2023年連城數(shù)控研究報告 掌握硅片核心技術(shù)-平臺化布局羽翼漸豐

2023年連城數(shù)控研究報告掌握硅片核心技術(shù)_平臺化布局羽翼漸豐1掌握硅片核心技術(shù)，平臺化布局羽翼漸豐1.1長晶設(shè)備龍頭，橫縱雙向布局公司成立于2007年，是光伏領(lǐng)域最早從事專業(yè)切割設(shè)備研發(fā)制造的國內(nèi)公司，2013年通過收購美國斯必克旗下凱克斯單晶爐事業(yè)部，完成了對光伏及半導(dǎo)體領(lǐng)域單晶爐的業(yè)務(wù)布局。值得注意的是，連城數(shù)控對光伏行業(yè)兩次重要的技術(shù)迭代發(fā)揮了重要作用：一是金剛線對砂漿的取代。2013年連城數(shù)控率先在國內(nèi)批量交付光伏金剛線切片機，幫助光伏行業(yè)整體降低硅片成本。二是單晶硅片對多晶的取代。連城數(shù)控是隆基推動單晶取代多晶過程中單晶爐設(shè)備的主要供應(yīng)商，2016年單晶爐市場占有率一度排名第一。2019年連城與隆基合作推出全球首臺1600mm單晶爐，可兼容182mm與210mm尺寸硅片，對大尺寸硅片市場化起到了重要作用。橫縱雙向布局，平臺化架構(gòu)成型。連城數(shù)控以核心的長晶技術(shù)和線切技術(shù)為依托，橫向拓展半導(dǎo)體、碳化硅和藍寶石長晶設(shè)備與切割設(shè)備，縱向延伸光伏電池和組件核心裝備以及焊帶、碳碳復(fù)材等核心輔材耗材。從組織架構(gòu)上看，連城設(shè)有五大事業(yè)部和七大研發(fā)中心，為橫向與縱向拓展提供有力支撐。從股權(quán)結(jié)構(gòu)看，公司實際控制人為李春安先生和鐘寶申先生，兩人通過簽署《關(guān)于一致行動安排的確認(rèn)及承諾》成為一致行動人。公司董事長李春安通過海南惠智間接持有公司8.39%股權(quán)，直接持有公司4.70%股權(quán)，合計持有13.09%股權(quán)。鐘寶申先生間接持有公司10.04%股權(quán)。1.2業(yè)績具備增長潛力，財務(wù)狀況穩(wěn)健主營業(yè)務(wù)穩(wěn)健，新業(yè)務(wù)實現(xiàn)較快增長。2017-2021年公司營業(yè)收入CAGR為23.50%，2022Q1-Q3公司實現(xiàn)營業(yè)收入21.26億元，同比增長87.87%。從收入結(jié)構(gòu)看，單晶爐、線切設(shè)備、磨床等晶體生長設(shè)備是公司營收的主要部分，同時公司新的業(yè)務(wù)條線較快增長，2022H1公司電池片設(shè)備實現(xiàn)營業(yè)收入5,348.04萬元，輔材業(yè)務(wù)實現(xiàn)營業(yè)收入2.11億元。毛利率整體下降，單晶爐毛利率穩(wěn)中有升。2022Q1-Q3，連城數(shù)控銷售毛利率為26.21%，較2017年的43.04%出現(xiàn)了一定下滑，主要為公司線切設(shè)備和磨床設(shè)備毛利率下滑導(dǎo)致，隨著金剛線切片技術(shù)的普及，國內(nèi)線切設(shè)備企業(yè)增多，競爭加具導(dǎo)致公司產(chǎn)品毛利率下降。2021公司單晶爐毛利率為41.94%，呈現(xiàn)逐年上升趨勢，表明公司單晶爐具備較強的技術(shù)壁壘。合同負債與應(yīng)收賬款表明公司業(yè)績有望較快增長。截至2022/9/30，公司合同負債規(guī)模為11.63億元，較2021年末增長253.50%，公司應(yīng)收款項為13.73億元，較2021年末增長67.85%，表明公司營收有望較快增長。