太陽能電池制造工藝課程課件

太陽能電池制造工藝主要內(nèi)容硅太陽能電池工作原理太陽能電池硅材料硅太陽能電池制造工藝4.提高太陽能電池效率的途經(jīng)5.高效太陽能電池材料6.高效太陽能電池結(jié)構(gòu)一、硅太陽能電池工作原理

太陽能是人類取之不盡用之不竭的可再生能源。也是清潔能源，不產(chǎn)生任何的環(huán)境污染。在太陽能的有效利用中；大陽能光電利用是近些年來發(fā)展最快，最具活力的研究領(lǐng)域，是其中最受矚目的項(xiàng)目之一。

制作太陽能電池主要是以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)，其工作原理是利用光電材料吸收光能后發(fā)生內(nèi)光電效應(yīng)，將光能轉(zhuǎn)換為電能。根據(jù)所用材料的不同，太陽能電池可分為：硅基太陽能電池和薄膜電池，本章主要講硅基太陽能電池。太陽能電池發(fā)電的原理主要是半導(dǎo)體的內(nèi)光電效應(yīng)，一般的半導(dǎo)體主要結(jié)構(gòu)如下：圖中，正電荷表示硅原子，負(fù)電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個(gè)電子。

1．硅太陽能電池工作原理與結(jié)構(gòu)

當(dāng)硅晶體中摻入其他的雜質(zhì)，如硼、磷等，當(dāng)摻入硼時(shí)，硅晶體中就會(huì)存在著一個(gè)空穴，它的形成可以參照下圖：

圖中，正電荷表示硅原子，負(fù)電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個(gè)電子。而黃色的表示摻入的硼原子，因?yàn)榕鹪又車挥?個(gè)電子，所以就會(huì)產(chǎn)生入圖所示的藍(lán)色的空穴，這個(gè)空穴因?yàn)闆]有電子而變得很不穩(wěn)定，容易吸收電子而中和，形成P型半導(dǎo)體。

同樣，摻入磷原子以后，因?yàn)榱自佑形鍌€(gè)電子，所以就會(huì)有一個(gè)電子變得非?；钴S，形成N型半導(dǎo)體。黃色的為磷原子核，紅色的為多余的電子。如下圖。

當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體材料結(jié)合時(shí)，P型（N型）材料中的空穴（電子）向N型（P型）材料這邊擴(kuò)散，擴(kuò)散的結(jié)果使得結(jié)合區(qū)形成一個(gè)勢(shì)壘，由此而產(chǎn)生的內(nèi)電場(chǎng)將阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的繼續(xù)進(jìn)行，當(dāng)兩者達(dá)到平衡時(shí)，在PN結(jié)兩側(cè)形成一個(gè)耗盡區(qū)。PN結(jié)的形成及工作原理

零偏負(fù)偏正偏

當(dāng)PN結(jié)反偏時(shí)，外加電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向一致，耗盡區(qū)在外電場(chǎng)作用下變寬，使勢(shì)壘加強(qiáng)；當(dāng)PN結(jié)正偏時(shí)，外加電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相反，耗盡區(qū)在外加電場(chǎng)作用下變窄，勢(shì)壘削弱。當(dāng)光電池用作光電轉(zhuǎn)換器時(shí)，必須處于零偏或反偏狀態(tài)。

硅光電池是一個(gè)大面積的光電二極管，它可把入射到它表面的光能轉(zhuǎn)化為電能。當(dāng)有光照時(shí)，入射光子將把處于介帶中的束縛電子激發(fā)到導(dǎo)帶(光生伏特效應(yīng)），激發(fā)出的電子空穴對(duì)在內(nèi)電場(chǎng)作用下分別漂移到N型區(qū)和P型區(qū)，當(dāng)在PN結(jié)兩端加負(fù)載時(shí)就有一光生電流流過負(fù)載。光電池結(jié)構(gòu)示意圖半導(dǎo)體的內(nèi)光電效應(yīng)

當(dāng)光照射到半導(dǎo)體上時(shí)，光子將能量提供給電子，電子將躍遷到更高的能態(tài)，在這些電子中，作為實(shí)際使用的光電器件里可利用的電子有：

（1）價(jià)帶電子；（2）自由電子或空穴（FreeCarrier）；（3）存在于雜質(zhì)能級(jí)上的電子。

太陽電池可利用的電子主要是價(jià)帶電子。由價(jià)帶電子得到光的能量躍遷到導(dǎo)帶的過程決定的光的吸收稱為本征或固有吸收。

太陽電池是將太陽能直接轉(zhuǎn)換成電能的器件。它的基本構(gòu)造是由半導(dǎo)體的PN結(jié)組成。此外，異質(zhì)結(jié)、肖特基勢(shì)壘等也可以得到較好的光電轉(zhuǎn)換效率。

太陽電池能量轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)是結(jié)的光生伏特效應(yīng)。當(dāng)光照射到p－n結(jié)上時(shí)，產(chǎn)生電子一空穴對(duì)，在半導(dǎo)體內(nèi)部結(jié)附近生成的載流子沒有被復(fù)合而到達(dá)空間電荷區(qū)，受內(nèi)建電場(chǎng)的吸引，電子流入n區(qū)，空穴流入p區(qū)，結(jié)果使n區(qū)儲(chǔ)存了過剩的電子，p區(qū)有過剩的空穴。它們?cè)趐n結(jié)附近形成與勢(shì)壘方向相反的光生電場(chǎng)。光生電場(chǎng)除了部分抵消勢(shì)壘電場(chǎng)的作用外，還使p區(qū)帶正電，N區(qū)帶負(fù)電，在N區(qū)和P區(qū)之間的薄層就產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，這就是光生伏特效應(yīng)。此時(shí)，如果將外電路短路，則外電路中就有與入射光能量成正比的光電流流過，這個(gè)電流稱作短路電流；若將PN結(jié)兩端開路，則由于電子和空穴分別流入N區(qū)和P區(qū)，使N區(qū)的費(fèi)米能級(jí)比P區(qū)的費(fèi)米能級(jí)高，在這兩個(gè)費(fèi)米能級(jí)之間就產(chǎn)生了電位差VOC?？梢詼y(cè)得這個(gè)值，并稱為開路電壓。由于此時(shí)結(jié)處于正向偏置，因此，上述短路光電流和二極管的正向電流相等，并由此可以決定VOC的值。光生伏特效應(yīng)

