干膜介紹及干膜工藝詳解

干膜介紹及干膜工藝詳解2013-01第一頁(yè)，共四十一頁(yè)。主要內(nèi)容安排：1.干膜介紹及發(fā)展趨勢(shì)2.線路板圖形制作工藝(以SES流程為例)3.基本工藝要求4.各工序注意事項(xiàng)5.常見(jiàn)缺陷圖片及成因6.討論第二頁(yè)，共四十一頁(yè)。1.干膜介紹及發(fā)展趨勢(shì)干膜(DryFilm)的用途：干膜是一種感光材料，是PCB生產(chǎn)中的重要物料，用于線路板圖形的轉(zhuǎn)移制作。近幾年也開(kāi)始廣泛應(yīng)用于選擇性化金、電鍍金工藝。干膜的特性：感光聚合、感光后耐酸不耐堿、不導(dǎo)電，因此可用作抗蝕層或抗電鍍層。第三頁(yè)，共四十一頁(yè)。1.干膜介紹及發(fā)展趨勢(shì)干膜的結(jié)構(gòu)第四頁(yè)，共四十一頁(yè)。

1.干膜介紹及發(fā)展趨勢(shì)

干膜的主要成分:第五頁(yè)，共四十一頁(yè)。1.干膜介紹及發(fā)展趨勢(shì)干膜性能的評(píng)估解晰度附著力蓋孔能力填凹陷能力其他第六頁(yè)，共四十一頁(yè)。1.干膜介紹及發(fā)展趨勢(shì)為了達(dá)到線路板的多層和高密度要求，目前干膜一般解像度要達(dá)到線寬間距（Ｌ/Ｓ）在50/50um。但在半導(dǎo)體包裝（BGA,CSP)上，線路板一般設(shè)計(jì)在

L/S在25-40um。必需要高解像度的干膜（L/S=10/10um）。為了滿(mǎn)足客戶(hù)要求、我們公司目前新型干膜的解像度可達(dá)到L/S=7.5/7.5um。干膜的發(fā)展趨勢(shì)第七頁(yè)，共四十一頁(yè)。1.干膜介紹及發(fā)展趨勢(shì)解晰度測(cè)試:45/45微米SEM:45/45微米第八頁(yè)，共四十一頁(yè)。1.干膜介紹及發(fā)展趨勢(shì)25umDryFilm，L/S=7.5/7.5um第九頁(yè)，共四十一頁(yè)。干膜介紹及發(fā)展趨勢(shì)ASAHI干膜主要型號(hào)及特點(diǎn)干膜型號(hào)厚度(um)特點(diǎn)YQ-40SDYQ-40PN40針對(duì)SES流程具有良好的蓋孔、耐酸性、抗電鍍性能等YQ-30SD30適用于DES流程，主要用于內(nèi)層制作，解析度方面較好YQ-50SD50針對(duì)SES流程具有良好的蓋孔、耐酸性、抗電鍍性能、減少電鍍夾膜問(wèn)題等特點(diǎn)AQ-408840針對(duì)DES流程具有良好的蓋孔、耐酸性、追從性等特點(diǎn),也適用于電鍍流程.SPG-15215適用于生產(chǎn)1.5mil的精細(xì)線路

ADV-40140適合于LDI工藝第十頁(yè)，共四十一頁(yè)。兩種鍍通孔線路板制作的比較貼膜

曝光電鍍銅/錫或錫/鉛蝕板去膜堿性蝕板

脫錫或錫/鉛

基銅玻璃纖維底料曝光原件干膜Tenting制程SES制程研磨全板電鍍銅顯影2.線路板圖形制作工藝第十一頁(yè)，共四十一頁(yè)。SES流程基本工藝基銅玻璃纖維底料全板電鍍銅貼膜曝光曝光原件顯影電鍍銅＋錫或銅＋錫/鉛去膜堿性蝕板脫錫或錫/鉛2.線路板圖形制作工藝第十二頁(yè)，共四十一頁(yè)。SES工藝流程詳細(xì)介紹前處理的作用：去除銅表面的氧化,油污,清潔、粗化銅面，以增大干膜在銅面上的附著力。前處理的種類(lèi)：化學(xué)微蝕、物理磨板、噴砂處理（火山灰、氧化鋁）。典型前處理工藝流程：除油——水洗——磨板——水洗——微蝕——水洗——酸洗——水洗——烘干前處理：第十三頁(yè)，共四十一頁(yè)?；竟に囈笄疤幚硭⑤喣繑?shù):#500～#800刷輪數(shù)量:上下兩對(duì)刷輪（共４支）磨刷電流:+１~2Ａ轉(zhuǎn)速:1800轉(zhuǎn)/分鐘搖擺:300次/分鐘磨痕寬度:10~15mm微蝕量：0.8~1.2um

