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文檔簡介

電子探針顯微分析課件演示文稿目前一頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)優(yōu)選電子探針顯微分析課件目前二頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)一、探針微區(qū)分析的定義電子探針分析就是利用電子轟擊待研究的試樣來產(chǎn)生X射線,根據(jù)X射線中譜線的波長和強(qiáng)度鑒別存在的元素并算出其含量。定性分析:用X射線譜儀在有關(guān)譜線可能出現(xiàn)的波長范圍內(nèi)把譜線紀(jì)錄下來。然后對照波長表。定量分析:把試樣的X射線強(qiáng)度與標(biāo)樣的對比,并作一些校正就可以算出分析點(diǎn)上的成分含量。目前三頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

電子探針的應(yīng)用范圍非常廣泛,特別是在材料顯微結(jié)構(gòu)-工藝-性能關(guān)系的研究,電子探針起了重要作用。電子探針顯微分析有以下幾個(gè)特點(diǎn):顯微結(jié)構(gòu)分析;元素分析范圍廣;定量分析準(zhǔn)確度高;不損壞試樣、分析速度快;微區(qū)離子遷移研究;目前四頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)1.顯微結(jié)構(gòu)分析

電子探針是利用0.5μm-1μm的高能電子束激發(fā)所分析的試樣,通過電子與試樣的相互作用產(chǎn)生的特征X射線、二次電子、吸收電子、背散射電子及陰極熒光等信息來分析試樣的微區(qū)內(nèi)(μm范圍內(nèi))成份、形貌和化學(xué)結(jié)合狀態(tài)等特征。目前五頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

電子探針成分分析的空間分辨率(微區(qū)成分分析所能分析的最小區(qū)域)是幾個(gè)立方μm范圍,微區(qū)分析是它的一個(gè)重要特點(diǎn)之一,它能將微區(qū)化學(xué)成份與顯微結(jié)構(gòu)對應(yīng)起來,是一種顯微結(jié)構(gòu)的分析。而一般化學(xué)分析、X光熒光分析及光譜分析等,是分析試樣較大范圍內(nèi)的平均化學(xué)組成,也無法與顯微結(jié)構(gòu)相對應(yīng),不能對材料顯微結(jié)構(gòu)與材料性能關(guān)系進(jìn)行研究。目前六頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)2.元素分析范圍廣

電子探針?biāo)治龅脑胤秶话銖呐?B)-鈾(U),鋰(Li)和鈹(Be)雖然能產(chǎn)生X射線,但產(chǎn)生的特征X射線波長太長,通常無法進(jìn)行檢測,少數(shù)電子探針用一種皂化膜作為衍射晶體已經(jīng)可以檢測Be元素。能譜儀的元素分析范圍現(xiàn)在也和波譜相同,分析元素范圍從硼(B)-鈾(U)目前七頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)3.定量分析準(zhǔn)確度高

電子探針是目前微區(qū)元素定量分析最準(zhǔn)確的儀器。電子探針的檢測極限(能檢測到的元素最低濃度)一般為(0.01-0.05)%,不同測量條件和不同元素有不同的檢測極限,主元素定量分析的相對誤差為(1—3)%,對原子序數(shù)大于11的元素,含量在10%以上的時(shí),其相對誤差通常小于2%。目前八頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)4.不損壞試樣、分析速度快

現(xiàn)在電子探針均與計(jì)算機(jī)聯(lián)機(jī),可以連續(xù)自動進(jìn)行多種方法分析,并自動進(jìn)行數(shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)分析。電子探針分析過程中一般不損壞試樣,試樣分析后,可以完好保存或繼續(xù)進(jìn)行其它方面的分析測試,這對于文物、古陶瓷、古硬幣及犯罪證據(jù)等的稀有試樣分析尤為重要。目前九頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)5.微區(qū)離子遷移研究