截至2022/9/30，公司存貨余額為31.86億元，較2021年末增長376.23%，主要系合并范圍增加且業(yè)務(wù)規(guī)模增長所致，存貨的較快增長表明公司為訂單積極備貨，從側(cè)面印證公司的業(yè)績增長具有邏輯支撐。應(yīng)收賬款、存貨結(jié)構(gòu)合理，減值風(fēng)險較小。公司應(yīng)收賬款規(guī)模與存貨規(guī)模雖然快速上漲，但結(jié)構(gòu)較為健康。截至2022/6/30，連城數(shù)控按組合計提壞賬準(zhǔn)備的應(yīng)收賬款賬面余額為11.10億元，帳齡在一年以內(nèi)的賬面余額為9.84億元，占比為88.65%。截至2022/6/30，連城數(shù)控存貨賬面余額為22.11億元，其中已發(fā)出商品與在產(chǎn)品占比分別為47.81%、36.60%。負債結(jié)構(gòu)較好，償債風(fēng)險較低。2022Q3連城數(shù)控資產(chǎn)負債率為60.03%，較2021年末的36.61%出現(xiàn)較大提升，主要為公司流動負債快速增長導(dǎo)致。截至2022/9/30，連城數(shù)控流動負債為45.23億元，但從結(jié)構(gòu)上看，主要為公司應(yīng)付票據(jù)及賬款與合同負債，償債壓力較小。從另一方面看，較快增長的應(yīng)付賬款體現(xiàn)了連城較強的供應(yīng)鏈管理能力。2光伏設(shè)備：硅片設(shè)備有望保持高增速，新業(yè)務(wù)助力增長2.1硅片設(shè)備：隆基開啟新擴產(chǎn)周期，非隆基客戶開拓順利2022年連城數(shù)控跑輸光伏設(shè)備行業(yè)指數(shù)34.41%。市場在過去對連城數(shù)控存在兩點擔(dān)憂：一是隆基綠能2022年擴產(chǎn)進度受到取消優(yōu)惠電價影響，不及預(yù)期。二是2022年為硅片擴產(chǎn)峰值，隨著硅片擴產(chǎn)規(guī)模進入下行通道，市場擔(dān)心連城數(shù)控的非隆基客戶開拓受到影響。2.1.1隆基硅片擴產(chǎn)提速，連城業(yè)績有望高增受取消優(yōu)惠電價影響，隆基2022年擴產(chǎn)不及預(yù)期。根據(jù)隆基綠能公告，公司原定計劃至2022年底單晶硅片產(chǎn)能達到150GW，較2021年底105GW產(chǎn)能擴張45GW。2022年4月1日，隆基綠能收到云南省發(fā)改委通知，取消其在云南省享有的優(yōu)惠電價政策和措施，自2021年9月1日起，全部用電價格通過電力市場化交易方式形成，直接與電網(wǎng)企業(yè)結(jié)算。受此影響，隆基綠能在2022年中報表示暫停云南各地的后續(xù)規(guī)劃產(chǎn)能。根據(jù)我們統(tǒng)計，隆基在云南的規(guī)劃項目包括麗江三期年產(chǎn)10GW單晶硅棒建設(shè)項目、曲靖二期年產(chǎn)20GW單晶硅棒和30GW單晶硅片項目、曲靖年產(chǎn)30GW單晶電池項目，以上規(guī)劃的硅片產(chǎn)能占隆基2022年擴產(chǎn)總計劃的三分之二。2023年隆基擴產(chǎn)加速，連城充分受益。2022年8月25日和2023年1月18日，隆基綠能分別公告建設(shè)鄂爾多斯年產(chǎn)46GW單晶硅棒和切片項目和年產(chǎn)100GW單晶切片項目。按照單晶爐單位投資成本1.2億元/GW，切片設(shè)備單位投資成本0.6億元/GW計算，隆基上述擴產(chǎn)項目的設(shè)備采購成本約為142.8億元。根據(jù)連城數(shù)控的公告，預(yù)計2023年與隆基綠能的關(guān)聯(lián)交易額為46.76億元，占公司2022年營業(yè)收入的124.00%。