電力電子半導(dǎo)體器件(GTR)

§4.1GTR結(jié)構(gòu)雙極型大功率、高反壓晶體管——GTR（巨型晶體管）GiantTransistor三層半導(dǎo)體材料，兩個(gè)PN結(jié)(NPN型、PNP型)。一、工藝特點(diǎn)三重?cái)U(kuò)散；叉指型基極和發(fā)射極；特點(diǎn)：發(fā)射區(qū)高濃度摻雜基區(qū)很薄（幾u(yù)m—幾十um）N-摻雜濃度低，提高耐壓能力N+集電區(qū)收集電子使用時(shí)要求：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏?，F(xiàn)在是1頁\一共有51頁\編輯于星期日二、GTR與普通晶體管區(qū)別1.普通晶體管：信號晶體管，用于放大信號；要求增益適當(dāng)，fT高，噪聲系數(shù)低，線性度好，溫度漂移和時(shí)間漂移小。工作于放大區(qū)，以載流子運(yùn)動(dòng)為出發(fā)點(diǎn)，分析載流子擴(kuò)散、漂移、復(fù)合現(xiàn)象。電流控制特性為線性關(guān)系。2.GTR：用于功率開關(guān)；要求容量足夠大，高電壓，大電流，適當(dāng)增益，較高工作速度，較低功率損耗。3.大電流工作下，普通晶體管出現(xiàn)的新特點(diǎn)：

①基區(qū)大注入效應(yīng)：引起電流增益下降。②基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)：使基區(qū)注入效率降低，增益β下降，fT減小。③發(fā)射極電流集邊效應(yīng)：引起電流局部集中，產(chǎn)生局部過熱。因此，GTR在結(jié)構(gòu)上應(yīng)采取適當(dāng)措施，減小上述效應(yīng)?，F(xiàn)在是2頁\一共有51頁\編輯于星期日三、單管GTR

采用三重?cái)U(kuò)散，臺面型結(jié)構(gòu)；可靠性高，對二次擊穿特性有改善，易于提高耐壓，易于耗散體內(nèi)熱量。增加N-漂移區(qū)，由它的電阻率和厚度決定器件阻斷能力，但阻斷能力提高，使飽和導(dǎo)通電阻增大，電流增益降低。一般：β約10—20工作狀態(tài)：開關(guān)狀態(tài)（導(dǎo)通、截止；開通、關(guān)斷）飽和壓降低漏電流小時(shí)間短現(xiàn)在是3頁\一共有51頁\編輯于星期日四、達(dá)林頓GTR為提高電流增益，由兩個(gè)或兩個(gè)以上晶體管復(fù)合組成。NPN型PNP型驅(qū)動(dòng)管輸出管現(xiàn)在是4頁\一共有51頁\編輯于星期日特點(diǎn)：①電流增益β增大：β≈β1β2

，達(dá)幾十倍～幾千倍；②飽和壓降VCES增大：VCES

≈VCES1+VBES2

V2管無法飽和導(dǎo)通，VCE2=VCES1，反偏狀態(tài)；導(dǎo)通損耗增大。③開關(guān)速度慢：開通時(shí)，V1驅(qū)動(dòng)V2；關(guān)斷時(shí)，V1先關(guān)斷，V2才能關(guān)斷，且V2關(guān)斷無瀉流通路。改進(jìn)：R1、R2穩(wěn)定電阻，提高溫度穩(wěn)定性和電流通路。VD1引入，加速V2、V1的同時(shí)關(guān)斷，引出B2極可另外控制?，F(xiàn)在是5頁\一共有51頁\編輯于星期日五、GTR模塊