（一般采用SPS+硫酸或硫酸+雙氧水溶液，生產(chǎn)板要求較高時(shí)則采用超粗化表面處理）酸洗濃度：3~5%硫酸溶液第十四頁(yè)，共四十一頁(yè)?；竟に囈笄疤幚硭?多過(guò)3個(gè)缸(循環(huán)水)噴淋壓力：1-3Kgf/cm2吸干:通常用2支海綿吸水轆烘干:熱風(fēng)吹風(fēng)量為4.0～9.0m3/min熱風(fēng)的溫度為70～90℃

其它控制項(xiàng)目:水裂點(diǎn)：>15s粗糙度1.5<Rz<3.0第十五頁(yè)，共四十一頁(yè)。工序注意事項(xiàng)前處理磨痕寬度均勻一致；各段噴嘴無(wú)堵塞；水洗后表面無(wú)銅顆粒；吸水海綿滾輪干凈、濕潤(rùn)、無(wú)雜物；烘干后表面及孔內(nèi)無(wú)水漬；水破時(shí)間>20秒；每次變更生產(chǎn)板厚度時(shí)要做磨痕測(cè)試。第十六頁(yè)，共四十一頁(yè)。貼膜：貼膜的作用：是將干膜貼在粗化的銅面上。貼膜機(jī)將干膜通過(guò)熱壓轆與銅面附著，同時(shí)撕掉PE膜。SES工藝流程詳細(xì)介紹第十七頁(yè)，共四十一頁(yè)。貼膜基本工藝要求預(yù)熱段溫度：80～100℃貼膜前板面溫度：40～60℃壓轆設(shè)定溫度：110～120℃壓膜時(shí)壓轆溫度：100～115℃貼膜壓力：3.0~5.0kgf/cm2貼膜速度：1.5~2.5m/min貼膜后靜置時(shí)間：15min～24H第十八頁(yè)，共四十一頁(yè)。工序注意事項(xiàng)貼膜貼膜壓轆各處溫度均勻；定期測(cè)定貼膜壓轆的溫度；貼膜上下壓轆要平行；貼膜壓轆上無(wú)油污或膜碎等雜物；清潔壓轆上異物時(shí)不可用尖銳或硬的工具；貼膜不可超出板邊；干膜不可超過(guò)有效期內(nèi)。第十九頁(yè)，共四十一頁(yè)。曝光：曝光的作用是曝光機(jī)的紫外線通過(guò)底片使干膜上部分圖形感光，從而使圖形轉(zhuǎn)移到銅面上。干膜Cu基材底片SES工藝流程詳細(xì)介紹第二十頁(yè)，共四十一頁(yè)。SES工藝流程詳細(xì)介紹

曝光反應(yīng)機(jī)理COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOH單體聚合體主鏈起始劑

COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOH反應(yīng)核心※※※※※※COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOH紫外線聚合反應(yīng)圖形原件干膜層Substrateab曝光單體第二十一頁(yè)，共四十一頁(yè)。曝光基本工藝要求曝光能量：40-80mj/cm2

（以21級(jí)Stoufer格數(shù)尺7～9級(jí)殘膜為準(zhǔn)）曝光后靜置時(shí)間：15min~24H第二十二頁(yè)，共四十一頁(yè)。工序注意事項(xiàng)曝光曝光能量均勻性≥90%；每4H測(cè)定曝光能量；抽真空時(shí)間不能太短，防止曝光不良；曝光臺(tái)面溫度太高會(huì)造成底片變形；板面、底片或曝光臺(tái)面不能有臟點(diǎn)；干膜、底片小心操作，防止劃傷；曝光機(jī)空氣過(guò)濾芯定期清潔或更換。第二十三頁(yè)，共四十一頁(yè)。顯影：SES工藝流程詳細(xì)介紹顯影的作用：將未曝光部分的干膜去掉，留下感光的部分。顯影的原理：未曝光部分的感光材料沒(méi)有發(fā)生聚合反應(yīng)，遇弱堿Na2CO3（0.8-1.2%)或K2CO3溶解。而聚合的感光材料則留在板面上，保護(hù)下面的銅面不被蝕刻藥水溶解。第二十四頁(yè)，共四十一頁(yè)。SES工藝流程詳細(xì)介紹顯影COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHNa2CO3／H2O(乳化)單體聚合體主鏈起始劑Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+COO-COO-COO-COO-COO-COO-COO-顯影ＲーCOOH

