聚合物的增容改演示文稿

聚合物的增容改演示文稿當前1頁，總共16頁。（優(yōu)選）聚合物的增容改當前2頁，總共16頁。提高接枝效率的措施：鏈轉移接枝

-------鏈轉移常數(shù)化學接枝------產(chǎn)生自由基活性的差異，選擇阻聚體系；反應條件的設立輻射接枝--------加料順序的改變接枝共聚物在聚合物改性中的應用：

接枝共聚物具有獨立組分的微相結構------與其組分聚合物具有較好的相容性當前3頁，總共16頁。嵌段共聚改性：形態(tài)結構：Am—Bn二嵌段聚合物

Am─Bn─Am或Am─Bn─Cn三嵌段聚合物

Am—Bn多嵌段聚合物

放射型嵌段聚合物

當前4頁，總共16頁。嵌段共聚物制備方法：

活性加成聚合方法------優(yōu)勢：活性位置和濃度已知，受均聚物污染程度最??；鏈段的長度和排列位置可以控制?？s聚合方法-------優(yōu)勢：方法簡單，易于操作。嵌段共聚物性能與應用：制備均聚物與嵌段共聚物的共混物第二鏈段------部分相容性

當前5頁，總共16頁?；ゴ┚酆衔锞W(wǎng)絡：特例：EPDM/PO體系-------無硫體系含硫體系：性能高

EPDMPOS當前6頁，總共16頁。12.2表面改性

當前7頁，總共16頁。一、等離子體表面改性

基本概念：等離子體熱平衡等離子非平衡態(tài)等離子體---低溫等離子體

等離子體的產(chǎn)生方法：氣體放電法、射線輻照法、燃燒法、激光法和沖擊波法等離子體性質的影響因數(shù)：

等離子體工藝參數(shù)--放電功率、單體流速、反應室壓力、幾何因子和基材溫度

等離子體自身參數(shù)--電子密度、電子能量分布、氣體密度和氣體分子在等離子體中的滯留時間當前8頁，總共16頁。等離子體改性方法：等離子體化學氣相沉積(PCVD)：等離子體刻蝕或化學蒸發(fā)：等離子體表面反應：

當前9頁，總共16頁。輝光放電等離子體高分子材料表面改性方法：等離子體源：非聚合性氣體有機氣體單體等離子體作用對象：非聚合性氣體聚合物表面等離子體作用過程：一步法分步法

當前10頁，總共16頁。等離子體改性機理：

高能電子與氣態(tài)作用對象的碰撞----各種粒子各種粒子與其它物質碰撞----聚合活性體自由基

等離子體聚合的特點：反應單體種類多反應物結構復雜等離子體與聚合物化學反應原理：

當前11頁，總共16頁。等離子體在高分子材料改性中的應用：

表面改性，體現(xiàn)在：（1）表面親、疏水性改性（2）增加粘接性（3）改善印染性能（4）在微電子工業(yè)中的應用

（5）在生物醫(yī)用材料上的應用

（6）其它應用

當前12頁，總共16頁。12.3輻照改性

基本概念：

電離輻射----高能量物質輻射源-----放射性核素：穿透能力強，加工厚度大機器源：低能電子加速器(0.15~0.5MeV),

主要用于涂層固化,

中能電子加速器(0.5~5MeV),

用途最廣高能電子加速器(5~10MeV),

用途類似于放射性核素反應堆：

當前13頁，總共16頁。射線源電子輻照加速器射線穿透能力強（密度為1的物質中穿透45cm后約減弱至原強度的1/10）。適合于大包裝和不規(guī)則物件的輻照電子束能穿透能力低（密度為1的物質中3MeV電子的射程約1cm），適合于化工產(chǎn)品等的精細加工設備技術簡單，操作、維修方便設備復雜，需專業(yè)人員維修連續(xù)輻射，防護條件要求高可隨時關機，防護較易源強度逐漸衰減，需定期補充新源源強度可保持恒定，并在一定范圍內(nèi)可調(diào)劑量率低，輻照時間長，功率低處理量小劑量率高，功率大，輻射時間短，處理量大射線源和電子輻照加速器主要性能比較

當前14頁，總共16頁。

輻射化學產(chǎn)額G

：一種粒子的G值表示每吸收100eV的輻射能量該粒子變化的個數(shù)，也稱為輻射化學產(chǎn)額，習慣單位為（分子/100eV），國際單位為（mol/J），對于鏈反應，特別是聚合反應，G值可達到10E2至10E6。對于高分子改性（交聯(lián)和降解），G值為1~20。對于一般輻射化學過程，G值常由產(chǎn)物濃度對吸收劑量作圖所得直線的斜率求得。

吸收劑量：吸收劑量率為單位質量介質吸收的輻射能劑量率：單位時間的吸收劑量稱為劑量率

當前15頁，總共16頁。輻射應用輻射聚合

：特點：（1）生成的聚合物更加純凈；（2）聚合反應易控制，聚合反應均勻；（3）可在常溫或低溫下進行；（4）生成的聚合物分子量和分子量分布可以用劑量率等聚合條件加以控制。