脈寬調(diào)制器行業(yè)發(fā)展基本情況

脈寬調(diào)制器行業(yè)發(fā)展基本情況半導(dǎo)體封裝測(cè)試行業(yè)概況半導(dǎo)體封裝測(cè)試屬于半導(dǎo)體制造的后道工藝，主要是將通過(guò)測(cè)試的晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過(guò)程。相較于集成電路的設(shè)計(jì)以及晶圓制造環(huán)節(jié)，封裝測(cè)試領(lǐng)域?qū)夹g(shù)要求相對(duì)較低。隨著近幾年的發(fā)展，我國(guó)在半導(dǎo)體行業(yè)在封測(cè)領(lǐng)域已經(jīng)初步具備了全球競(jìng)爭(zhēng)力。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）數(shù)據(jù)，2020年，市場(chǎng)份額排名第一和第二的分別是中國(guó)臺(tái)灣的日月光和美國(guó)安靠，國(guó)內(nèi)最大的封測(cè)廠商長(zhǎng)電科技全球排名第三，國(guó)內(nèi)的通富微電和華天科技分別排在了全球第六和第七的位置。目前半導(dǎo)體的發(fā)展有兩種模式，一種是延續(xù)摩爾定律：Intel等主流的CPU、存儲(chǔ)器廠商繼續(xù)沿著摩爾定律向著7nm、5nm工藝演進(jìn)。另一種是超越摩爾定律：Infineon等主流的射頻、功率器件、MEMS廠商依靠特色工藝驅(qū)動(dòng)新應(yīng)用發(fā)展。雖然摩爾定律還在向7nm-5nm-3nm挺進(jìn)，但是目前看來(lái)能跟隨這個(gè)路徑繼續(xù)微縮下去的企業(yè)愈來(lái)愈少，產(chǎn)業(yè)技術(shù)方面也開始更多的關(guān)注超越摩爾定律。超越摩爾定律的理念誕生于20世紀(jì)70年代，但尤其適用于目前半導(dǎo)體市場(chǎng)碎片化需求，其支持快速開發(fā)，能夠降低芯片實(shí)現(xiàn)成本，還可以與新材料結(jié)合，突破硅的物理限制，將硅應(yīng)用到不同領(lǐng)域。預(yù)計(jì)半導(dǎo)體行業(yè)將有更多新的產(chǎn)品形態(tài)，包括新的數(shù)據(jù)運(yùn)算架構(gòu)的設(shè)計(jì)、新的材料結(jié)合，未來(lái)將是超越摩爾定律大放異彩的時(shí)代。IDM和垂直分工模式是半導(dǎo)體行業(yè)主要的經(jīng)營(yíng)模式。在1987年之前，全球的集成電路行業(yè)都是IDM模式。1987年，臺(tái)積電成立，是全球第一家半導(dǎo)體專業(yè)代工廠（Foundry企業(yè)）。自此，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸開始分工，并逐步發(fā)展出專業(yè)從事設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試的企業(yè)。從產(chǎn)能和銷售角度來(lái)看，目前采用IDM模式的半導(dǎo)體企業(yè)仍占據(jù)市場(chǎng)主流，IDM廠商占有半導(dǎo)體市場(chǎng)67%左右的產(chǎn)能，并且獲得了71%的收入。半導(dǎo)體行業(yè)工藝制程持續(xù)升級(jí)，CMP市場(chǎng)穩(wěn)定增長(zhǎng)半導(dǎo)體行業(yè)高景氣帶動(dòng)CMP市場(chǎng)穩(wěn)定增長(zhǎng)。伴隨半導(dǎo)體材料行業(yè)景氣度向上，CMP材料市場(chǎng)有望受下游市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，保持穩(wěn)健增速。2020年全球拋光液和拋光墊全球市場(chǎng)規(guī)模分別為13．4和8．2億美元。中國(guó)CMP材料市場(chǎng)漲幅趨勢(shì)與國(guó)際一致，2021年拋光液和拋光墊市場(chǎng)規(guī)模分別為22和13億元。中國(guó)正全面發(fā)展半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)，CMP拋光產(chǎn)業(yè)未來(lái)增長(zhǎng)空間廣闊。先進(jìn)制程為CMP材料市場(chǎng)擴(kuò)容提供動(dòng)力。隨著芯片制程不斷微型化，IC芯片互聯(lián)結(jié)構(gòu)變得更加復(fù)雜，所需拋光次數(shù)和拋光材料的種類也逐漸變多。在芯片制造過(guò)程中，需要將電路以堆疊的方式組合起來(lái)，制程越精細(xì)，所堆疊的層數(shù)就越多。