2.1.2非隆基客戶擴產(chǎn)力度不減，新訂單有望保持增長前面提到市場對于連城的另一點擔(dān)憂在于2023年硅片擴產(chǎn)弱于2022年，連城的非隆基客戶訂單會受到影響。我們認(rèn)為：第一，2023年硅片擴產(chǎn)規(guī)模并不會出現(xiàn)顯著下滑，行業(yè)擴產(chǎn)可能超預(yù)期。第二、連城非隆基客戶訂單基數(shù)低，成長潛力大。根據(jù)我們統(tǒng)計，2022年各硅片企業(yè)規(guī)劃的擴產(chǎn)規(guī)模約為220.32GW，但受到硅料價格高位運行及一些外部影響，2022年實際擴產(chǎn)規(guī)模將小于這一數(shù)值，部分?jǐn)U產(chǎn)會延后至2023年。目前，除隆基外的硅片企業(yè)仍有311GW拉棒+137GW切片的規(guī)劃（在建）產(chǎn)能，我們判斷2023年行業(yè)擴產(chǎn)不會出現(xiàn)明顯下滑。從技術(shù)水平上看，凱克斯是世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體級和太陽能級單晶爐制造商，在長晶設(shè)備領(lǐng)域具有超過40年的經(jīng)驗，凱克斯單晶爐幫助隆基成為硅片制造龍頭。從客戶開拓上看，連城數(shù)控先前作為隆基綠能的關(guān)聯(lián)公司，在新用戶開拓上收到一些掣肘，但2021年來自隆基的營收占比顯著下降表明公司獨立性在增強。連城在2021年的主要非隆基客戶中，雙良節(jié)能、華耀光電、宇澤半導(dǎo)體、高景太陽能都有較大的產(chǎn)能規(guī)劃，我們預(yù)計連城數(shù)控未來的非隆基訂單將較快增長。2.2電池設(shè)備：受益電池技術(shù)迭代，具有較強成長潛力連城數(shù)控的電池主要為ALD設(shè)備及濕法制絨設(shè)備，其中ALD設(shè)備由子公司艾華負責(zé)，濕法制絨設(shè)備由子公司釜川負責(zé)。ALD（原子層沉積）設(shè)備是將物質(zhì)以單原子層的形式一層一層沉積在基底表面，每鍍膜一次為一個原子層，鍍膜10次厚度約為1nm。從應(yīng)用的角度來講，與傳統(tǒng)的薄膜生長工藝相比，ALD有幾個很重要的優(yōu)勢：1）保形性好，適于在深溝槽和多孔狀結(jié)構(gòu)表面沉積；2）無針孔和顆粒沉積，薄膜致密性好；3）可以大面積生長并得到均勻薄膜；4）雜質(zhì)濃度非常低，薄膜質(zhì)量高；5）可實現(xiàn)亞納米級的薄膜厚度控制。在光伏電池領(lǐng)域，ALD設(shè)備主要應(yīng)用于PERC和TOPCon電池表面Al2O3鈍化層沉積、TOPCon電池隧穿氧化層的沉積以及XBC類電池相應(yīng)膜層的沉積。表面復(fù)合是晶硅電池效率衰減的主要原因之一。表面復(fù)合是晶格的突然終止，導(dǎo)致硅片表面的最外層電子有一個未飽和的懸掛鍵所導(dǎo)致。為減少晶硅電池的表面復(fù)合，目前的方法是在P型電池的背表面和N型電池的正面沉積一層Al2O3薄膜。Al2O3薄膜中含有大量的氫原子，經(jīng)過退火處理，氫原子被釋放擴散到硅片表面進行化學(xué)鈍化，同時可以固定大量的負電荷，對硅片表面形成場鈍化效應(yīng)。Al2O3膜層厚度一般為8-10nm，使用ALD設(shè)備可以很好控制Al2O3厚度，并且得到比PECVD設(shè)備致密性更高的膜層，鈍化效果更強。對于TOPCon電池，其背面的隧穿氧化層厚度僅為1-2nm，ALD設(shè)備較PECVD設(shè)備更能精準(zhǔn)的控制膜層厚度并得到致密度更高的膜層，對于提高TOPCon電池轉(zhuǎn)化效率有更好的效果。