試從結(jié)構(gòu)和能量的觀點(diǎn)解釋為什么表面>D晶面>D 或晶核劑<0 F (2 2O3時,由于氫原子半徑很小,擴(kuò)散系數(shù)較大,易于擴(kuò)散而有利 0085.基質(zhì)塑性變形而于基0免6 來提高活性,但單純依靠機(jī)械來提物料分散度是有限度的,并且能量消耗也多于是開始發(fā)展用化學(xué)方法來提高物料活性和加速燒結(jié)的工藝,將(畸變燒結(jié)物形成固溶體 )轉(zhuǎn)變 有些氧化物在燒結(jié)時發(fā)生晶型轉(zhuǎn)變并伴有較大體積效應(yīng)這就會使燒結(jié)致密化發(fā)生,相液生)( 質(zhì)過程 用機(jī)理而言,不同的甚至相反的效果, 被加速正離子加

化學(xué)組成是響固相反的內(nèi)因,決定反方向和速度重要條件、 從熱力學(xué)角度看,推動力也率也大。從結(jié)構(gòu)角度看,反應(yīng)物中質(zhì)點(diǎn)間的作用鍵愈大,則可動性和反應(yīng)能力愈小反之亦然。相同的A和B反應(yīng)生成反A物變 A與B比例會改變產(chǎn)物層溫度、 當(dāng)反應(yīng)混合物中加入少量礦化劑(也可能是由存在于原料中的雜質(zhì)引起的常會對反應(yīng)產(chǎn)生特殊的作

3 比表面積愈大,反應(yīng)界面和擴(kuò)散截面增加,反應(yīng)產(chǎn)物層厚度減少,使反應(yīng)速度增大2 KAex)p(Q

X、Y、Z軸上的截距系數(shù):221/、2/3晶面指數(shù)為

︰4︰0002.一個四方晶系晶體的晶面,X、Y、Z3a、4a6c31/41// /:1k (32;解答

2b/、c/

;c aπ34/4× 立方體晶胞體積:2()a3=16 a3,空間利用率=球所占體積/空間體7=.1%,空隙.-

lCaN 2grM z=4,晶胞中質(zhì)點(diǎn)r積/ rπ-2343/+ +2gM4×3)ra r++-),晶胞體積a=3,堆積系數(shù)=晶胞gM 體積/晶胞體6=.5%,密度=晶胞gM 3 2晶體中的-iTa 0009.面排列密度的定義為:在平面上球體所占的面積分?jǐn)?shù)。(a)gMa(晶體型 解g gb面心立方緊密堆積的單位晶胞中 )1面排列密 )1面排列密 10010.g

2rM =z4,晶胞中質(zhì)點(diǎn)r積/ rπ-2343/+ +2gM4×3)ra 系數(shù)=晶胞gM 體積/晶胞體6=.5%,密度=晶胞gM 3在體心立方堆積結(jié)構(gòu)中:(100)面:面排列密度= )1面排列密 111面排列密 面間距 在四面體心正離子與四個負(fù)離子直接接觸,四個負(fù)離子之間相互接觸(中心)。因此:底面上對角中心線長為:0013.一個面心立方緊密堆積的金屬晶體,其原子量M

8.9原子間距=體心:原子數(shù)2,配位數(shù)8,堆積密度55.5%;4674.04%;6,配位數(shù)6,堆積密度74.04%3 六方晶胞 晶胞為結(jié)構(gòu)基元表示出來。

a() c(— 個系統(tǒng)四面2nn 12:=面體空隙11:==) ×81z 6= ×62+z e 4Mn2

×4=4+z i 6= +z(分別為0017.SilA原子的相對質(zhì)量非常接

mc3

mccm

或3 的堆積系數(shù)計算如下

3

或 -(

六配3 的堆積83.622OiS晶體中離子堆積系數(shù)3, 密度大2OiS從鮑林規(guī)則可3 3/2iS i0018(a 晶體中,肖特基缺陷的生成能v6e,計算在25℃和1600℃時 g

a()根據(jù)熱缺陷濃度xep(-91969/J2310- 298273251T 1.× xe 8 (b 中加入百萬分之3 此時產(chǎn)生的缺陷為]雜質(zhì)而由上式可知:l2[ ]雜∴當(dāng)加10-lA2O32 8=] 1

84ol/ xep(- 8JG xep(l/

xe xe

6.=4×3.=45×用 3Fa 2中形成固溶體,實(shí)驗(yàn)測得固溶體的晶胞參 測得固溶體密.=6ρ4g/mc3,試計算說明固溶體的類型?(=Y. 2的缺陷反應(yīng)方程如下FY3YF+2+ FF2Y3 6+ F方程(1)和(2)的固溶a 按題 ...置換型固溶體分子式為C7a.0.0F2;的密度分別設(shè)為 ρ1和ρ2FaC 2是螢石型晶體,單位晶胞內(nèi)含有4個螢石分子。 3/g 3.=346 ol此 加Fa 2中形成間隙型固溶體 a)lA23

l23 iN rC

)lA2O3中l(wèi)加 rC2O3,生成淡紅寶石的缺陷反應(yīng)式為 0.410

lA2O3O%%

Ox e2FeF+eg2() O+O2) 2h+=V[]﹠PO/1加,晶體質(zhì)量減小,則eF-1xOb化學(xué)計量化合 nZ1+xO,由于正離子填隙,使金屬離子過剩n 2e+ [ 得 ]PO-小,晶體質(zhì)量減小,則nZ+1xO的密度也將減小。

