還原爐生產(chǎn)多晶硅常見問題及對(duì)策探討

還原爐生產(chǎn)多晶硅常見問題及對(duì)策探討孫強(qiáng);嚴(yán)大洲;湯傳斌;萬(wàn)燁【摘要】在使用改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的過程中，還原生產(chǎn)工藝是最關(guān)鍵的工藝,而還原爐運(yùn)行成功與否最終關(guān)系到生產(chǎn)成本和企業(yè)效益.通過對(duì)啟爐及運(yùn)行過程中硅芯倒伏、倒?fàn)t、電器與設(shè)備故障等問題進(jìn)行總結(jié)和分析，發(fā)現(xiàn)硅芯質(zhì)量與安裝水平、系統(tǒng)常規(guī)檢查與維護(hù)、以及工藝控制水平和精細(xì)化程度等是影響還原爐運(yùn)行成功率的主要原因，本文對(duì)問題控制方法進(jìn)行了探討，以期為提高還原爐運(yùn)行穩(wěn)定性提供參考.【期刊名稱】《有色冶金節(jié)能》【年(卷)，期】2015(031)003【總頁(yè)數(shù)】5頁(yè)(P55-59)【關(guān)鍵詞】多晶硅;還原爐;工藝;硅芯;倒?fàn)t【作者】孫'強(qiáng);嚴(yán)大洲;湯傳斌;萬(wàn)燁【作者單位】中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司，北京100038;中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司，北京100038;中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司，北京100038;中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司，北京100038【正文語(yǔ)種】中文【中圖分類】TQ264.1近年來隨著光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展與繁榮，作為太陽(yáng)能電池重要原材料之一的多晶硅得到了廣泛應(yīng)用，尤其是在全球范圍內(nèi)新能源越來越受重視的背景下，多晶硅行業(yè)贏得了快速發(fā)展的契機(jī)，短短幾年里在國(guó)內(nèi)取得了繁榮發(fā)展，同時(shí)也出現(xiàn)了產(chǎn)能過?，F(xiàn)象。多晶硅同時(shí)也是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當(dāng)代人工智能、自動(dòng)控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料。所以多晶硅不論是在光伏行業(yè)還是半導(dǎo)體行業(yè)，仍將承擔(dān)重要基礎(chǔ)原材料的角色［1］。多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)主要為改良西門子法和硅烷法［2］。改良西門子法是國(guó)內(nèi)生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的主要生產(chǎn)工藝，其利用工業(yè)硅粉與HCl反應(yīng)生成SiHCl3，SiHCl3經(jīng)過精餾提純后，在H2氣氛下，在還原爐中的紅熱載體表面不斷沉積得到多晶硅，而反應(yīng)后生成的尾氣，比如H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2和HCl等，經(jīng)過干法回收與分離，可以將H2、SiHCl3經(jīng)純化后再循環(huán)利用，而其它副產(chǎn)物如SiCl4、SiH2Cl2再通過氫化或反歧化等工藝轉(zhuǎn)化為SiHCl3實(shí)現(xiàn)再利用，回收分離的HCl則可用于制酸等，從而整個(gè)工藝過程能夠?qū)崿F(xiàn)閉環(huán)式及環(huán)境友好生產(chǎn)。