TOPCon電池正面沉積Al2O3膜同樣需要ALD設(shè)備。對于BC類電池，專利《一種P型IBC電池的制備方法》中提到電池雙面沉積AlOx薄膜，對于ALD設(shè)備的需求量較PERC翻倍。根據(jù)我們測算雙面沉積AlOx薄膜的P型IBC產(chǎn)線的ALD設(shè)備單位投資成本在3000萬元/GW左右。ALD設(shè)備取得大批量訂單，未來有望快速放量。2023年3月19日，連城數(shù)控官微發(fā)布公告，公司取得行業(yè)龍頭客戶20GWTOPCon電池ALD設(shè)備全部訂單。連城數(shù)控ALD設(shè)備在未來有望快速放量。2.3組件設(shè)備：串焊機差異化競爭，未來重要增長極光伏組件的加工工藝的包括串焊、排版、疊層、層壓、裝框、接線、清洗和測試八個工藝環(huán)節(jié)，其中最主要的工藝設(shè)備為串焊機和層壓機。據(jù)我們調(diào)研數(shù)據(jù)，2022年光伏組件產(chǎn)線的單位投資額為6000萬元/GW，串焊機占比約35%，自動化產(chǎn)線占比約為45%，層壓機占比約為15%，其他輔助設(shè)備占比約為5%，據(jù)此推算串焊機單位投資成本約為2100萬元/GW。在串焊機領(lǐng)域，國內(nèi)主要供應(yīng)商有奧特維、先導(dǎo)智能、寧夏小牛等，其中奧特維市場份額超過70%，具有較高的行業(yè)壁壘。連城數(shù)控串焊機主要面向背結(jié)觸（backcontact）電池，與目前主流串焊機進行差異化競爭。傳統(tǒng)串焊機是用焊帶將電池片的前表面和背表面依次串聯(lián)，而BC類電池電極均在背面柵線采用直線連接。低溫工藝、防止翹曲是BC電池串焊機與傳統(tǒng)串焊機的主要區(qū)別點。由于BC類電池正負電極均在背面，P區(qū)和N區(qū)柵線相互隔離，因此主柵線的設(shè)計也有不同的方案。SunPower最早設(shè)計的IBC電池將兩條主柵線分布在電池兩端，這種結(jié)構(gòu)簡單。目前普遍采用的柵線結(jié)構(gòu)是三維主柵設(shè)計，在制備完細柵后，采用間隔絕緣的方式分別將正極主柵與P區(qū)細柵、負級主柵與N區(qū)細柵相連接。由于絕緣材料不耐高溫，所以BC類電池不能采用傳統(tǒng)串焊機的高溫工藝，這是目前BC電池串焊機與傳統(tǒng)串焊機不能兼容的主要原因之一，行業(yè)內(nèi)目前的方式是采用導(dǎo)電膠熱壓方式進行焊接。此外，BC電池柵線全部在背面還會因為應(yīng)力集中導(dǎo)致電池片發(fā)生翹曲，影響后續(xù)封裝。目前行業(yè)普遍采用半片封裝方式進行焊接，將電池片一分為二后將其中之一轉(zhuǎn)動180°進行焊接。綜上，BC類電池由于特殊的結(jié)構(gòu)和工藝，與傳統(tǒng)串焊機不能兼容，傳統(tǒng)串焊機廠商在這一領(lǐng)域并無絕對優(yōu)勢。連城數(shù)控選擇進入這一領(lǐng)域，有較好的先發(fā)優(yōu)勢。BC類電池更適配分布式光伏，未來需求有望快速增長。BC類電池正面無柵線，組件外觀更為簡潔美觀，更適用于分布式光伏尤其是BIPV。隆基2022年推出的Hi-MO6組件基于HPBC電池，正面可以定制多種顏色，能和不同場景的建筑搭配，符合BIPV的美觀要求。2022年，工商業(yè)光伏新增裝機量占比達29.59%，成為我國新增光伏裝機的主力。由于工商業(yè)電價更高，因此工商業(yè)光伏對組件價格的敏感性更低，對美觀性要求更高。