第二章金屬與合金的晶體結(jié)構(gòu)

第二章金屬與合金的晶體結(jié)構(gòu)第1頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三第一節(jié)金屬的晶體結(jié)構(gòu)一、晶體與非晶體1、晶體凡原子按一定規(guī)律排列的固態(tài)物質(zhì)，稱為晶體。(如:金剛石、石墨和一切固態(tài)金屬及其合金)1）原子在三維空間呈有規(guī)則的周期性重復(fù)排列。2）有固定的熔點如鐵的熔點1538℃，銅的熔點1083℃。3）晶體的性能隨著原子的排列方位而改變，即單晶體具有各向異性。2、非晶體及其特性(如:塑料、玻璃、瀝青)

內(nèi)部質(zhì)點無規(guī)則的堆積在一起的物質(zhì)稱為非晶體。與晶體相反，沒有固定的熔點；表現(xiàn)出各向同性。晶體與非晶體在一定條件下可互相轉(zhuǎn)化。第2頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三非晶體：蜂蠟、玻璃等。晶體金剛石、NaCl、冰等。第3頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三原子（離子）的剛球模型第4頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三二、晶體結(jié)構(gòu)的基本知識1、晶格

假設(shè)原子為剛性小球，利用假想的幾何線條連接起來構(gòu)成一個空間格架，這種抽象的，用于描述原子在晶體中排列形式的幾何空間格架就叫晶格。晶格中的每個點稱為結(jié)點。晶格中各種不同方位的原子面稱為晶面。2、晶胞組成晶格的最基本幾何單元稱為晶胞。實際上整個晶格就是由許多大小、形狀和位向相同的晶胞在空間重復(fù)堆積而成的。3、晶格常數(shù)晶胞的各棱邊長為a、b、c和棱邊夾角α、β、γ。其中，棱邊長度稱為晶格常數(shù)。。第5頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三XYZabc晶格常數(shù)a，b，c第6頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三三、金屬特性和金屬鍵1、金屬特性在化學中，金屬的特性表現(xiàn)在它與非金屬元素發(fā)生化學反應(yīng)并失去價電子；在工程技術(shù)中，金屬特性表現(xiàn)在他具有金屬光澤，一定塑性、良好的導電性與導熱性以及正的電阻溫度系數(shù)良好的導電性、導熱性、塑性，具有金屬光澤，不透明，正的電阻溫度系數(shù)。這主要是與金屬原子的內(nèi)部結(jié)構(gòu)以及原子間的結(jié)合方式有關(guān)。2、金屬鍵金屬晶體就是依靠各正離子與共有化自由電子間相互吸引而結(jié)合的方式稱為金屬鍵。

第7頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三金屬鍵模型示意圖第8頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三金屬特性的金屬鍵理論解釋（1）因為金屬是金屬鍵結(jié)合而成的，自由電子在一定電位差下運動，就構(gòu)成金屬良好的導電性。（2）而這種運動又為金屬所獨有，同時已能傳遞熱能，所以金屬具有良好的導熱性。（3）當金屬原子相對位移時，正離子和自由電子仍然保持結(jié)合，因而金屬可變形而不破壞，具有塑性。（4）金屬中的自由電子容易吸收可見光而被激發(fā)到較高的能級，當他跳回原來能級時把吸收的可見光又重新輻射出來，因而金屬不透明，有光澤。（5）金屬中正離子是以某一固定位置為中心作熱振動，對自由電子的流動有阻礙作用，就是金屬具有電阻的原因。（6）隨著溫度的升高，正離子振動的振幅要加大，對自由電子通過的阻礙作用也加大，因而金屬的電阻是隨溫度升高而增大，即具有正的電阻溫度系數(shù)。第9頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三1、體心立方晶格bcc-Fe、W、V、Mo等四、常見金屬晶格類型第10頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三體心立方晶胞晶格常數(shù)：a=b=c；

===90晶胞原子數(shù)：2原子半徑：致密度：0.68致密度=Va/Vc，其中Vc:晶胞體積a3Va:原子總體積24r3/3XYZabc2r2raa第11頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三2、面心立方晶格fcc-Fe、Cu、Ni、Al、Au、Ag等第12頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三面心立方晶胞晶格常數(shù)：a=b=c；

===90晶胞原子數(shù)：4原子半徑：致密度：0.74XYZabc密排方向第13頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三3、密排六方晶格hcpC（石墨）、Mg、Zn等晶格常數(shù)底面邊長a底面間距c側(cè)面間角120側(cè)面與底面夾角90晶胞原子數(shù)：6原子半徑：a/2致密度：0.74第14頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三五、晶體結(jié)構(gòu)致密度致密度：是指晶胞中原子所占體積與該晶胞體積之比。1、

體心立方的致密度第15頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三2、面心立方與密排六方的致密度計算同體心立方，均為0.74。在晶體中，致密度越大，原子排列就越緊密。所以，當鐵在冷卻時，由于晶格致密度較大（0.74）的面心立方晶格r-Fe轉(zhuǎn)變?yōu)榫Ц裰旅芏容^?。?.68）的體心立方晶格α-Fe，就會發(fā)生體積膨脹而引起應(yīng)力和變形。第16頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三六、金屬晶體中的晶面和晶向XYZabc在金屬晶體中各原子組成的平面，稱為晶面。通過兩個以上原子中心連線直線所指方向稱為晶向。XYZabc第17頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三立方晶格中不同方向的晶面與晶面指數(shù)第18頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三具有一定晶格類型金屬，在晶體的各個晶面與晶向上原子排列緊密程度是不同的，原子間相互作用也就不同，因而使晶體在不同方向上性能就有差異，這就是金屬晶體具有各向異性的原因。立方晶格中不同晶向與晶向指數(shù)

