玻璃板制造方法講解

玻璃板制造方法特 開：2023--240882申請日期：2023.12.10申請人：日本電氣玻璃公司浮法制造玻璃板的方法，在上述錫槽的上部空間內(nèi)測量浮游的錫化合物粒子濃以此為特征的玻璃板制造方法。1方法。1的側(cè)壁部和出口向外部排出。用這樣的方法生產(chǎn)浮法玻璃時，在成形的玻璃板上面，產(chǎn)生直徑為數(shù)十μｍ的微小缺陷。這個缺陷密度(個/m2)變大后，會導(dǎo)致玻璃板的質(zhì)量不好。硫化錫(SnS)和氧化亞錫(SnO)在錫槽的上部和用于冷卻玻璃的冷卻器等的附設(shè)玻璃帶上面。量(包含供給量的分布)和從錫槽的側(cè)壁部與出口排出的復(fù)原性氣體的排出量(包含排出量的分布)，降低錫槽上部空間復(fù)原性氣體中漂移的化合物粒子的濃度。的排出量，以使檢查出來的缺陷密度比規(guī)定的數(shù)值還要小。在錫槽的上部空間錫化合物粒子的濃度變化會變得困難。1內(nèi)，使用激光二極管測量玻璃帶外表上方的HO濃度，掌握在錫槽內(nèi)供給的氮和2氫的流量分布。1：2023——505027制造要解決的問題：但是，在特許文件1中指出的方法，在錫槽的上部空間2HO2此，以掌握HO的濃度作為目標時，降低起因于錫化合物粒子的缺陷密度仍舊是2很困難的。物粒子引起缺陷密度為技術(shù)課題。錫槽的上部空間的復(fù)原性氣體排氣量、以及錫槽的上部空間的溫度中的至少一掌握。利用這種方法，將錫槽的上部空間漂移的錫化合物粒子的濃度作為目標測子在形成的玻璃板產(chǎn)生的缺陷密度降低到預(yù)先規(guī)定的數(shù)值。排氣部最下游位置的下游側(cè)進展。和侵入錫槽內(nèi)的氧或者是玻璃中所包含的硫酸鹽反響，生成硫化錫(SnS)和氧化亞錫(SnO)。其次，這些硫化錫和氧化亞錫等的錫化合物變成蒸氣從錫液外表揮發(fā)出去。第三，在錫槽的上部空間包含的錫化合物的飽和度(=水蒸氣分壓/飽和11，在該區(qū)域內(nèi)部的下游側(cè)相對溫度比較低，因沒能設(shè)置排氣部，存在錫化合物的飽和超過1的區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)的錫化合物粒子簡潔成為問題。地掌握復(fù)原性氣體的供給量和排氣量的。蒸汽壓的錫槽下游側(cè)范圍內(nèi)進展錫化合物粒子的濃度測量。所以能夠很好地掌握復(fù)原性氣體的供給量和排氣量。合物粒子的缺陷密度。21A-A31B-B41B-B11M223，2G14。另外，在2a、流路相2b2c2d。22x5。另一方面，如圖22652的氣氛氣體壓力值。該實施狀態(tài)中，只有排氣部5設(shè)置在包含寬幅部2b的錫槽2的上游區(qū)域。2c2d)內(nèi)，即使不設(shè)置排52247的同時進展轉(zhuǎn)動。作為特征構(gòu)造，如圖1所示，在最下游配置的排氣部5更下游側(cè)區(qū)域(圖中2硫化錫(SnS)和氧化亞錫(SnO))的濃度的濃度測量部8。具體地說，該濃度測量2x8a28a28b22SICK8a8b210210，9。以下對使用具備上述的構(gòu)造的玻璃板制造裝置1明。2的下游端部的出口4拉出G1G2G1222d8，2的錫化合物粒子的濃度。然后，依據(jù)這個濃度測量結(jié)果，掌握從氣體供給部6524體的排氣量、錫槽22意一個或者兩個的參數(shù)。依據(jù)這種方法，作為復(fù)原性氣體的供給量的直接掌握目標,測量在錫槽2的上部空間漂移的錫化合物粒子的濃度，即使錫槽2內(nèi)的溫度和壓力條件發(fā)生變因于錫化合物粒子的缺陷密度降低到規(guī)定程度。8522xM1，在22x2低，由于沒有設(shè)置排氣部5，錫化合物的飽和度超過1，則在該區(qū)域內(nèi)簡潔產(chǎn)生錫化合物粒子。因此，假設(shè)把錫化合物粒子的濃度測量放在比最下游的排氣部5域的測量結(jié)果。8，說明白透過型濃度計的例子，在錫槽22x22x2的上部空間，這時也可以使用依據(jù)由投