當(dāng)晶片受光后，PN結(jié)中，N型半導(dǎo)體的空穴往P型區(qū)移動(dòng)，而P型區(qū)中的電子往N型區(qū)移動(dòng)，從而形成從N型區(qū)到P型區(qū)的電流。然后在PN結(jié)中形成電勢(shì)差，這就形成了電源。硅太陽能電池結(jié)構(gòu)

另外硅表面非常光亮，會(huì)反射掉大量的太陽光，不能被電池利用。為此，科學(xué)家們給它涂上了一層反射系數(shù)非常小的保護(hù)膜（如圖），實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)基本都是用化學(xué)氣相沉積沉積一層氮化硅膜，厚度在1000埃左右。將反射損失減小到5％甚至更小。一個(gè)電池所能提供的電流和電壓畢竟有限，于是人們又將很多電池（通常是36個(gè)）并聯(lián)或串聯(lián)起來使用，形成太陽能光電板。

由于半導(dǎo)體不是電的良導(dǎo)體，電子在通過p－n結(jié)后如果在半導(dǎo)體中流動(dòng)，電阻非常大，損耗也就非常大。但如果在上層全部涂上金屬，陽光就不能通過，電流就不能產(chǎn)生，因此一般用金屬網(wǎng)格覆蓋p－n結(jié)（如圖梳狀電極），以增加入射光的面積。

梳狀電極和抗反膜

二．太陽能電池的硅材料

通常的晶體硅太陽能電池是在厚度300～350μm的高質(zhì)量硅片上制成的，這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上，將單晶硅棒切成片，一般片厚約0.4～0.45毫米。硅片經(jīng)過切、拋、磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。太陽能硅的雜質(zhì)濃度較高，一般要求5個(gè)9的純度（99.999％），比集成電路用的單晶硅（純度要求7－8個(gè)9）要求低得多。太陽能硅常用0.3~2Ω?cm的P型（100）單晶硅片。

制造太陽電池片，首先要對(duì)經(jīng)過清洗的硅片，在高溫石英管擴(kuò)散爐對(duì)硅片表面作擴(kuò)散摻雜，一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。目的是在硅片上形成P/N結(jié)。然后采用絲網(wǎng)印刷法，用精配好的銀漿印在硅片上做成柵線，經(jīng)過燒結(jié)，同時(shí)制成背電極，并在有柵線的面涂覆減反射膜，單晶硅太陽電池的單體片就制成了。單體片經(jīng)過檢測(cè)，即可按所需要的規(guī)格組裝成太陽電池組件（太陽電池板），用串聯(lián)和并聯(lián)的方法構(gòu)成一定的輸出電壓和電流。最后用框架和裝材料進(jìn)行封裝，組成各種大小不同太陽電池陣列。目前大規(guī)模生產(chǎn)的單晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率為14～15％左右，實(shí)驗(yàn)室成果也有20％以上的。常州天和光能和無錫尚德的轉(zhuǎn)換效率在14.5％，常州盛世太陽能公司有90％可做到16.2％以上。三、硅太陽能電池制造工藝

硅太陽能電池制造工藝硅太陽能電池制造工藝主要包括：1.去除損傷層

2.表面絨面化

3.發(fā)射區(qū)擴(kuò)散4.邊緣結(jié)刻蝕

5.PECDV沉積SiN

6.絲網(wǎng)印刷正背面電極漿料

7.共燒形成金屬接觸

8.電池片測(cè)試。表面絨面化

由于硅片用P型（100）硅片，可利用氫氧化鈉溶液對(duì)單晶硅片進(jìn)行各向異性腐蝕的特點(diǎn)來制備絨面。當(dāng)各向異性因子>10時(shí)（所謂各向異性因子就是（100）面與（111）面單晶硅腐蝕速率之比），可以得到整齊均勻的金字塔形的角錐體組成的絨面。絨面具有受光面積大，反射率低的特點(diǎn)。可提高單晶硅太陽電池的短路電流，從而提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。金字塔形角錐體的表面積S0等于四個(gè)邊長(zhǎng)為a正三角形S之和

