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第一頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日內(nèi)容提要全息技術(shù)概要電子全息技術(shù)的成像原理電子全息實(shí)驗(yàn)技術(shù)全息像的記錄和重構(gòu)電子全息像的應(yīng)用舉例第二頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日全息技術(shù)概要光學(xué)全息成像技術(shù)(激光)利用干涉原理記錄物體信息利用衍射原理再現(xiàn)物體光波信息電子全息技術(shù),可以將出射電子波函數(shù)的相位和振幅分離,得到完全的相位襯度和振幅襯度像。主要應(yīng)用于樣品厚度測(cè)量、平均內(nèi)勢(shì)的測(cè)定、物鏡球差矯正及界面電勢(shì)場(chǎng)分布的測(cè)量。第三頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日電子全息的幾何光路圖靜電雙棱鏡:SiO2細(xì)絲,直徑小于1微米電勢(shì)分布:電子束偏轉(zhuǎn)角度:

偏轉(zhuǎn)角度與入射位置無(wú)關(guān),只與所加的偏壓和靜電雙棱鏡的幾何尺寸有關(guān)。第四頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日電子全息圖的特征干涉條紋間隔S和全息圖的寬度D:影響全息像質(zhì)量的因素電子源的相干性冷場(chǎng)發(fā)射電子槍具有更好的質(zhì)量樣品質(zhì)量:盡可能薄、厚度均勻、邊緣平直、去除非晶層菲涅耳衍射電鏡參數(shù)第五頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日獲得高分辨像調(diào)低放大倍數(shù),加入雙棱鏡調(diào)整像散調(diào)高放大倍數(shù),調(diào)整聚焦移動(dòng)樣品,記錄全息圖實(shí)驗(yàn)操作第六頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日電子全息像的記錄與重構(gòu)頻譜濾波全息像的強(qiáng)度分布:出射波與參考波的相干疊加其中V稱為條紋的可見(jiàn)度對(duì)全息像強(qiáng)度式進(jìn)行傅里葉變換,得到零級(jí)、+1級(jí)和-1級(jí)頻譜將φ(fx,fy+f0)分離出來(lái),并平移到原點(diǎn)得到φ(fx,fy)對(duì)其進(jìn)行反傅里葉變換,即可實(shí)現(xiàn)出射波的重現(xiàn)。F-1{φ(fx,fy)}=Φ0(x,y)第七頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日軟件操作:holoworkforDM振幅與相位的分離第八頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日由相位圖計(jì)算材料界面勢(shì)壘和電荷的分布在忽略外場(chǎng)的情況下,受內(nèi)電勢(shì)影響的相位變化為:Φ(x,y)=CE[V0t+V(t-2t0)]由泊松方程計(jì)算電荷分布:

第九頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日應(yīng)用舉例1:LaAlO3-Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜自發(fā)極化的透射電鏡研究(H.F.Tian,PHYSICALREVIEWB71,115419s2005d)第十頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日左:薄膜的形貌像、界面與界面位錯(cuò)的高分辨像上:薄膜與真空交界處的電子全息像、重構(gòu)出的相位圖及界面的電荷分布第十一頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日薄膜-襯底界面處及界面位錯(cuò)的電子全息研究第十二頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日應(yīng)用舉例2:(001)Si/La0.9Sr0.1MnO3/SrTiO3薄膜界面的電子顯微研究(H.F.Tian,PHYSICALREVIEWB73,075325(2006))第十三頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日界面無(wú)定型層的透射電鏡結(jié)果第十四頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日應(yīng)用舉例3:錳氧化物異質(zhì)結(jié)界面電勢(shì)分布的電子顯微研究(APPLIEDPHYSICSLETTERS87,164102(2005))第十五頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日異質(zhì)結(jié)界面的電子全息像及電勢(shì)分布圖第十六頁(yè),共十八頁(yè),編輯于2023年,星期日結(jié)論與展望介紹了電子全息的基本原理及其在異質(zhì)結(jié)薄膜分析方面的應(yīng)用。展望:納米材料的電子全息研究電

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