多年來,還用電子探針的入射電子束注入試樣來誘發(fā)離子遷移,研究了固體中微區(qū)離子遷移動力學(xué)、離子遷移機(jī)理、離子遷移種類、離子遷移的非均勻性及固體電解質(zhì)離子遷移損壞過程等,已經(jīng)取得了許多新的結(jié)果。目前十頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)二、電子探針的發(fā)展歷史及發(fā)展趨勢1931-1949年,電子探針分析的基本原理的提出和第一臺電子探針樣機(jī)的產(chǎn)生;1958年才把第一臺電子探針裝進(jìn)了國際鎳公司的研究室;1959年第一臺掃描型電子探針儀問世;目前十一頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)二、電子探針的發(fā)展歷史及發(fā)展趨勢1960年掃描型電子探針商品問世,70年代開始,電子探針和掃描電鏡的功能組合為一體,同時(shí)應(yīng)用電子計(jì)算機(jī)控制分析過程和進(jìn)行數(shù)據(jù)處理;八十年代后期,電子探針又具有彩色圖像處理和圖像分析功能,計(jì)算機(jī)容量擴(kuò)大,使分析速度和數(shù)據(jù)處理時(shí)間縮短,提高了儀器利用率,增加了新的功能。目前十二頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

九十年代初,電子探針一般與能譜儀組合,電子探針、掃描電鏡可以與任何一家廠商的能譜儀組合,有的公司已有標(biāo)準(zhǔn)接口。九十年代中期,電子探針的結(jié)構(gòu),特別是波譜和試樣臺的移動有新的改進(jìn),通過鼠標(biāo)可以準(zhǔn)確確定波譜和試樣臺位置。我國從六十年代初開始陸續(xù)引進(jìn)電子探針和掃描電鏡,與此同時(shí)也開始了電子探針和掃描電鏡的研制工作。目前十三頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)除了專門的電子探針外,大部分電子探針譜儀都是作為附件安裝在掃描電鏡或透射電鏡上,與電鏡組成一個(gè)多功能儀器以滿足微區(qū)形貌、晶體結(jié)構(gòu)及化學(xué)組成的同位同時(shí)分析的需要。目前十四頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)三、電子探針顯微分析的基礎(chǔ)

1、特征X射線譜:

X射線譜是由于原子的內(nèi)層電子能級之間躍遷產(chǎn)生的,為了使這種躍遷成為可能,必須逐出一個(gè)能層電子以產(chǎn)生一個(gè)空位。在電子探針分析中,所需要的內(nèi)層能級電離是靠有足夠動能的電子的轟擊產(chǎn)生的。X射線譜的波長是發(fā)射元素獨(dú)有的特征。目前十五頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)2.內(nèi)層電離:電子探針分析是靠電子轟擊試樣引起特征X射線的發(fā)射。為了使入射電子的能量超過某一殼層的“臨界激發(fā)能量”,探針一般使用10-30kv的加速電壓。電子轟擊的電力效率很低,因?yàn)槿肷潆娮拥拇蟛糠帜芰吭谂c束縛較弱的外層電子的相互作用中消耗了,但是電子束每秒產(chǎn)生的電子數(shù)目非常大,所以仍然可以獲得足夠的X射線強(qiáng)度。目前十六頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)四、電子探針儀的工作原理

電子探針(electronprobemicroanalysis,EPMA)的構(gòu)造與SEM大體相似,只是增加了接收記錄X射線的譜儀。EPMA使用的X射線譜儀有波譜儀和能譜儀兩類。目前十七頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)1、電子探針的工作原理:它利用被聚焦成小于1m的高能電子束轟擊樣品表面,由X射線波譜儀或能譜儀檢測從試樣表面有限深度和側(cè)向擴(kuò)展的微區(qū)體積內(nèi)產(chǎn)生的特征X射線的波長和強(qiáng)度,得到1m3微區(qū)的定性或定量的化學(xué)成分。目前十八頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

2、特征X射線的檢測

檢測特征X射線的波長和強(qiáng)度是由X射線譜儀(波譜儀或能譜儀)來完成的。

(1)波長分散譜儀(波譜儀或光譜儀)

依據(jù)不同元素的特征X射線具有不同波長這一特點(diǎn)對樣品進(jìn)行成分分析。若樣品中含有多種元素,高能電子束入射樣品會激發(fā)出各種波長的特征X射線,波譜儀通過晶體衍射分光的途徑實(shí)現(xiàn)對不同波長的X射線分散展譜、鑒別與測量。目前十九頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