由此可見有絨面的受光面積比光面提高了倍即1.732倍。絨面受光面積當(dāng)一政束強(qiáng)丑度為種E0付的光現(xiàn)投射能到圖毯中的童A點(diǎn)示，產(chǎn)添生反享射光旦Φ1和進(jìn)娛入硅獨(dú)中的棗折射廚光Φ2。反斃射光延Φ1可以賣繼續(xù)且投射鋤到另旅一方區(qū)錐的鑰B點(diǎn)新，產(chǎn)樣生二抽次反蟻射光費(fèi)Φ3和進(jìn)顫入半訴導(dǎo)體患的折驅(qū)射光寺Φ4；而增對(duì)光冬面電軋池就綢不產(chǎn)倘生這仙第二壁次的央入射座。經(jīng)妄計(jì)算罩可知約還有散11禾%的捕二次扔反射脅光可渠能進(jìn)中行第晨三次楊反射熔和折塞射，尚由此商可算疏得絨驢面的佩反射墻率為廣9.愈04身%。絨面丈反射童率由于匙原始信硅片酸采用模P型財(cái)硅，谷發(fā)射鉤區(qū)擴(kuò)擁散一色般采獨(dú)用三幟氯氧浴磷氣渠體攜今帶源考方式千，這元個(gè)工爐藝的遞特點(diǎn)譯是生叉產(chǎn)高窯，有順利于蠅降低彈成本椅。目蕉前大蒼型的雙太陽雖能廠繩家一循般用榮8吋丙硅片糊擴(kuò)散歐爐、施石英畢管口驚徑達(dá)絕27叫0m談m，近可以甜擴(kuò)散著15呼6×聽15秤6（臘mm怒）的廈硅片茶。由于頸石英遮管口膨徑大蒜，恒窯溫區(qū)丈長(zhǎng)，玻提高姿了擴(kuò)交散薄禾層電辦阻均奏勻性稻；因粱為采和用磷窩擴(kuò)散周，可漂以實(shí)需現(xiàn)高筋濃度藏的摻呈雜，鎮(zhèn)有利帽于降果低太型陽電棕池的怨串聯(lián)雞電阻鑄Rs繭，從壘而了考提高銀太陽抗電池非填充妥因子膛FF流。擴(kuò)艷散條潔件為繼88磨0oC，10河分，摧得到問的P扛-N疤結(jié)深估約0侵.1謙5m稻。發(fā)射陶區(qū)擴(kuò)此散Si款N鈍勒化與撫AP覽CV適D淀雀積T追iO2先期按的地網(wǎng)面用楚高效章單晶僻硅太存陽電縫池一招般采芒用鈍佩化發(fā)袍射區(qū)伍太陽掘電池竄(P覆ES敢C)側(cè)工藝然。擴(kuò)撒散后黨，在為去除膚磷硅線玻璃粥的硅輔片上獨(dú),熱敞氧化鞭生長(zhǎng)獲一層10嫩nm與~2轎5n膠m厚S掠iO2,使終表面乎層非巾晶化敵,改除變了漢表面復(fù)層硅事原子珠價(jià)鍵禍?zhǔn)鋵捛闆r貪,使址表面嚇趨于夕穩(wěn)定亮,這斬樣減匯少了泉發(fā)射什區(qū)表嘴面復(fù)旺合,的提高踩了太因陽電交池對(duì)吵藍(lán)光曠的響懸應(yīng),涼同時(shí)燭也增炎加了陷短路該電流脖密度較Js每c,跡由于求減少似了發(fā)倚射區(qū)干表面齊復(fù)合膜,這寧樣也貼就減畜少了幻玉反向央飽和械電流謎密度許,從饑而提罪高了否太陽旦電池笛開路勿電壓耍Vo側(cè)c。搖還有吧如果戀?zèng)]有蜻這層讓Si每N,累直接敞淀積襯Ti房誠(chéng)O2薄膜床,硅添表面抓會(huì)出冰現(xiàn)陷痰阱型幕的滯連后現(xiàn)跳象導(dǎo)過致太采陽電豈池短玩路電康流衰沫減,浸一般壁會(huì)衰煩減8宅%左榴右,傳從而厭降低柴光電兇轉(zhuǎn)換旦效率狡。故怖要先晉生長(zhǎng)萍Si專N鈍膀化再長(zhǎng)生長(zhǎng)類Ti繁O(jiān)2減反杏射膜騙。肝T控iO2減反淘射膜滿是用鋒AP會(huì)CV緣瑞D設(shè)污備生俗長(zhǎng)的歪,它陸通過臨鈦酸咬異丙謎脂與液純水政產(chǎn)生遷水解手反應(yīng)巷來生屢長(zhǎng)T碌iO2薄膜潛。多晶堤硅太窗陽電堤池廣林泛使即用P初EC廁VD征淀積貧Si屢N棵,由裂于P脫EC辛VD剛淀積篩Si個(gè)N時(shí)悅,不驗(yàn)光是極生長(zhǎng)氧Si毀N作忍為減已反射倡膜,菠同時(shí)歷生成五了大拾量的地原子凍氫,苦這些微氫原當(dāng)子能耽對(duì)多考晶硅川片具錘有表創(chuàng)面鈍柏化和般體鈍嘗化的低雙重冒作用截,可么用于不大批游量生衰產(chǎn)高券效多饅晶硅未太陽占電池巧,為京上世鑼紀(jì)末洲多晶窯硅太甜陽電罷池的谷產(chǎn)量擔(dān)超過腐單晶傭硅太起陽電柄池立源下汗格馬功虛勞。巨隨著鏈PE芝CV看D在護(hù)多晶鉗硅太邁陽電途池成焰功,匯引起鐵人們被將P許EC兔VD仍用于農(nóng)單晶批硅太針陽電腔池作惜表面檢鈍化橋的愿亂望。企由于珠生成講的氮驅(qū)化硅洲薄膜于含有粱大量查的氫奶,可趙以很奪好的峰鈍化較硅中鑄的表哲面懸鼓掛鍵柱，從利而提私高了常載流浙子遷讓移率熄，一占般要管提高腹20節(jié)%左典右，買同時(shí)東由于渴Si小N薄拼膜對(duì)孩單晶蹤蝶硅表蠅面有比非常尿明顯哭的鈍航化作魄用。拳經(jīng)驗(yàn)倆顯示花，用認(rèn)PE棵CV挪D脹Si病N作盲為減牧反膜竿的單撓晶硅罩太陽喚電池幻玉效率愛高于發(fā)傳統(tǒng)徑的A畜PC鮮VD祖T亂iO2作減即反膜詢單晶蠅硅太店陽電征池。敗Si宗N減住反膜配的厚板度約帆75nm，折臨射率打可高寸到2合.1戀（富俗硅）宇。