+20.=1xe 陷( )oleF2O3Oe 陷eeF e eF eFO∴α=+2= 31-156 又 +3]=α=. 1.956 ix-制備強(qiáng)烈依賴于氧分壓和溫度b

ia() 2Ti O O+ 2e+ b 0.5%olrC%ol i rC2O3固溶入lA2O3的缺陷反應(yīng)為2+ 2+

r r l1m m0.005 ; 0.020.522A 2rCl2O3→A20.948+0.005/l00=.95m

i Cr2 0.9022O3 2l69.540. 57.00,04004=0.5 002n.Z

g5.65.74 ===

mc 7 47256

22-22-=W0027.對于gA23rC 、0.470.36和0.40lArC2O3形成連續(xù)固溶體) 這個結(jié)果可能嗎?為什么? 試預(yù)計g rC2O3系統(tǒng)中的固溶度是有限還是很大?為什么?l 前者為(b)對g C23 lCa后者剛玉型。雖

1=.89%<15% ℃時 l g下列下密 l) +3為

+3l +3缺陷反應(yīng)為 固溶式分子式 lAb 3+為置換離子缺陷反應(yīng)為 3100g試樣為基準(zhǔn):(為摩爾數(shù)

4== == g Otw溶 lA2O3后的分子式為 .6 5253. 5各項除 473 673 b 73 ,分別代表固溶前后密度0029.用0.2mFY3FaC 2中形成固溶體,實(shí)驗(yàn)測得固溶體的晶胞參0.=5a5nm 測得固溶體密.=6ρ4g/mc3,試計算說明固溶體的類型?(元素的相對原子質(zhì)量:48=Y 2的缺陷反應(yīng)方程如下FY3YF+2+ F2Y3 V+6+ 2( 按題 ...置換型固溶ρ體分子式為aC7.0.0F2;它們的密度分別設(shè)為ρ1FaC2。 晶體,單位晶胞內(nèi)含有4個螢石分子。g9 / ρ由ρ1與2計算值與實(shí)測密 3比較,1接近 FY3加Fa 2中形成間隙型固溶體 727℃時是108泊

T/ 1

℃時 7P時,8 ℃0031.某窗玻a含14N2a-14Ci 2(重量百分?jǐn)?shù)),求非橋氧百分?jǐn)?shù) 0 1.15dp 4 .) 解 取對數(shù)得 A=nL nLA=/將、T 101.38×852E=

10 8 230.3kJ t1a213i 74 aNi ttR . 0.2=Z2.R=i 非橋氧數(shù)%= . 8/ 序號iSt

aN)t

lA)t 22aNlit t

t

, a1/2O7.4288/ lA3+被視為網(wǎng)絡(luò)形成離4

2= -2R4

lA3+4

X=2R-Z.027×8 -X=4-0.15683.1#玻璃Y

#玻璃Y2=1 twi314N1O 2.P 解a該玻璃的平均分子

1nm3 3

4 的表.

0037.氧化鋁瓷件中需要被 以可?面表件瓷鋁化氧濕潤否能銀態(tài)液們之間的潤濕性 中

說明:液態(tài)銀不能潤濕氧化鋁瓷件表面。 改善方法1去除固體表的吸附膜 0038.推測在貧鐵的eF3O4eF+2:解的 eF34于OeF量 eF23結(jié)構(gòu)式可寫成: V ) 平衡常數(shù)K0= eF=exp(-12PO21

O[)

1 ( p( G/O

RD或eFeF

2OPO20039.具有不一致熔融二元化合物的二元相圖如下圖,在低共E發(fā)生如下析晶過程:L+AC P+LDE+ATaA C2B含量為x,C1B 0040.已知A和B兩組份構(gòu)成具有低共的有限固溶體二元系統(tǒng) 73初相)B(SA 和26S(AS(B生體。含 60)S( 共生體,) a

bC SA(BS)+)+B(AC z CD、E三點(diǎn)。此兩種組成點(diǎn)必在 解:設(shè)C點(diǎn)含B,Ex% 點(diǎn)含B%y,點(diǎn)含B為%z,由題意得關(guān)系式:y25173 y50z50. 1.00 00

34

D=0.34×10-14m

0exp(-

xx c=c- 0鐵的晶胞中含有一個碳原子,知鐵為面心立方結(jié)構(gòu):解:

-m2s 3 J=1.02×1019個 2Jx×60×a 3.04 在恒定源條件 解:根據(jù)恒定源擴(kuò)散深度4℃已知多長時是表面濃度的一半 ℃無無

DDgb200010- 解:晶界擴(kuò) =2.002×10-10exp(-V 體擴(kuò)散=1.00×10-4exp

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