文檔集成電路

集成電路集成電路芯片集成電路（integratedcircuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比（基于硅的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于鍺的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。特點集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優(yōu)點，同時成本低，便于大規(guī)模生產(chǎn)。它不僅在工、民用電子設(shè)備如收錄機(jī)、電視機(jī)、計算機(jī)等方面得到廣泛的應(yīng)用，同時在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應(yīng)用。用集成電路來裝配電子設(shè)備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設(shè)備的穩(wěn)定工作時間也可大大提高。分類（一）按功能結(jié)構(gòu)分類集成電路按其功能、結(jié)構(gòu)的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/?；旌霞呻娐啡骪o"查看圖片"集成電路類。模擬集成電路又稱線性電路,用來產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間變化的信號。例如半導(dǎo)體收音機(jī)的音頻信號、錄放機(jī)的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關(guān)系。而數(shù)字集成電路用來產(chǎn)生、放大和處理各種數(shù)字信號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如3G手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、電腦CPU、數(shù)字電視的邏輯控制和重放的音頻信號和視頻信號）。（二）按制作工藝分類集成電路按制作工藝可分為半導(dǎo)體集成電路和膜集成電路。膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。（三）按集成度高低分類集成電路按集成度高低的不同可分為SSI小規(guī)模集成電路(SmallScaleIntegratedcircuits)MSI中規(guī)模集成電路(MediumScaleIntegratedcircuits)LSI大規(guī)模集成電路(LargeScaleIntegratedcircuits)VLSI超大規(guī)模集成電路(VeryLargeScaleIntegratedcircuits)ULSI特大規(guī)模集成電路(UltraLargeScaleIntegratedcircuits)GSI巨大規(guī)模集成電路也被稱作極大規(guī)模集成電路或超特大規(guī)模集成電路(GigaScaleIntegration)。（四）按導(dǎo)電類型不同分類集成電路按導(dǎo)電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路,他們都是數(shù)字集成電路.雙極型集成電路的制作工藝復(fù)雜，功耗較大，代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的制作工藝簡單，功耗也較低，易于制成大規(guī)模集成電路，代表集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。（五）按用途分類集成電路按用途可分為電視機(jī)用集成電路、音響用集成電路、影碟機(jī)用集成電路、錄像機(jī)用集成電\o"查看圖片"集成電路路、電腦（微機(jī)）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機(jī)用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。1958年：仙童公司RobertNoyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路，開創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史；1960年：HHLoor和ECastellani發(fā)明了光刻工藝1962年：美國RCA公司研制出MOS場效應(yīng)晶體管1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術(shù)，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預(yù)測晶體管集成度將會每18個月增加1倍1966年：美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門）1967年：應(yīng)用材料公司（AppliedMaterials）成立，現(xiàn)已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司1971年：Intel推出1kb動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM），標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發(fā)明1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器18021976年：16kbDRAM和4kbSRAM問世1978年：64kb動態(tài)隨機(jī)存儲器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個晶體管，標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路（VLSI）時代的來臨1979年：Intel推出5MHz8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺PC1981年：256kbDRAM和64kbCMOSSRAM問世1984年：日本宣布推出1MbDRAM和256kbSRAM1985年：80386微處理器問世，20MHz1988年：16MDRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路（VLSI）階段1989年：1MbDRAM進(jìn)入市場1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用0.8μm工藝1992年：64M位隨機(jī)存儲器問世1993年：66MHz奔騰處理器推出，采用0.6μm工藝1995年：PentiumPro,133MHz，采用0.6-0.35μm工藝；\o"查看圖片"集成電路1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世，采用0.25μm工藝1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，采用0.25μm工藝，后采用0.18μm工藝2000年：1GbRAM投放市場2000年：奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18μm工藝2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。2003年：奔騰4E系列推出，采用90nm工藝。2005年：intel酷睿2系列上市，采用65nm工藝。2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2E7/E8/E9上市。2009年：intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。2.我國集成電路的發(fā)展歷史我國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：1965年-1978年：以計算機(jī)和軍工配套為目標(biāo)，以開發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn)品，初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件1978年-1990年：主要引進(jìn)美國二手設(shè)備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機(jī)作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產(chǎn)化1990年-2000年：以908工程、909工程為重點，以CAD為突破口，抓好科技攻關(guān)和北方科研開發(fā)基地的建設(shè)，為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù)，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。