PE問CV燦D淀限積S濃iN晶體究硅太兵陽電伴池要刺通過蘿三次改印刷洋金屬拾漿料蘭，傳辟統(tǒng)工悠藝要疊用二肺次燒御結(jié)才鍵能形遠(yuǎn)成良箱好的槐帶有赤金屬忌電極鐵歐姆顛接觸銅，共燒皮工藝突只需舅一次倉燒結(jié)抽，同語時(shí)形貪成上假下電走極的標(biāo)歐姆株接觸暖，是駱高效俯晶體炎硅太恰陽能巖電池鮮的一搬項(xiàng)重父要關(guān)替鍵工杜藝。該茶工藝劃的基箭礎(chǔ)理園論來間自合垂金法鑼制P前-N蹲結(jié)工患藝。犯當(dāng)電仙極金塵屬材令料和醫(yī)半導(dǎo)俊體單館晶硅留在溫竹度達(dá)揮到共臟晶溫戶度時(shí)膚，單呢晶硅側(cè)原子役按相牢圖以程一定腸的比甘例量漏溶入日到熔傅融的川合金亦電極愧材料贏。單鉆晶硅囑原子仆溶入牢到電足極金卸屬中希的整映個(gè)過變程相疾當(dāng)快金，一并般只里需幾乎秒鐘綢。溶岡入的軍單晶恩硅原府子數(shù)宿目決哨定于雹合金女溫度北和電可極材兵料的穩(wěn)體積堤，燒示結(jié)合刪金溫存度愈暮高，郊電極饒金屬揚(yáng)材料陶體積皮愈大乒，則貧溶入盞的硅動(dòng)原子簽數(shù)目辯也愈拿多，璃這時(shí)脆狀態(tài)犬被稱器為晶莊體電霸極金爹屬的法合金葵系統(tǒng)叨。如朋果此章時(shí)溫賽度降艘低，坊系統(tǒng)贏開始絡(luò)冷卻貸，原潑先溶托入到劍電極耐金屬棕材料猜中的遵硅原儀子重愿新以中固態(tài)拋形式就結(jié)晶衰出來籠，在微金屬狐和晶似體接擋觸界桿面上櫻生長(zhǎng)烈出一末層外瓶延層脖。如夸果外紋延層芝內(nèi)含股有足餡夠量嶼的與辣原先廟晶體上材料健導(dǎo)電昨類型藍(lán)相同老雜質(zhì)挖成份窩，就君獲得口了用四合金旦法工逐藝形池成的醋歐姆草接觸剝；如強(qiáng)果再眉結(jié)晶遺層內(nèi)董含有隱足夠氧量的粱與原輪先晶畏體材惹料導(dǎo)茂電類畏型異恩型的晉雜質(zhì)忠成份援，這務(wù)就獲釋得了舒用合門金法呈工藝屯形成肝P-袋N結(jié)眠。共燒導(dǎo)形成旱金屬鞭接觸銀槳肆、銀性鋁槳景、鋁襪槳印黃刷過減的硅參片，例通過溉烘干類，使鞋有機(jī)軋溶劑到完全葡揮發(fā)料，膜妥層收吵縮成繩為固組狀物斜緊密博粘附泰在硅毒片上技，這月時(shí)，莊可視來為金想屬電己極材教料層剖和硅腿片接膚觸在賭一起畢。所懸謂共肆燒工齒藝顯筆然是喊采用裳銀－應(yīng)硅的喝共晶的溫度蔬，同臭時(shí)在神幾秒瞧鐘內(nèi)駐單晶序硅原服子溶冰入到蹲金屬叨電極襪材料沒里，贊之后逗又幾倚乎同餃時(shí)冷重卻形班成再易結(jié)晶朱層，鍵這個(gè)引再結(jié)著晶層扁是較離完美慢單晶宗硅的煎晶格因點(diǎn)陣逢結(jié)構(gòu)喂。只選經(jīng)過維一次允燒結(jié)作鈍化降的表臟面層帳，氫駛原子廊的外譯釋是輕有限煤的，層共燒邪保障緣瑞了氫夠原子近大量湊存在閃，填阻充因明子較裳高，燒沒有種必要解引入敲氮?dú)涫亢姹喉暪に囘x（F概GS怎）。電池搞片測(cè)茄試主要穿測(cè)試異太陽偶電池捐的基府本特瘡性：開路捎電壓VOC、短粗路電宿流ISC、填雪充因越子F變F、脾能量類轉(zhuǎn)換稀效率箏η。FF似為電宗池的悠填充緩因子耳(F席il沉l丟Fa閥ct反or酸),濃它需定義走為電鑒池具牲有最讀大輸性出功產(chǎn)率(葛Pop,)枝時(shí)的建電流城(IOp侍t)和垂電壓揉(Vop感t)的咳乘積挑與電攪池的蛾短路辯電流爐和開貸路電襪壓乘枯積的戶比值尚，全較高社的色短堤路發(fā)電流黃和開許路電款壓是黎產(chǎn)生葡較高坑能量安轉(zhuǎn)換揭效率臟的基撲礎(chǔ)。暈如果麻兩個(gè)倒電池牌的短鴨路電稀流和安開路公電壓志完全庸相同疑，制殿約其忌效率篇大小應(yīng)的參鄭數(shù)就悔是填色充因攏子。能量欺轉(zhuǎn)換務(wù)效率欠是光梨電池刊的最遍重要帽性能按指標(biāo)聯(lián)，它恢為光眨電池輔將入旱射光晝能量萍轉(zhuǎn)換團(tuán)成電碰能的共效率南。光電征池的德測(cè)試助電路PN撕結(jié)兩夸端的版電流光電跳池處價(jià)于零何偏時(shí)叔，V＝0庫，流匆過P識(shí)N結(jié)須的電脖流I＝－IP；光擋電池瞇處于遮反偏饅時(shí)，窮流過氧PN夏結(jié)的粥電流I＝－IP-廳Is，當(dāng)獲光電辛池用腥作光橡電轉(zhuǎn)俊換器屬時(shí)，幫必須伙處于排零偏出或反曲偏狀漫態(tài)。光電霧流IP與輸腎出光替功率Pi之間煩的關(guān)嗚系：R為響濫應(yīng)率傻，R值隨侮入射利光波煎長(zhǎng)的拖不同筆而變?nèi)被?，師?duì)不櫻同材虛料制獅作的盼光電潤(rùn)池R值分映別在踐短波吵長(zhǎng)和衰長(zhǎng)波不長(zhǎng)處堅(jiān)存在右一截撤止波池長(zhǎng)。光電布池的邀伏安才特性下圖嫂顯示賢了光搜電池奪的典于型I蜜-V御曲線艱。Pm為最孝大功競(jìng)率點(diǎn)紗。它只的確副定可撲用從騙光電雹池I貧-V征曲線局上任窩意點(diǎn)才向縱去、橫奶坐標(biāo)重引垂席線，主垂線斑與坐把標(biāo)軸現(xiàn)保衛(wèi)神面積珠最大顫的點(diǎn)罰即為躬Pm。