未來工商業(yè)光伏裝機量有望保持較快增長，對BC類光伏電池組件的需求量也將較快增長。因此國內(nèi)組件廠商開始布局BC類電池產(chǎn)能，目前愛旭股份和隆基綠能分別有16.5GW和33GW背結(jié)觸電池產(chǎn)能規(guī)劃，隨著規(guī)劃產(chǎn)能的逐步落地，連城數(shù)控的串焊機收入有望快速提升。3半導(dǎo)體設(shè)備：半導(dǎo)體硅片受益，碳化硅設(shè)備潛力可期3.1全國產(chǎn)化設(shè)備助力國內(nèi)硅片產(chǎn)業(yè)發(fā)展按照直徑尺寸，半導(dǎo)體硅片主要分為300mm(12英寸)，200mm(8英寸)、150mm(6英寸)、100mm(4英寸)、75mm(3英寸)、50mm（2英寸）。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片的數(shù)量就越多，邊緣損失就越小，芯片的單位成本也就越低，直徑300mm的12英寸硅片因此占據(jù)絕對的市場份額，2021年12英寸出貨面積占68.47%，8英寸出貨面積占24.56%。我國半導(dǎo)體硅片市場起步晚、規(guī)模小，根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)2021年全球半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模約為126.2億美元，而我國半導(dǎo)體硅片銷售額僅為16.56億美元，約占全球市場的13.12%。同時，我國半導(dǎo)體硅片公司市場份額較小，全球近九成市場被海外五大硅片公司占據(jù)，2020年信越化學(xué)、SUMCO、環(huán)球晶圓、SiltronicAG、SKSiltron合計市場份額為86.61%。驅(qū)動下，國內(nèi)半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能建設(shè)提速。根據(jù)上海合晶招股說明書，2021年我國8英寸外延片需求量為71萬片/月，供給量約為49萬片/月；2021年我國12英寸外延片的需求量約為35萬片/月，供給量約為3萬片/月。預(yù)計到2025年，8英寸和12英寸外延片供給缺口將分別達到30萬片/月，34萬片/月。在此情況下，國內(nèi)半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能建設(shè)在如火如荼的展開，根據(jù)我們統(tǒng)計國內(nèi)8英寸硅片在建/規(guī)劃產(chǎn)能約為78萬片/月，12英寸硅片在建/規(guī)劃產(chǎn)能約為201萬片/月。半導(dǎo)體硅片的工藝流程包括長晶、切片、拋光、外延四個主要環(huán)節(jié)，具體如下：①拉晶：將硅料融化，然后通過引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑、收尾等工藝流程，拉出符合生產(chǎn)要求的單晶硅棒純度在9N以上。②切片：將硅棒拋磨成等徑的圓柱后，將其切成約1mm厚的硅片，并通過拋磨改善硅片平面度、通過刻蝕去除機械損傷。③拋光：利用膠體二氧化硅對硅片進行機械化學(xué)拋光，獲得鏡面表面，然后進行檢測篩選出符合表面度要求的硅片，得到拋光片。④外延：在拋光片的基礎(chǔ)上首先使用砷或氫氣對其進行高溫退火，降低硅片表面含氧量。然后在外延爐中通入四氯化硅和三氯硅烷并加熱到1200℃，使硅片表面沉積一層2-20微米厚的單晶硅層。從而降低集電極串聯(lián)電阻，降低飽和壓降和功耗。