將GTR管芯、穩(wěn)定電阻R1R2、加速二極管VD1、續(xù)流二極管VD2組成一個(gè)單元。將幾個(gè)單元組合在一個(gè)外殼內(nèi)——模塊。利用集成工藝將上述單元集成于同一硅片上，器件集成度高，小型輕量化，性能/價(jià)格比高。單臂橋式電路模塊B1B2C1E2E1C2單相橋式電路模塊；三相橋式電路模塊；現(xiàn)在是6頁\一共有51頁\編輯于星期日§4.2GTR特性與參數(shù)一、靜態(tài)特性與參數(shù)1．共射輸出特性：發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏VCES很小臨界飽和斷態(tài)，漏電流很小放大區(qū)嚴(yán)禁工作現(xiàn)在是7頁\一共有51頁\編輯于星期日2．飽和壓降：如圖：GTR深飽和時(shí)，等效電路；VBES：基極正向壓降通態(tài)下，B-E極電壓；VCES：飽和壓降通態(tài)下，C-E極電壓；一般，由于發(fā)射區(qū)高濃度摻雜，rES可忽略；VCES的大小，關(guān)系器件導(dǎo)通功率損耗。達(dá)林頓管，VCES、VBES較大?，F(xiàn)在是8頁\一共有51頁\編輯于星期日TC35-400型GTR：電流50A，β=5；VCES隨IC電流增大而增大；IC不變時(shí)，隨溫度增加而增加。VBES隨IC電流增大而增大；小電流下，隨溫度增大而減小，PN結(jié)負(fù)溫度系數(shù)。大電流下，隨溫度增大而增大。飽和壓降特性曲線基極正向壓降特性曲線現(xiàn)在是9頁\一共有51頁\編輯于星期日TC=250CVCE=400VTC=250CVCE=2VTC=1250C，VCE=2VTC=250C，VCE=－2V3．共射電流增益β：反映GTR的電流放大能力，IC與IB比值。①GTR正向偏置時(shí)，βF隨IC減小而減小，基區(qū)復(fù)合電流占的比例增大。②隨IC增大，β增大，IC增大到一定程度β=βmax，IC再增大，由于基區(qū)大注入效應(yīng)、基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)，β開始下降。③管子溫度相同時(shí)，VCE越大，β越大。④β隨溫度增加而增加，大電流下，β隨溫度增加而減小。⑤GTR反接時(shí)，β很小?，F(xiàn)在是10頁\一共有51頁\編輯于星期日4．最大額定值——極限參數(shù)由GTR材料、結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)水平、制造工藝決定。①最高電壓額定值：BVCEO，BVCBO，BVCES，BVCER，BVCEXO：另一極開路；S：短路；R：外接電阻；X：反向偏置；現(xiàn)在是11頁\一共有51頁\編輯于星期日Va:：IB=0時(shí)，IC電流急劇增加時(shí)電壓；Vb:：IE=0時(shí)，IC電流急劇增加時(shí)電壓；一般：另：BVEBO集電極開路時(shí)，發(fā)射結(jié)最高反向偏置電壓。幾伏，典型值8V。現(xiàn)在是12頁\一共有51頁\編輯于星期日②最大電流額定值：大電流下，三種物理效應(yīng)會使GTR電氣性能變差，甚至損壞器件。集電極電流最大額定值ICM：ICM定義：a.以β值下降到額定值1/2到1/3時(shí)，對應(yīng)IC值。b.以結(jié)溫和耗散功率為尺度確定ICM。最大脈沖電流額定值：直流ICM的1.5～３倍定額；引起內(nèi)部引線熔斷的集電極電流；引起集電結(jié)損壞的集電極電流?；鶚O電流最大額定值IBM：內(nèi)部引線允許流過的最大基極電流，約為（1/2～1/6）ICM現(xiàn)在是13頁\一共有51頁\編輯于星期日③最高結(jié)溫TJM塑封，硅管：1250～1500C；金屬封裝，硅管：1500～1750C；高可靠平面管：1750～2000C；④最大功耗PCMPCM=VCE?IC受結(jié)溫限制，使用時(shí)注意散熱條件。例：3DF20型GTR各最大額定值參數(shù)：現(xiàn)在是14頁\一共有51頁\編輯于星期日二、動(dòng)態(tài)特性與參數(shù)動(dòng)態(tài)特性是GTR開關(guān)過程的瞬態(tài)性能，稱開關(guān)特性；主要受結(jié)電容（勢壘電容、擴(kuò)散電容）充、放電和兩種載流子運(yùn)動(dòng)影響。如圖：TC40U—400型GTR動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)電路和電流波形電路參數(shù)：VCC=200V；RC=10Ω；RB1=4.7Ω；RB2=1.2Ω；現(xiàn)在是15頁\一共有51頁\編輯于星期日1．