A、若有一束包括不同波長的X射線照射到一個(gè)晶體表面上,平行于該晶體表面的晶面(hkl)的間距為d,入射X射線與該晶面的夾角為θ1,則其中只有滿足布拉格方程λ1=2dsinθ1

的那個(gè)波長的X射線發(fā)生衍射。若在與入射X射線方向成2θ1的方向上放置X射線檢測器,就可以檢測到這個(gè)特定波長的X射線及其強(qiáng)度。目前二十頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)B、若電子束位置不變,改變晶體的位置,使(hkl)晶面與入射X射線交角為θ2,并相應(yīng)地改變檢測器的位置,就可以檢測到波長為:

λ2=2dsinθ2

的X射線。如此連續(xù)地操作,即可進(jìn)行該定點(diǎn)的元素全分析。若將發(fā)生某一元素特征X射線的入射角θ固定,對樣品進(jìn)行微區(qū)掃描,即可得到某一元素的線分布或面分布圖像。目前二十一頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)分光用平面晶體對各種不同波長的特征X射線可以分光展開,但收集單一波長的X射線效率很低,為提高收集效率,人們一般采用彎晶分光系統(tǒng),即把分光晶體作適當(dāng)彈性彎曲,并使射線源、彎曲晶體表面和檢測管口位于同一個(gè)圓周上,就可以使分光晶體表面處處滿足同樣的衍射條件,整個(gè)晶體只收集一種波長的X射線。目前二十二頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)波譜儀有旋轉(zhuǎn)式波譜儀和直進(jìn)式波譜儀。

1)旋轉(zhuǎn)式波譜儀

目前二十三頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

旋轉(zhuǎn)式波譜儀雖然結(jié)構(gòu)簡單,但有三個(gè)缺點(diǎn):

a)其出射角φ是變化的,若φ2

<φ1,則出射

角為φ2的X射線穿透路程比較長,其強(qiáng)度就

低,計(jì)算時(shí)須增加修正系數(shù),比較麻煩;

b)X射線出射線出射窗口要設(shè)計(jì)得很大;

c)出射角φ越小,X射線接受效率越低。目前二十四頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)2)直進(jìn)式波譜儀

特點(diǎn)是X射線出射角φ固定不變,X射線穿出樣品表面過程所走的路徑相同,即吸收條件相同。目前二十五頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

由光源至晶體的距離L(叫做譜儀長度)與聚焦圓的半徑有下列關(guān)系:

所以,對于給定的分光晶體,L與λ存在著簡單的線性關(guān)系。因此,只要讀出波譜儀上的L值,就可直接得到λ值。

L=2rsinθ=rλ/d目前二十六頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

目前二十七頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

在波譜儀中,是用彎晶將X射線分譜的。因此,恰當(dāng)?shù)剡x用彎晶是很重要的。晶體展譜遵循布拉格方程:

顯然,對于不同波長的特征X射線就需要選用與其波長相當(dāng)?shù)姆止饩w。對波長為0.05-10nm的X射線,需要使用幾塊晶體展譜。2dsinθ=λ目前二十八頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)X射線波譜儀工作原理示意圖目前二十九頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)波譜儀的特點(diǎn):1、波譜儀的主要優(yōu)點(diǎn):(1)分辨率高,其分辨率為5-10eV,如Vkβ(0.228434nm),Crkα1(0.228962nm)

Crkα2(0.229351nm)(2)峰背比高,WDS所檢測的元素的最低濃度是EDS

的1/10,大約可檢測100ppm。目前三十頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)2、波譜儀的主要缺點(diǎn):采樣效率低,分析速率慢。由于經(jīng)晶體衍射后,X射線強(qiáng)度損失很大,其檢測效率低,所以波譜儀難以在低束流和低激發(fā)強(qiáng)度下使用,因此其空間分辨率低且難與高分辨率的電鏡配合使用。目前三十一頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)(2)能量色散譜儀(簡稱能譜儀)