硅烷法［3］是將硅烷通入以多晶硅晶種的流化床中，使硅烷裂解并在晶種上沉積，從而得到顆粒狀多晶硅。目前也有將硅烷作為原料氣體直接通入還原爐內(nèi)，在硅芯等載體表面沉積形成多晶硅的先進(jìn)工藝。硅烷法由于對(duì)安全控制要求極高，目前在國(guó)內(nèi)有少數(shù)廠家通過技術(shù)引進(jìn)和吸收。硅烷法相對(duì)于改良西門子法，具有流程短、能源消耗低、反應(yīng)效率高及副產(chǎn)物少等優(yōu)點(diǎn)，而且單位投資少，在未來具有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。多晶硅早年的暴利時(shí)代不會(huì)重演，目前在多晶硅市場(chǎng)持續(xù)走低的前提下，各大多晶硅生產(chǎn)廠家都面臨生存壓力，而利用改良西門子法將仍然是未來一段時(shí)期內(nèi)生產(chǎn)多晶硅的主流技術(shù)，因此在現(xiàn)有工藝技術(shù)上，如何進(jìn)一步降低成本將是度過市場(chǎng)洗牌或占據(jù)產(chǎn)業(yè)先機(jī)的關(guān)鍵，在多晶硅生產(chǎn)技術(shù)越來越透明的大環(huán)境下，需要不斷開拓創(chuàng)新，并向精細(xì)、穩(wěn)定、高效轉(zhuǎn)變。本文主要圍繞改良西門子法的多晶硅制備環(huán)節(jié)，對(duì)工藝、設(shè)備和控制等環(huán)節(jié)的常見問題進(jìn)行歸納和分析，并對(duì)解決措施進(jìn)行了探討。在改良西門子法中，多晶硅的生長(zhǎng)過程是在還原爐內(nèi)完成的，還原爐結(jié)構(gòu)如圖1所示。還原爐由底盤和爐筒組成，在底盤上分布有一定數(shù)量的電極，平常所稱的若干對(duì)棒還原爐即以電極的對(duì)數(shù)為依據(jù)進(jìn)行命名，如24對(duì)、36對(duì)棒還原爐。還原爐底盤是承載多晶硅重量的重要部件，同時(shí)還必須承擔(dān)供電、物料進(jìn)出與分布、冷卻等功能，這些功能通過底盤上的絕緣材料、噴嘴及冷卻介質(zhì)流通管路來實(shí)現(xiàn)；還原爐爐筒是多晶硅的生長(zhǎng)空間，它的高度和空間大小也直接影響到多晶硅的產(chǎn)能及電耗指標(biāo)，通過爐筒上的視鏡、冷卻介質(zhì)進(jìn)回路可以實(shí)現(xiàn)溫度、多晶硅生長(zhǎng)過程監(jiān)測(cè)和設(shè)備冷卻。多晶硅生產(chǎn)工藝過程如下：首先進(jìn)行裝爐，將硅芯安裝于底盤電極之上，通過石墨配件定位和固定（硅芯規(guī)格各生產(chǎn)廠家控制標(biāo)準(zhǔn)不一，高度一般為2.2~2.8m，截面為圓形或方形，直徑或邊長(zhǎng)為8~15mm不等），硅芯安裝完畢即可將爐筒和底盤進(jìn)行緊固，經(jīng)過試壓以及氮?dú)狻錃庵脫Q合格后進(jìn)入待啟狀態(tài)；然后即可啟爐運(yùn)行，將裝置于還原爐內(nèi)的硅芯通過高壓擊穿，使硅芯導(dǎo)電發(fā)熱并控制溫度在1050-1100°C,通過一定時(shí)間的氫氣空燒，然后將SiHCl3汽化后與H2按比例通入還原爐內(nèi)，在紅熱的硅芯表面發(fā)生氣相沉積反應(yīng)，經(jīng)過一定周期，如100h左右即可長(zhǎng)成150~180mm直徑的多晶硅棒，安排停爐后通過冷卻和置換，將硅棒摘出后即得到多晶硅原料棒，再進(jìn)入下一道破碎包裝工序后即形成多晶硅產(chǎn)品。