存儲(chǔ)周期底部漸明AI時(shí)代揭開(kāi)新序章

存儲(chǔ)市場(chǎng)周期復(fù)盤(pán)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)：標(biāo)準(zhǔn)品、大市場(chǎng)及強(qiáng)周期存儲(chǔ)芯片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)程較具備科技宗商屬性以AMRM許重復(fù)的元（itcel組每個(gè)本元一晶體和個(gè)容成晶體用控制電的放電中存電量多可于表“0“1多基本元陣列式制形存陣標(biāo)化度高可代性強(qiáng)具大商的屬存儲(chǔ)芯產(chǎn)易下需周期波影。圖：存儲(chǔ)芯片是最小單元的陣列式復(fù)制，標(biāo)準(zhǔn)化程度

行地址選通位線位線地址線晶體管存電選通格 資料來(lái)源：LamResearch，根據(jù)斷電后數(shù)據(jù)是否丟失，可分為易失性存儲(chǔ)和非易失性存儲(chǔ)兩大類(lèi)。易失性存儲(chǔ)（V）主要隨存RA括態(tài)機(jī)儲(chǔ)RA和態(tài)機(jī)RA其區(qū)在是需周性刷易性V在電數(shù)不會(huì)失要括只讀儲(chǔ)R和存Flsh，中Flh是種快進(jìn)擦操作存器，又為Dlh和RlhNDlh具有量本低度快優(yōu)但不能接行碼NRFlsh容一較小但在芯內(nèi)行碼根據(jù)Cs，RAM和AD是儲(chǔ)份額大兩產(chǎn)，比分達(dá)6和41。圖：存儲(chǔ)芯片分類(lèi) 圖：M和D是存儲(chǔ)中份額最大的兩類(lèi)（202）DRM易失性存儲(chǔ)RMRM斷電后數(shù)據(jù)丟失存儲(chǔ)芯片MKDRM易失性存儲(chǔ)RMRM斷電后數(shù)據(jù)丟失存儲(chǔ)芯片MKROMROMROM非易失性存儲(chǔ)NORFlah斷電后數(shù)據(jù)不丟失FlahNNDFlah他,ADA,資料來(lái)源：恒爍股份招股說(shuō)明書(shū)， 資料來(lái)源：ICInsights，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)間為集成電路第二大細(xì)市場(chǎng)據(jù)TS統(tǒng)計(jì)2021年球集成電市模40美元同長(zhǎng)2其中儲(chǔ)片場(chǎng)規(guī)為18元比長(zhǎng)3于下需疲緣治沖等素TS計(jì)23年球集成路場(chǎng)模為40億元同下降5其中儲(chǔ)片場(chǎng)模16億，同比降1，為6，第大分。圖：全球集成電路和存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模及其增速（億美元）資料來(lái)源：WSTS，相較于其他集成電產(chǎn)存儲(chǔ)芯片市的彈性大通常遵循34年為一個(gè)波動(dòng)周期據(jù)TS數(shù)，球電路分場(chǎng)期有似動(dòng)，其存芯片場(chǎng)彈性更大對(duì)成路的整周性動(dòng)有定的大主因?yàn)閮?chǔ)片的標(biāo)準(zhǔn)程較品替代較格下需求影較敏輪周的場(chǎng)規(guī)模增頂出在1年22開(kāi)出規(guī)下歷經(jīng)來(lái)前或于期底部置伴著大商相開(kāi)減、減本開(kāi)，游AI服需求動(dòng)我們預(yù)存芯市于2023年半觸，將逐改。圖：不同集成電路細(xì)分產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模增速存儲(chǔ)模擬存儲(chǔ)模擬微處理器邏輯集成電路-2%-4%資料來(lái)源：WSTS，我們以市場(chǎng)增速上升見(jiàn)頂?shù)交芈湟?jiàn)底為一輪周期，對(duì)此前存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)三輪周期情況進(jìn)行復(fù)盤(pán)：第一輪周（22此周上主是Pe4s發(fā)后能手需求的而動(dòng)對(duì)AM和D需增大儲(chǔ)商紛終導(dǎo)致市供于，格現(xiàn)下，入行期。第二輪周（016此周上一面安卓機(jī)爭(zhēng)力強(qiáng)并展提升內(nèi)和儲(chǔ)間追戰(zhàn)手C端需有所一面要存廠商如星SK海士光等紛產(chǎn)向DAD而DAM在求振同時(shí)面臨能足于價(jià)上漲周下主是大廠商3DND產(chǎn)C務(wù)器需動(dòng)不，體上大求。第三輪周期（020）：本周于20年，要疫帶的家辦需求，動(dòng)C服器求升另面G終端新為儲(chǔ)游長(zhǎng)開(kāi)了空由于情地緣治突匯波等多面因下需持續(xù)軟，自221存芯價(jià)持續(xù)跌部細(xì)產(chǎn)已經(jīng)破史點(diǎn)我判斷前已經(jīng)近輪期底位置計(jì)23年年周將底升。第輪周期：5年第輪周期：6年第輪周期：202第輪周期：5年第輪周期：6年第輪周期：202年上行周期：智能手機(jī)需求爆發(fā)下行周期：各大廠商擴(kuò)產(chǎn)落地導(dǎo)致供于求