波譜儀是用分光晶體將X射線波長分散開來分別加以檢測,每一個(gè)檢測位置只能檢測一種波長的X射線。而能譜儀與此不同,它是按X射線光子能量展譜。目前三十二頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

能譜儀通過鋰漂移硅固態(tài)檢測器(Si(Li)檢測器)將所有波長(能量)的X射線光子幾乎同時(shí)接收進(jìn)來,每一能量為E的X光子相應(yīng)地引起n對電子—空穴對,不同的X射線光子能量產(chǎn)生的電子—空穴對數(shù)不同。Si(Li)檢測器將它們接收后經(jīng)過積分,再經(jīng)放大整形后送入多道脈沖高度分析器,然后在熒光屏以脈沖數(shù)-脈沖高度曲線顯示,這就是X射線能譜曲線。目前三十三頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)能譜儀結(jié)構(gòu)框圖Si(Li)探測器目前三十四頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

(3)能譜儀的特點(diǎn)

1)能譜儀所用的Si(Li)探測器尺寸小,可以裝在靠近樣品的區(qū)域。這樣,X射線出射角φ大,接收X射線的立體角大,X射線利用率高,可達(dá)10000脈沖/s·10-9A。能譜儀在低束流情況下(10-10-10-12A)工作,仍能達(dá)到適當(dāng)?shù)挠?jì)數(shù)率。電子束流小,束斑尺寸小、采樣的體積也較小,最少可達(dá)0.1m3,而波譜儀大于1m3。

2)分析速度快,可在2-3分鐘內(nèi)完成元素定性全分析。目前三十五頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

3)能譜儀工作時(shí),不需要象波譜儀那樣聚焦,因

而不受聚焦圓的限制,樣品的位置可起伏2-

3mm,適用于粗糙表面成分分析。

4)工作束流小,對樣品的污染作用小。

5)能進(jìn)行低倍X射線掃描成象,得到大視域的元

素分布圖。

目前三十六頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)6)分辨本領(lǐng)比較低,只有150eV(波譜儀可達(dá)

10eV);

7)峰背比小,一般為100,而波譜儀為1000;

8)Si(Li)探測器必須在液氮溫度下使用,維護(hù)費(fèi)

用高,用超純鍺探測器雖無此缺點(diǎn),但其分辨

本領(lǐng)低。目前三十七頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)Si(Li)X射線能譜儀最重要的性能指標(biāo)是能量分辨率。能量分辨率是儀器分辨能量相近的特征譜線的能力。從Si(Li)能譜儀測得的特征譜線的特點(diǎn)是寬度顯著增大,而高度卻隨之大大降低,例如自然峰寬為2.3ev,高度為1000的錳的Kα譜線(5.898ev)經(jīng)過能譜儀變成寬度為150ev,高度為15的譜峰。目前三十八頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)目前三十九頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)能譜儀把峰展寬的原因是:(1)Si(Li)探測器俘獲一定能量的X光子產(chǎn)生電子-空穴對數(shù)目的統(tǒng)計(jì)的起伏,從而引起脈沖幅度的波動,因而使測得的X光子能量發(fā)生變化,造成峰被展寬。(2)放大過程中的電子線路噪音。

目前四十頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)目前四十一頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)比較內(nèi)容WDSEDS元素分析范圍4Be-92U4Be-92U定量分析速度慢快分辨率高(≈5eV)低(130eV)檢測極限10-2(%)10-1(%)定量分析準(zhǔn)確度高低X射線收集效率低高峰背比(WDS/EDS)101能譜和波譜主要性能的比較目前四十二頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

五、電子探針儀的實(shí)驗(yàn)方法

1、電子探針儀的操作特點(diǎn)

總的來說,除了與檢測X射線信號有關(guān)的部件以外,電子探針儀的總體結(jié)構(gòu)與掃描電鏡十分相似。但兩者的側(cè)重點(diǎn)不同,因此這兩種儀器對電子束的入射角和電流強(qiáng)度的要求不同。目前四十三頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

對于電子探針儀來說,電子束相對樣品表面的入射角要固定,入射電子束流強(qiáng)度要高,一般為10-6-10-8A;