開通時(shí)間ton：ton=td+tr（ns級，很?。﹖d：延遲時(shí)間，基極電流向發(fā)射結(jié)電容充電。大小取決于結(jié)電容大小、驅(qū)動(dòng)電流大小和上升率，及反偏時(shí)電壓大小。tr：上升時(shí)間，取決于穩(wěn)定電流和驅(qū)動(dòng)電流大小。2．關(guān)斷時(shí)間toff：toff=ts+tfts：存儲時(shí)間，過剩載流子從體內(nèi)抽走時(shí)間，由反向驅(qū)動(dòng)電流大小決定。(3～８us)tf：下降時(shí)間，取決于結(jié)電容、正向集電極電流大小。(1us)說明：為加速開通，采用過驅(qū)動(dòng)方法，但基區(qū)過剩大量載流子，關(guān)斷時(shí)，載流子耗散嚴(yán)重影響關(guān)斷時(shí)間；減小關(guān)斷時(shí)間，可選用電流增益小的器件，防止深飽和，增加反向驅(qū)動(dòng)電流?，F(xiàn)在是16頁\一共有51頁\編輯于星期日3．集電極電壓上升率dv/dt對GTR的影響當(dāng)GTR用于橋式變換電路時(shí)，如圖：B1B2C1E2E1C2dv/dt產(chǎn)生的過損耗現(xiàn)象嚴(yán)重威脅器件和電路安全；當(dāng)基極開路時(shí)，dv/dt通過集電結(jié)寄生電容產(chǎn)生容性位移電流，注入發(fā)射結(jié)形成基極電流，放大β倍后，形成集電極電流，使GTR進(jìn)入放大區(qū)，因瞬時(shí)電流過大引起二次擊穿。在GTR換流關(guān)斷時(shí)，dv/dt會引起正在關(guān)斷的GTR誤導(dǎo)通，造成橋臂直通。抑制dv/dt，可在集射極間并聯(lián)RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行吸收?，F(xiàn)在是17頁\一共有51頁\編輯于星期日三、二次擊穿與安全工作區(qū)（一）二次擊穿現(xiàn)象一次擊穿電壓BVCEO；發(fā)生一次擊穿后，電流急劇增大，若外接有限流電阻，不會損壞GTR。否則，集電極電流繼續(xù)增大，在某電壓、電流點(diǎn)產(chǎn)生向低阻抗區(qū)高速移動(dòng)的負(fù)阻現(xiàn)象，稱為——二次擊穿。用S/B表示。二次擊穿時(shí)間很短，納秒到微秒數(shù)量級，短時(shí)間內(nèi)的大電流會使器件內(nèi)出現(xiàn)明顯的電流集中和過熱點(diǎn)（熱斑），輕者使GTR耐壓降低，性能變差；嚴(yán)重時(shí)，集電結(jié)、發(fā)射結(jié)熔通，永久損壞。二次擊穿按偏置狀態(tài)分為兩種：正偏二次擊穿和反偏二次擊穿。現(xiàn)在是18頁\一共有51頁\編輯于星期日1．正偏二次擊穿：B－E結(jié)正偏，GTR工作于放大區(qū)。PP+P+N+BBEN+N－Ｃ如圖，GTR正偏時(shí)，由于基極與發(fā)射極在同一平面，基區(qū)電阻存在，使發(fā)射結(jié)各點(diǎn)的偏置電壓不同，邊緣大而中心小。同時(shí)存在的集—射電場將電流集中到發(fā)射極邊緣下很窄的區(qū)域內(nèi)，造成電流局部集中，電流密度大，溫度升高，出現(xiàn)負(fù)阻現(xiàn)象，嚴(yán)重時(shí)造成熱點(diǎn)、熱斑，使PN結(jié)失效。熱點(diǎn)嚴(yán)重程度與基區(qū)寬度成反比；與集電極外加電壓成正比?，F(xiàn)在是19頁\一共有51頁\編輯于星期日2．反偏二次擊穿：GTR導(dǎo)通→截止變化時(shí)，發(fā)射結(jié)反偏。存儲電荷存在，使C—E間仍流過電流，由于基區(qū)電阻存在，使發(fā)射極與基極相接的周邊反偏電壓大，中心反偏很弱，甚至仍為正偏。造成發(fā)射極下，基區(qū)的橫向電場由中心指向邊緣，形成集電極電流被集中于發(fā)射結(jié)中心很小局部的不均勻現(xiàn)象。在該局部電流密度很高，形成二次擊穿熱點(diǎn)。一般，比正向偏置時(shí)低很多的能量水平下，即可發(fā)生二次擊穿。影響二次擊穿的因素：集電極電壓、電流；負(fù)載性質(zhì)；導(dǎo)通脈沖寬度；基極電路的配置、材料和工藝等。二次擊穿由于器件芯片局部過熱引起，熱點(diǎn)形成需要能量積累，需要一定的電壓、電流數(shù)值和一定的時(shí)間?，F(xiàn)在是20頁\一共有51頁\編輯于星期日二次擊穿特性曲線：IS/B：二次擊穿觸發(fā)電流PS/B：二次擊穿觸發(fā)功率PS/B=IS/B