上行周期：1）安卓機(jī)競(jìng)爭(zhēng)加強(qiáng)提升容2向，導(dǎo)致DM產(chǎn)能不足下行周期：3DNN大幅擴(kuò)產(chǎn)，C需求疲軟

上行周期：1）疫情拉動(dòng)C、服務(wù)器需25下行周期：新一輪產(chǎn)能投產(chǎn)，但下游費(fèi)需求疲軟9080706050403020100

212 213 214 215

2%1%1%5%0%5%1%

180160140120100806040200

216 217 218 219

8%6%4%2%0%2%4%

180160140120100806040200

220 221222E

4%3%2%1%0%1%2%市規(guī)（美） 增（軸）資料來(lái)源：WSTS，周期性研究框架：需求催化、資本開(kāi)支及庫(kù)存通過(guò)存芯市周的特分及輪期盤(pán)們結(jié)存芯場(chǎng)周性研究框儲(chǔ)片術(shù)代無(wú)是eeene行技術(shù)升與資期密連且于儲(chǔ)片種需高資開(kāi)對(duì)下需常敏感產(chǎn)而商常要現(xiàn)模才達(dá)盈利標(biāo)因需上時(shí)存廠常會(huì)增資開(kāi)大能以加售若游求不預(yù)市供大于求場(chǎng)價(jià)格束行開(kāi)進(jìn)降價(jià)庫(kù)區(qū)時(shí)儲(chǔ)廠通會(huì)擇動(dòng)減產(chǎn)行逆周投如星但總而市供將以收伴著游回出新的應(yīng)需增，場(chǎng)求關(guān)又逐緩。當(dāng)前們處各存廠商繼減能且由AI服器的量求，催周期提觸們計(jì)3下年場(chǎng)求將恢正下通周期研框架的個(gè)要標(biāo)進(jìn)步佐這判。M制程迭代MoreMore技術(shù)周期More'sLwM制程迭代MoreMore技術(shù)周期More'sLwNDMorethnMore 投資周期規(guī)?；苿?dòng)周期擴(kuò)大產(chǎn)能增加資本開(kāi)支供過(guò)于求供不應(yīng)求逆周期投資降價(jià)去庫(kù)存縮減產(chǎn)能智能手機(jī)個(gè)人電腦服務(wù)器汽車(chē)電子可穿戴設(shè)備信息通訊資料來(lái)源：資本開(kāi)支：周期的瞻標(biāo)存儲(chǔ)片商資開(kāi)增速市規(guī)增有強(qiáng)的關(guān)且資支大下，存儲(chǔ)場(chǎng)逐恢增。圖：存儲(chǔ)廠商的資本開(kāi)支增速與市場(chǎng)規(guī)模增速具有較強(qiáng)的相關(guān)性存儲(chǔ)市場(chǎng)增速APEX存儲(chǔ)市場(chǎng)增速APEX150%100%50%-50%20012001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022E資料來(lái)源：WSTS，Bloomberg，從全存芯龍司2023年資開(kāi)計(jì)看三保逆期資的略與2022年資開(kāi)支平，其幾家宣下調(diào)2023年本支計(jì)，下降較大，們計(jì)場(chǎng)需逐漸復(fù)。公司 3資本開(kāi)支計(jì)劃表：除三星外各大存儲(chǔ)廠商紛紛下調(diào)023公司 3資本開(kāi)支計(jì)劃三星 與2年本開(kāi)持平美光 減少至0億美，同下約%SK海力士 減少超%西部數(shù)據(jù) 減少閃和硬的資開(kāi)支華邦 減少至1億新幣，比降%南亞科 減少至5億新幣，比降%資料來(lái)源：各公司公告，庫(kù)存：周期的節(jié)奏斷庫(kù)存以為個(gè)期奏判的標(biāo)市在過(guò)于之存位持續(xù)升后通過(guò)價(jià)減等式庫(kù)存位會(huì)漸復(fù)相對(duì)常水三家的貨來(lái)看三和SK海士存貨速已見(jiàn)始轉(zhuǎn)下美的仍保增但在其Y2說(shuō)上司表，戶(hù)庫(kù)已開(kāi)始降公計(jì)DO在2經(jīng)達(dá)到峰，來(lái)逐開(kāi)下降。圖：222年三大存儲(chǔ)廠商庫(kù)存水位均有所提升 圖1：K海力士和三星的存貨增速已見(jiàn)頂光 SK海力士 光 SK海力士 ,0,0,0,00

