光催化劑的分類和機理總結(jié)演示文稿

光催化劑的分類和機理總結(jié)演示文稿現(xiàn)在是1頁\一共有31頁\編輯于星期二光催化的機理和應(yīng)用現(xiàn)在是2頁\一共有31頁\編輯于星期二防止電子和空穴的再結(jié)合1、用一種陷阱式的納米結(jié)構(gòu)限制光生空穴或者捕捉光生電子；2、用犧牲劑（乙醇、Na2S、Na2SO3）作為電子給體消耗價帶空穴，是導(dǎo)帶電子還原氫離子；用犧牲劑（AgNO3）作為電子受體消耗導(dǎo)帶電子，使價帶空穴氧化氧離子。3、多種半導(dǎo)體共存，讓半導(dǎo)體Ⅰ導(dǎo)帶上的電子轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體Ⅱ的導(dǎo)帶上或價帶上；現(xiàn)在是3頁\一共有31頁\編輯于星期二光催化劑的影響因素1、光子能量要比催化劑的禁帶寬度Eg高；（窄的禁帶寬度有利于太陽能的利用）2、反應(yīng)物的氧化還原電勢應(yīng)在導(dǎo)帶電位與價帶電位之間；（更負的導(dǎo)帶電位和更正的價帶電位有利于氧化還原反應(yīng)）現(xiàn)在是4頁\一共有31頁\編輯于星期二光催化反應(yīng)體系1、加入電子給體和電子受體（犧牲劑）2、擔(dān)載助催化劑3、雙光子系統(tǒng)（Z-Scheme）現(xiàn)在是5頁\一共有31頁\編輯于星期二加入犧牲劑★用犧牲劑（乙醇、Na2S、Na2SO3）作為電子給體消耗價帶空穴，是導(dǎo)帶電子還原氫離子；★用犧牲劑（AgNO3）作為電子受體消耗導(dǎo)帶電子，使價帶空穴氧化氧離子?，F(xiàn)在是6頁\一共有31頁\編輯于星期二加入犧牲劑[1]M.J.Berr,P.Wagner,S.Fischbach,A.Vaneski,etal.,HolescavengerredoxpotentialsdeterminequantumefficiencyandstabilityofPt-decoratedCdSnanorodsforphotocatalytichydrogengeneration.Appl.Phys.Lett.100(2012)223903.現(xiàn)在是7頁\一共有31頁\編輯于星期二加入犧牲劑SO32-相對于標(biāo)準氫電極的電極電勢最負，最易失電子，所以最易消耗價帶空穴現(xiàn)在是8頁\一共有31頁\編輯于星期二加入犧牲劑缺點：當(dāng)犧牲劑的量消耗殆盡時，催化效率也會大大降低。所以需要定時加入犧牲劑?，F(xiàn)在是9頁\一共有31頁\編輯于星期二擔(dān)載助催化劑紫外光照射時單純的光催化劑并不能有效分解水析出氫氣和氧氣,在光催化劑顆粒表面上擔(dān)載一些金屬或金屬氧化物可以促進水的分解；常用的助催化劑有：Pt、NiO、Ru2O等；在水溶液粉末懸浮Pt/TiO2光催化體系中，Pt的作用就是助催化劑?，F(xiàn)在是10頁\一共有31頁\編輯于星期二助催化劑的作用金屬與半導(dǎo)體界面上形成了勢壘，稱為Schottky勢壘，作為電子陷阱，能有效阻止半導(dǎo)體上的電子與空穴的復(fù)合。光生電子向金屬遷移，為Schottky勢壘所俘獲，空穴向半導(dǎo)體其他位置移動，促進了電子與空穴分離，有利于光催化反應(yīng)的進行?，F(xiàn)在是11頁\一共有31頁\編輯于星期二Ni裝飾的CdS納米棒[2]T.Simon,N.Bouchonville,M.J.Berr,A.Vaneski,etal.,RedoxshuttlemechanismenhancesphotocatalyticH2generationonNi-decoratedCdS

nanorods.Nat.Mater.13(2014)1013-1018.現(xiàn)在是12頁\一共有31頁\編輯于星期二Ni裝飾的CdS納米棒★制備：Ni的前驅(qū)體NiCl2加到CdS納米棒的分散系中，用447nm激光照射；CdS導(dǎo)帶中的光生電子將NiCl2還原成Ni納米顆粒，便沉積在CdS納米棒表面?！镄阅埽?47nm激光照射，表觀量子效率53%，內(nèi)部量子效率71%，H2生產(chǎn)速率：63mmolg-1h-1現(xiàn)在是13頁\一共有31頁\編輯于星期二Ni裝飾的CdS納米棒★影響因素：PH值OH-濃度是影響H2生產(chǎn)速率的重要因素說明OH-是不只是改變堿度，而是直接參與反應(yīng)的隨著PH升高，H2生產(chǎn)速率顯著提高。尤其在14向14.7過渡時，也說明在這個PH范圍內(nèi)，催化的反應(yīng)機制發(fā)生的本質(zhì)上的改變?