根據(jù)麻該特碼性曲裹線可偵以確速定光童電池壩的開路累電壓窄、短肆路電方流。太陽女電池呆的短留路電峰流等勾于其予光生妻電流騾。決減定短解路電錯(cuò)流的完因素普很多蠶，分邁析短留路電繞流的臨最方毯便的友方法椒是將片太陽葵光譜攀劃分謀成許貢多段素，每性一段久只有斯很窄態(tài)的波毅長(zhǎng)范庭圍，柏并找雁出每弄一段耕光譜欠所對(duì)棚應(yīng)的家電流繩，電匙池的差總短理路電蠶流是郵全部燃光譜碌段貢炊獻(xiàn)的新總和僑。負(fù)載呼特性四、斯提高僻太陽宅能電曲池效紋率的麻途經(jīng)在硅蒜太陽妻能電乖池的殿制造撤歷史久中已歸經(jīng)采逢用過甜許多道措施機(jī)來提辛高太堵陽能險(xiǎn)電池終的光演電轉(zhuǎn)幅換效點(diǎn)率，獅并且服隨著幫能源勁的不邀斷消訪耗，斧高效洪太陽叉能的假研究鳳正熱繁火朝踩天地租進(jìn)行帽。主細(xì)要針故對(duì)：1.考降低裳光電中子的禽表面元復(fù)合鄉(xiāng)豐，如鐵降低揭表面鎖態(tài)等年；2.追降低瞧入射珠光的州表面樹反射淺，用便多種踏太陽濁光減壘反射懸技術(shù)余，如漸沉積減反后層、構(gòu)硅片濕表面澡織構(gòu)眠技術(shù)革、局覆部背小表面大場(chǎng)技傻術(shù)，海最大抓限度地減敗少太饅陽光蓬在硅許表面濫的反談射；3.婚電極嫌低接自觸電摘阻和狀集成灑受光哀技術(shù)關(guān)，如拴激光綢刻槽胞埋柵驚技術(shù)懂和表面濃藝度擴(kuò)桶散技畝術(shù)，艦使電邁極接收觸電掙阻低胞和增稿加硅顫表面鵲受光撈面積省。4.旨降低壺P-四N結(jié)趕的結(jié)通深和繭漏電曉；5.鋼采用慢高效毅廉價(jià)腳光電嚷轉(zhuǎn)換拘材料祥；后面勒主要陜介紹瓣高效蛇太陽涌能電鍛池材基料和落結(jié)構(gòu)仰。五、鐘高效股太陽付能電床池材際料1.崗多來晶硅單晶宣硅太組陽能隸電池眠消耗趙的硅辨材料逢很多若。為兔了節(jié)挑省材禾料，勿目前跟發(fā)展多晶主硅薄晶膜電鄰池。采都用化學(xué)叮氣相陶沉積矛法，包棕括用逐LP勿CV諸D和他PE蹈CV崗D工特藝制廳造多曉晶硅電薄膜紫。此失外，校液相補(bǔ)外延且法（晝LP稻PE顯）和籠濺射雄沉積什法也葡可用媽來制勾備多辰晶硅舟薄膜躲電池地?；瘜W(xué)枯氣相皮沉積鐵主要夾以S離iH2Cl2、S拘iH懸Cl3、S械iC益l4或S介iH4,為角反應(yīng)過氣體權(quán),在對(duì)一定綱的保初護(hù)氣棉氛下腰反應(yīng)交沉積擠在加塌熱的窩襯底綁上，釀襯底播材料睛一般垃選用藝Si盟、S幟iO2、S代i3N4等。川但在摘非硅精襯底賢上很梨難形汽成較變大的倉晶粒施，且組容易忌在晶炮粒間諷形成潮空隙還。解剪決辦著法是先用踩L摸PC盜VD譯在襯勺底上壺沉積糾一層瞇較薄堵的非抄晶硅四層，挖退火初后得烈到較昨大的哲晶粒稍，然變后再狐在這侵層籽認(rèn)晶上構(gòu)沉積昌厚的套多晶著硅薄召膜。因嚇此，鐵再結(jié)數(shù)晶技村術(shù)是宿很重襖要的爛環(huán)節(jié)芬，目驗(yàn)前采軌用的堤技術(shù)便主要財(cái)有固就相結(jié)摧晶法錯(cuò)和區(qū)錄熔再趁結(jié)晶汁法。世多晶洞硅薄聲膜電阻池除仙再結(jié)避晶工展藝外雀，采吐用單協(xié)晶硅砍太陽線能電補(bǔ)池的貴所有鴿技術(shù)蚊，德究國(guó)人透用區(qū)竟熔再辯結(jié)晶泡法制望得電柴池的黃效率串高達(dá)釘19碑％，垮日本脂三菱用同法默制得閣得效遼率為樸16險(xiǎn).2艘％2.魚非紗晶硅印薄膜開發(fā)雪太陽猛能電證池的著兩個(gè)滋關(guān)鍵昂是：提高嗚轉(zhuǎn)換閱效率貫和降附低成困本。由店于非逝晶硅享薄膜見成本帳低，觸便于健大量滋生產(chǎn)寒，受莖到普囑遍重罪視并搞得到釣迅速配發(fā)展將。但非晶尚硅光泛學(xué)帶云隙為陸1.敏7e湖V,對(duì)太形陽輻硬射光頑譜的烘長(zhǎng)波毅區(qū)域柱不敏行感，這誕就限擾制了抹非晶書硅太裹陽能面電池狂的轉(zhuǎn)板換效索率。躲此外旅，其光喬電效芽率會(huì)輕隨著扒光照帝時(shí)間探的延縮慧續(xù)而族衰減，即錫光致茂衰退露S一鄉(xiāng)豐W效步應(yīng)，心使電書池性旅能不粒穩(wěn)定彎。解決稠途徑傘就是泰制備陽疊層饅太陽影能電典池。疊嫁層電暑池是歌由在莫制備廣的p、味i、簡(jiǎn)n層單裕結(jié)電壩池上浴再沉期積一割個(gè)或持多個(gè)P-更i-室n子電淹池制股得的益。疊妖層太箏陽能挪電池布提高糧轉(zhuǎn)換盜效率喊、解喉決單漆結(jié)電錯(cuò)池不爬穩(wěn)定段性的當(dāng)關(guān)鍵貞問題坡在于觸：①租它把服不同詞禁帶凳寬度躍的材套科組拉臺(tái)在釀一起煤，提這高了扎光譜樹的響堵應(yīng)范烤圍；誓②頂菠電池潑的i層較載薄，捧光照歐產(chǎn)生屯的電曉場(chǎng)強(qiáng)百度變側(cè)化不郵大，潛保證i層中下的光帳生載全流子刻抽出親；③喜底電罷池產(chǎn)旗生的乖載流純子約閥為單優(yōu)電池轎的一項(xiàng)半，圣光致害衰退滋效應(yīng)釋減小刑；④拍疊層榆太陽陳能電攪池各囑子電幸池是索串聯(lián)冷在一攔起的。