在多晶硅生產(chǎn)過程中，最容易出問題的是啟爐階段和生長(zhǎng)運(yùn)行階段。啟爐階段出問題，主要是指硅芯倒伏導(dǎo)致的啟爐失敗，而運(yùn)行階段同樣會(huì)出現(xiàn)硅棒倒伏、表觀異常等問題。不論是在啟爐還是在運(yùn)行階段出問題，都會(huì)給多晶硅生產(chǎn)帶來不利影響，比如硅芯損耗增加，單爐產(chǎn)量不能保證，電單耗會(huì)顯著上升以及設(shè)備受損等，這些將直接關(guān)系到生產(chǎn)成本和企業(yè)的最終效益。下面主要對(duì)啟爐及運(yùn)行階段的常見問題和處理措施進(jìn)行歸納分析。2.1啟爐過程中的問題在改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的工藝當(dāng)中，多晶硅生長(zhǎng)主要是以紅熱的硅芯作為載體，而硅芯本身亦為多晶硅，具備半導(dǎo)體性質(zhì)，所以在啟動(dòng)時(shí)需要加載5000~10000V的高壓電，使硅芯擊穿并導(dǎo)電發(fā)熱，硅芯擊穿以后電流達(dá)到50A左右（主要依據(jù)硅芯的阻值大小，后同），隨后還要通氫氣空燒一段時(shí)間以還原凈化硅芯表面，至可以通料反應(yīng)沉積多晶硅時(shí)，硅芯表面溫度要求達(dá)到1050-1080°C,電流需要調(diào)節(jié)到100A以上，在此過程中，硅芯如果出現(xiàn)歪斜或傾倒，則視為啟爐失敗。啟爐失敗主要有幾方面原因：一是硅芯安裝問題，如果硅芯安裝不夠垂直，則啟爐后容易出現(xiàn)重心偏移并引起傾倒，或者硅芯與電極端的石墨配件接觸不嚴(yán)密，而安裝過程未仔細(xì)辨認(rèn)或調(diào)整，則啟爐后容易在硅芯與石墨接觸部位形成局部燒熔現(xiàn)象，表征為〃亮點(diǎn)”，而一旦通入氫氣或混合氣物料時(shí)，受氣流擾動(dòng)，局部燒熔的硅芯也容易倒伏；二是硅芯本身內(nèi)在質(zhì)量問題，包括密度不均、隱形裂紋以及拉制過程中產(chǎn)生的應(yīng)力集中（圓硅芯和方硅芯都存在類似問題）等導(dǎo)致硅芯在擊穿通電過程中出現(xiàn)歪斜、彎曲及傾倒；三是電器問題，如果啟爐過程中由于電器故障導(dǎo)致硅芯重復(fù)擊穿，則硅芯出現(xiàn)傾倒的幾率將大大增加；四是工藝控制問題，如果在通氫氣空燒或通料過程中，電流提升過快，或氣流未能平穩(wěn)控制，如瞬時(shí)流量過大，爐內(nèi)出現(xiàn)氣流大幅度波動(dòng)，則也容易導(dǎo)致爐內(nèi)硅芯在前期倒伏。解決啟爐失敗問題，需要采取如下措施。2.2預(yù)防啟爐失敗采取的措施2.2.1提高硅芯安裝水平由于目前裝爐過程未能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，基本靠人為操作進(jìn)行，因此提高裝爐人員的硅芯安裝水平是關(guān)鍵。（1）在將硅芯安裝到電極頭部的石墨配件過程中，必須細(xì)致檢查硅芯與石墨接觸部位是否緊密配合，如果硅芯不規(guī)整導(dǎo)致與石墨配件間存在間隙，需要將硅芯挑出或進(jìn)行調(diào)整，或者增墊石墨紙，直至匹配緊密，最大限度避免接觸部位出現(xiàn)局部阻值過大，從而降低亮點(diǎn)發(fā)生的幾率。硅芯安裝要保證〃豎直橫平”，“豎直”即坐落于電極頭部石墨配件之上的硅芯必須垂直于還原爐底盤，保證硅芯垂直投影于一點(diǎn)，該點(diǎn)與電極頭部的圓心重合，這樣才會(huì)最大限度保證硅芯重心不發(fā)生偏移，〃橫平”即指硅芯安裝完畢后，硅芯兩兩之間需要通過橫梁(同樣為多晶硅材質(zhì))來進(jìn)行搭接，兩者之間應(yīng)為自然狀態(tài)配合，不得產(chǎn)生扭矩，而且需要盡量保持水平，這樣才能在硅芯完成擊穿啟動(dòng)后，不會(huì)由于硅芯重心偏移，或硅芯與橫梁之間存在扭矩而出現(xiàn)傾倒。