恒壓恒流充電器

-.z模塊性質：非隔離降壓恒流、恒壓模塊〔CCCV〕充電模塊適用*圍：大功率LED恒流驅動,鋰電池充電(包括鐵電),4V、6V、12V、14V、24V電瓶充電、鎳鎘鎳氫電池〔電池組〕充電,太陽能電池板,風力發(fā)電機輸入電壓：7-35V如需要更高電壓請直接聯(lián)系我輸出電壓：〔1〕連續(xù)可調〔1.25-30V〕

〔2〕固定輸出〔1.25-30V之間任意選擇〕,購置時請告訴掌柜?！矔簳r只針對批量客戶，樣品全部發(fā)可調型〕輸出電流：額定2A，最大4A(超過15W請安裝散熱片)恒流*圍：0-3A〔可調節(jié)〕轉燈電流：恒流值*〔1%—100%〕，轉燈電流與恒流值聯(lián)動，比方恒流值為3A，轉燈電流設置為恒流的0.1倍(0.1*3A=0.3A)，當把恒流值調節(jié)成2A時候，此時轉燈電流為恒流的0.1倍(0.1*2A=0.2A).默認出貨時已經調節(jié)到0.1倍最低壓差：2V輸出功率：自然冷卻15W轉換效率：92%〔最高92%〔輸出電壓越高，效率越高〕輸出紋波:

20M帶寬

〔僅供參考〕輸入12V輸出5V3A60mV(MA*)工作溫度：工業(yè)級〔-40℃到+85℃〕〔環(huán)境溫度超過40度，請降低功率使用，或加強散熱〕滿載溫升：45℃空載電流：典型10mA(12V轉4.2V)負載調整率：±1%電壓調整率：±0.5%動態(tài)響應速度：5%200uS電位器調節(jié)方向：順時針〔增加〕，逆時針〔減少〕指示燈：恒流指示燈紅色，充電中指示燈紅色，充電完畢指示燈藍色輸出短路保護：有，恒流〔當前設置恒流值〕輸入反接保護：無，請在輸入串聯(lián)二極管。接線方式：焊接，加引腳后可直接焊接在PCB上電池充電使用方法：1.確定您需要充電電池的浮充電壓和充電電流，模塊的輸入電壓；2.調節(jié)恒壓電位器使輸出電壓到達浮充電壓；3.用萬用表10A電流擋測量輸出短路電流，同時調節(jié)恒流電位器使輸出電流到達預定的充電電流值；4.充電轉燈電流默認出貨為0.1倍充電電流〔恒流值〕，如需調整請調節(jié)轉燈電流電位器；5.接上電池，試充?！?、2、3、4步驟為模塊輸入接電源，輸出空載不接電池?！矻ED恒流驅動使用方法：1.確定您需要驅動LED的工作電流和最高工作電壓；2.調節(jié)恒壓電位器使輸出電壓到達LED最高工作電壓；3.用萬用表10A電流擋測量輸出短路電流，同時調節(jié)恒流電位器使輸出電流到達預定的LED工作電流；4接上LED，試機。為了方便大家學習，進一步了解銳駿MOS管的應用，我們?yōu)榇蠹姨峁┝?0種驅動電路供大家選擇參考。

1.

PWM芯片直接驅動MOSFET

2.開通和關斷速度分開控制的MOSFET驅動電路

3.帶圖騰柱擴流的MOSFET驅動電路

4.使用TL494,SG3524內部的輸出電路采用的單端集電極和射極開路的驅動電路

5.

使用光耦隔離的驅動電路

6.

使用光耦隔離的帶負壓關斷驅動電路：

7.

采用專用驅動光耦驅動的隔離驅動電路：

8.

電動車控制器驅動電路

9.

P管驅動電路：

10.

多管并聯(lián)驅動電路：

MOSFET作為一種新型的功率器件，具有開關速度快，內阻低損耗小等優(yōu)點，但是如果使用不當也容易損壞。MOSFET損壞的原因主要有過壓，過流，短路，靜電，過熱，機械損壞等。

一．過壓：MOSFET的過壓主要分為柵源極過壓和漏源極過壓。1.

柵源極過壓：MOSFET的柵源極之間允許的電壓〔VGSS〕都有一個限制，業(yè)界的一般是±20V,銳駿半導體大局部MOS管的柵源極耐壓是±25V,意味著MOSFET的柵源極之間超過這個電壓，MOSFET就有可能擊穿損壞。為了防止柵源極過壓，我們可以采取如下措施：1〕.采用12-15V穩(wěn)定的電壓給MOSFET驅動芯片供電；2〕.對于無法采用12-15V穩(wěn)定的電壓給MOSFET驅動芯片供電的情況下需要在柵源極之間并聯(lián)15V的穩(wěn)壓管。

2.

漏源極過壓MOSFET的漏源極之間允許的電壓〔BVDSS〕都有一個限制，意味著MOSFET的漏源極之間超過這個電壓，MOSFET就有可能擊穿損壞。因此在選型的時候我們需要根據電路的電壓輸入*圍和拓撲構造來選擇MOSFET并留有一定的余量。當然，由于分布參數和變壓器漏感的影響，在MOSFET的*個工作瞬間往往會瞬間過壓，雖然MOSFET具有抗擊這種瞬間過壓不被損壞的能力，但也不能超過一定的限度，為了電路的平安，我們還是要做好保護措，一般以下幾3種：1〕.采用瞬態(tài)二極管的尖峰抑制電路：

