半導(dǎo)體制造技術(shù)知到章節(jié)答案智慧樹2023年上海工程技術(shù)大學(xué)

半導(dǎo)體制造技術(shù)知到章節(jié)測試答案智慧樹2023年最新上海工程技術(shù)大學(xué)第一章測試

“摩爾定律”是（）提出的？

參考答案:

1965年

第一個晶體管是（）材料晶體管？

參考答案:

鍺

戈登摩爾是（）科學(xué)家。

參考答案:

美國

第一個集成電路在（）被研制。

參考答案:

1958

（）被稱為中國“芯片之父”。1、

參考答案:

鄧中翰

第二章測試

硅在地殼中的儲量為（）。

參考答案:

第二

脫氧后的沙子主要以（）的形式。

參考答案:

二氧化硅

半導(dǎo)體級硅的純度（）。

參考答案:

99.9999999％

西門子工藝制備得到的硅為單晶硅。（）

參考答案:

錯

一片硅片只有一個定位邊。（）

參考答案:

錯

晶面指數(shù)（m1m2m3）：m1、m2、m3分別為晶面在X、Y、Z軸上截距的倒數(shù)。（）

參考答案:

對

第三章測試

通過薄膜淀積方法生長薄膜不消耗襯底的材料。（）

參考答案:

對

熱氧化法在硅襯底上制備二氧化硅需要消耗硅襯底。（）

參考答案:

對

二氧化硅可以與氫氟酸發(fā)生反應(yīng)。（）

參考答案:

對

薄膜的密度越大，表明致密性越低。（）

參考答案:

錯

電阻率，表征導(dǎo)電能力的參數(shù)，同一種物質(zhì)的電阻率在任何情況下都是不變的。（）

參考答案:

錯

第四章測試

光刻本質(zhì)上是光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)。（）

參考答案:

對

一個透鏡的數(shù)值孔徑越大就能把更少的衍射光會聚到一點。（）

參考答案:

錯

使用正膠進行光刻時，晶片上所得到的圖形與掩膜版圖形相同。（）

參考答案:

對

使用負膠進行光刻時，晶片上得到的圖形與掩膜版上的圖形相反。（）

參考答案:

對

正性光刻膠經(jīng)過曝光后，可以溶解于顯影液。（）

參考答案:

對

負性光刻膠經(jīng)過曝光后，可以溶解于顯影液。（）

參考答案:

錯

第五章測試

刻蝕是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。（）

參考答案:

錯

濕法刻蝕是各向同性腐蝕。（）

參考答案:

對

干法刻蝕有各向同性腐蝕，也有各向異性腐蝕。（）

參考答案:

對

選擇比指在不同刻蝕條件下，刻蝕一種材料對另一種材料的刻蝕速率之比。（）

參考答案:

錯

同一晶體不同晶面的原子鍵密度不一樣，導(dǎo)致刻蝕速率不一樣。（）

參考答案:

對

第六章測試

雜質(zhì)摻雜只能改變半導(dǎo)體的類型，不能改變其電阻率。（）

參考答案:

錯

擴散是一種人為現(xiàn)象，是微觀粒子熱運動的形式，結(jié)果使其濃度趨于均勻。（）

參考答案:

錯

菲克第一擴散定律中的負號代表從高濃度向低濃度運動。（）

參考答案:

對

半導(dǎo)體常用的摻雜方式有擴散和離子注入。（）

參考答案:

對

離子注入摻雜是物理過程。（）

參考答案:

對

第七章測試

選擇比指在同樣的條件下對兩種無圖形覆蓋材料拋光速率的比值。（）

參考答案:

對

尖楔現(xiàn)象是鋁硅接觸時，較多的鋁溶解到硅中形成尖刺的現(xiàn)象。（）

參考答案:

錯

雙大馬士革中采用CMP，銅需要被刻蝕。（）

參考答案:

錯

高溫回流：一般是在高溫下進行，可適用于所有金屬層間介質(zhì)。（）

參考答案:

錯

肖特基接觸在某種條件下可以轉(zhuǎn)變?yōu)闅W姆接觸（高摻雜）。（）

參考答案:

對

第八章測試

物質(zhì)有三種形態(tài)。（）

參考答案:

錯

霜是有水汽直接在地面或近地面的物體上凝華形成的。（）

參考答案:

對

半導(dǎo)體制造工藝中用的氣體可以隨便運輸。（）

參考答案:

錯

工藝腔是指一個受控的常壓環(huán)境。（）

參考答案:

錯

等離子體是不導(dǎo)電的。（）

參考答案:

錯

第九章測試

芯片測試完成時，合格的芯片用墨水標出。（）

參考答案:

錯

芯片成品率等于合格芯片數(shù)占總芯片數(shù)的百分比。（）

參考答案:

對

半導(dǎo)體制造工藝中不同硅片之間測試數(shù)據(jù)差別過大是可以接受的。（）

參考答案:

錯

泊松模型是假設(shè)缺陷密度為