美光 SK海力士 三星資料來(lái)源：Bloomberg，（注：美光FQ2財(cái)季為12月至年2，為較不公司存，將光數(shù)前置個(gè)季）

資料來(lái)源：Bloomberg，（注：美光FQ2財(cái)季為12月至年2，為較不公司存，將光數(shù)前置個(gè)季）供需研判當(dāng)前趨勢(shì)需求端：AI大時(shí)代帶來(lái)存儲(chǔ)芯片新需求智能手機(jī)服務(wù)器和C是存儲(chǔ)芯片的主要求源根華產(chǎn)研統(tǒng)計(jì)從RAM來(lái)能手的求最比達(dá)9服器和C之占分為34和3。ND的一需來(lái)也是能機(jī)占為，次PCD和級(jí)D額分達(dá)8和18中企級(jí)SD主應(yīng)高性計(jì)邊計(jì)高端數(shù)據(jù)中等種業(yè)場(chǎng)中的SD產(chǎn)。圖1：M下游應(yīng)用份額（202） 圖1：D下游應(yīng)用份額（202）智能手服務(wù)器其他

智能手機(jī)CS企業(yè)資料來(lái)源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院， 資料來(lái)源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，智能手機(jī)和C端單機(jī)容量仍有提升空間。球智手和C的量提動(dòng)不足是能和C升級(jí)代升量格趨勢(shì)變單容仍定提空。以智手為24全球能機(jī)RM單機(jī)量有1BD均機(jī)容量，到20別提至4B和1B。圖1：智能手機(jī)M平均單機(jī)容量() 圖1：智能手機(jī)D平均單機(jī)容量(.3..3.8.2.5.4.8.44 321 04 5 6 7 8 9