2.2.2確保硅芯質(zhì)量確保硅芯內(nèi)在質(zhì)量。目前各大廠家使用的硅芯大部分是由早期熔晶拉制而成的圓硅芯，逐步轉(zhuǎn)變?yōu)榇蟪叽缇О?單晶或類單晶)經(jīng)線切割加工而成的方硅芯，在大幅提升硅芯收率的同時(shí)也降低了生產(chǎn)成本，而由于大尺寸晶棒在拉制過程中會(huì)出現(xiàn)密度不均、隱裂以及應(yīng)力集中問題，經(jīng)過線切割加工后會(huì)將這些質(zhì)量缺陷直接轉(zhuǎn)移到單根方硅芯。因此硅芯質(zhì)量一是需要從源頭控制，即確保大尺寸晶棒的提拉過程，包括熱場(chǎng)、提拉速率、降溫速率均要平穩(wěn)均衡，從而使晶棒的密度均勻，不出現(xiàn)隱裂，為了消除硅芯內(nèi)部應(yīng)力，還可以對(duì)切割完的方硅芯在惰性氣氛下進(jìn)行退火。要加強(qiáng)硅芯質(zhì)量監(jiān)測(cè)。比如采用X射線或超聲波檢測(cè)手段，對(duì)硅芯進(jìn)行全檢，防止有質(zhì)量問題的硅芯流入后續(xù)安裝工序(如隱裂、夾雜等)。選擇合理的硅芯規(guī)格。硅芯具有一定的脆性，為降低硅芯倒伏幾率，需要綜合考慮硅芯損耗成本與多晶硅產(chǎn)出與電耗成本之間的平衡點(diǎn)。硅芯安裝完后相當(dāng)于一端固定的壓桿［4］，根據(jù)工程力學(xué)中壓桿臨界力P，計(jì)算公式：其中E為多晶硅材料的彈性模量，與材質(zhì)相關(guān)，為一常數(shù)；I為硅芯截面的慣性矩，與硅芯截面形狀(圓形或方形)及大小有關(guān)；L0為硅芯的計(jì)算長(zhǎng)度，不同于實(shí)際長(zhǎng)度L，由于硅芯為一端固定，所以L0=2L，從公式可以看出，這個(gè)引起硅芯傾斜的臨界力對(duì)硅芯高度最為敏感。如果其它條件不變，比如采用同一截面尺寸的硅芯，2.8m的硅芯比采用2.5m硅芯，只需要相當(dāng)于后者硅芯80%的臨界力即可引起硅棒傾斜或斷裂，也就是說硅芯高度增加會(huì)使倒?fàn)t幾率增加20%，所以在采用增加硅芯高度來增加單爐產(chǎn)量時(shí)，必須考慮硅芯倒伏帶來的風(fēng)險(xiǎn)和成本，這也是目前國(guó)內(nèi)廠家為什么生產(chǎn)過程中不是無(wú)限度的增加硅芯高度，而是逐步采用更粗及適當(dāng)高度硅芯的原因之一。2.2.3把好石墨配件質(zhì)量關(guān)，優(yōu)化石墨夾頭結(jié)構(gòu)石墨配件是連接電極和硅芯的橋梁，因此配件的質(zhì)量尤為重要。要依照標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)每次接收用于裝爐的石墨件要進(jìn)行抗折強(qiáng)度、密度、規(guī)格尺寸等的批次檢驗(yàn)，防止在硅芯安裝或運(yùn)行前期由于石墨卡瓣強(qiáng)度不夠出現(xiàn)劈裂損壞，或尺寸精度不夠?qū)е鹿栊九c石墨件匹配不嚴(yán)密，進(jìn)而出現(xiàn)硅芯根部燒熔等導(dǎo)致的倒?fàn)t現(xiàn)象。優(yōu)化石墨夾頭結(jié)構(gòu)，以減少硅芯根部加工損傷和提高硅芯接觸嚴(yán)密性為原則，采用自緊式或預(yù)緊式卡瓣，或者減少石墨組件數(shù)量，進(jìn)而起到降低安裝難度，并間接提升安裝質(zhì)量的作用。2.2.4提高電器穩(wěn)定性由于硅芯在啟動(dòng)過程中，需要同時(shí)用到高壓及中低壓設(shè)備，硅芯擊穿后一般要從高壓?jiǎn)?dòng)設(shè)備接駁到中低壓供電回路，而且擊穿、切換過程都是由通訊終端進(jìn)行自動(dòng)完成。