*VCE集射極保持電壓外加電壓越高，電流更易集中而產(chǎn)生熱點(diǎn)，IS/B下降?，F(xiàn)在是21頁\一共有51頁\編輯于星期日（二）安全工作區(qū)：SOAGTR運(yùn)行中受電壓、電流、功率損耗和二次擊穿定額限制的安全工作范圍。正向偏置安全工作區(qū)FBSOA反向偏置安全工作區(qū)RBSOA反向關(guān)斷電流脈沖寬度直流安全工作區(qū)現(xiàn)在是22頁\一共有51頁\編輯于星期日四、溫度特性與散熱半導(dǎo)體器件特性參數(shù)隨溫度升高而變差，如：耐壓降低，VCES升高、IC增大、輸出功率下降，PCM和PS/B下降，安全區(qū)面積縮小。為保證GTR不超過規(guī)定的結(jié)溫，應(yīng)根據(jù)容量等級配以相應(yīng)的散熱器和采用相應(yīng)的冷卻方式。否則，會因結(jié)溫過高導(dǎo)致熱損壞。減小GTR的發(fā)熱，應(yīng)從根本上減小功耗。在開關(guān)狀態(tài)下工作的GTR，功耗由靜態(tài)導(dǎo)通功耗、動(dòng)態(tài)開關(guān)損耗和基極驅(qū)動(dòng)功耗三部分。減小導(dǎo)通壓降，采用緩沖電路、改變主電路形式（諧振型）均可減小功耗，減少發(fā)熱。