檢測常識1、檢測前要了解集成電路及其相關(guān)電路的工作原理檢查和修理集成電路前首先要熟悉所用集成電路的功能、內(nèi)部電路、主要電氣參數(shù)、各引腳的作用以及引腳的正常電壓、波形與外圍元件組成電路的工作原理。如果具備以上條件，那么分析和檢查會容易許多。2、測試不要造成引腳間短路電壓測量或用示波器探頭測試波形時，表筆或探頭不要由于滑動而造成集成電路引腳間短路，最好在與引腳直接連通的外圍印刷電路上進(jìn)行測量。任何瞬間的短路都容易損壞集成電路，在測試扁平型封裝的CMOS集成電路時更要加倍小心。3、嚴(yán)禁在無隔離變壓器的情況下，用已接地的測試設(shè)備去接觸底板帶電的電視、音響、錄像等設(shè)備嚴(yán)禁用外殼已接地的儀器設(shè)備直接測試無電源隔離變壓器的電視、音響、錄像等設(shè)備。雖然一般的收錄機(jī)都具有電源變壓器，當(dāng)接觸到較特殊的尤其是輸出功率較大或?qū)Σ捎玫碾娫葱再|(zhì)不太了解的電視或音響設(shè)備時，首先要弄清該機(jī)底盤是否帶電，否則極易與底板帶電的電視、音響等設(shè)備造成電源短路，波及集成電路，造成故障的進(jìn)一步擴(kuò)大。4、要注意電烙鐵的絕緣性能不允許帶電使用烙鐵焊接，要確認(rèn)烙鐵不帶電，最好把烙鐵的外殼接地，對MOS電路更應(yīng)小心，能采用6~8V的低壓電路鐵就更安全。5、要保證焊接質(zhì)量焊接時確實焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時間一般不超過3秒鐘，烙鐵的功率應(yīng)用內(nèi)熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細(xì)查看，最好用歐姆表測量各引腳間有否短路，確認(rèn)無焊錫粘連現(xiàn)象再接通電源。6、不要輕易斷定集成電路的損壞不要輕易地判斷集成電路已損壞。因為集成電路絕大多數(shù)為直接耦合，一旦某一電路不正常，可能會導(dǎo)致多處電壓變化，而這些變化不一定是集成電路損壞引起的，另外在有些情況下測得各引腳電壓與正常值相符或接近時，也不一定都能說明集成電路就是好的。因為有些軟故障不會引起直流電壓的變化。7、測試儀表內(nèi)阻要大測量集成電路引腳直流電壓時，應(yīng)選用表頭內(nèi)阻大于20KΩ/V的萬用表，否則對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。8、要注意功率集成電路的散熱功率集成電路應(yīng)散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。9、引線要合理如需要加接外圍元件代替集成電路內(nèi)部已損壞部分，應(yīng)選用小型元器件，且接線要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。[1]封裝1、BGA(ballgridarray)球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用以代替引\o"查看圖片"集成電路腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔(dān)心QFP那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola公司開發(fā)的，首先在便攜式電話等設(shè)備中被采用，今后在美國有可能在個人計算機(jī)中普及。最初，BGA的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數(shù)為225?，F(xiàn)在也有一些LSI廠家正在開發(fā)500引腳的BGA。BGA的問題是回流焊后的外觀檢查?，F(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認(rèn)為，由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩(wěn)定的，只能通過功能檢查來處理。美國Motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC和GPAC)。2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP封裝之一，在封裝本體的四個角設(shè)置突起(緩沖墊)以防止在運送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84到196左右(見QFP)。4、C－(ceramic)表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中經(jīng)常使用的記號。5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECLRAM，DSP(數(shù)字信號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內(nèi)部帶有EPROM的微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從8到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G即玻璃密封的意思)。6、Cerquad表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的\o"查看圖片"集成電路Cerquad用于封裝EPROM電路。散熱性比塑料QFP好，在自然空冷條件下可容許1.5～2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3～5倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32到368。帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機(jī)電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ－G(見QFJ)。8、COB(chiponboard)板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確?？煽啃?。雖然COB是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB和倒片焊技術(shù)。9、DFP(dualflatpackage)雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現(xiàn)在已基本上不用。10、DIC(dualin-lineceramicpackage)陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).11、DIL(dualin-line)DIP的別稱(見DIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。12、DIP(dualin-linepackage)雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinnyDIP和slimDIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分，只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip(見cerdip)。13、DSO(dualsmallout-lint)雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP的別稱(見SOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。14、DICP(dualtapecarrierpackage)雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是\o"查看圖片"集成電路TAB(自動帶載焊接)技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動LSI，但多數(shù)為定制品。另外，0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機(jī)械工業(yè))會標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將DICP命名為DTP。15、DIP(dualtapecarrierpackage)同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會標(biāo)準(zhǔn)對DTCP的命名(見DTCP)。16、FP(flatpackage)扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點，然后把金屬凸點與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術(shù)中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI芯片不同，就會在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。