另外，啟爐操作在多晶硅大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)當(dāng)中具有較高頻率，因此提高電器穩(wěn)定性十分必要，包括啟爐前對(duì)電器易耗、易故障原件進(jìn)行常規(guī)檢查，必要時(shí)要確定易耗電器原件的壽命周期，到期之前(具體可根據(jù)原件品類確定更換周期)即進(jìn)行更換，避免電器原件由于壽命問題在啟爐或后續(xù)正常生長(zhǎng)階段出現(xiàn)故障；對(duì)通訊回路和終端也需要進(jìn)行周期性檢查和調(diào)試，并盡量采用抗干擾能力較強(qiáng)的光纜作為通訊線纜，對(duì)可能存在電磁干擾的原件要進(jìn)行有效屏蔽保護(hù)。2.2.5規(guī)范工藝控制還原爐在生長(zhǎng)過程中是通過調(diào)節(jié)電流、供料量來實(shí)現(xiàn)溫度控制，目前國(guó)內(nèi)仍未能實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化升溫，控溫過程還需要通過一定的人為干預(yù)才能完成。但由于人員存在經(jīng)驗(yàn)或習(xí)慣差異，所以必須制定操作規(guī)范和考核標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)電流、供料量等的操作頻率、提升(降低)幅度進(jìn)行數(shù)額限定，并通過定期抽查爐次，比對(duì)實(shí)際與標(biāo)準(zhǔn)曲線之間的差異，及時(shí)糾偏和考核，使員工形成標(biāo)準(zhǔn)化操作習(xí)慣。尤其是在啟爐階段，電流、供料量必須按照少量多次進(jìn)行控制，盡量避免硅芯根部與石墨接觸處由于電流提升過快出現(xiàn)燒熔，或料量瞬間提升過多引起爐內(nèi)氣場(chǎng)波動(dòng)，通過平穩(wěn)調(diào)節(jié)減少硅芯倒伏的幾率。2.3運(yùn)行過程中的問題還原爐在運(yùn)行過程中，出現(xiàn)的故障主要包括：硅棒生長(zhǎng)到一定直徑后，硅棒出現(xiàn)倒伏。在爐內(nèi)高溫環(huán)境狀態(tài)下，電極絕緣材料受損或老化，或者爐內(nèi)無(wú)定形硅增多，如果在運(yùn)行周期以前出現(xiàn)電流短路問題，則部分相序的硅棒不能繼續(xù)維持運(yùn)行，否則容易對(duì)電器或設(shè)備造成損傷，甚至出現(xiàn)安全問題。設(shè)備出現(xiàn)故障，比如還原爐視鏡開裂、墊片密封失效等導(dǎo)致還原爐內(nèi)物料泄漏，或者配套冷卻系統(tǒng)出現(xiàn)漏水現(xiàn)象，嚴(yán)重時(shí)必須進(jìn)行停爐處理。爐內(nèi)硅棒出現(xiàn)異常，包括橫梁處燒熔，造成不可修復(fù)的裂棒。⑸硅棒表面質(zhì)量出現(xiàn)異常，比如表面瞬間生成黑褐色針狀物，為避免繼續(xù)生長(zhǎng)形成不良夾層，一般選擇停爐。要解決以上問題，必須注重事前控制和過程控制，可以采取如下措施。2.4預(yù)防運(yùn)行故障采取的措施2.4.1優(yōu)化供料條件硅棒在還原爐內(nèi)生長(zhǎng)，必然受還原爐內(nèi)氣場(chǎng)、熱場(chǎng)分布狀態(tài)影響。如果運(yùn)行過程中的硅棒出現(xiàn)倒伏，需要在出爐時(shí)，仔細(xì)檢查硅棒表觀及截面生長(zhǎng)狀況。