光電測試技術(shù)復(fù)習(xí)資料

PPT中簡答題匯總答：價(jià)帶：原子中最外層電子稱為價(jià)電子，與價(jià)電子能級(jí)相對(duì)應(yīng)的能帶稱為價(jià)帶；E(valence)V導(dǎo)帶：價(jià)帶以上能量最低的允許帶稱為導(dǎo)帶；E(conduction)C禁帶：導(dǎo)帶與價(jià)帶之間的能量間隔稱為禁帶。Eg(gap)E(donor)DE（acceptor）A半導(dǎo)體對(duì)光的吸收主要表現(xiàn)為本征吸收。子與空穴，這種吸收過程叫本征吸收。產(chǎn)生本征吸收的條件：入射光子的能量（h）要大于等于材料的禁帶寬度Eν g用。擴(kuò)散長度：表示非平衡載流子復(fù)合前在半導(dǎo)體中擴(kuò)散的平均深度。擴(kuò)散系數(shù)D（表示擴(kuò)散的難易）與遷移率μ（表示遷移的快慢）的愛因斯坦關(guān)系式：D=(kT/q)μ kT/q漂移主要是多子的貢獻(xiàn)，擴(kuò)散主要是少子的貢獻(xiàn)。p-n結(jié)光伏效應(yīng)原理。當(dāng)P-N結(jié)受光照時(shí)，多子區(qū)的電子）被勢壘擋住而不能過結(jié)，只有少子（P區(qū)的電子和N區(qū)的空穴和結(jié)區(qū)的電子空穴對(duì)）,這導(dǎo)致在NP場，其方向由P區(qū)指向N區(qū)。熱釋電效應(yīng)應(yīng)怎樣解釋？熱釋電探測器為什么只能探測調(diào)制輻射？在某些絕緣物質(zhì)中，由于溫度的變化引起極化狀態(tài)改變的現(xiàn)象稱為熱釋電效應(yīng)。因?yàn)樵诤愣ü廨椛渥饔孟绿綔y器的輸出信號(hào)電壓為零輻射不會(huì)有響應(yīng)。簡述紅外變象管和象增強(qiáng)器的基本工作原理。電子流使熒光面發(fā)光。電場作用下投射到熒光屏上。簡述光導(dǎo)型攝像管的基本結(jié)構(gòu)和工作過程基本結(jié)構(gòu)包括兩大部分：光電靶和電子槍。掃描，將電學(xué)圖象轉(zhuǎn)換成僅隨時(shí)間變化的電信號(hào)（視頻信號(hào)）傳送出去。CCD攝像器件的基本結(jié)構(gòu)和工作過程?；窘Y(jié)構(gòu)：光電二極管陣列，CCD移位存儲(chǔ)器，輸出機(jī)構(gòu)。CCD移位寄存器，通過輸出機(jī)構(gòu)串行地轉(zhuǎn)移出去。敘述半導(dǎo)體激光器和發(fā)光二極管的發(fā)光原理半導(dǎo)體激光器發(fā)光原理：PN結(jié)正偏時(shí)結(jié)區(qū)發(fā)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，導(dǎo)帶中的電子產(chǎn)生自發(fā)輻射和受激輻射，在諧振腔中形成了光振蕩，從諧振腔兩端發(fā)射出激光。P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到PPN結(jié)附近分別與N區(qū)的電子和P敘述電光調(diào)制器克爾盒的工作原理改變其振動(dòng)方向，在檢偏器光軸方向上產(chǎn)生光振動(dòng)的分量。試述聲光偏轉(zhuǎn)器的工作原理。變化，因超聲波與光的相互作用產(chǎn)生的聲光效應(yīng)，就是聲光偏轉(zhuǎn)器的工作原理。PPT中計(jì)算題匯總（波長發(fā)出激光的功率為，計(jì)算出300K1015/cm3硼原子的硅片中電子和空穴的濃度及費(fèi)米能級(jí)，畫出其（當(dāng)K時(shí)，nV。i（k：波耳茲曼常數(shù)，1.38×10-23J/K，1C約相當(dāng)于6.25×10^18個(gè)電子的電量。）為P型半導(dǎo)體，則空穴濃度為p=Na=1015/cm3電子濃度為n=n2/Na=2.25x105/cm3iN費(fèi)米能級(jí)為E E kTfp i

na=Ei-0.29evi3.（a）求在300K時(shí)，本征硅的電導(dǎo)率；108（5x1022個(gè)/cm3，遷移率μ=1350cm2/(V·s),μ=480cm2/(V·s)）n p基本電荷e＝1.6×10^-19庫侖.具有1級(jí)倍增極的光電倍增管均勻分壓V，0.1lx2cm24，光電子的收集率為(b)設(shè)計(jì)前置放大電路，使輸出的信號(hào)電壓為200mV，求放大器的有關(guān)參數(shù)，并畫出原理圖kathode(陰極),anticathode（陽極）有一光電倍增管的光電陰極面積為105，陽極額定電流為200μA，求允許的最大光照RRL=2KΩ的負(fù)載電阻串聯(lián)后接于Vb=12V輸出電壓為V1有光照時(shí)負(fù)載上的輸出電壓為V2=2V。求光敏電阻的暗電阻和亮（2）若光敏電阻的光電導(dǎo)靈敏度Sg=6x10-6s/lx,求光敏電阻所受的照度？已知光敏電阻的暗電阻R=10MΩ,100lx時(shí)亮電阻R=5kΩ，用此光敏電阻控制D繼電器，其原理電路如圖所示，如果繼電器的線圈電阻為4kΩ，繼電器的吸合電流為2mA,問需要多少照度時(shí)才能使繼電器吸合？如果需要在400lx如何改進(jìn)？下圖是用硒光電池制作照度計(jì)的原理圖，已知硒光電池在100lx照度下，最佳功率輸出時(shí)的V =0.3V,I=1.5mA,如果選用100uA表頭作照度指標(biāo)表頭內(nèi)阻為1kΩ指針滿刻度值為m m100lx，試計(jì)算電阻R和R值。1 2下圖為一理想運(yùn)算放大器，對(duì)光電二極管2CU2受光照時(shí)，運(yùn)放輸出電壓V0=0.6V。在E=100lx的光照下，輸出電壓V1=2.4V。求2的電流靈敏度。已知一熱釋電探測器的z（取△，能否決定其光敏面面積？CCDN=1024的電荷輸出，求電荷轉(zhuǎn)移損失率=2CU12CU10.2uA,3DG6C的β=50400uW時(shí)的拐點(diǎn)電壓求