后清洗生產(chǎn)培訓(xùn)

刻蝕第一頁，共二十七頁。Rena結(jié)構(gòu)Rena生產(chǎn)原理Inoxside界面操作與等離子刻蝕比較第二頁，共二十七頁。Rena水平刻蝕清洗機11.冷水機；5.上料臺；2.上位機；6.rena柱式指示燈及其急停開關(guān);3.抽風(fēng)管及其調(diào)節(jié)閥；7.前玻璃窗.4.集中供液柱式指示燈及其急停開關(guān);1532674第三頁，共二十七頁。4Rena各部件功能介紹-11.冷水機:給冷卻器提供冷卻水.2.上位機:向PLC輸入運行參數(shù),監(jiān)控其運行.3.抽風(fēng)管及其調(diào)節(jié)閥:排設(shè)備內(nèi)廢氣,調(diào)節(jié),監(jiān)視抽風(fēng)負壓.4.集中供液柱式指示燈及其急停開關(guān):柱式指示燈顯示集中供液運行狀態(tài),急停開關(guān)用于應(yīng)急停止集中供液設(shè)備.5.上料臺:用于設(shè)備供料放硅片.6.rena柱式指示燈及其急停開關(guān):柱式指示燈顯示rena運行狀態(tài),急停開關(guān)用于應(yīng)急停止rena設(shè)備.7.前玻璃窗:監(jiān)視設(shè)備內(nèi)硅片運行情況,保護設(shè)備內(nèi)氣體流動,隔絕設(shè)備尾氣.第四頁，共二十七頁。Rena水平刻蝕清洗機28.電柜；12.排放管道；9.后玻璃蓋板；13.自動補液槽；10.下料臺；14.集中供液管路；11.供氣，供水管道；15.傳送滾軸.89101112131415第五頁，共二十七頁。6Rena各部件功能介紹-28.電柜:放置安裝設(shè)備總電源開關(guān),各斷路開關(guān),電腦機箱以及PLC(設(shè)備總控制器).9.后玻璃蓋板:監(jiān)視設(shè)備各部件運行情況,保護設(shè)備內(nèi)氣體流動,隔絕設(shè)備尾氣.10.下料臺:用于刻蝕后硅片卸片(插片).11.供氣,供水管道:供應(yīng)設(shè)備正常運轉(zhuǎn)使用的壓縮空氣,純水,自來水以及冷卻水.12.排放管道:用于排去設(shè)備廢水.13.自動補液槽:用于儲存設(shè)備自動運行時補償?shù)幕瘜W(xué)品.14.集中供液管路:用于集中供液向自動補液槽添加化學(xué)品以及rena的首次加液.15.傳動滾軸:用于rena設(shè)備內(nèi)傳送硅片.第六頁，共二十七頁。Rena水平刻蝕清洗機各槽分布圖1.Etchbath；5.Hfbath；2.Rinse1；6.rinse3（DI-Waterspray）；3.Alkalinerinse；7.dryer2。4.Rinse2；1234567第七頁，共二十七頁。Rena各槽功能介紹1.上料臺放片