第19頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三第二節(jié)合金的晶體結(jié)構(gòu)一、合金的基本概念合金：兩種或兩種以上的金屬或金屬與非金屬元素熔合而成，并具有金屬特性的物質(zhì)。組元：組成合金的最基本的、獨立的物質(zhì)。例如：元素、穩(wěn)定化合物。如，F(xiàn)e-C合金中，F(xiàn)e、C均為組元。相：是指合金中成分、結(jié)構(gòu)均相同的組成部分，相與相之間有明顯的界面。合金中有兩類基本相

——固溶體和化合物二、合金的相結(jié)構(gòu)1、固溶體合金在固態(tài)下，組元間仍能互相溶解而形成的均勻相，稱為固溶體。形成固溶體后，晶格保持不變的組元稱溶劑，晶格消失的組元稱溶質(zhì)。固溶體的晶格類型與溶劑組元相同。如，F(xiàn)e(C)固溶體。（1）固溶體的分類1）置換固溶體：若溶質(zhì)原子代替一部分溶劑原子而占據(jù)溶劑中的某些結(jié)點位置，稱為置換固溶體。2）間隙固溶體：溶質(zhì)原子在溶劑晶格中并不占據(jù)晶格結(jié)點的位置，而是在結(jié)點間的空隙中，這種形式的固溶體稱為間隙固溶體。第20頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三固溶體分類ZXY間隙原子間隙固溶體置換固溶體置換原子YXZ第21頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三（2）固溶體的性能由于溶質(zhì)原子的溶入，使固溶體的晶格發(fā)生畸變，變形抗力增大，使金屬的強度硬度升高的現(xiàn)象稱為固溶強化。當溶質(zhì)的質(zhì)量分數(shù)適當時，固溶體不僅有著較純金屬高的強度和硬度，而且有著好的塑性和韌性。

固溶強化形成固溶體使金屬強度和硬度提高的現(xiàn)象正常晶格晶格畸變第22頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三晶格畸變小原子置換引起的晶格畸變間隙原子引起的晶格畸變第23頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三2、金屬化合物金屬化合物是合金組元間發(fā)生相互作用而生成的一種新相，其晶格類型和性能不同于其中任一組元，因此性能也不同于組元。

（1）金屬化合物的分類1）正常價化合物——這類金屬化合物通常由金屬元素與周期表中第IV、V、Ⅵ族的元素組成的。例如MgS、MnS、Mg2Si等，其分子式符合原子價規(guī)律，并且成分是固定不變的。

2)電子化合物——這類金屬化合物是按一定電子濃度組成的具有一定晶格類型的化合物。電子濃度C為化合物中的價電子數(shù)與原子數(shù)之間的比值，即：C電=價電子數(shù)/原子數(shù)

3)

間隙化合物——間隙化合物一般是由原子直徑較大的過渡族金屬元素（Fe、Cr、Mo、W、V等）與原子直徑較小的非金屬元素（H、C、N、B等）組成。第24頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三

間隙化合物桑中分為兩類，一類是具有簡單晶格形式的間隙化合物。如VC、WC、TIC等。另一類是具有復(fù)雜結(jié)構(gòu)的間隙化合物，如Fe3C、Cr23C6、Cr7C3、Fe4W2C等。

VC的晶體結(jié)構(gòu)Fe3C的晶體結(jié)構(gòu)Fe3C是鐵碳合金中的一種重要間隙化合物，其碳原子與鐵原子的半徑之比為0.63。

第25頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三（2）金屬化合物的性能金屬化合物的熔點一般較高，具有較高硬度，但脆性較大。當它呈細小顆粒均勻分布在固溶體基體上時，將使合金的強度、硬度及耐磨性明顯提高，這一現(xiàn)象稱為彌散強化。因此，金屬化合物在合金中作為強化相存在，它是許多合金鋼、有色金屬和硬質(zhì)合金的重要組成相。第26頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三第三節(jié)金屬的實際晶體結(jié)構(gòu)一、單晶體與多晶體單晶體：晶體內(nèi)部的晶格方位完全一致，這晶體稱為單晶體。如單晶Si半導體。多晶體：這種實際上由許多晶粒組成的晶體稱為多晶體。其中每個小晶體的外形多為不規(guī)則的顆粒，通常稱為晶粒。晶粒與晶粒之間的界面稱為晶界。

晶粒（單晶體）第27頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三二、晶體的缺陷

晶體中原子完全為規(guī)則排列時，稱為理想晶體。實際上，金屬由于多種原因的影響，內(nèi)部總是存在著大量缺陷。根據(jù)晶體缺陷的幾何特點，常分為：點缺陷：空位、間隙原子、異類原子線缺陷：位錯面缺陷：晶界與亞晶界1、點缺陷：

點缺陷是指長、寬、高尺寸都很小的缺陷。常見的點缺陷是空位和間隙原子。第28頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三如果間隙原子是其它元素就稱為:異類原子（雜質(zhì)原子）空位

間隙原子置換原子在空位和間隙原子附近，由于原子間作用力的平衡被破壞，使周圍原子發(fā)生靠攏或撐開，因此，發(fā)生晶格畸變，使金屬的強度提高，塑性下降。

第29頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三正刃位錯

負刃位錯

2、線缺陷—刃型位錯

線缺陷是在空間的一個方向上尺寸很大，其余兩個方向上尺寸很小的缺陷。晶體中的線缺陷通常是指各種類型的位錯。位錯就是在晶體中某處有一列或若干列原子發(fā)生了某種有規(guī)律的錯排現(xiàn)象。第30頁，共32頁，2023年，2月20日，星期三3、面缺陷面缺陷是在兩個方向的尺寸很大，第三個方向的尺寸很小而呈面狀的缺陷，這類缺陷主