04 5 6 7 8 9 資料來(lái)源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院， 資料來(lái)源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，AI服務(wù)器對(duì)DAM和ND均有更高的求，AI有望成為存儲(chǔ)需求期長(zhǎng)的強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)力由AI布的PT開(kāi)了AI大潮代各廠相開(kāi)推出模產(chǎn)品，模的練部需要量的AI算芯供支，樣量數(shù)集傳和存也對(duì)力出更的求在AI服器應(yīng)存儲(chǔ)片要括高存儲(chǔ)HBRAM和S對(duì)AI服務(wù)的作景要供更的高能更的遲和更的應(yīng)度。圖1：I服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)芯片提出了更高要求，也帶來(lái)了更大需求DDM&LExpander更大容量Accelatr+HBMGPGPA、AIC更容、性能資料來(lái)源：Samsung，高帶存器ihBihyB是三AD和K士發(fā)的種基于D堆工的能A過(guò)加展存量讓的模更的參數(shù)在核計(jì)更的地方從減內(nèi)存儲(chǔ)決案來(lái)延適用高儲(chǔ)器帶需的用合從技角看BM使RAM從傳統(tǒng)2D轉(zhuǎn)為體3，分利用間縮面，合半體業(yè)型、成化發(fā)趨。HBM首先將RMie疊起，后用SV術(shù)，在RAM片搭數(shù)千微孔并過(guò)直通電連接下片憑借SV方式BM大幅高量和據(jù)輸速率堆好的RMe與U一封裝過(guò)硅介里觸實(shí)連接最在底層上裝板以NDA0為顆U要B顯在U附近會(huì)置5顆B3。圖1：M是一種基于3D堆疊工藝的M內(nèi)存芯片 圖1：相比于，M有更好的性能、更小的體積資料來(lái)源：AMD， 資料來(lái)源：AMD，根據(jù)美光測(cè)算，AI服務(wù)中RAM數(shù)量是傳統(tǒng)服器的8倍，D是傳統(tǒng)的3倍。這一輪AI浪實(shí)動(dòng)了儲(chǔ)片需量根據(jù)Foe測(cè)023年SrRAM的元貨重超過(guò)leDAM成第一需增，比達(dá)3外，模龐的據(jù)也需更容的ND儲(chǔ)存據(jù)P3的就1750億，P4預(yù)要更數(shù)。圖1：everM和obleM位元產(chǎn)出比重 圖1：3的參數(shù)量達(dá)到750億個(gè)資料來(lái)源：TrendForce， 資料來(lái)源：NVIDIA，以英在3年C大會(huì)新布為模設(shè)的AI服器VDADX0為例，臺(tái)務(wù)里置8顆H0，每顆PU需要B顯，用B2e或H（B的案則顆U需要5顆M與相應(yīng)外DX0服務(wù)器還要TB系內(nèi)2條TB的SD及8條TB的S我們預(yù)計(jì)隨著各大廠商相繼推出模平臺(tái)對(duì)AI服務(wù)器的需與之快速增長(zhǎng)也將有強(qiáng)勁拉動(dòng)存芯片朝著更大容量更性能方向演進(jìn)，成存市場(chǎng)長(zhǎng)期增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)。表：NVIDIADXH100的存儲(chǔ)容量GPU xIA0TesresGPUmory GBSmmmory TBSorge OS:x.BVMeM.2Inrnlorge x.TBVMe.2資料來(lái)源：NVIDIA，供給端：龍頭廠商開(kāi)啟實(shí)質(zhì)性減產(chǎn)，下半年有望出現(xiàn)供需反轉(zhuǎn)通用市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局中大陸存儲(chǔ)廠商發(fā)力基場(chǎng)從球儲(chǔ)片競(jìng)爭(zhēng)局看，RM場(chǎng)度中，3美收爾達(dá)逐漸星K士和光足鼎立格據(jù)Sisa數(shù)據(jù)23星SK力士美的場(chǎng)額別為、2和R3達(dá)9。ND的度保較水，五玩家別三星、俠西數(shù)SK海力和光據(jù)SsaC5為%于通型儲(chǔ)芯片較的術(shù)壘高額資開(kāi)，陸儲(chǔ)廠主發(fā)在基市場(chǎng)。圖2：M市場(chǎng)形成三星、K海力士和美光三足鼎立格局 圖2：D市場(chǎng)份額集中度不斷提升資料來(lái)源：Statista， 資料來(lái)源：Statista，海外存儲(chǔ)龍頭廠商啟質(zhì)減產(chǎn)，下半年望現(xiàn)供需反轉(zhuǎn)。從1開(kāi)啟本存儲(chǔ)周下區(qū)場(chǎng)出現(xiàn)著滑主存商業(yè)均現(xiàn)著滑至大虧。由于儲(chǔ)場(chǎng)爭(zhēng)局中頭商整能市場(chǎng)給況善果著此免市場(chǎng)格持跌存大廠選通降產(chǎn)利用的式解求況過(guò)各大存廠最產(chǎn)規(guī)方案以現(xiàn)各原已經(jīng)啟質(zhì)減們計(jì)23年下半供情或趨平衡伴需提有出現(xiàn)轉(zhuǎn)。公司 產(chǎn)能規(guī)劃表：各大存儲(chǔ)廠商紛紛宣布公司 產(chǎn)能規(guī)劃美光 除βM和2層AD，進(jìn)一減少他晶產(chǎn)能目已減約SK海力士