非晶賴硅薄斬膜太潔陽能袖電池誰的制便備方晶法有旱很多導(dǎo)，其丈中包代括反海應(yīng)濺仆射法衣、P掌EC穿VD來法、放LP釋CV烏D法巖等，色反應(yīng)瓜原料纖氣體貓為H2稀釋蠻的S薦iH4，襯摘底主尼要為們玻璃屑及不銜銹鋼山片，鍋制成授的非爽晶硅論薄膜埋經(jīng)過景不同浙的電遞池工鳳藝過伯程可謀分別窩制得照單結(jié)漠電池惜和疊探層太擺陽能倦電池霧。目任前非胞晶硅列太陽窯能電想池的冷研究湊取得量?jī)纱簖g進(jìn)展鄙：第賞一、晃三疊桂層結(jié)啊構(gòu)非管晶硅尊太陽早能電慚池轉(zhuǎn)馳換效腰率達(dá)惕到1冤3％珠，創(chuàng)日下新潛的記巨錄；洪第二眉、三鎮(zhèn)疊層倆太陽芬能電利池年臨生產(chǎn)喂能力耕達(dá)5俗MW展。非晶招硅太畏陽能贈(zèng)電池棟由于恥具有熊較高賤的轉(zhuǎn)昂換效腐率和變較低外的成毅本及鑒重量唇輕等去特點(diǎn)璃，有西著極變大的真潛力賤。但悟同時(shí)巴由于棒它的鴉穩(wěn)定甩性不兄高，繳直接順影響役了它員的實(shí)允際應(yīng)玩用。眨如果炊能進(jìn)呆一步談解決犬穩(wěn)定晚性問申題及志提高遭轉(zhuǎn)換援率問椅題，匠那么評(píng)，非杠晶硅兼大陽揀能電招池?zé)o皮疑是花太陽汪能電硬池的臺(tái)主要倆發(fā)展妥產(chǎn)品菊之一脈。3.宰多再元化何合物梅薄膜為了吩尋找頓單晶筆硅電曉池的胞替代樓品,盒人們呀除開英發(fā)了摘多晶法硅、箏非晶防硅薄陵膜太牧陽能跑電池黨外，撿又不刃斷研挑制其謀它材行料的茄太陽希能電服池。卸其中并主要蘇包括婦砷化協(xié)鎵I聞II牽-V獸族化喚合物怪、硫洽化鎘競(jìng)、硫句化鎘痕及銅引錮硒段薄膜柔電池綢等。騰上述腰電池會(huì)中，癢盡管脈硫化嘩鎘、臉碲化和鎘多恒晶薄假膜電糠池的卸效率兄較非伴晶硅非薄膜找太陽馬能電域池效段率高今（1羽2－備13演％）平，成較本較作單晶焰硅電伍池低俊，并割且也稻易于撤大規(guī)收模生單產(chǎn)，城但由佩于鎘護(hù)有劇密毒，陪會(huì)對(duì)梁環(huán)境盼造成績(jī)嚴(yán)重擦的污清染，寇因此圣，并蘋不是猶晶體啟硅太鋸陽能移電池的最理露想的怨替代絕。泉砷化橫鎵I叢II畢-V吹族化烘合物起及銅感銦硒桶薄膜緒電池化由于牢具有捷較高舒的轉(zhuǎn)嘴換效臂率受役到人山們的液普遍損重視撓。G油aA階s屬者于I品II鼻-V絡(luò)族化槐合物倘半導(dǎo)共體材桃料，增其能掀隙為愧1.漂4e承V，機(jī)正好透為高陜吸收主率太滔陽光廉的值溝，因燃此，崇是很釋理想烘的電革池材拐料。觸Ga帶As稈等I釘II漂-V鞏化合令物薄宿膜電煮池的悅制備者主要生采用啦M吵OV捏PE慶和L斥PE錢技術(shù)窗，其鋸中M晝OV禁PE煙方法真制備料Ga劇As祖薄膜吉電池折受襯鈴底位浪錯(cuò)、辛反應(yīng)加壓力語、I悉II娘-V赤比率梅、總混流量符等諸謙多參誼數(shù)的昌影響暴。穴除G門aA盡s外兼，其笨它I賭II候-V抓化合鑄物如珠Ga提sb屯、G遺aI惑nP錢等電池狂材料魄也得觀到了播開發(fā)遼。19籌98舉年德悔國(guó)費(fèi)緩萊堡福太陽脫能系均統(tǒng)研蘇究所渴制得痛的G春aA偷s太榜陽能姜電池份轉(zhuǎn)換攻效率曬為2廣4.拉2％鍵，首膝次制阻備的吩Ga滲In伍P電貪池轉(zhuǎn)易換效姿率為薯14耕.7襪％．排另外忍，該造研究銅所還誕采用狀堆疊破結(jié)構(gòu)艙制備勺Ga詠As宅，G鋤as臭b電姿池，京該電頌池是拍將兩谷個(gè)獨(dú)蜘立的為電池鼠堆疊暑在一組起，紗Ga框As宏作為靜上電菊池，閥下電供池用副的是但Ga角sb偽,所慘得到怪的電勁池效程率達(dá)獸到3漆1.千1％肥?，F(xiàn)銅銦差硒C聯(lián)uI貸nS爹e2簡(jiǎn)稱便CI坑S。蟲CI茅S材鋪料的笛能隙肉為1君.l訓(xùn)eV柳，適載于太楊陽光席的光剛電轉(zhuǎn)簡(jiǎn)換。邁另外蕉，C偵IS閱薄膜機(jī)太陽湯電池用不存柔在光廁致衰幼退問輔題。焦因此料，C前IS刊用作喚高轉(zhuǎn)蜻換效嘆率薄釀膜太潛陽能牽電池腔材料士也引促起了信人們盞的注胃目。摩C擠IS齡電池央薄膜許的制隱備主首要有景真空徹蒸鍍組法和鄭硒化勇法。熔真空單蒸鍍?nèi)莘ㄊ呛炔捎谜鄹髯詫幍恼艏灏l(fā)源很蒸鍍喜銅、父銦和搏硒，粉硒化吸法是笛使用問H2Se遺疊層斑膜硒驗(yàn)化，宰但難娘以得璃到成蘭分均揀勻的率CI箭S。貼CI那S薄朱膜電滅池的梨轉(zhuǎn)換促效率志將達(dá)本到2車0％叼，相叼當(dāng)于怠多晶國(guó)硅太季陽能景電池琴。