現(xiàn)在是23頁\一共有51頁\編輯于星期日GTR靜態(tài)參數(shù)：現(xiàn)在是24頁\一共有51頁\編輯于星期日GTR動(dòng)態(tài)參數(shù)：現(xiàn)在是25頁\一共有51頁\編輯于星期日§4.3GTR驅(qū)動(dòng)和保護(hù)一、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)原則1．GTR的特點(diǎn)全控型器件，功率大，熱容量小，過載能力低。與SCR相比，具有自關(guān)斷能力，使DC—AC，DC—DC，AC—AC變換電路的變換方式靈活，控制方便，主電路結(jié)構(gòu)簡單。但GTR驅(qū)動(dòng)方式直接影響管子工作狀態(tài)和管子特性。如：過驅(qū)動(dòng)（驅(qū)動(dòng)電流大）可減小開通損耗，降低導(dǎo)通壓降，但對關(guān)斷不利，增加關(guān)斷損耗，對管子di/dt影響很大。GTR過載/短路時(shí)，us級時(shí)間內(nèi)，結(jié)溫會超過最大允許值，導(dǎo)致器件損壞，不能用快速熔斷器、過流繼電器（ms級）進(jìn)行主電路切斷保護(hù)。在系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí)，需快速檢測，對控制信號加以關(guān)斷（緩關(guān)斷），因此驅(qū)動(dòng)與保護(hù)密切聯(lián)系?，F(xiàn)在是26頁\一共有51頁\編輯于星期日2．驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)原則①最優(yōu)化驅(qū)動(dòng)特性：應(yīng)提高開關(guān)速度，減小開關(guān)損耗。開通時(shí)：基極電流上升沿快速且短時(shí)過沖，加速開通。導(dǎo)通后：VCES較低，導(dǎo)通損耗小。為減小關(guān)斷時(shí)間，應(yīng)工作在準(zhǔn)飽和狀態(tài)。關(guān)斷時(shí)：提供反向驅(qū)動(dòng)電流，加速載流子耗散，縮短關(guān)斷時(shí)間，減小關(guān)斷損耗。現(xiàn)在是27頁\一共有51頁\編輯于星期日②驅(qū)動(dòng)方式：由主電路結(jié)構(gòu)決定直接驅(qū)動(dòng)：簡單驅(qū)動(dòng)、推挽驅(qū)動(dòng)、抗飽和驅(qū)動(dòng)隔離驅(qū)動(dòng)：光電隔離、電磁隔離③快速保護(hù)功能：GTR故障時(shí)，自動(dòng)關(guān)斷基極驅(qū)動(dòng)信號，保護(hù)GTR。如:抗飽和、退抗飽和、過流、過壓、過熱、脈寬限制、智能化自保護(hù)能力?，F(xiàn)在是28頁\一共有51頁\編輯于星期日二、基極驅(qū)動(dòng)電路基本形式（一）恒流驅(qū)動(dòng)電路：基極電流恒定，不隨IC電流變化而變化。IB>ICmax/β