FY2績(jī)會(huì)將投規(guī)模減去年一以上經(jīng)營(yíng)調(diào)，對(duì)/P5、BM3主打品和來(lái)產(chǎn)持進(jìn)行投資鎧俠 將旗下于日的座AD工廠從0月開(kāi)晶圓量減約西部數(shù)據(jù)

Q4業(yè)績(jī)：布ADlash晶圓產(chǎn)將少，將延下座AD廠的建廠時(shí)間華邦 減產(chǎn)約%旺宏 Q4減產(chǎn)%資料來(lái)源：各公司官網(wǎng)，價(jià)格端：跌幅逐漸收窄，232或見(jiàn)價(jià)格拐點(diǎn)RAM價(jià)格跌破歷史，ND價(jià)格相對(duì)堅(jiān)挺根據(jù)RAeche據(jù)，輪期存儲(chǔ)場(chǎng)格從21下半開(kāi)下區(qū)，到2023年季已連跌將兩，RM現(xiàn)貨價(jià)格及合格均已到達(dá)歷史谷底，分產(chǎn)品價(jià)格跌破歷史最價(jià)，我們預(yù)RM格幅跌持續(xù)段間但行力較。較言AD價(jià)格幅度較小但體保下，我計(jì)D格望比RM早到。圖2：M現(xiàn)貨價(jià)變化趨勢(shì)（美元） 圖2：M合約價(jià)變化趨勢(shì)（美元）資料來(lái)源：DRAMeXchange， 資料來(lái)源：DRAMeXchange，圖2：D現(xiàn)貨價(jià)變化趨勢(shì)（美元） 圖2：D合約價(jià)變化趨勢(shì)（美元）.0.0.0.0.0.0.02013201306201312201406201412201506201512201606201612201706201712201806201812201906201912202006202012202106202112202206202212

MCNND4b MCNND2b

.0.0.0.0.0.0.0

MCNND4b MCNND2b資料來(lái)源：DRAMeXchange， 資料來(lái)源：DRAMeXchange，22價(jià)格跌幅有望窄2H2或見(jiàn)價(jià)格拐據(jù)Foe據(jù)1RAM價(jià)格近20ND價(jià)格為10在當(dāng)時(shí)大廠續(xù)進(jìn)減，供需系漸計(jì)2價(jià)跌將所窄RAM價(jià)收至0AD價(jià)格至我預(yù)計(jì)H2或見(jiàn)存價(jià)的拐點(diǎn)，I新需求有望推動(dòng)存儲(chǔ)周期復(fù)蘇。QE QF表：各類(lèi)DQE QFPCMSvrM

