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文檔簡介

1、霍爾效應測量亥姆線圈磁霍爾片工作電流：Is 亥姆線圈勵磁電流：Im線圈匝數 線圈半徑XV2V4VV1V2V3 IS,IMIS,IMIS,IMIS,IM------------------------------------------------------------------0--5--------------------------------------------注意：由于各霍爾器件之間參數存在差異，以上數據參考實驗目實驗儀DH4501B 一實驗原1、霍爾效圖圖示，磁場B位于Z的正向 圖半導體材料ISX負向運動。fLY軸負方向偏轉，并形成電向相反）fLfEYEH，相應的電勢差稱為霍爾電勢VHfL

e為電子電量，B

fEeEHeVH

式中EH為霍爾電場強度，VHl為霍爾元件寬度。當達到動態(tài)平衡時fL

BVH

設霍爾元件寬度為l，厚度為d，載流子濃度為nIS

V

ISB

IS

ne H即霍爾電壓 與IS，B的乘積成正比，與霍爾元件的厚度成反比，比例系1RH1

KHRH/dl/

H VHISBH

式中：KHmV/mA·TKH愈大愈好。（2 應強度B垂直，在其控制端輸入恒定的工作電流IS，2、實驗系統(tǒng)誤差及其消測量霍爾電勢VH時，不可避免的會產生一些副效應，由此而產生的附加電勢疊加在霍不等位電勢但間存在電勢差Vo，VoISISXIS，ZBY軸分別向相反的兩側偏轉，這些載流子的動能將轉化為熱同，電極和元件之間形成溫差電偶，這一溫差在間產生溫差電動勢VE，VEISB這一效應稱愛廷豪森效應，VEISB的大小和方向有關，跟VHISBY方向上產生附加的電勢差VN，且VN∝QB這一效應稱為倫斯脫效應，由上式可知VNB的方向有關。如（3）XdT/dX，引起載流子沿梯度方向擴散而有QZBY方向引起類似愛廷效應的溫差，由此產生的電勢差VR∝QBBIS的方向IS，磁場B（即相應的勵磁電流IM）的關系，采用對稱（交換）測量法進量。IS,IMIS,IM時IS,IM時當ISIM時

V1VHVOVEVNV2VHVOVEVNVRV3VHVOVEVNVRV4VHVOVEVNVRV1V1V2V3V

V

VE的符號和霍爾電勢VHISB的方向關系相同，故無法消3、亥 線

VE，因而VE亥姆B NI2(R2x2)3/

IM為通過線圈的電流強度，N為線圈的匝數，R為線圈平均半徑，x

BO

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實驗步1、將實驗儀上的恒流源輸出IS，IM分別對應接到亥姆線圈測試架上，導線和插孔的3ISIMIS=2.0mAIM4ISIMx110mmx110mm5mm測ISIM的極性（ISIM調到零再打換向開關5ISIM用霍爾效應測量磁場數據處1OBO

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2.042OB和VK

IS VH3、利用

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