目前，8英寸拋光片產(chǎn)能的設(shè)備投資額約為310元/片，外延片產(chǎn)能的設(shè)備投資額約為400元/片。12英寸拋光片產(chǎn)能的設(shè)備投資額在1200元/片左右，外延片產(chǎn)能的設(shè)備投資額在1900元/片左右（以年產(chǎn)能計算）。由于8英寸和12英寸硅片適用的制程工藝不同，兩者的設(shè)備投資構(gòu)成也有較大區(qū)別。以立昂微為例，8英寸硅片的設(shè)備投資額中，拉晶、切片、拋光、外延的占比分別為19.8%、6.9%、30.4%、33.9%。12英寸硅片適用的制程工藝更先進，對硅片的表面粗糙度要求更高，因此拋光工序的設(shè)備投資占比更高，拉晶、切片、拋光、外延投資占比分別為8.3%、7.7%、59.7%、24.4%。連城數(shù)控半導(dǎo)體設(shè)備聚焦于長晶與切片環(huán)節(jié)。KX360MCZ是連城數(shù)控新一代300mm半導(dǎo)體單晶爐，采用凱克斯最先進的技術(shù)，配備4000高斯超導(dǎo)磁場，能夠?qū)崿F(xiàn)硬件、軟件的全部國產(chǎn)。2022年7月連城使用KX360MCZ成功生長出12英寸半導(dǎo)體級單晶硅棒。根據(jù)前文的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，我們對目前國內(nèi)半導(dǎo)體硅片長晶、切片設(shè)備的市場空間進行了測算，8英寸硅片設(shè)備市場空間約為10.00億元，12英寸硅片設(shè)備市場空間約為73.32億元，兩者合計約為83.32億元。3.2碳化硅設(shè)備：國內(nèi)SiC產(chǎn)能建設(shè)提速，連城數(shù)控已取得批量訂單3.2.1新能源汽車、5G通訊推動碳化硅市場快速增長碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）因具有較高的禁帶寬度、擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導(dǎo)率及抗輻射等優(yōu)點，被視作第三代半導(dǎo)體材料。目前氮化鎵（GaN）晶體生長仍有較多的技術(shù)難題尚未攻破，碳化硅因此成為最重要的第三代半導(dǎo)體材料。碳化硅的襯底可以按照電阻率分為導(dǎo)電型襯底和半絕緣型襯底，導(dǎo)電型電阻率在0.02Ω·cm左右，半絕緣型電阻率大于106Ω·cm。碳化硅導(dǎo)電型襯底主要應(yīng)用在新能源汽車、電網(wǎng)、光伏逆變器、軌道交通等高壓工作場景。碳化硅半絕緣型襯底主要應(yīng)用在射頻開關(guān)、功率放大器、濾波器等通訊場景，可以滿足5G通訊對高頻性能和高功率處理性能的要求。碳化硅襯底器件相較于硅基器件優(yōu)點顯著。第一，碳化硅的禁帶寬度更高。制成的功率器件工作電壓范圍在650V-3300V，更高的擊穿電場使器件尺寸可以縮小為硅基的1/10。第二，碳化硅的飽和電子速率更高，導(dǎo)通電阻為硅基器件的1/200。制成的微波射頻器件在高頻電流下產(chǎn)生的開關(guān)損耗更低，能量損失更小，同時可以減少電容和電感器件的使用量，顯著縮小射頻器件的體積。第三，碳化硅的高溫性能和導(dǎo)熱性更出色。碳化硅器件的最高工作溫度高達1580℃，使其在高溫工作環(huán)境下仍能保持更好的性能，良好的導(dǎo)熱性能減少了散熱件的需求，在降低成本的同時縮小體積。碳化硅器件可以幫助新能源汽車提高續(xù)航里程，提高充電速度。