如果硅棒表面呈嚴(yán)重的玉米狀或菜花狀等非致密形態(tài)，說明相應(yīng)部位溫度過高或供料不足，在硅棒橫梁部位由于散熱相對(duì)不充分，這種非致密狀態(tài)會(huì)更嚴(yán)重，并且在相同電流下橫梁部位更容易出現(xiàn)燒熔和斷裂現(xiàn)象，進(jìn)而增加倒?fàn)t幾率；另外，可以從硅棒截面進(jìn)行判斷，如果硅芯位置偏心嚴(yán)重，說明爐內(nèi)氣場(chǎng)和熱場(chǎng)都可能分布不均，隨著生長(zhǎng)時(shí)間增加，硅棒出現(xiàn)重心偏移，達(dá)到一定程度即會(huì)引起硅棒倒伏。要解決爐內(nèi)氣場(chǎng)、熱場(chǎng)分布問題，可以采用FLUENT等流體仿真模擬軟件［5］，優(yōu)化供料條件，包括設(shè)計(jì)合適的噴嘴，并匹配較優(yōu)的供料曲線，從而實(shí)現(xiàn)多晶硅棒的均衡穩(wěn)定生長(zhǎng)。2.4.2加強(qiáng)電極絕緣監(jiān)測(cè)和維護(hù)電極與底盤之間的絕緣主要依靠四氟、陶瓷、石英或氮化硅等材料及一定的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)，而這些材料當(dāng)中有一部分會(huì)在高溫環(huán)境下出現(xiàn)燒熔、老化引起絕緣降低問題;另外由于還原爐內(nèi)三氯氫硅等物料分解形成無(wú)定形硅后粘附到這些絕緣材料上，在高溫、高電壓狀態(tài)下會(huì)導(dǎo)電從而形成短路現(xiàn)象。因此，對(duì)出現(xiàn)電流短路的爐次，以及日常出爐完畢，都必須對(duì)電極絕緣情況進(jìn)行監(jiān)測(cè)，如采用5000~10000V高壓監(jiān)測(cè)設(shè)備，提前診斷或發(fā)現(xiàn)絕緣降低及短路問題，并每爐清理絕緣材質(zhì)上的附著物，對(duì)絕緣失效的配件必須重新更換。2.4.3加強(qiáng)啟爐前配套設(shè)施檢查還原爐內(nèi)硅棒溫度維持在1050°C以上高溫，輻射到爐筒內(nèi)壁、底盤的溫度也在200-400C,為保證還原爐結(jié)構(gòu)或各種配件的安全穩(wěn)定，必須通入冷卻介質(zhì)進(jìn)行降溫，而電極部位的冷卻介質(zhì)流通管路一部會(huì)用到橡膠材質(zhì)，隨著運(yùn)行時(shí)間延長(zhǎng)，管路會(huì)出現(xiàn)彎折或老化現(xiàn)象，進(jìn)而影響冷卻介質(zhì)流量，或者出現(xiàn)滲漏，而一旦冷卻效果受到影響，嚴(yán)重時(shí)只能采取停爐措施。因此啟爐前，必須制定關(guān)鍵部位檢查表，對(duì)還原爐的供水、供電及換熱設(shè)備等進(jìn)行細(xì)致檢查，確認(rèn)沒問題后方可啟爐，這樣可以降低還原爐運(yùn)行過程由于公用系統(tǒng)出問題導(dǎo)致的停爐幾率。2.4.4完善底盤及還原爐診斷及處理程序底盤作為多晶硅棒承載的基礎(chǔ)，其上分布有電極、物料進(jìn)氣口、反應(yīng)后氣體出氣口，還原爐和底盤共同形成多晶硅生長(zhǎng)的反應(yīng)空間，每運(yùn)行完一爐，由于多晶硅生長(zhǎng)過程為高溫高壓環(huán)境，且運(yùn)行需要高電壓或高電流來維持，反應(yīng)后易于形成一些粉塵物質(zhì)(主要是無(wú)定形硅)粘附在底盤上表面和還原爐內(nèi)壁，在底盤出氣孔這些高溫部位(500~800°C)甚至?xí)练e生成致密的多晶硅。無(wú)定形硅會(huì)影響絕緣，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒毀絕緣部件，或者會(huì)堵塞進(jìn)氣噴嘴或管路；電極在循環(huán)使用過程中也會(huì)耗損，甚至在大電流條件下出現(xiàn)拉弧、燒損現(xiàn)象；出氣孔的多晶硅沉積會(huì)影響氣流通暢以及反應(yīng)后氣體的有效換熱降溫。因此，在還