掃描電鏡則完全相反,入射電子束流一般為10-9-10-12A,這樣才使入射電子束斑直徑小于100nm,保證形貌圖像有較高的分辨率。組合儀電子束流通常為10-5-10-13A。目前四十四頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)加速電壓的選擇

入射電子的能量E0取決于電子槍加速電壓,一般為3~50keV。因?yàn)橛蓸悠穬?nèi)激發(fā)產(chǎn)生的某一特定譜線強(qiáng)度隨過電壓比U=E0/Ec(Ec為臨界電離激發(fā)能)的增高而增大。所以,分析過程中加速電壓的具體選擇,因待分析元素及其譜線的類別(K系或L系、M系)而異。

一般情況下,當(dāng)同時(shí)分析幾個(gè)元素時(shí),E0必須大于所有元素的Ec。2、加速電壓和入射電子束流的選擇目前四十五頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)(2)入射電子束流的選擇

為了提高X射線信號強(qiáng)度,電子探針儀必須采用較大的入射電子束流。由于電子流高度密集條件的空間電荷效應(yīng),束流I的增大勢必造成最終束斑尺寸dp的擴(kuò)大,從而影響分析的空間分辨率:

dx=dp+Ds

式中,Ds為電子在樣品內(nèi)的側(cè)向擴(kuò)展,它隨加速電壓和樣品被測區(qū)域的平均原子序數(shù)而異。目前四十六頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

一般采用盡可能低的電壓操作(當(dāng)然至少滿足E0>Ec)才是降低dx的有效措施。因此,在確保有限的dp尺寸條件下盡可能提高束流i,不僅為提高訊號強(qiáng)度所必需,也是完全可能的。通常選用dp=0.5m的束斑,這時(shí)束流i遠(yuǎn)較掃描電鏡高,在10-9~10-7A范圍內(nèi)。目前四十七頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)3、光學(xué)顯微鏡的作用

為了便于選擇和確定分析點(diǎn),電子探針儀的鏡筒內(nèi)裝有與電子束同軸的光學(xué)顯微鏡觀察系統(tǒng)(100~400倍),確保光學(xué)顯微鏡圖象中由垂直交叉線所標(biāo)記的樣品位置恰與電子束轟擊點(diǎn)精確重合。

目前四十八頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)4、樣品室的特殊要求

電子探針定量分析要求在完全相同的條件下,對未知樣品和待分析元素的標(biāo)樣測定特定譜線的強(qiáng)度,樣品臺??赏瑫r(shí)容納多個(gè)樣品座,分別裝置樣品和標(biāo)樣。

一般情況下,電子探針分析要求樣品平面與入射電子束垂直,即保持電子束垂直入射的方向。所以,樣品臺除了可作X、Y軸方向的平移運(yùn)動外,一般不作傾斜運(yùn)動,對于定量分析更是如此。

目前四十九頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)5、定量分析的數(shù)據(jù)處理

利用電子探針儀進(jìn)行微區(qū)成分的定量分析,即把某元素的特征X射線測量強(qiáng)度換算成百分濃度時(shí),涉及X射線信號發(fā)生和發(fā)射過程中的許多物理現(xiàn)象,十分敏感地受到樣品本身化學(xué)成分的影響,需要一整套復(fù)雜的校正計(jì)算。

目前五十頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

對于原子序數(shù)高于10、濃度高于10%左右的元素來說,定量分析的相對精度約為±1%~5%。但對于原子序數(shù)低于10的一些輕元素或超輕元素來說,無論從定性還是定量分析的角度來看,尚有許多方面需要改善和提高。

目前五十一頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)六、電子探針分析的基本原理1、定性分析的基本原理2、定量分析的基本原理目前五十二頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)1.定性分析的基本原理

電子探針除了用電子與試樣相互作用產(chǎn)生的二次電子、背散射電子進(jìn)行形貌觀察外,主要是利用波譜或能譜,測量入射電子與試樣相互作用產(chǎn)生的特征X射線波長與強(qiáng)度,從而對試樣中元素進(jìn)行定性、定量分析。目前五十三頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