新能源汽車中的電機驅(qū)動系統(tǒng)、電壓轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（DC/DC）、車載充電系統(tǒng)、電池逆變器等高壓系統(tǒng)，均可以通過使用碳化硅功率器件減少重量和功率損耗，從而提高續(xù)航里程，還可以減少冷卻系統(tǒng)，節(jié)約整車成本。目前，新能源汽車電壓通常為400V，而800V高壓平臺可以將充電功率提升到350KW以上，將400km續(xù)航里程電量的充電時間縮短至12-15分鐘。碳化硅功率器件市場規(guī)模將呈現(xiàn)指數(shù)級增長。隨著新能源汽車滲透率的不斷提升，以及碳化硅功率器件在新能源汽車的普及，未來碳化硅功率器件市場規(guī)模預(yù)計呈現(xiàn)指數(shù)級增長。根據(jù)IHSMarkit的預(yù)測，到2027年碳化硅功率器件市場規(guī)模將超過100億美元。具體來看2022-2025年碳化硅功率器件市場規(guī)模增長相對平緩，2026-2027年市場規(guī)模增速將會顯著加快。CASA預(yù)測到2026年國內(nèi)新能源汽車對碳化硅襯底需求量（折算為6英寸）將達到約122萬片。2018-2019年天科合達6英寸碳化硅晶片平均售價分別為7386.41元/片、7380.53元/片，2020年天岳先進6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶片平均售價為7423.49元/片，假設(shè)到2026年6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶片價格下降到6500元/片，預(yù)計2026國內(nèi)因新能源汽車帶動的導(dǎo)電型碳化硅襯底市場規(guī)模79.3億元。碳化硅材料天生適配5G通訊。5G通信頻率是指頻段在450MHz-60000MHz之間，延時在1ms以內(nèi)，峰值下載速度達到10-20Gbit/s的通信技術(shù)。5G通訊的所需的射頻器件主要包括射頻開關(guān)、LNA、功率放大器、濾波器等，其中功率放大器是放大射頻信號的核心，5G的高頻特性要求功率放大器具備在高頻和高功率狀況下的工作能力。以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件具備高導(dǎo)熱性、低導(dǎo)通電阻，在高功率和高頻率的工況下功率損耗更低、性能更加出色。根據(jù)Yole的預(yù)測，到2025年全球半絕緣型碳化硅襯底需求量將達到43.84萬片。2020年天岳先進4英寸半絕緣型碳化硅晶片平均售價為9214.99元/片，假設(shè)到2025年價格下降到7500元/片，全球半絕緣型碳化硅晶片市場規(guī)模將達到32.88億元。需求的不斷增長推動了國內(nèi)碳化硅襯底的產(chǎn)能建設(shè)，根據(jù)我們的統(tǒng)計，目前國內(nèi)頭部公司規(guī)劃/在建的碳化硅襯底產(chǎn)能合計達到了202萬片。此外一些非上市公司如中科鋼研、同光科技、國宏中能等也有產(chǎn)能規(guī)劃。3.2.2碳化硅長晶難度大，設(shè)備是產(chǎn)能提升關(guān)鍵碳化硅熔融溫度高，晶型種類多，長晶良率低。碳化硅襯底的生產(chǎn)過程需要經(jīng)過原料合成、晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、研磨拋光等步驟。在晶體生長環(huán)節(jié)，碳化硅具有200余種晶體結(jié)構(gòu)，而只有4H-SiC等少數(shù)幾種晶體結(jié)構(gòu)才是半導(dǎo)體材料所需的，在晶體生長期間需要對碳硅比、溫度梯度、摻雜元素濃度等多個參數(shù)進行精準(zhǔn)控制，否則會生長出多晶型摻雜、缺陷密度較高的不合格晶體。