GB/T 30656-2023碳化硅單晶拋光片

ICS29045

CCSH.83

中華人民共和國國家標準

GB/T30656—2023

代替GB/T30656—2014

碳化硅單晶拋光片

Polishedmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2023-03-17發(fā)布2023-10-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T30656—2023

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替碳化硅單晶拋光片與相比除結構調整和

GB/T30656—2014《》,GB/T30656—2014,

編輯性改動外主要技術變化如下

,:

更改了適用范圍見第章年版的第章

a)(1,20141);

更改了術語和定義見第章年版的第章

b)(3,20143);

增加了按直徑的分類見

c)150.0mm(4.2.3);

增加了直徑碳化硅單晶拋光片的技術要求見第章

d)150.0mm(5);

增加了直徑半絕緣型碳化硅單晶拋光片的厚度及允許偏差見

e)100.0mm(5.2);

更改了總厚度變化的要求見年版的

f)(5.2,20144.5);

增加了局部厚度變化的要求見

g)(5.2);

更改了直徑碳化硅單晶拋光片的翹曲度彎曲度要求見年版的

h)100.0mm、(5.2,20144.5);

更改了電阻率的要求見年版的

i)(5.5,20144.10);

更改了微管密度的要求見年版的

j)(5.6,20144.8);

增加了工業(yè)級導電型碳化硅單晶拋光片位錯密度的要求見

k)(5.7);

更改了表面質量中裂紋六方空洞肉眼可見凹坑的要求見年版的

l)、、(5.10,20144.7);

增加了崩邊的要求見

m)(5.10);

增加了表面質量中可用面積比例檢測面的內容見的表腳注

n)、(5.109);

更改了表面粗糙度的要求見年版的

o)(5.11,20144.5);

更改了試驗方法見第章年版的第章

p)(6,20145);

更改了組批取樣的要求見年版的

q)、(7.2、7.3,20146.2、6.3);

增加了檢驗項目見

r)(7.3);

更改了檢驗結果的判定見年版的

s)(7.4,20146.4);

更改了標志的內容見年版的

t)(8.1,20147.1);

更改了隨行文件的內容見年版的

u)(8.5,20147.4);

更改了牌號表示方法中直徑晶向角度厚度的內容見附錄年版的附錄

v)、、(A,2014A);

刪除了搖擺曲線的檢測方法見年版的附錄

w)(2014B);

增加了拉曼散射法的測試步驟見

x)(B.4.2)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位北京天科合達半導體股份有限公司中國科學院物理研究所南京國盛電子有限

:、、

公司安徽長飛先進半導體有限公司有色金屬技術經濟研究院有限責任公司

、、。

本文件主要起草人陳小龍彭同華佘宗靜王波劉春俊李素青郭鈺婁艷芳鄭紅軍楊建

:、、、、、、、、、、

駱紅鈕應喜

、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2014,。

Ⅰ

GB/T30656—2023

碳化硅單晶拋光片

1范圍

本文件規(guī)定了及碳化硅單晶拋光片的牌號及分類技術要求試驗方法檢驗規(guī)則標志

4H6H、、、、、

包裝運輸貯存隨行文件和訂貨單內容

、、、。

本文件適用于生產電力電子器件射頻微波器件及發(fā)光器件的外延材料用碳化硅單晶拋

、LED

光片

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

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