18、FQFP(finepitchquadflatpackage)小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP(見QFP)。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采用此名稱。19、CPAC(globetoppadarraycarrier)美國Motorola公司對BGA的別稱(見BGA)。20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP之一，引腳用樹脂保護(hù)環(huán)掩蔽，以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前，從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L形狀)。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)最多為208左右。21、H-(withheatsink)表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。22、pingridarray(surfacemounttype)表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列\(zhòng)o"查看圖片"集成電路狀的引腳，其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA小一半，所以封裝本體可制作得不怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多(250～528)，是大規(guī)模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實用化。23、JLCC(J-leadedchipcarrier)J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC和QFJ)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。24、LCC(Leadlesschipcarrier)無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN－C(見QFN)。25、LGA(landgridarray)觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可?，F(xiàn)已實用的有227觸點(1.27mm中心距)和447觸點(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，應(yīng)用于高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻抗小，對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，現(xiàn)在基本上不怎么使用。預(yù)計今后對其需求會有所增加。26、LOC(leadonchip)芯片上引線封裝。LSI封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片的中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm左右寬度。27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。28、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳(0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。29、MCM(multi-chipmodule)多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。MCM－C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。MCM－D是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。30、MFP(miniflatpackage)小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱(見SOP和SSOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。31、MQFP(metricquadflatpackage)按照J(rèn)EDEC(美國聯(lián)合電子設(shè)備委員會)標(biāo)準(zhǔn)對QFP進(jìn)行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm的標(biāo)準(zhǔn)QFP(見QFP)。32、MQUAD(metalquad)美國Olin公司開發(fā)的一種QFP封裝。基板與封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W～2.8W的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993年獲得特許開始生產(chǎn)。33、MSP(minisquarepackage)QFI的別稱(見QFI)，在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI是日本電子機(jī)械工業(yè)會規(guī)定的名稱。34、OPMAC(overmoldedpadarraycarrier)模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola公司對模壓樹脂密封BGA采用的名稱(見BGA)。35、P－(plastic)表示塑料封裝的記號。如PDIP表示塑料DIP。36、PAC(padarraycarrier)凸點陳列載體，BGA的別稱(見BGA)。37、PCLP(printedcircuitboardleadlesspackage)印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)采用的名稱(見QFN)。引腳中心距有0.55mm和0.4mm兩種規(guī)格。目前正處于開發(fā)階段。38、PFPF(plasticflatpackage)塑料扁平封裝。塑料QFP的別稱(見QFP)。部分LSI廠家采用的名稱。39、PGA(pingridarray)陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都采用多層陶\o"查看圖片"集成電路瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數(shù)為陶瓷PGA，用于高速大規(guī)模邏輯LSI電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64到447左右。了為降低成本，封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板代替。也有64～256引腳的塑料PGA。另外，還有一種引腳中心距為1.27mm的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝型PGA)。40、piggyback馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關(guān)與DIP、QFP、QFN相似。在開發(fā)帶有微機(jī)的設(shè)備時用于評價程序確認(rèn)操作。例如，將EPROM插入插座進(jìn)行調(diào)試。這種封裝基本上都是定制品，市場上不怎么流通。41、PLCC(plasticleadedchipcarrier)帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形，是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用，現(xiàn)在已經(jīng)普及用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18到84。J形引腳不易變形，比QFP容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。PLCC與LCC(也稱QFN)相似。以前，兩者的區(qū)別僅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但現(xiàn)在已經(jīng)出現(xiàn)用陶瓷制作的J形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝(標(biāo)記為塑料LCC、PCLP、P－LCC等)，已經(jīng)無法分辨。為此，日本電子機(jī)械工業(yè)會于1988年決定，把從四側(cè)引出J形引腳的封裝稱為QFJ，把在四側(cè)帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ和QFN)。