而碳化硅生長技術(shù)難度高導(dǎo)致了目前碳化硅襯底廠商生產(chǎn)良率較低。天岳先進作為國內(nèi)半絕緣型碳化硅襯底龍頭企業(yè)，晶棒環(huán)節(jié)良率近兩年平均水平約為50%，襯底環(huán)節(jié)良率近兩年在70%-75%區(qū)間。碳化硅晶體生長緩慢，產(chǎn)能釋放一方面取決于長晶爐數(shù)量，一方面源于提高單爐產(chǎn)能。量產(chǎn)碳化硅晶錠的生長周期約為7天，生產(chǎn)出的碳化硅晶錠高度僅為十幾厘米，考慮到良率以及切片損耗，單爐單次生產(chǎn)的碳化硅襯底僅為2-3片，天岳先進2020年的長晶爐臺均產(chǎn)能為111片/年，長晶速率緩慢決定了擴大產(chǎn)能需要依靠增加長晶爐數(shù)量以及提高單爐產(chǎn)能。兩方面決定了設(shè)備廠商的重要地位：一方面襯底企業(yè)提高產(chǎn)能需要大量采購單晶爐，帶來市場規(guī)模的提高；另一方面，提高單爐產(chǎn)能需要設(shè)備與工藝之間的相互配合，設(shè)備廠商重要性大大提高。根據(jù)我們測算，2023-2026年由新能源汽車帶來的碳化硅長晶設(shè)備空間平均約為27.81億元/年。3.2.3雙技術(shù)路線布局，已形成批量訂單碳化硅長晶設(shè)備在業(yè)界有感應(yīng)式加熱和電阻式加熱兩種技術(shù)路線，目前國內(nèi)以感應(yīng)式長晶爐為主。采用感應(yīng)線圈加熱時，由于電磁感應(yīng)作用，軸向溫度和徑向溫度之間存在耦合現(xiàn)象（即軸向溫度的變化會導(dǎo)致徑向溫度的隨之相應(yīng)變化，反之亦然）。如果調(diào)整軸向溫度梯度，提升晶體生長速度，會因為耦合現(xiàn)象導(dǎo)致徑向溫度分布發(fā)生改變，從而導(dǎo)致晶體生長界面的凹凸程度變化、應(yīng)力增加，使得晶體缺陷增加。由于耦合現(xiàn)象的存在，軸向溫度和徑向溫度的工藝調(diào)整成為感應(yīng)加熱式晶體生長爐的重要技術(shù)難點，并且在保證晶體缺陷得到有效控制的前提下，對提升晶體尺寸和晶體生長速度帶來了技術(shù)障礙。電阻式長晶爐更適合8英寸碳化硅襯底生長。電阻加熱法的軸向溫度和徑向溫度之間不存在耦合現(xiàn)象，可以對軸向溫度和徑向溫度分別進行精確控制，降低晶體缺陷，提高產(chǎn)品良率，有利于實現(xiàn)大尺寸晶體的生長，并提高晶體生長速度。連城雙路線均已完成研發(fā)，電阻爐已實現(xiàn)小批量訂單。根據(jù)公司2021年年報，感應(yīng)式長晶爐和電阻爐均已研發(fā)完成，其中感應(yīng)長晶爐在客戶處驗證，電阻爐已實現(xiàn)小批量訂單。根據(jù)2022年5月13日業(yè)績交流會的內(nèi)容，公司碳化硅生長爐已在客戶處穩(wěn)定試用，有客戶已追加訂單，會根據(jù)客戶的實際需求進行產(chǎn)品的批量交付。4光伏輔材：焊帶業(yè)務(wù)處于導(dǎo)入階段，毛利率具有較大提升空間公司輔材業(yè)務(wù)目前以焊帶為主，焊帶的作用是將光伏電池片進行串聯(lián)和并聯(lián)，是組件串焊工藝的重要輔材。光伏焊帶主要分為互連焊帶與匯流焊帶：互聯(lián)焊帶直接焊接在電池片正面和背面柵線上，使電池片形成串聯(lián)電路；匯流焊帶是將電池串連接起來并于接線盒相連實現(xiàn)完整電路。光伏焊帶主要由銅基材與表面錫合金層組成，由于銅的焊接性能比較差，將錫合金使用電鍍、真空沉積等方法均勻覆蓋在銅極材表面以提高焊帶的焊接性能。光伏焊