，F(xiàn)在是14頁\一共有31頁\編輯于星期二Ni裝飾的CdS納米棒兩步氧化反應(yīng)當(dāng)PH=14時EVB=1.70V因此，價帶空穴可以氧化OH-生成的羥基再去氧化乙醇，該過程很快，其中空穴的轉(zhuǎn)移是控訴環(huán)節(jié)現(xiàn)在是15頁\一共有31頁\編輯于星期二光催化反應(yīng)體系1、加入電子給體和電子受體（犧牲劑）2、擔(dān)載助催化劑3、雙光子系統(tǒng)（Z-Scheme）現(xiàn)在是16頁\一共有31頁\編輯于星期二雙光子系統(tǒng)（Z-Scheme）自然界中的光合作用[3]P.Zhou,J.Yu,M.Jaroniec,All-Solid-StateZ-SchemePhotocatalyticSystems.Adv.Mater.26(2014)4920-4935.現(xiàn)在是17頁\一共有31頁\編輯于星期二光催化反應(yīng)體系分類：1、PSⅠ-PSⅡ體系2、PSⅠ-A/D-PSⅡ體系3、PSⅠ-C-PSⅡ體系現(xiàn)在是18頁\一共有31頁\編輯于星期二光催化反應(yīng)體系分類：1、PSⅠ-PSⅡ體系2、PSⅠ-A/D-PSⅡ體系3、PSⅠ-C-PSⅡ體系現(xiàn)在是19頁\一共有31頁\編輯于星期二PS-PS體系將兩種半導(dǎo)體直接固-固接觸，可通過離子間的靜電吸附（物理方法）和多相的成核生長（化學(xué)方法）常見的有：TiO2-C3N4、TiO2-CdS、ZnO-CdSEgECBEVBCdS2.41-0.521.88TiO23..2-0.292.91ZnO3.2-0.312.89現(xiàn)在是20頁\一共有31頁\編輯于星期二PS-A/D-PS體系PSⅠ與PSⅡ無直接接觸，靠氧化還原電對傳遞電子；PSⅠ不易被光氧化，易被光還原；PSⅡ不易被光還原，易被光氧化?，F(xiàn)在是21頁\一共有31頁\編輯于星期二PS-A/D-PS體系存在逆反應(yīng)：受電子體A與PSⅠ導(dǎo)帶中的電子反應(yīng)；供電子體D與PSⅡ價帶中的空穴反應(yīng)。解決措施：改變半導(dǎo)體表面結(jié)構(gòu)，阻止A在PSⅠ上與D在PSⅡ上的吸附，但無法杜絕。A/D電對：IO3?/I?、Fe3+/Fe2+,[Co(bpy)3]3+/2+,[Co(phen)3]3+/2+、NO3?/NO2?現(xiàn)在是22頁\一共有31頁\編輯于星期二PS-A/D-PS體系缺陷：由于氧化還原電對的存在，該催化劑僅適用于液態(tài)的催化反應(yīng)，且不適合污染物的降解，因為污染物會影響電對的氧化還原反應(yīng)，所以該體系的催化劑局限于水的光催化分解領(lǐng)域。現(xiàn)在是23頁\一共有31頁\編輯于星期二PS-C-PS體系無A/D電對，利用導(dǎo)體C作為電子傳遞媒介。PSⅡ?qū)е械墓馍娮优cPSⅠ價帶中的光生空穴結(jié)合※既阻止了兩種半導(dǎo)體中光生電子和空穴的再復(fù)合；※又降低了電子的傳遞距離；※也可避免A/D電對造成的逆反應(yīng)。現(xiàn)在是24頁\一共有31頁\編輯于星期二PS-C-PS體系常見的催化劑：TiO2-Au-CdSTiO1.96C0.04-Au-Pt/CdS（由于TiO2對可見光的吸收能力弱，所以加入C，改變禁帶寬度與位置）AgBr-Ag-AgI（主要用于污染物的降解，將AgBr-AgI復(fù)合材料在氙燈下照射幾秒鐘，Ag納米粒子便在AgBr與AgI的接觸界面上形成）現(xiàn)在是25頁\一共有31頁\編輯于星期二TiO2-Au-CdS體系制備：通過沉淀沉積法讓Au粒子在TiO2的{101}晶面上，取向關(guān)系為Au{111}||TiO2{101},Au粒子的大小為3.4nm除掉氧氣的S8乙醇溶液中加入Au/TiO2粒子和Cd2+離子，再用>320nm的光照，Au/TiO2的光催化作用將S8還原成S2+，與Cd2+結(jié)合形成CdS附在Au表面，形成Au-CdS的核殼結(jié)構(gòu)，即Au@CdS/TiO2。[4]H.Tada,T.Mitsui,T.Kiyonaga,T.Akita,etal.,All-solid-stateZ-schemeinCdS-Au-TiO2three-componentnanojunctionsystem.Nat.Mater.5(2006)782-786.現(xiàn)在是26頁\一共有31頁\編輯于星期二TiO2-Au-CdS體系現(xiàn)在是27頁\一共有31頁\編輯于星期二TiO2-Au-CdS體系用可見光照射：吸收峰紅移用紫外光照射：吸收峰藍移說明了Au與CdS之間有著強電子相互作用現(xiàn)在是28頁\一共有31頁\編輯于星期二TiO2-Au-CdS體系對甲基紫精還原能力測定現(xiàn)在是29頁\一共有31頁\編輯于星期二光催化反應(yīng)體系1、加入電子給體和電子受體（犧牲劑）2、擔(dān)載助催化劑3、雙光子系統(tǒng)（Z-S