2.刻蝕槽刻邊3.洗槽去殘液

6.HF槽去磷硅玻璃5.洗槽去殘液4.KOH噴淋去多孔硅7.洗槽去殘液8.風(fēng)刀吹干9.下料臺插片第八頁，共二十七頁。Rena各槽功能介紹槽名主要功能實現(xiàn)情況Etch-bath刻蝕硅片邊緣及背面的PN結(jié)，刻蝕線不超過硅片邊緣1.5mm，無刻不通現(xiàn)象。此槽需循環(huán)流量，刻蝕液溫度，氣體流動穩(wěn)定?？涛g速率下降越慢越好。風(fēng)刀吹去硅片上面的刻蝕槽殘液。良好Rinse1循環(huán)噴淋水洗去刻蝕后吸附在硅片上的刻蝕液，并風(fēng)刀吹去積在硅片上的洗槽槽液。良好Alkaline-rinseKOH噴淋去除硅片表面的多孔硅及其雜質(zhì)，去除擴散形成的染色.并風(fēng)刀吹去積在硅片上面的KOH殘液。KOH溶液依靠冷卻水降溫保持在20℃左右。良好Rinse2循環(huán)噴淋水洗去去多孔硅后吸附在硅片上的堿液，并風(fēng)刀吹去積在硅片上的洗槽槽液。良好Hf-bathHF循環(huán)沖刷噴淋去除硅片表面的磷硅玻璃，并風(fēng)刀吹去積在硅片上的HF殘液良好Rinse3循環(huán)噴淋水洗去去磷硅玻璃后吸附在硅片上的HF酸液，并純水噴霧洗去循環(huán)水殘液。良好Dryer22道來回拉動的風(fēng)刀吹去硅片兩面吸附的純水，不能有液體殘留在硅片上。一般第九頁，共二十七頁。一、刻蝕槽刻蝕槽生產(chǎn)多晶156硅片圖片第十頁，共二十七頁。刻蝕槽溶液流向圖刻蝕反應(yīng)為氧化，放熱反應(yīng).流回儲液槽，溶液溫度較高儲液槽泵液至冷卻器冷卻器泵液至刻蝕槽內(nèi)槽刻蝕槽內(nèi)槽溫度較低液面與硅片吸附反應(yīng)后流入外槽內(nèi)槽槽壁可調(diào)節(jié)高度，刻蝕槽液不斷循環(huán)降溫，且循環(huán)流量（一定范圍內(nèi)）越大，液面越高泵第十一頁，共二十七頁?？涛g槽硅片流入吸附刻蝕液原理此為生產(chǎn)mono125-150硅片時圖片硅片完全懸空硅片尾部吸附刻蝕液第十二頁，共二十七頁。刻蝕槽硅片流入吸附刻蝕液原理此為生產(chǎn)mono125-150硅片時圖片橡膠圈較小橡膠圈正?？涛g液完全吸附第十三頁，共二十七頁?？涛g槽前后硅片狀態(tài)比較此為生產(chǎn)mono125-150硅片時圖片硅片剛進入刻蝕槽硅片刻蝕后，邊緣水印為反應(yīng)生成的水第十四頁，共二十七頁?？涛g槽影響刻蝕效果的因素一、抽風(fēng):抽風(fēng)在很大程度上會影響到刻蝕槽液面波動，而刻蝕槽任何的液面波動，對在液面上運行的硅片都有很大影響；二、傳動速度:傳動速度決定硅片通過刻蝕槽的時間，也就是決定硅片刻蝕的反應(yīng)時間；三、滾軸和內(nèi)槽槽邊高度（水平）:滾軸高度決定硅片通過刻蝕槽時的高度，而內(nèi)槽槽邊高度（水平）決定刻蝕槽液面的大致高度，兩者的高度差距只有在合理范圍內(nèi)，硅片才能吸附到刻蝕液；四、滾軸水平：滾軸水平，5道軌道內(nèi)運行的硅片才能與刻蝕液水平面平行，只有平行于水平面，硅片吸附刻蝕液才均勻，也即刻蝕均勻，無過刻或刻不通現(xiàn)象；五、硅片覆蓋率：硅片覆蓋率也就是硅片之間的間距，它決定硅片間液面形狀?？涛g槽是通過液體的張力將刻蝕液吸附于硅片上，但硅片間間隙過小，液體就會浸漫到硅片上面，破壞擴散面。同時，過高的覆蓋率還會使刻蝕槽液面升高。第十五頁，共二十七頁。Rinse1一號洗槽采用循環(huán)水噴淋，上下各兩道水刀沖洗硅片兩面后，風(fēng)刀吹去硅片上面殘液（水源為rinse2溢流水）。上水刀下水刀風(fēng)刀第十六頁，共二十七頁。17Alkalinerinse上水刀上水刀風(fēng)刀第十七頁，共二十七頁。堿槽溶液流向圖（槽截面）泵過濾器硅片運行平面堿液流動方向冷卻水流動方向槽壁噴淋頭槽內(nèi)液面高于溢流口的溶液從溢流管排掉F第十八頁，共二十七頁。Rinse2二號洗槽采用循環(huán)水噴淋，上下各兩道水刀沖洗硅片兩面后，風(fēng)刀吹去硅片上面殘液（水源為rinse3溢流水）。上水刀下水刀風(fēng)刀第十九頁，共二十七頁。HFbath氫氟酸槽采用5%HF溶液噴淋浸泡，上下各四道水刀沖洗硅片兩面后，風(fēng)刀吹去硅片上面殘液．氫氟酸循環(huán)噴淋使反應(yīng)充分HFbath去PSG硅片完全浸泡在溶液里第二十頁，共二十七頁。氫氟酸槽溶液流向圖（槽截面）過濾器泵硅片運行平面氫氟酸液流動方向內(nèi)槽液面外槽液面F噴淋頭第二十一頁，共二十七頁。Rinse3三號洗槽采用循環(huán)水噴淋（水源為純水噴霧落進槽內(nèi)水），上下各兩道水刀沖洗硅片兩面后，上下各一道純水噴霧器清洗硅片兩面（流量400l／h）．循環(huán)水沖洗DI-Water噴霧器最后沖洗，水落進槽底，重復(fù)利用。第二十二頁，共二十七頁。Dryer2二號干燥槽采用壓縮空氣吹干，上下各兩道風(fēng)刀使用馬達帶動來回拉動，吹干硅片。吹干風(fēng)刀第二十三頁，共二十七頁。濕法刻蝕相對等離子刻蝕的優(yōu)點1、非擴散面PN結(jié)刻蝕時被去除（原等離子刻蝕背面PN結(jié)依靠絲印被鋁漿時，鋁還原硅片使N形硅變?yōu)镻形硅，但所產(chǎn)生的P形硅電勢不強）；2、硅片潔凈度提高（無等離子刻蝕的尾氣污染）；3、節(jié)水（rena使用循環(huán)水沖洗硅片，耗水約8T/h。等離子刻蝕去PSG用槽浸泡，用水量大）。第二十四頁，共二十七頁。濕法刻蝕相對等離子刻蝕的缺點1、硅片水平運行，機碎高：（等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩干，硅片受沖擊小）；2、下料吸筆易污染硅片：（等離子刻蝕去PSG后甩干）；3、傳動滾軸易變形：（PP材質(zhì)且水平放置易變形）；4、成本高：（化學(xué)品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加）。第二十五頁，共二十七頁。THANKS第二十六頁，共二十七頁。內(nèi)容總結(jié)刻蝕。1.冷水機:給冷卻器提供冷卻水.。2.上位機:向PLC輸入運行參數(shù),監(jiān)控其運行.。4.集中供液柱式指示燈及其急停開關(guān):柱式指示燈顯示集中供液運行狀態(tài),急停開關(guān)用于應(yīng)急停止集中供液設(shè)備.。5.上料臺:用于設(shè)備供料