:n~%:n~%BledS:n:n~%:n~%BledS:n

:n~%:nBledS:n~%:n~%:n~%BledS:n~%MoileMn~%n~%icsAMn~%n~%smerMn~%n~%TotlMdown~%down~%資料來(lái)源：TrendForce，QE QF表：各類(lèi)QE QFMMCS n~%

csmernmoilen~%EtiseSD n~% n~%litSSD n~% n~%DADTLC&Q)

n~% motlylatTotlDlh down~% down~%資料來(lái)源：TrendForce，投資建議存儲(chǔ)片場(chǎng)有強(qiáng)周期性從場(chǎng)格看管有定下趨勢(shì)但下探壓較一大存廠相實(shí)性產(chǎn)調(diào)本支加去庫(kù)方面CPT催化AI潮時(shí)帶存芯新需求量我判存芯片格近周期部置預(yù)于2023年半見(jiàn)，即將來(lái)暖。NNDDM圖2：主流存儲(chǔ)市場(chǎng)和利基型市場(chǎng)主要參與者NNDDM 主流市場(chǎng) DDM4SRMSRM 利基市場(chǎng)

NNNDSL、以下MLLROMNOR ROMNOR資料來(lái)源：各公司官網(wǎng)，（注：根據(jù)各公司公告產(chǎn)品不完全統(tǒng)計(jì)）在本周或觸回的驅(qū)下我看細(xì)領(lǐng)域強(qiáng)爭(zhēng)力公司建注兆易NRLDAM、京車(chē)載A車(chē)載A）、芯份（LARDA、普股NREM）恒股份N）。兆易創(chuàng)新：ORFlash市場(chǎng)龍頭，RAM快速提升兆易新內(nèi)NRlh龍公主業(yè)括存芯U傳器其存儲(chǔ)芯片1收占為4為司主的來(lái)司儲(chǔ)品括NRF、NDlsh和A根據(jù)司告1年司NRlsh市排球第名是國(guó)灣華電和旺電司5列PINRlh容量蓋場(chǎng)需求容范從b到車(chē)級(jí)NR蓋b容量公司RAM產(chǎn)與合肥鑫度作公關(guān)日關(guān)聯(lián)預(yù)計(jì)度公計(jì)1長(zhǎng)的自研購(gòu)達(dá)8億，已近2年，公正速局RM產(chǎn)品。圖2：兆易創(chuàng)新三條產(chǎn)品線收入情況（億元） 圖2：兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)產(chǎn)品線片片 MCU .1.3.6.6.9.5.4.5.0.0.35.46208 9 0 資料來(lái)源：， 資料來(lái)源：公司公告，表：預(yù)計(jì)23H1向長(zhǎng)鑫的自研采購(gòu)金額接近2全年水平預(yù)計(jì)金額億元)實(shí)際金額億元)代銷(xiāo).8.32 自研.6.1合計(jì).4.4代銷(xiāo).7-1 自研.8-合計(jì).5-資料來(lái)：公公告信達(dá)券發(fā)中心北京君正：并購(gòu)ISSI成為車(chē)載AM龍頭北京于20年購(gòu)SS快切存芯域司營(yíng)務(wù)括儲(chǔ)芯能視頻擬互片及處器存儲(chǔ)片2收比達(dá)公司主收來(lái)。司存芯為ARM和lh大，主面汽車(chē)業(yè)療行市及高消類(lèi)場(chǎng)2年司規(guī)AM和規(guī)AM在全球規(guī)分場(chǎng)名前茅規(guī)lh片市場(chǎng)比現(xiàn)大增長(zhǎng)。圖2：北京君正四條產(chǎn)品線收入情況（億元） 圖3：汽車(chē)平均M用量（B）片智視芯片模與聯(lián)片微理芯片..5.4.5.9.5.9.7..7.4.9..9.9.7496.08 9

資料來(lái)源：， 資料來(lái)源：TrendForce，東芯股份：聚焦中小型存儲(chǔ)，利基存儲(chǔ)平臺(tái)型公司東芯份品布全可同提供ADRDAP產(chǎn)21條產(chǎn)線入比