半導(dǎo)體薄膜制備及光電性能表征

半導(dǎo)體薄膜制備及光電性能表征半導(dǎo)體薄膜的基本分類可如下：(1)Ⅳ族半導(dǎo)體，如Si、Ge、金剛石等，為S、Se、Te形成的化合物，主要有CdS、ZnSe、ZnO等，為化合物半導(dǎo)體。(3)ⅢGaN等，為化合物半導(dǎo)體。(4)復(fù)雜化合物半導(dǎo)體，如Cu(In，Ga)Se等。2 (5)有機半導(dǎo)體。K材、體單晶、薄膜和納米結(jié)構(gòu)等。薄膜材料指的是利用某些生長技術(shù)，在襯底或Wutzite)結(jié)構(gòu)，屬六方晶系，圖1為不同視角下的結(jié)構(gòu)示意圖。分子結(jié)構(gòu)溶于酸、堿以及氨水、氯化銨等溶液，不溶于水、醇(如乙醇)和苯等有機溶劑。的大部分波譜范圍。(CVD)、液相外延(LPE)、濕化學(xué)方法(WCM)。物理氣相沉積包括很多種方法，如濺射、蒸發(fā)、脈沖激光沉積(PLD)、分子束外延(MBE)等?；瘜W(xué)氣相沉法，目前應(yīng)用較少。濕化學(xué)方，外延生長溫度低；有商用體單濺射(Sputtering)是建立在氣體輝光放電的基礎(chǔ)上，利用氣體輝光過程中磁場，利用電子在正交電以氬氣(Ar)為場正交磁場時。由洛侖茲定理可不再做直線運動，而是螺旋線運在磁控濺射系統(tǒng)中，一次電子(在等離子體中Ar原子電離出來的電子)有兩的電子數(shù)量減少，電子能量大幅衰減小，從而對襯度也大為降低。磁控濺射中的放電過程是異常陰極離子體Ar+盡管也受到磁場同樣的洛倫茲力，但由于Ar+靠近陰極，且其質(zhì)量大(1860Me)，慣性很大，當(dāng)Ar+跑向靶面時，受磁場的影響原子到達襯底后，由于粘附力的作用，其中大部分濺射放電基本上克服了二極濺射的“低速高溫”的為提高；同時，它又保持了濺射鍍膜的優(yōu)點，即濺因而粒子在襯底表面的擴散速率相應(yīng)增大，薄膜生材是絕緣材料,陰極表面聚集的大量正離子無法被電子陽兩極電勢減小,使濺射不能持續(xù)進行。得靶材正半周接收電子,負(fù)半周接收正離子,相互中持穩(wěn)定,使濺射能夠持續(xù)進行。，但也存在些不足，如因電荷積聚，不能直接可以避免微粒物充入氣體(1)操作設(shè)備前，首先檢查各種閥門是否全部處于關(guān)閉狀態(tài)。如不是關(guān)閉狀(2)打開水源，確定各路水路是否暢通、有無滲漏。如有問題，需及時解(3)打開總電源，檢查三相指示是否正常，其他電源都應(yīng)處在關(guān)閉狀態(tài)。要開到位)，啟動分子泵，抽至所需真空度。方式二，對于真空度＜20Pa的情況，操作方式為：啟動機械泵，啟動前級閥，打開插板閥(一定要開到位，如遇開啟費力，則應(yīng)立即通知相關(guān)人員檢查或修理，千萬不可用蠻力開啟)，啟動分(5)真空室抽至所需本底工作真空后(一般情況下，真空度應(yīng)＜5×10-Pa，此時可緩慢打開真空室的CF-16充氣角閥，待真空度穩(wěn)定后，對需要使用熱。打開所需氣體的氣瓶及進氣電磁閥，打開流量控制顯示儀，將閥控檔，緩慢調(diào)節(jié)進氣流量，配合插板閥控制抽速，將真空度控制內(nèi)，此時就可以進行正常的濺射鍍膜。(6)關(guān)閉設(shè)備時，要先關(guān)閉濺射電源、樣品架加熱電源，樣品架旋轉(zhuǎn)電源，室上蓋，再按步驟“4”方式一操作，將真空度抽至場中，使磁場方向垂直于電流方向，在導(dǎo)體板兩側(cè)ab之ZXH=H=體而言，通常都同時存在空穴和電子兩種載流子，理論計算可12?n2=(+)2npn略，則p=0；若電子可以忽略，則n=0.利用霍爾效應(yīng)，可以測定半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型、載流子濃度、遷移率和電阻率；還可以制備霍爾器件。RsohmsqRHs=C，載流子H由于遷移率和霍爾系數(shù)都是負(fù)值，即導(dǎo)電載流子主要是帶負(fù)電的電子，所以濺射原理直流原理：電場作用下加速轟擊靶材，濺射出的靶材原子沉積到基片表面，生長成薄膜。得靶材正半周接收電子