晶體技術(shù)關(guān)鍵點(diǎn)

晶體技術(shù)關(guān)鍵點(diǎn)2007/031*第1頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

講座內(nèi)容一、晶體諧振器基本原理二、涉及的公式三、關(guān)鍵參數(shù)四、工藝對(duì)參數(shù)影響五、能陷理論的重要性2007/032*第2頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一一、基本工作原理1、壓電效應(yīng)當(dāng)在絕緣固體上施加壓力時(shí)，絕緣固體的表面間能夠產(chǎn)生電壓，同時(shí)也能產(chǎn)生一個(gè)很小的電流，這就叫壓電效應(yīng)。相反，當(dāng)電壓施加在一個(gè)具有壓電特性的固體表面時(shí)，該固體也可以產(chǎn)生機(jī)械變形，這就叫逆壓電效應(yīng)。晶體諧振器就是利用晶體的逆壓電效應(yīng)特性。2007/033*第3頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

一、基本工作原理1、

振動(dòng)模式關(guān)系

2007/034*第4頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

一、基本工作原理2、晶體諧振器等效電路和阻抗特性2007/035*第5頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

二、重要公式2007/036*第6頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

二、重要公式串并聯(lián)間隔

Δf/fs=C1/2C0靜電容：

C0=εSe/t質(zhì)量因數(shù)：Q=1/2πfSC1R1負(fù)載諧振電阻RL=R1(1+C0/CL)2

2007/037*第7頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

二、重要公式本征（固有）頻率fS=(c66/ρ)1/2n/2t動(dòng)態(tài)電容：C1=fsSe/3.6πn3=kSe/tn2動(dòng)態(tài)電感：L=1.8n3/fS3Se能陷公式Δ1/2nΦe/t<2.4

其中：Δ=（fs-fe）/fe2007/038*第8頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

三、重要參數(shù)主要參數(shù)

fsfafL

R1C1L1C0Q

寄生老化2007/039*第9頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

三、重要參數(shù)關(guān)鍵參數(shù)

R1C1寄生老化原因—使用者關(guān)心程度1、可調(diào)性—C12、起振性和功耗--R13、精確性—Q值（R1

和C1）4、長(zhǎng)期準(zhǔn)確性--老化5、穩(wěn)定性—寄生6、選擇性--寄生2007/0310*第10頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

四、影響重要參數(shù)因數(shù)1、

晶體諧振電阻—電導(dǎo)率泛音次數(shù)電極面積晶片邊比（頻率高低）材料Q值工藝研磨質(zhì)量邊緣質(zhì)量膜層厚度微調(diào)孔大小微調(diào)對(duì)稱否潔凈度（污染)點(diǎn)膠

2007/0311*第11頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

四、影響重要參數(shù)因數(shù)2、動(dòng)態(tài)電容泛音次數(shù)電極面積晶片邊比（頻率高低）材料Q值工藝研磨平整度應(yīng)力微調(diào)量（膜層厚度）大小微調(diào)對(duì)稱否2007/0312*第12頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

四、影響重要參數(shù)因數(shù)3、寄生

2007/0313*第13頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

四、影響重要參數(shù)因數(shù)4、老化2007/0314*第14頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

三、重要參數(shù)解釋5、

負(fù)載電容與頻率牽引：在許多應(yīng)用中，都有用一負(fù)載電抗元件來(lái)牽引晶體頻率的要求，這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要，大多數(shù)情況下，這個(gè)負(fù)載電抗呈容性，稱負(fù)載電容當(dāng)該電容值為CL時(shí)，則相對(duì)負(fù)載諧振頻率偏移量為：

DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作為可調(diào)元件由DL1調(diào)至DL2時(shí)，相對(duì)頻率牽引為：

DL1，L2=C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。

2007/0315*第15頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

三、重要參數(shù)解釋頻率牽引量與負(fù)載電容的關(guān)系(基頻）2007/0316*第16頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

三、重要參數(shù)解釋3、

溫度頻差切角材料應(yīng)力

2007/0317*第17頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

三、重要參數(shù)解釋2007/0318*第18頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

一、基本工作原理能陷理論

輸入諧振器隨所加信號(hào)電壓而產(chǎn)生厚度切變振動(dòng)，晶片因受電極質(zhì)量負(fù)荷的影響，電極區(qū)的諧振頻率比非電極區(qū)的低，使彈性波在兩區(qū)邊界發(fā)生反射,從而使絕大部分能量陷落在電極區(qū)內(nèi)，2007/0319*第19頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

四、晶體諧振器使用典型并聯(lián)諧振電路2007/0320*第20頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一晶體諧振器技術(shù)講座

四、晶體諧振器使用抑制基頻下的并聯(lián)諧振電路2007/0321*第21頁(yè)，共22頁(yè)，2023年，2月20日，星期一