＋

Na2CO3

Ｒ－COO-

Na+

＋

NaHCO3H2OH2O顯影反應(yīng)機(jī)理第二十五頁(yè)，共四十一頁(yè)。顯影基本工藝要求Na2CO3濃度：0.8~1.2%顯影液溫度：28~32℃顯影壓力：1.0~2.0kgf/cm2顯影點(diǎn)：50~60％第二十六頁(yè)，共四十一頁(yè)。工序注意事項(xiàng)顯影各段噴嘴不能堵塞；顯影液要定期更換，需要有自動(dòng)添加，保證不能超過(guò)藥水負(fù)載量；各段滾輪上不能有油污等雜物；烘干后板子表面、孔內(nèi)無(wú)水漬。第二十七頁(yè)，共四十一頁(yè)。電鍍銅＋錫/錫鉛:SES工藝流程詳細(xì)介紹電鍍的作用：將我們所需要的圖形處的銅層進(jìn)行加厚，并且在銅面上鍍上一層抗蝕刻層（即錫或錫鉛）。第二十八頁(yè)，共四十一頁(yè)?；竟に囈箅婂冦~＋錫或錫鉛以電鍍供應(yīng)商工藝要求為準(zhǔn)。第二十九頁(yè)，共四十一頁(yè)。去膜：SES工藝流程詳細(xì)介紹去膜的作用：通過(guò)強(qiáng)堿溶液（一般為NaOH溶液，濃度為2-3%）將覆蓋在銅面上抗電鍍的干膜去掉。第三十頁(yè)，共四十一頁(yè)。SES工藝流程詳細(xì)介紹去膜：去膜的原理：COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOCOOCOOCOOCOOCOOCOOCOOHCOOCOOCOO－－－－－－－－－－－Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋去膜NaOH/H2ORelaxation第三十一頁(yè)，共四十一頁(yè)。去膜基本工藝要求去膜液濃度：2.0~3.0%（NaOH濃度）去膜液溫度：45~55℃

去膜壓力：2.0~3.0kgf/cm2水洗壓力：1.0~3.0kgf/cm2去膜點(diǎn)：50~60％第三十二頁(yè)，共四十一頁(yè)。SES工藝流程詳細(xì)介紹蝕刻：蝕刻的作用：用蝕刻液將非線路圖形部分的銅面蝕刻掉，而在錫或錫鉛下的銅則不能被蝕刻。第三十三頁(yè)，共四十一頁(yè)。SES工藝流程詳細(xì)介紹去錫/錫鉛：去錫/錫鉛的作用：用去錫/錫鉛藥液將錫/錫鉛去掉，露出需要的線路。

第三十四頁(yè)，共四十一頁(yè)?；竟に囈笪g刻、去錫/錫鉛以蝕刻藥水和去錫藥水供應(yīng)商工藝要求為準(zhǔn)。第三十五頁(yè)，共四十一頁(yè)。工序注意事項(xiàng)去膜各段噴嘴不能堵塞；去膜液濃度不可超出控制范圍；去膜液要定期更換，需要有自動(dòng)添加，保證不能超過(guò)藥水負(fù)載量；去膜段干膜過(guò)濾系統(tǒng)工作良好，并定期清理膜碎；去膜后水洗干凈，板子表面不能有殘膜；吹干段不能有大量水帶入蝕刻段。第三十六頁(yè)，共四十一頁(yè)。5.常見(jiàn)缺陷圖片及成因短路(劃傷造成)

短路(去膜不凈)短路(銅渣造成)

短路(銅渣造成

短路(銅渣造成)短路(膜下雜物)

短路(膜下銅渣)

短路(銅渣造成)短路(滲鍍)

第三十七頁(yè)，共四十一頁(yè)。5.常見(jiàn)缺陷圖片及成因開(kāi)路(膜碎造成)開(kāi)路(膜碎造成)開(kāi)路(膜碎造成)開(kāi)路(膜碎造成)劃傷,蝕刻後劃傷,蝕刻後

凸起,雜物造成

缺口,膜碎造成

第三十八頁(yè)，共四十一頁(yè)。6.討論第三十九頁(yè)，共四十一頁(yè)。謝謝大家！第四十頁(yè)，共四十一頁(yè)。內(nèi)容總結(jié)干膜介紹及干膜工藝詳解。為了達(dá)到線路板的多層和高密度要求，目前干膜一般解