由莫塞萊定律:

(K為常數(shù),σ為屏蔽系數(shù))。

如果用X射線波譜儀測量電子激發(fā)試樣所產(chǎn)生的特征X射線波長的種類,即可確定試樣中所存在元素的種類,這就是定性分析的基本原理。

λ=K/(Z-σ)2目前五十四頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)2.定量分析的基本原理

試樣中A元素的相對含量CA與該元素產(chǎn)生的特征X射線的強(qiáng)度IA(X射線計(jì)數(shù))成正比:CA∝IA,如果在相同的電子探針分析條件下,同時(shí)測量試樣和已知成份的標(biāo)樣中A元素的同名X射線(如Kα線)強(qiáng)度,經(jīng)過修正計(jì)算,就可以得出試樣中A元素的相對百分含量CA:CA=KIA/I(A)目前五十五頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)式中CA為某A元素的百分含量,K為常數(shù),根據(jù)不同的修正方法,K可用不同的表達(dá)式表示,IA

和I(A)

分別為試樣中和標(biāo)樣中A元素的特征X射線強(qiáng)度,同樣方法可求出試樣中其它元素的百分含量。CA=KIA/I(A)目前五十六頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)七、電子探針的儀器構(gòu)造

電子探針的主要組成部份為:1.電子光學(xué)系統(tǒng);

2.X射線譜儀系統(tǒng);

3.試樣室;

4.電子計(jì)算機(jī);

5.掃描顯示系統(tǒng);

6.真空系統(tǒng)等。目前五十七頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)目前五十八頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)1.電子光學(xué)系統(tǒng)

電子光學(xué)系統(tǒng)包括電子槍、電磁透鏡、消像散器和掃描線圈等。其功能是產(chǎn)生一定能量的電子束、足夠大的電子束流、盡可能小的電子束直徑,產(chǎn)生一個(gè)穩(wěn)定的X射線激發(fā)源。目前五十九頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)(a)電子槍電子槍是由陰極(燈絲)、柵極和陽極組成。它的主要作用是產(chǎn)生具有一定能量的細(xì)聚焦電子束(探針)。從加熱的鎢燈絲發(fā)射電子,由柵極聚焦和陽極加速后,形成一個(gè)10μm~100μm交叉點(diǎn)。目前六十頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)(b)電磁透鏡

電磁透鏡分會聚透鏡和物鏡,靠近電子槍的透鏡稱會聚透鏡,會聚透鏡一般分兩級,是把電子槍形成的10μm-100μm的交叉點(diǎn)縮小1-100倍后,進(jìn)入試樣上方的物鏡,物鏡可將電子束再縮?。?μm)并聚焦到試樣上。為了擋掉大散射角的雜散電子,使入射到試樣的電子束直徑盡可能小,會聚透鏡和物鏡下方都有光闌。目前六十一頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

用于安裝、交換和移動試樣。試樣可以沿X、Y、Z軸方向移動,有的試樣臺可以傾斜、旋轉(zhuǎn)。現(xiàn)在試樣臺已用光編碼定位,準(zhǔn)確度優(yōu)于1μm,對表面不平的大試樣進(jìn)行元素面分析時(shí),Z軸方向可以自動聚焦。

2.試樣室目前六十二頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

試樣室可以安裝各種探測器,例如二次電子探測器、背散射電子探測器、波譜、能譜、及光學(xué)顯微鏡等。光學(xué)顯微鏡用于觀察試樣(包括熒光觀察),以確定分析部位,利用電子束照射后能發(fā)出熒光的試樣(如Zr02),能觀察入射到試樣上的電子束直徑大小。目前六十三頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)3.X射線譜儀系統(tǒng)

目前六十四頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

4.電子計(jì)算機(jī)

掃描顯示系統(tǒng)是將電子束在試樣表面和觀察圖像的熒光屏(CRT)進(jìn)行同步光柵掃描,把電子束與試樣相互作用產(chǎn)生的二次電子、背散射電子及X射線等信號,經(jīng)過探測器及信號處理系統(tǒng)后,送到CRT顯示圖像或照相紀(jì)錄圖像。以前采集圖像一般為模擬圖像,現(xiàn)在都是數(shù)字圖像,數(shù)字圖像可以進(jìn)行圖像處理和圖像分析。5.掃描顯示系統(tǒng)目前六十五頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)6.真空系統(tǒng)