示CI搞S作嘆為太糕陽能拘電池物的半緊導(dǎo)體驕材料域，具欺有價(jià)傍格低礦廉、剃性能特良好蟲和工蔥藝簡(jiǎn)詞單等疤優(yōu)點(diǎn)爛，將丹成為若今后冠發(fā)展除太陽岡能電澆池的扭一個(gè)志重要鈴方向瘋。唯縣一的泥問題綱是材樓料的碧來源隔，由圍于銦村和硒隨都是離比較絲式稀有斃的元原素，飼因此熔，這繼類電嗓池的舉發(fā)展詳又必滴然受附到限伶制。銅銦吹硒(峽CI狠S)地薄膜脆太陽燦電池斜性能促優(yōu)異敬，被機(jī)國(guó)際仆上稱揉為下劫一代電的廉服價(jià)太適陽能筍電池辮。吸引票世界伴眾多巴的光扶伏專螺家進(jìn)酷行研誘究開丙發(fā)。堤由于才銅銦勾硒電欣池是余多元裂化合暈物半器導(dǎo)體躺器件省，復(fù)線雜的夏多層暢結(jié)構(gòu)阻和敏錢感的樸元素鬼配比沿，要寇求其供工藝很和設(shè)擱備極鬧其嚴(yán)齊格。置太陽勿電池哄光電肢轉(zhuǎn)換茶效率喪是代襪表材這料性吊能、詞器件孤結(jié)構(gòu)肌、制撤備技仰術(shù)、閃工藝掩設(shè)備議和檢疊測(cè)手窯段等混綜合斧性整嘴體水寫平的夜標(biāo)志浪性指膀標(biāo)，啄世界蓮上只全有四沖個(gè)國(guó)蠶家開壤發(fā)出哭這種鄙單體順電池扮和集坦成組折件，差美、艙日、賭德三豈國(guó)完指成了隊(duì)中試蛾線的玻開發(fā)次，尚畫未實(shí)勁現(xiàn)商左品化皂。采用邀Cu求In猛Ga粱Se刃多宜元復(fù)捕合薄魔膜，員也可讓生產(chǎn)晃高效稀太陽橋能電熟池。裝薄膜謊是通拜過在佳玻璃頂／Ｍ劉o基倆材上優(yōu)通過老物理振氣相躺淀積膠銅和度硒或霸銦和購硒并肢調(diào)整鈔該薄藍(lán)膜的杏最終指化學(xué)始計(jì)量帆比C炎u(yù)=1舞~1裝.2∶(你In鉛,G見a)時(shí)=1命~1雁.2粘:獲Se駝=堅(jiān)2愿~2虜.5柏。4.爐聚漏合物挪薄膜以聚藍(lán)合物胞代替謠無機(jī)待材料嬌是太乖陽能桿電池棵制造帥的方曾向。也其原拳理是熱利用疊不同棵氧化讓還原秤型聚零合物硬的不語同氧猶化還盒原電屠勢(shì)，撞在導(dǎo)愚電材駱料（客電極夜）表欠面進(jìn)萌行多說層復(fù)延合，跟制成開類似基無機(jī)P－臺(tái)N結(jié)的弓單向聽導(dǎo)電牲裝置敗。其鋸中一支個(gè)電恰極的姨內(nèi)層倡由還宇原電勉位較駱低的較聚合枕物修建飾，避外層蜂聚合漏物的呀還原蹦電位棗較高膛，電葛子轉(zhuǎn)領(lǐng)移方雷向只福能由響內(nèi)層知向外蔥層轉(zhuǎn)伏移；液另一超個(gè)電凝極的富修飾街正好鋼相反韻，并愿且第嘴一個(gè)剪電極也上兩扇種聚掌合物渣的還躺原電慣位均摟高于瓦后者梅的兩供種聚銀合物撫的還笑原電夫位。站當(dāng)兩勿個(gè)修省飾電綢極放復(fù)入含衡有光客敏化旬劑的摟電解磚波中赴時(shí)．粘光敏框化劑宿吸光跡后產(chǎn)敲生的丘電子蹤蝶轉(zhuǎn)移熟到還盾原電默位較通低的雜電極熊上，維還原糾電位有較低巷電極誼上積瀉累的挑電子濃不能先向外蹤蝶層聚好合物揪轉(zhuǎn)移也，只在能通妹過外耀電路奸從還謝原電腰位較莖高的飼電極聲回到創(chuàng)電解井液，彎因此維外電判路中謊有光呆電流召產(chǎn)生兇。由熟于有路機(jī)材類料柔虧性好往，成謙本底用，對(duì)鬼大規(guī)圖模利飛用太慎陽能速，提徐供廉姥價(jià)電淘能具暮有重瞎要意濁義。懂但以附有機(jī)厭材料椒制備慌的太眉陽能恨電池撒使用奶壽命瘦和效障率都共不能掘和無啟機(jī)材什料特嘉別是楊硅電解池相牲比。近來范報(bào)道芝，日櫻本產(chǎn)摸業(yè)技狠術(shù)綜岔合研植究所各已經(jīng)羅研制跳出目季前世執(zhí)界上竟太陽扶能轉(zhuǎn)拘換率虛最高懶的有住機(jī)薄歸膜太迎陽能廊電池傭，其運(yùn)轉(zhuǎn)換尿率已唇達(dá)到凝現(xiàn)有勾有機(jī)徹薄膜童太陽繪能電糞池的梯四倍己。報(bào)道款說，艘此前朝的有徒機(jī)薄組膜太競(jìng)陽能蝴電池琴是把泊兩層芝有機(jī)陽半導(dǎo)猜體的割薄膜號(hào)接合事在一嫂起，舉其太專陽能澡到電戒能的客轉(zhuǎn)換艦率約科為１爸％。寸新型火有機(jī)撈薄膜初太陽熊能電撇池在章原有毀的兩青層構(gòu)稼造中托間加寫入一成種混尤合薄道膜，躲變成但三層寄構(gòu)造旗，這娘樣就嫂增加譜了產(chǎn)余生電控能的柳分子啦之間劈燕的接陷觸面款積，擠從而冤大大師提高盼了太育陽能倍轉(zhuǎn)換質(zhì)率。有機(jī)具薄膜搞太陽困能電測(cè)池使鐮用塑洞料等鬧質(zhì)輕竹柔軟稱的材呆料為咱基板蓮，因挪此人使們對(duì)怕它的前實(shí)用糕化期督待很屢高。賴研究俯人員超表示齒，通籌過進(jìn)蹤蝶一步虜研究辨，有蛛望開淘發(fā)出躬轉(zhuǎn)換鄉(xiāng)豐率達(dá)昌２０深％、府可投當(dāng)入實(shí)天際使弄用的扣有機(jī)鄙薄膜友太陽字能電片池。5.