在堆疊的過(guò)程中，需要使用到氧化層、介質(zhì)層、阻擋層、互連層等多個(gè)薄膜層交錯(cuò)排列，且每個(gè)薄膜層所用到的拋光材料也不相同。此外，隨著D存儲(chǔ)芯片結(jié)構(gòu)逐漸由2D轉(zhuǎn)向3D，CMP拋光層數(shù)和所用到的拋光材料種類也在不斷增加。根據(jù)美國(guó)陶氏杜邦公司公開數(shù)據(jù)，5nm制程中拋光次數(shù)將達(dá)25-34次，64層3DD芯片中的拋光次數(shù)將達(dá)到17-32次，拋光次數(shù)均較前一代制程大幅增加。伴隨制程工藝的發(fā)展，CMP材料市場(chǎng)有望不斷擴(kuò)容，成長(zhǎng)空間較大。專用化、定制化拋光材料為未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。定制化發(fā)展有望給國(guó)產(chǎn)企業(yè)帶來(lái)更多機(jī)遇，國(guó)內(nèi)CMP拋光材料企業(yè)可以憑借本土化優(yōu)勢(shì)與國(guó)內(nèi)晶圓制造商展開深度合作，專注于具有專用性產(chǎn)品的研發(fā)。專用化、定制化有望成為CMP材料制造商產(chǎn)業(yè)升級(jí)趨勢(shì)。為匹配晶圓加工制程，CMP技術(shù)平整度要求高。CMP拋光材料的技術(shù)更新動(dòng)力源自下游晶圓的技術(shù)更新。晶圓制程工藝不斷提升，從10nm到現(xiàn)在5nm、3nm，工藝制程迭代速度極快。為了滿足精細(xì)化程度更高的工藝制程，對(duì)CMP材料的要求也隨之變高。當(dāng)前IC芯片要求全局平整落差100A°-1000A°（約等于原子級(jí)10-100nm）的超高平整度。配方的調(diào)配為一大技術(shù)難點(diǎn)。由于CMP拋光液應(yīng)用眾多，不同的客戶有不同的需求，專用性較強(qiáng)，且需要加入氧化劑、絡(luò)合劑、表面活性劑、緩蝕劑等多種添加試劑，如何調(diào)配出合適的拋光液配方需要企業(yè)長(zhǎng)時(shí)間的技術(shù)積累和不斷的研發(fā)嘗試。目前許多配方受到專利保護(hù)，行業(yè)研發(fā)壁壘高。試錯(cuò)成本高、認(rèn)證時(shí)間長(zhǎng)。企業(yè)需要不斷找到合適配方、穩(wěn)定制作工藝及設(shè)計(jì)圖案，從而獲得較好的、穩(wěn)定的拋光速率和拋光效果，因此CMP材料的研究消耗時(shí)間成本較高，需要較長(zhǎng)時(shí)間來(lái)試錯(cuò)摸索工藝指標(biāo)、產(chǎn)品配方等對(duì)物理參數(shù)及性能的影響，形成較高的行業(yè)know-how壁壘。半導(dǎo)體材料為芯片之基，覆蓋工藝全流程半導(dǎo)體材料包括晶圓制造材料和封裝材料。其中晶圓制造材料包括硅片、掩模版、電子氣體、光刻膠、CMP拋光材料、濕電子化學(xué)品、靶材等，封裝材料包括封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘結(jié)材料和其他封裝材料。具體來(lái)說(shuō)，在芯片制造過(guò)程中，硅晶圓環(huán)節(jié)會(huì)用到硅片；清洗環(huán)節(jié)會(huì)用到高純特氣和高純?cè)噭?；沉積環(huán)節(jié)會(huì)用到靶材；涂膠環(huán)節(jié)會(huì)用到光刻膠；曝光環(huán)節(jié)會(huì)用到掩模板；顯影、刻蝕、去膠環(huán)節(jié)均會(huì)用到高純?cè)噭涛g環(huán)節(jié)還會(huì)用到高純特氣；薄膜生長(zhǎng)環(huán)節(jié)會(huì)用到前驅(qū)體和靶材；研磨拋光環(huán)節(jié)會(huì)用到拋光液和拋光墊。在芯片封裝過(guò)程中，貼片環(huán)節(jié)會(huì)用到封裝基板和引線框架；引線鍵合環(huán)節(jié)會(huì)用到鍵合絲；模塑環(huán)節(jié)會(huì)用到硅微粉和塑封料；電鍍環(huán)節(jié)會(huì)用到錫球。半導(dǎo)體材料景氣持續(xù)，市場(chǎng)空間廣闊半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。無(wú)論從科技或經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體都至關(guān)重要。2010年以來(lái)，全球半導(dǎo)體行業(yè)從PC時(shí)代進(jìn)入智能手機(jī)時(shí)代，成為全球創(chuàng)新最為活躍的領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通信和汽車電子等核心領(lǐng)域。