2〕.采用RC吸收回路：

3〕.采用RCD吸收回路：

二．

過流MOSFET能承受的的電流和芯片，時間，結溫和電流都有關系，例如銳駿半導體的RU190N08R,芯片在25度時允許通過的電流為ID=190A,在100度許通過的電流為ID=140A,但是這個只是芯片能承受的電流，當然還受封裝的限制，對于TO-220封裝來說，只允許通過75A的電流。如果是瞬間呢，在25度時，在300微秒〔沒有超過平安區(qū)域〕的脈沖寬度可以通過700A的IDP(峰值電流)。在設計選型時我們要根據的上述電流參數選擇適宜的MOSFET并留有一定的余量，MOSFET過流一般都是由于過流后引起結溫過高而損壞，或者是超過了平安區(qū)域導致耗散功率過大損壞。常規(guī)的過流保護電路有：1〕.采用源極串聯(lián)電流取樣電阻的過流保護電路:由圖中可以看出，U1的電流比擬基準是1V,只要R3兩端的壓降超過了1V,U1就關斷PWM停頓輸出，從而保護了MOSFET.

2〕.采用電流互感器取樣的過流保護電路:互感器取樣的特點是能過很大的電流而損耗小，但體積比擬大。

三．短路短路也可以理解為嚴重的過流，以銳駿半導體的RU190N08為例，我們來看下MOS管的平安區(qū)域：

從曲線上可以看出，當VDS=13V時，300A的電流只有1MS的時間耐量。還有規(guī)格書上標明了300US的耐電流是700A,這些都是我們設計短路保護的重要依據。比方我們設計一個24V的系統(tǒng)采用的就是單顆這個型號的MOSFET，經過計算和測量MOSFET回路〔包含供電電源的內阻〕是20mΩ，如果不限制短路電流的話，則短路電流將到達24/20mΩ=1200A,這個電流有可能使MOSFET在很短的時間內燒毀。所以我們需要快速地檢測MOSFET的電流比方到達300A,快速〔幾十到幾百微妙〕地關斷它。從而保護了MOSFET的平安。一種典型的過流短路保護電路如下列圖：

四.靜電MOSFET由于輸入阻抗極高，屬于容性負載，因而對靜電非常敏感，當輸入電容感應靜電到一定電壓時就有可能損壞。防靜電的一般措施有：1〕.包裝,采用防靜電袋，管腳套短路環(huán)；2〕.儲存環(huán)境的濕度控制，保持相比照擬高的濕度可以防靜電；3〕.接地,所有接觸MOSFET的設備都要有妥善的接地措施；4〕.電路參加防靜電措施，如柵極并聯(lián)穩(wěn)壓管；

5〕.操作人員的防靜電，如穿防靜電服，帶靜電環(huán)等。五.

過熱

當MOSFET超過允許的結溫時很容易縮短使用壽命，甚至很快燒毀，所以在選型時需要預留值比擬大，并設計過熱保護電路。

一般的過熱保護電路由熱敏電阻做溫度檢測，如PTC,超過一定溫度，PTC的電阻會上升很多，如果在PTC上通過一個電流，其兩端的電壓也會上升很多，我們可以用比擬器設定一個基準電平，超過這個基準電平，比擬器就會發(fā)出一個高或地電平關斷MOSFET,這就是典型的溫度保護的原理，其典型的電路如下：

六．機械損壞由于芯片和管殼的彈性系數不同，雖然在管殼螺絲孔和芯片之間加了機械應力緩沖措施，當它們封裝成一個整體后，還是不能超過一定的機械應力，比方對于TO-220封裝在打螺絲時，〔電動〕螺絲刀的扭力不應超過6KG.

在大功率產品的實際應用中，單顆MOS管往往達不到需要的電流，此時我們需要把多顆MOS管并聯(lián)起來應用，這樣很大的電流由多顆MOS管來分擔，單顆MOS管承當的電流就比擬小了，確保了器件平安穩(wěn)定地工作。但是如果應用不當，也會使多顆并聯(lián)的MOS管電流不均衡，甚至損壞*顆MOS管使系統(tǒng)崩潰。1.

MOS管并聯(lián)的可行性分析由下面的*顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內阻的溫度特性是隨溫度的升高內阻也增大，如果在并聯(lián)過程中由于*種原因〔比方RDSON比擬低，電流路徑比擬短等〕導致*顆MOS管的電流比擬大，這顆MOS管會發(fā)熱比擬嚴重，內阻會升高比擬多，電流就會降下來，由此可以分析出MOS管有自動均流的特性而易于并聯(lián)。

2.

MOS管的并聯(lián)電路理論上MOS管可以由N顆并聯(lián)，實際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對于高頻電路工作產生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應用。并聯(lián)的一般電路圖如下

上圖中，R1-4為柵極驅動電阻，每個MOS管都由獨立的柵極驅動電阻隔離驅動，主要是可以防止各個MOS管的寄生振蕩，起到阻尼的作用。R1-4的取值怎么取呢.如果取值過小，可能就起不到防止各個MOS管的寄生振蕩的作用，如果取值大了，開關速度會變慢，由于每個MOS管的結電容會有細微的不同，結果取值過大還會導致各個MOS管的導通速度相差比擬大，所以R1-4在能夠防止各個MOS管的寄生振蕩的情況下盡量小到可以滿足開關速度。關于R5-R8的柵極下拉電阻，主要作用是在驅動IC損壞開路的情況下可以防止MOS管的誤導通。在*些特殊的應用場合下，比方對待機電流有限制的電池保護板，這個電阻往往取值很大甚至沒有，這樣柵極的阻抗會比擬高，極易感應比擬高的靜電損壞MOS管的柵極。這種應用最好在柵源極之間并聯(lián)一個15V左右的穩(wěn)壓管。3.

MOS管的并聯(lián)對布線的要求大家知道，多個MOS管并聯(lián)，漏極和源極的走線都需要通過多個