杏納趴米晶辱材料人們既在新購工藝牙、新情材料薯、電圣池薄蹈膜化雞等方犬面的震探索武中，誼納米暗Ti貴O2晶體倘化學(xué)跡能太楊陽能鋒電池愿受到箱國(guó)內(nèi)貨外科畝學(xué)家謹(jǐn)?shù)闹乩艘曀┯扇饤検縂處ra必tz再el蘿教授眠首先掏研制丙成功訊。納腿米晶揚(yáng)化學(xué)霉太陽斷能電順池（刮簡(jiǎn)稱腸NP酒C電至池）攜是由妄一種夸在禁耕帶半筆導(dǎo)體皆材料線修飾匯、組生裝到譜另一范種大誘能隙恭半導(dǎo)慢體材律料上喘形成覽的，給窄禁熱帶半澆導(dǎo)體愧材料肅采用特過渡尼金屬叢Ru湖以及竿Os統(tǒng)等的適有機(jī)驢化合院物敏萄化染銜料，成大能丹隙半昨?qū)w紗材料散為納哈米多唐晶T襲iO2并制殼成電圓極，言此外共NP壞C電膚池還往選用含適當(dāng)嚷的氧飲化一創(chuàng)還原將電解龜質(zhì)。掌納米兼晶T鄉(xiāng)豐iO2工作牢原理攪：染易料分宅子吸貪收太吐陽光秘能躍資遷到示激發(fā)蔬態(tài)，宮激發(fā)爹態(tài)不閘穩(wěn)定疊，電集子快忙速注鍬入到晉緊鄰已的T滴iO2導(dǎo)帶侍，染涉料中竭失去泥的電克子則偵很快房誠(chéng)從電春解質(zhì)命中得捆到補(bǔ)樓償，求進(jìn)入癥Ti調(diào)O2導(dǎo)帶施中的烘電于致最終診進(jìn)入胸導(dǎo)電陵膜,呢然后唇通過脫外回?cái)芈樊a(chǎn)遙生光仿電流老。澤納米偶晶T剖iO2太陽舟能電姥池的信優(yōu)點(diǎn)火在于圓它廉或價(jià)的飄成本宏和簡(jiǎn)蛛單的盞工藝慎及穩(wěn)模定的躺性能湯。其莊光電起效率舊穩(wěn)定默在1騙0％企以上完，制役作成輛本僅牛為硅理太陽詳電池弟的1咱/5駐～1抄/1雜0．浪壽命梨能達(dá)趁到2爺O年榨以上叛。還全未面勿市。6.書光悲電子禁倍增參材料對(duì)普依通光作電材律料，唱一個(gè)勾光子巧入射藥只能洽產(chǎn)生炒一個(gè)慚光電請(qǐng)子，梁如果設(shè)一個(gè)避光子刑入射擊能產(chǎn)漫生多華個(gè)光過電子總，可寨以稱脹為光惕電子此倍增隸材料債。美國(guó)禾國(guó)家聯(lián)可再味生能詞源實(shí)格驗(yàn)室瞇發(fā)現(xiàn)抖：納掙米晶僅體硅辟每吸敞收一失個(gè)高軌能太位陽光困光子小便能配產(chǎn)生障2～份3個(gè)滔電子增，額情外的觀電子孩來自梯藍(lán)光木和紫瓣外光組的光冶子，抖這兩朽種光乎線的改能量避比太裂陽光凈譜中私其它環(huán)光線戰(zhàn)高得秧多。忘大多彩數(shù)太棵陽能禁電池種都把滾這額佳外的蘭能量化作為參熱量狀而浪核費(fèi)了醬。小犯的納堵米晶枕體（逝量子喘點(diǎn)）鴨具有繪量子唱力學(xué)裂效應(yīng)自，能循將這蔥些能盛量轉(zhuǎn)棚化為遷電能盼。嫂通過慚產(chǎn)生言多個(gè)挎電子說，由納米遍晶體宋硅制洽成的購太陽乘能電后池理受論上持可以秘到4虛0%到以上遇的能使量轉(zhuǎn)雕化為蟻電能權(quán)。而臨目前院太陽約電池夾板的遮轉(zhuǎn)化謠效率燭最多擺為2口0%漏（理挎論上索限2潤(rùn)7.灑8%勇）。長(zhǎng)借助泡反射暮鏡、怪透鏡默聚集早太陽布光，涉效率切可達(dá)暫40敘%，敬而納豈米晶征體硅倉電池啦則可鉛升至杜60董%。因此列對(duì)于戀光電鏟材料趨的發(fā)得展，豪納米師晶體羽硅極閘具應(yīng)型用潛新力。然而棕，該頌工作只剛開想始，脅額外城電子送出現(xiàn)仍的時(shí)咬間十迅分短伴暫，現(xiàn)很難扁捕獲波進(jìn)行勇發(fā)電筋。證秧明這錯(cuò)種效碧應(yīng)需絞借助驕光譜新學(xué)等給間接卵方法標(biāo)。六、屑高效套太陽訓(xùn)能電不池結(jié)榴構(gòu)疊層己結(jié)構(gòu)如前孝所述添，包義括多程層電幻玉池和場(chǎng)多層砌薄膜射。每滲一種孤半導(dǎo)棕體只則能吸燦收與丟“能公帶隙煎”對(duì)巖應(yīng)的皆特定忍能量漁范圍獨(dú)的光賓子，品能帶掌隙越拍寬，苗電池好的效咬率則濾越高禮。利亮用兩決種不鼓同的心半導(dǎo)叼體層寸來擴(kuò)辨大其晉能量叫吸收古范圍爛，最懷多可罵以利偽用陽克光能熄量的丑３０步％。美國(guó)誰勞倫問斯－深伯克刻利國(guó)張立實(shí)佩驗(yàn)室趟的科涂學(xué)家司使用柱一種僻稱為卡“氮風(fēng)化鎵戴銦”瞞的半波導(dǎo)體認(rèn)，以每丟次生悲長(zhǎng)一讓個(gè)原辨子層廉的方衣式生冒產(chǎn)出度純度搏極高局的氮批化鎵校銦晶死體，胸大大克拓寬舌了其邀能帶朱隙。兩個(gè)成能帶卸隙的績(jī)組合夠可以喬使能忍量吸價(jià)收率尖達(dá)到50％。娛如果吳使用符多層汁成分余比例飛不同著的氮恢化鎵獨(dú)銦，客吸收?qǐng)雎视袘锌赡軌螘?huì)更蛇高。聚焦討鏡頭美國(guó)覆用塑形料制些成的照鏡頭眉，放葉置于佛電池景和陽贈(zèng)光之奶間，挖對(duì)陽似光進(jìn)繩行聚糞焦。邊經(jīng)過纖聚焦摔后的罵太陽俊光，練大概歸是原甩來強(qiáng)夾度的25忌0倍。疲這樣樣，在篇單位脫電池嚼上所沃接收沈的能羽