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要由集成電路、光電子、分立器件和傳感器組成，據(jù)WSTS世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織預(yù)測(cè)，到2022年全球集成電路占比84．22%，光電子器件、分立器件、傳感器占比分別為7．41%、5．10%和3．26%。半導(dǎo)體工藝復(fù)雜，技術(shù)壁壘極高。芯片生產(chǎn)大體可分為硅片制造、芯片制造和封裝測(cè)試三個(gè)流程。其中硅片制造包括提純、拉單晶、磨外圓、切片、倒角、磨削、CMP、外延生長(zhǎng)等工藝，芯片制造包括清洗、沉積、氧化、光刻、刻蝕、摻雜、CMP、金屬化等工藝，封裝測(cè)試包括減薄、切割、貼片、引線鍵合、模塑、電鍍、切筋成型、終測(cè)等工藝。整體而言，硅片制造和芯片制造兩個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘極高。硅提純：目前多晶硅廠商多采用三氯氫硅改良西門子法進(jìn)行多晶硅生產(chǎn)。具體工藝是將氯化氫和工業(yè)硅粉在沸騰爐內(nèi)合成三氯氫硅，通過(guò)精餾進(jìn)一步提純高純?nèi)葰涔?，后?100℃左右用高純氫還原高純?nèi)葰涔?，生成多晶硅沉積在硅芯上，進(jìn)而得到電子級(jí)多晶硅。拉單晶：目前8寸和12寸硅片大多通過(guò)直拉法制備，部分6寸和8寸硅片則通過(guò)區(qū)熔法制得。直拉法是將高純多晶硅放入石英坩堝內(nèi)，通過(guò)外圍的石墨加熱器加熱至1400℃，隨后坩堝帶著多晶硅融化物旋轉(zhuǎn)，將一顆籽晶浸入其中后，由控制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)慢慢地、垂直地由硅融化物中向上拉出，并在拉出后和冷卻后生長(zhǎng)成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。區(qū)熔法利用高頻線圈在多晶硅棒靠近籽晶一端形成熔化區(qū)，移動(dòng)硅棒或線圈使熔化區(qū)超晶體生長(zhǎng)方向不斷移動(dòng)，向下拉出得到單晶硅棒。切片：?jiǎn)尉Ч璋粞心コ上嗤睆?，然后根?jù)客戶要求的電阻率，多采用線切割將晶棒切成約1mm厚的晶圓薄片。倒角：用具備特定形狀的砂輪磨去硅片邊緣鋒利的崩邊、棱角和裂縫等，可防止晶圓邊緣碎裂，增加外延層和光刻膠層在晶圓邊緣的平坦度。磨削：在研磨機(jī)上用磨料將切片拋光到所需的厚度，同時(shí)提高表面平整度。其目的在于去除切片工序中硅片表面因切割產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力損傷層和各種金屬離子等雜質(zhì)污染。清洗：為了解決硅片表面的沾污問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)工藝潔凈表面，多采用強(qiáng)氧化劑、強(qiáng)酸和去離子水進(jìn)行清洗。薄膜沉積：即通過(guò)晶核形成、聚集成束、形成連續(xù)的膜沉積在硅片沉底上。薄膜沉積按照原理可分為物理工藝（PVD）和化學(xué)工藝（CVD）。集成電路制造中使用最廣泛的PVD技術(shù)是濺射鍍膜，其基本原理是在反應(yīng)腔高真空度背景下帶正電的氬離子在電場(chǎng)作用下，轟擊到靶材的表面，撞擊出靶材的原子或分子，沉積在硅片表面?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。氧化：清潔完成后將晶圓置于800-1200℃的高溫環(huán)境下，通過(guò)氧氣或蒸氣在晶圓表面形成二氧化硅層，以保護(hù)晶圓不受化學(xué)雜質(zhì)影響、避免漏電流進(jìn)入電路、預(yù)防離子植入過(guò)程中的擴(kuò)散以及防止晶圓在刻蝕時(shí)滑落。光刻：光刻技術(shù)用于電路圖形生成和復(fù)制，是半導(dǎo)體制造最為關(guān)鍵的技術(shù)，耗時(shí)占IC制造50%，成本占IC制造1/3。其主要流程包括清洗、涂膠、前烘、對(duì)準(zhǔn)、曝光、后烘、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等，在光刻過(guò)程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經(jīng)紫外線曝光后，光刻膠發(fā)生變化，顯影后被曝光的光刻膠可以被去除，電路圖形由掩模版轉(zhuǎn)移到光刻膠上，在經(jīng)過(guò)刻蝕后電路圖形即由掩模版轉(zhuǎn)移到硅片上。刻蝕：是半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵步驟，對(duì)于器件的電學(xué)性能十分重要。