共享stm32 flash 擦除（以及防止誤擦除程序代碼）寫入

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入

編譯環(huán)境：我用的是(Keil)MDK4.7.2

stm32庫版本：我用的是3.5.0

一、本文不對(duì)FLASH的基礎(chǔ)知識(shí)做詳細(xì)的介紹，不懂得地方請(qǐng)查閱有關(guān)資料。

對(duì)STM32內(nèi)部FLASH進(jìn)行編程操作，需要遵循以下流程：

FLASH解鎖

清除相關(guān)標(biāo)志位

擦除FLASH(先擦除后寫入的原因是為了工業(yè)上制作便利，即物理實(shí)現(xiàn)便利)

寫入FLASH

鎖定FLASH實(shí)例：

#defineFLASH_PAGE_SIZE((uint16_t)0x400)//假使一頁為1K大小

#defineWRITE_START_ADDR((uint32_t)0x08008000)//寫入的起始地址

#defineWRITE_END_ADDR((uint32_t)0x0800C000)//終止地址

uint32_tEraseCounter=0x00,Address=0x00;//擦除計(jì)數(shù)，寫入地址

uint32_tData=0x3210ABCD;//要寫入的數(shù)據(jù)

uint32_tNbrOfPage=0x00;//記錄要擦除的頁數(shù)

volatileFLASH_StatusFLASHStatus=FLASH_COMPLETE;/*FLASH擦除完成標(biāo)志*/

voidmain(){

/*解鎖FLASH*/

FLASH_Unlock();

/*計(jì)算需要擦除FLASH頁的個(gè)數(shù)*/

NbrOfPage=(WRITE_END_ADDR-WRITE_START_ADDR)/FLASH_PAGE_SIZE;

/*清除所有掛起標(biāo)志位*/

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|

FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);

/*擦除FLASH頁*/

for(EraseCounter=0;(EraseCounterNbrOfPage)

(FLASHStatus==FLASH_COMPLETE);EraseCounter++){

FLASHStatus=

FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR+(FLASH_PAGE_SIZE*EraseCounter));}

/*寫入FLASH*/

Address=WRITE_START_ADDR;

while((AddressWRITE_END_ADDR)(FLASHStatus==FLASH_COMPLETE)){

FLASHStatus=FLASH_ProgramWord(Address,Data);

Address=Address+4;}

/*鎖定FLASH*/

FLASH_Lock();}

二、FLASH擦除（以及防止誤擦除程序代碼）

1、擦除函數(shù)

FLASH_StatusFLASH_ErasePage(u32Page_Address)只要（）里面的數(shù)是flash第xx頁中對(duì)應(yīng)的任何一個(gè)地址！就是擦除xx頁全部?jī)?nèi)容！

防止誤擦除有用程序代碼的方法

方法一：首先要計(jì)算程序代碼有多少，把FLASH存取地址

設(shè)置在程序代碼以外的地方，這樣就不會(huì)破壞用戶程序。原則上從0x08000000+0x1000以后的FLASH空間都可以作為存儲(chǔ)使用。假使代碼量占了0x3000，那么存儲(chǔ)在0x08000000+0x4000以后的空間就不會(huì)破壞程序了。方法二：先在程序中定義一個(gè)const類型的常量數(shù)組，并指定其存儲(chǔ)位置（便利找到寫入、讀取位置），這樣編譯器就會(huì)分派你指定的空間將常量數(shù)組存入FLASH中。當(dāng)你做擦除。讀寫操作時(shí)，只要在這個(gè)常量數(shù)組所在的地址范圍就好。constuint8_ttable[10]__at(0x08010000)={0x55};

MDK3.03A開始就支持關(guān)鍵字__at()。

需要加#includeabsacc.h方法三：在程序中定義一個(gè)const類型的常量數(shù)組，無需指定其存儲(chǔ)位置。只要定義一個(gè)32位的變量存儲(chǔ)這個(gè)數(shù)組的FLASH區(qū)地址就行。uint32_taddress;//STM32的地址是32位的

constuint8_timageBuffer[1024]={0,1,2,3,4,5,6,7};

address=(uint32_t)imageBuffer;/*用強(qiáng)制類型轉(zhuǎn)換的方式，可以把FLASH中存儲(chǔ)的imageBuffer[1024]的地址讀到RAM中的變量address里，便利找到寫入、讀取位置*/

方法四：利用寫保護(hù)的方式（沒研究明白）三、FLASH寫入

FLASH的寫入地址必需是偶數(shù)（FLASH機(jī)制決定的FLASH寫入的時(shí)候只能是偶數(shù)地址寫入，必需寫入半字或字，也就是2個(gè)字節(jié)或是4字節(jié)的內(nèi)容）

四、FLASH讀取方法

*(uint32_t*)0x8000000;//讀一個(gè)字

*(uint8_t*)0x8000000;//讀一個(gè)字節(jié);

*(uint16_t*)0x8000000;//讀半字;

舉例：

uint8_tdata;

data=*(uint8_t*)0x8000000;//就是讀取FLASH中地址0x8000000處的數(shù)據(jù)

五、幾個(gè)有用的子函數(shù)/*

功能：向指定地址寫入數(shù)據(jù)

參數(shù)說明：addr寫入的FLASH頁的地址

p被寫入變量的地址（數(shù)組中的必需是uint8_t類型，元素個(gè)數(shù)必需是偶數(shù)）

Byte_Num被寫入變量的字節(jié)數(shù)（必需是偶數(shù)）*/

voidFLASH_WriteByte(uint32_taddr,uint8_t*p,uint16_tByte_Num){

uint32_tHalfWord;

Byte_Num=Byte_Num/2;

FLASH_Unlock();

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);

FLASH_ErasePage(addr);

while(Byte_Num--)

{HalfWord=*(p++);HalfWord|=*(p++)8;FLASH_ProgramHalfWord(addr,HalfWord);addr+=2;

}

FLASH_Lock();}

例：

uint8_tdata[100];

FLASH