問題:空載、輕載時(shí)，飽和深度加劇，存儲時(shí)間大，關(guān)斷時(shí)間長。改進(jìn)：1．抗飽和電路（貝克嵌位電路）VD2存在，使GTR導(dǎo)通時(shí)b-c結(jié)處于零偏或輕微正偏，基極多余電流由VD2從集電極流出，管子處于準(zhǔn)飽和狀態(tài)。VCES=VBE+VD1－VD2=VBEVD1、VD2抗飽和二極管；根據(jù)不同情況調(diào)整VD1數(shù)量，控制VCES大小。VD2應(yīng)選快速二極管，耐壓與GTR一致，電流>IB′VD1、VD3為普通二極管，VD1反向恢復(fù)有助于GTR關(guān)斷。缺點(diǎn)：導(dǎo)通損耗增大?，F(xiàn)在是29頁\一共有51頁\編輯于星期日２．截止反偏驅(qū)動(dòng)電路目的：關(guān)斷時(shí)加反偏驅(qū)動(dòng)，迅速抽出基區(qū)過剩載流子，減小存儲時(shí)間，加速GTR關(guān)斷。

①單極性脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)電路VAVB缺點(diǎn)：變壓器單邊工作，有直流磁化現(xiàn)象，鐵心體積大。反偏電壓大小隨導(dǎo)通時(shí)間變化。ttVA00VBW3回饋能量現(xiàn)在是30頁\一共有51頁\編輯于星期日②電容儲能式驅(qū)動(dòng)電路工作原理：Vi高電平，*端為正，W2經(jīng)GTR的B-E結(jié)、C、VD2使GTR導(dǎo)通，V截止，電容C充電。Vi低電平，*端為負(fù)，VD2截止，W2經(jīng)還在導(dǎo)通的B-E結(jié)、R2、V發(fā)射結(jié)、C使V迅速飽和導(dǎo)通，電容C上電壓反加于GTR的B-E結(jié)，GTR迅速截止。下一次導(dǎo)通前，C上電壓經(jīng)VD1、R1、R2、V發(fā)射結(jié)放電完畢?，F(xiàn)在是31頁\一共有51頁\編輯于星期日③固定反偏互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路現(xiàn)在是32頁\一共有51頁\編輯于星期日（二）比例驅(qū)動(dòng)電路使GTR基極電流正比于集電極電流變化，在不同負(fù)載時(shí)，管子飽和深度基本相同，而且輕載時(shí)，驅(qū)動(dòng)功率大大減小。1．反激式比例驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)：靠正反饋加速GTR開通，當(dāng)工作頻率較高時(shí)，分布參數(shù)影響使開通速度變慢?，F(xiàn)在是33頁\一共有51頁\編輯于星期日2．具有強(qiáng)制開通、強(qiáng)制關(guān)斷的比例驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)：電路復(fù)雜?，F(xiàn)在是34頁\一共有51頁\編輯于星期日三、過電流檢測與保護(hù)GTR運(yùn)行時(shí)，過流檢測能保證管子正常工作。要求檢測電路靈敏度高，響應(yīng)快。（一）狀態(tài)識別法GTR過載或短路時(shí)，集電極電流急劇變化，引起基極電壓VBE，集電極電壓VCE相應(yīng)變化?，F(xiàn)在是35頁\一共有51頁\編輯于星期日管子開通時(shí)，電流上升越快，VBE變化越大。如GTR短路時(shí)開通，監(jiān)測VBE變化，確認(rèn)故障快。但導(dǎo)通后，較輕過載時(shí)，監(jiān)測VBE靈敏度低。但VCE電壓監(jiān)測適合過載電流保護(hù)，但不適合短路電流保護(hù)，二者結(jié)合，效果較好。VBE識別電路VCE識別電路存在問題：保護(hù)電路存在盲區(qū)，等GTR開通后，保護(hù)電路才能使用?，F(xiàn)在是36頁\一共有51頁\編輯于星期日典型VCE識別電路：GTRVCE現(xiàn)在是37頁\一共有51頁\編輯于星期日（二）橋臂互鎖保護(hù)法檢測電路檢測電路當(dāng)逆變器運(yùn)行時(shí)，由于GTR關(guān)斷時(shí)間過長、驅(qū)動(dòng)信號失誤重疊、或某一GTR損壞，導(dǎo)致橋臂直通，損壞器件。利用互鎖可保證管子一個(gè)關(guān)斷后，另一個(gè)才能開通?，F(xiàn)在是38頁\一共有51頁\編輯于星期日1．電流法檢測電路：電流互感器，LEM霍爾元件其中LEM是磁場平衡式霍爾電流傳感器，反映速度1us，一次、二次絕緣電壓2KV，無慣性、線性度好、使用簡單、方便。利用電流法判斷時(shí)，存在問題，如特定負(fù)載下，GTR導(dǎo)通，但無集電極電流，判斷發(fā)生錯(cuò)誤。2．電壓法檢測電路：由VBE電壓判斷管子狀態(tài)，更加可靠?，F(xiàn)在是39頁\一共有51頁\編輯于星期日（三）實(shí)用驅(qū)動(dòng)電路要求：信號隔離，過電流保護(hù)，過電壓保護(hù)，抗飽和導(dǎo)通，信號互鎖等。常用：由小規(guī)模集成電路構(gòu)成的專用驅(qū)動(dòng)電路混合微膜組件驅(qū)動(dòng)電路（三菱M57917L）集成化驅(qū)動(dòng)電路（法國UAA4002）

現(xiàn)在是40頁\一共有51頁\編輯于星期日§4.4緩沖電路一、概述緩沖電路也稱吸收電路，在電力半導(dǎo)體器件應(yīng)用中有著極其重要的作用。開關(guān)元件開通時(shí)，流過大電流；關(guān)斷時(shí)，承受高反壓；開關(guān)轉(zhuǎn)換瞬間，電路中各種儲能元件能量釋放，導(dǎo)致器件沖擊很大，造成器件超出安全工作區(qū)而損壞。吸收電路用來減小器件在電路中承受的各種應(yīng)力（電、熱），如：浪涌電壓、dv/dt、di/dt等。應(yīng)力越低，器件可靠性越高。吸收電路還能減少開關(guān)損耗，避免二次擊穿，抑制電磁干擾，提高可靠性?，F(xiàn)在是41頁\一共有51頁\編輯于星期日1．GTR開關(guān)波形及緩沖電路作用：無緩沖電路

圖b為復(fù)合緩沖電路，LS開通保護(hù)，限制di/dt；CS、VDS緩沖電路，限制dv/dt；RD放電回路，消耗能量。2．種類①耗能式緩沖電路：用電阻消耗緩沖電路吸收的開關(guān)損耗，簡單，效率低。②饋能式緩沖電路：將開關(guān)損耗以一定方式送至負(fù)載或回