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的HF酸溶液中浸泡，去除金屬顆粒等雜質(zhì)⑵SiMamask氮化硅懸臂，有助于的HF酸溶液中浸泡，去除金屬顆粒等雜質(zhì)⑵SiMamask氮化硅懸臂，有助于BSF和emitter的隔離B摻雜——背面（BS）外延B摻雜，形成P+，制作發(fā)射極“欣叱（吟工5屯mj3B5litho⑼Isotropicettilng⑸Pionimportation

(selfalignedBSF)準(zhǔn)備——N型FZSi,電阻率約為。cm。制作前進(jìn)行了雙面拋光，并在％掩模1——PECVD沉積氮化硅，厚度約200nm，作為后道工藝的掩模酸洗1——利用去除未經(jīng)曝光的光刻膠，漏出需要做BSF的區(qū)域，并且用BHF（bufferedhydrofluoric）去除需要做BSF區(qū)域的氮化硅刻蝕1——利用HF和HNO3去除BSF區(qū)域的￡四機(jī)「。利用Si的各向異性和氮化硅的各項(xiàng)同性差異可以在相同時間內(nèi)做到Si和氮化硅的差異性刻蝕，Si被腐蝕的速度大于氮化硅，從而做出氮化硅懸臂P摻雜——制作BSF，形成N+。然后利用BHF溶液去除舊的氮化硅層（P摻雜時被污染），在重新PECVD沉積氮化硅層h1噸I■9I。(b)⑹BSSjNxandFS

texturing前表面（FS）h1噸I■9I。(b)⑹BSSjNxandFS

texturing■(7)pimplan毗on(FSF)|gQaanng/oxfdationFSF和退火——再此去除背面氮化硅層，并在FS進(jìn)行P擴(kuò)散，制作FSF。然后在850℃和氧氣氛圍中進(jìn)行退火，以激活FS和35注入的離子。此時，在FS和BS形成了10-35nm厚的■(7)pimplan毗on(FSF)|gQaanng/oxfdation第二層ARC——根據(jù)SiO2的厚度，在FS沉積70-45nm厚的氮化硅層，形成雙層ARC，并且起到FS的鈍化作用（中和懸掛氫鍵）。同時在BS沉積100nm厚氮化硅層，以增強(qiáng)背面內(nèi)反射，同時達(dá)到背鈍化的目的。背接觸電極——在整個BS熱蒸發(fā)工藝沉積約2Hm厚Al。分離制作電極——利用特定工藝去除除BSF接觸區(qū)和Emitter區(qū)的Al層，形

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