利用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料，目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模版圖形。按照刻蝕工藝劃分，刻蝕主要分為干法刻蝕和濕法刻蝕，目前干法刻蝕在半導(dǎo)體刻蝕中占比約90%，而干法刻蝕又可分為化學(xué)去除、物理去除及化學(xué)物理混合去除三種方式，性能各有優(yōu)劣。摻雜：在半導(dǎo)體晶圓制造中，由于純凈硅的導(dǎo)電性能很差，需要加入少量雜質(zhì)使其結(jié)構(gòu)和電導(dǎo)率發(fā)生變化，從而變成一種有用的半導(dǎo)體，即為摻雜。目前可通過(guò)高溫?zé)釘U(kuò)散法和離子注入法進(jìn)行摻雜，其中離子注入法具備精確控制能量和劑量、摻雜均勻性好、純度高、低溫?fù)诫s等優(yōu)點(diǎn)，目前已成為0．25微米特征尺寸以下和大直徑硅片制造的標(biāo)準(zhǔn)工藝。CMP：是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝，其主要工作原理是在一定壓力及拋光液的存在下，被拋光的晶圓對(duì)拋光墊做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，借助納米磨料的機(jī)械研磨作用與各類化學(xué)試劑的化學(xué)作用之間的高度有機(jī)結(jié)合，使被拋光的晶圓表面達(dá)到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。金屬化：在制備好的元器件表面沉積金屬薄膜，并進(jìn)行微細(xì)加工，利用光刻和刻蝕工藝刻出金屬互連線，然后把硅片上的各個(gè)元器件連接起來(lái)形成一個(gè)完整的電路系統(tǒng)，并提供與外電路連接點(diǎn)的工藝過(guò)程。半導(dǎo)體行業(yè)供需持續(xù)緊張，加速硅片是半導(dǎo)體上游產(chǎn)業(yè)鏈中最重要的基底材料之一。硅片是以高純結(jié)晶硅為材料所制成的圓片，一般可作為集成電路和半導(dǎo)體器件的載體。與其他材料相比，結(jié)晶硅的分子結(jié)構(gòu)較為穩(wěn)定，導(dǎo)電性極低。此外，硅大量存在于沙子、巖石、礦物中，更容易獲取。因此，硅具有穩(wěn)定性高、易獲取、產(chǎn)量大等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于IC和光伏領(lǐng)域。硅片可以根據(jù)晶胞排列是否有序、尺寸、加工工序和摻雜程度的不同等方式進(jìn)行分類。根據(jù)晶胞排列方式的不同，硅片可分為單晶硅和多晶硅。硅片是硅單質(zhì)材料的片狀結(jié)構(gòu)，有單晶和多晶之分。單晶是具有固定晶向的結(jié)晶體材料，一般用作集成電路的襯底材料和制作太陽(yáng)能電池片。多晶是沒(méi)有固定晶向的晶體材料，一般用于光伏發(fā)電，或者用于拉制單晶硅的原材料。單晶硅用作半導(dǎo)體材料有極高的純度要求，IC級(jí)別的純度要求達(dá)9N以上（99．9999999%），區(qū)熔單晶硅片純度要求在11N（99．999999999%）以上。根據(jù)尺寸大小的不同，硅片可分為50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）及300mm（12英寸）。英寸為硅片的直徑，目前8英寸和12英寸硅片為市場(chǎng)最主流的產(chǎn)品。8英寸硅片主要應(yīng)用在90nm-0．25μm制程中，多用于傳感、安防領(lǐng)域和電動(dòng)汽車的功率器件、模擬IC、指紋識(shí)別和顯示驅(qū)動(dòng)等。12英寸硅片主要應(yīng)用在90nm以下的制程中，主要用于邏輯芯片、儲(chǔ)存器和自動(dòng)駕駛領(lǐng)域。大尺寸為硅片主流趨勢(shì)。硅片越大，單個(gè)產(chǎn)出的芯片數(shù)量越多，制造成本越低，因此硅片廠商不斷向大尺寸硅片進(jìn)發(fā)。1980年4英寸占主流，1990年發(fā)展為6英寸，2000年開始8英寸被廣泛應(yīng)用。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2008年以前，全球大尺寸硅片以8英寸為主，2008年后，12英寸硅片市場(chǎng)份額逐步提升，趕超8英寸硅片。2020年，12英寸硅片市場(chǎng)份額已提升至68．1%，為目前半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)最主流的產(chǎn)品。后續(xù)18英寸硅片將成為市場(chǎng)下一階段的目標(biāo)，但設(shè)備研發(fā)難度大，生產(chǎn)成本較高，且下游需求量不足，18英寸硅片尚未成熟。