42、P－LCC(plasticteadlesschipcarrier)(plasticleadedchipcurrier)有時候是塑料QFJ的別稱，有時候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ和QFN)。部分LSI廠家用PLCC表示帶引線封裝，用P－LCC表示無引線封裝，以示區(qū)別。43、QFH(quadflathighpackage)四側(cè)引腳厚體扁平封裝。塑料QFP的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP本體制作得較厚(見QFP)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。44、QFI(quadflatI-leadedpackgac)四側(cè)I形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側(cè)面引出，向下呈I字。也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進(jìn)行碰焊連接。由于引腳無突出部分，貼裝占有面積小于QFP。日立制作所為視頻模擬IC開發(fā)并使用了這種封裝。此外，日本的Motorola公司的PLLIC也采用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18于68。45、QFJ(quadflatJ-leadedpackage)四側(cè)J形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側(cè)面引出，向下呈J字形。是日本電子機(jī)械工業(yè)會規(guī)定的名稱。引腳中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ多數(shù)情況稱為PLCC(見PLCC)，用于微機(jī)、門陳列、DRAM、ASSP、OTP等電路。引腳數(shù)從18至84。陶瓷QFJ也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機(jī)芯片電路。引腳數(shù)從32至84。46、QFN(quadflatnon-leadedpackage)四側(cè)無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一?，F(xiàn)在多稱為LCC。QFN是日本電子機(jī)械工業(yè)會規(guī)定的\o"查看圖片"集成電路名稱。封裝四側(cè)配置有電極觸點，由于無引腳，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低。但是，當(dāng)印刷基板與封裝之間產(chǎn)生應(yīng)力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電極觸點難于作到QFP的引腳那樣多，一般從14到100左右。材料有陶瓷和塑料兩種。當(dāng)有LCC標(biāo)記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。塑料QFN是以玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm外，還有0.65mm和0.5mm兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC等。47、QFP(quadflatpackage)四側(cè)引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側(cè)面引出呈海鷗翼(L)型?；挠刑沾?、金屬和塑料三種。從數(shù)量上看，塑料封裝占絕大部分。當(dāng)沒有特別表示出材料時，多數(shù)情況為塑料QFP。塑料QFP是最普及的多引腳LSI封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數(shù)字邏輯LSI電路，而且也用于VTR信號處理、音響信號處理等模擬LSI電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多種規(guī)格。0.65mm中心距規(guī)格中最多引腳數(shù)為304。日本將引腳中心距小于0.65mm的QFP稱為QFP(FP)。但現(xiàn)在日本電子機(jī)械工業(yè)會對QFP的外形規(guī)格進(jìn)行了重新評價。在引腳中心距上不加區(qū)別，而是根據(jù)封裝本體厚度分為QFP(2.0mm～3.6mm厚)、LQFP(1.4mm厚)和TQFP(1.0mm厚)三種。另外，有的LSI廠家把引腳中心距為0.5mm的QFP專門稱為收縮型QFP或SQFP、VQFP。但有的廠家把引腳中心距為0.65mm及0.4mm的QFP也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂。QFP的缺點是，當(dāng)引腳中心距小于0.65mm時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現(xiàn)已出現(xiàn)了幾種改進(jìn)的QFP品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP)；帶樹脂保護(hù)環(huán)覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP)；在封裝本體里設(shè)置測試凸點、放在防止引腳變形的專用夾具里就可進(jìn)行測試的TPQFP(見TPQFP)。在邏輯LSI方面，不少開發(fā)品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP里。引腳中心距最小為0.4mm、引腳數(shù)最多為348的產(chǎn)品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqad)。48、QFP(FP)(QFPfinepitch)小中心距QFP。日本電子機(jī)械工業(yè)會標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm、0.3mm等小于0.65mm的QFP(見QFP)。49、QIC(quadin-lineceramicpackage)陶瓷QFP的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見QFP、Cerquad)。50、QIP(quadin-lineplasticpackage)塑料QFP的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見QFP)。51、QTCP(quadtapecarrierpackage)四側(cè)引腳帶載封裝。TCP封裝之一，在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個側(cè)面引出。是利用TAB技術(shù)的薄型封裝(見TAB、TCP)。52、QTP(quadtapecarrierpackage)四側(cè)引腳帶載封裝。日本電子機(jī)械工業(yè)會于1993年4月對QTCP所制定的外形規(guī)格所用的名稱(見TCP)。53、QUIL(quadin-line)QUIP的別稱(見QUIP)。54、QUIP(quadin-linepackage)四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側(cè)面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳中心距1.27mm，當(dāng)插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標(biāo)準(zhǔn)印刷線路板。是比標(biāo)準(zhǔn)DIP更小的一種封裝。日本電氣公司在臺式計算機(jī)和家電產(chǎn)品等的微機(jī)芯片中采用了些種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數(shù)64。55、SDIP(shrinkdualin-linepackage)收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP相同，但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm)，因而得此稱呼。引腳數(shù)從14到90。也有稱為SH－DIP的。材料有陶瓷和塑料兩種。56、SH－DIP(shrinkdualin-linepackage)同SDIP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。57、SIL(singlein-line)SIP的別稱(見SIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多采用SIL這個名稱。58、SIMM(singlein-linememorymodule)單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側(cè)面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插座的組件。標(biāo)準(zhǔn)SIMM有中心距為2.54mm的30電極和中心距為1.27mm