真空系統(tǒng)是保證電子槍和試樣室有較高的真空度,高真空度能減少電子的能量損失和提高燈絲壽命,并減少了電子光路的污染。真空度一般為0.01Pa-0.001Pa,通常用機(jī)械泵-油擴(kuò)散泵抽真空。油擴(kuò)散泵的殘余油蒸汽在電子束的轟擊下,會分解成碳的沉積物,影響超輕元素的定量分析結(jié)果,特別是對碳的分析影響嚴(yán)重。用液氮冷阱冷卻試樣附近的冷指,或采用無油的渦輪分子泵抽真空,可以減少試樣碳污染。目前六十六頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)1、試樣要求:(a)試樣尺寸所分析的試樣應(yīng)為塊狀或顆粒狀,其最大尺寸要根據(jù)不同儀器的試樣架大小而定。定量分析的試樣要均質(zhì),厚度通常應(yīng)大于5μm。如果試樣均勻,在可能的條件下,試樣應(yīng)盡量小,特別對分析不導(dǎo)電試樣時(shí),小試樣能改善導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性能。八、電子探針的試樣要求及制備目前六十七頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)(b)具有較好的電導(dǎo)和熱導(dǎo)性能

金屬材料一般都有較好的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能,而硅酸鹽材料和其它非金屬材料一般電導(dǎo)和熱導(dǎo)都較差。后者在入射電子的轟擊下將產(chǎn)生電荷積累,造成電子束不穩(wěn)定,圖像模糊,并經(jīng)常放電使分析和圖像觀察無法進(jìn)行。試樣導(dǎo)熱性差還會造成電子束轟擊點(diǎn)的溫度顯著升高,往往使試樣中某些低熔點(diǎn)組份揮發(fā)而影響定量分析準(zhǔn)確度。目前六十八頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

電子束轟擊試樣時(shí),只有0.5%左右的能量轉(zhuǎn)變成X射線,其余能量大部份轉(zhuǎn)換成熱能,熱能使試樣轟擊點(diǎn)溫度升高,Castaing用如下公式表示溫升△T(K):

式中V0(kV)為加速電壓,i(μA)為探針電流,d(μm)為電子束直徑,k為材料熱導(dǎo)率。目前六十九頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)

例如,對于典型金屬(k=1時(shí)),當(dāng)V0=20kV,d=1μm,i=1μA時(shí),△T=96K。對于熱導(dǎo)差的典型晶體,k=0.1,典型的有機(jī)化合物k=0.002。對于熱導(dǎo)差的材料,如K=0.01,V0=30kV,i=0.1μA,d=1μm時(shí),由公式得ΔT=1440K。如果試樣表面鍍上10nm的鋁膜,則ΔT減少到760K。因此,對于硅酸鹽等非金屬材料必須在表面均勻噴鍍一層20nm左右的碳膜、鋁膜或金膜等來增加試樣表面的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能。目前七十頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)(c)試樣表面光滑平整

試樣表面必須拋光,在100倍反光顯微鏡下觀察時(shí),能比較容易地找到50μm×50μm無凹坑或擦痕的分析區(qū)域。因?yàn)閄射線是以一定的角度從試樣表面射出,如果試樣表面凸凹不平,就可能使出射X射線受到不規(guī)則的吸收,降低X射線測量強(qiáng)度。目前七十一頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)試樣表面臺階引起的附加吸收目前七十二頁\總數(shù)八十一頁\編于二點(diǎn)2.試樣制備方法(a)粉體試樣

A、粉體可以直接撒在試樣座的雙面碳導(dǎo)電膠上,用表面平的物體,例如玻璃板壓緊,然后用洗耳球吹去粘結(jié)不牢固的顆粒。當(dāng)顆粒比較大時(shí),例如大于5μm,可以尋找表面盡量平的大顆粒分析。也可以將粗顆

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