根據(jù)加工工序的不同，硅片可分為拋光片、外延片、SOI硅片等高端硅片。其中拋光片應(yīng)用范圍最為廣泛，是拋光環(huán)節(jié)的終產(chǎn)物。拋光片是從單晶硅柱上直接切出厚度約1mm的原硅片，切出后對(duì)其進(jìn)行拋光鏡面加工，去除部分損傷層后得到的表面光潔平整的硅片。拋光片可單獨(dú)使用于電動(dòng)汽車功率器件和儲(chǔ)存芯片中，也可用作其他硅片的襯底，成為其他硅片加工的基礎(chǔ)。外延片是一種將拋光片在外延爐中加熱后，通過(guò)氣相沉淀的方式使其表面外延生長(zhǎng)符合特定要求的多晶硅的硅片。該技術(shù)可有效減少硅片中的單晶缺陷，使硅片具有更低的缺陷密度和氧含量，從而提升終端產(chǎn)品的可靠性，常用于制造CMOS芯片。根據(jù)摻雜程度的不同，半導(dǎo)體硅片可分為輕摻和重?fù)?。重?fù)焦杵脑負(fù)诫s濃度高，電阻率低，一般應(yīng)用于功率器件。輕摻硅片摻雜濃度低，技術(shù)難度和產(chǎn)品質(zhì)量要求更高，一般用于集成電路領(lǐng)域。由于集成電路在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中占比超過(guò)80%，目前全球?qū)p摻硅片需求更大。含硅量提升驅(qū)動(dòng)行業(yè)快速增長(zhǎng)。伴隨5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車、人工智能等新興領(lǐng)域的高速成長(zhǎng)，汽車電子行業(yè)成為半導(dǎo)體硅片領(lǐng)域新的需求增長(zhǎng)點(diǎn)。據(jù)ICInsights數(shù)據(jù)，2021年全球汽車行業(yè)的芯片出貨量同比增長(zhǎng)了30%，達(dá)524億顆。但全球汽車缺芯情況在2020年短暫緩解后，于2022年再度加劇，帶動(dòng)下游硅片市場(chǎng)需求量上升。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模為126億美元，同比增長(zhǎng)12．5%。半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈概況半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包含芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試三大核心環(huán)節(jié)，此外還有為晶圓制造與封裝測(cè)試環(huán)節(jié)提供所需材料及專業(yè)設(shè)備的支撐產(chǎn)業(yè)鏈。作為資金與技術(shù)高度密集行業(yè)，半導(dǎo)體行業(yè)形成了專業(yè)分工深度細(xì)化、細(xì)分領(lǐng)域高度集中的特點(diǎn)。（一）芯片設(shè)計(jì)行業(yè)概況根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)公開信息顯示，2020年度，國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)行業(yè)銷售規(guī)模達(dá)到3，778．4億元，同比增長(zhǎng)23．34%，2015-2020年的復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到了23．32%。芯片設(shè)計(jì)未來(lái)的增長(zhǎng)邏輯在于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，主要在國(guó)產(chǎn)化率提高、5G以及物聯(lián)網(wǎng)帶來(lái)的新一輪機(jī)遇。（二）晶圓制造行業(yè)概況晶圓制造的工藝非常復(fù)雜，在晶圓制造中，共有七大工藝步驟，分別為氧化/擴(kuò)散、光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、離子注入、清洗與拋光、金屬化，整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程可能涉及上千道加工工序。1、晶圓制造行業(yè)產(chǎn)業(yè)集中趨勢(shì)明顯由于集成電路制造業(yè)務(wù)投入金額巨大產(chǎn)能爬坡周期較長(zhǎng)、技術(shù)門檻要求較高等特征，整個(gè)集成電路制造行業(yè)的產(chǎn)業(yè)集中度逐漸提高。從集成電路制造產(chǎn)能廠商分布來(lái)看，近年來(lái)集成電路制造廠商所擁有的產(chǎn)能份額也呈現(xiàn)出較