全控器件和其他新型器件

全控器件和其他新型器件第一頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二第一章電力電子器件好學(xué)力行河南理工大學(xué)明德任責(zé)內(nèi)容提要1.1電力二極管（POWERDIODE）1.2晶閘管（THYRISTOR） 1.3全控型電力電子器件 1.4其他類型電力電子器件第二頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3典型全控型器件1.3.1

門極可關(guān)斷晶閘管1.3.2

電力晶體管1.3.3

電力場效應(yīng)晶體管1.3.4

絕緣柵雙極晶體管第一章電力電子器件第三頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二常用的典型全控型器件電力MOSFETIGBT單管及模塊1.3典型全控型器件第四頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3.1門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)晶閘管的一種派生器件。可以通過在門極施加負(fù)的脈沖電流使其關(guān)斷。GTO的電壓、電流容量較大，與普通晶閘管接近，因而在兆瓦級以上的大功率場合仍有較多的應(yīng)用。門極可關(guān)斷晶閘管（Gate-Turn-OffThyristor）1.3典型全控型器件第五頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二結(jié)構(gòu)：與普通晶閘管的相同點(diǎn)：PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，外部引出陽極、陰極和門極。和普通晶閘管的不同點(diǎn)：GTO是一種多GTO元并聯(lián)的功率集成器件。1.GTO的結(jié)構(gòu)和工作原理1.3典型全控型器件1.3.1門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)

工作原理：與普通晶閘管一樣，可以用雙晶體管

模型來分析。第六頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二圖

晶閘管的雙晶體管模型及其工作原理

β1+β2=1是器件臨界導(dǎo)通的條件。由P1N1P2和N1P2N2構(gòu)成的兩個晶體管V1、V2分別具有共基極電流增益β1和β2

。1.3典型全控型器件1.3.1門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)第七頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3.1門極可關(guān)斷晶閘管GTO能夠通過門極關(guān)斷的原因：設(shè)計(jì)β2較大，使晶體管V2控制靈敏，易于關(guān)斷。導(dǎo)通時(shí)β1+β2更接近1，導(dǎo)通時(shí)接近臨界飽和，有利門極控制關(guān)斷，但導(dǎo)通時(shí)管壓降增大。

多元集成結(jié)構(gòu)，使得P2基區(qū)橫向電阻很小，能從門極抽出較大電流。

1.3典型全控型器件β1+β<1時(shí)關(guān)斷關(guān)斷正反饋第八頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二開通過程：與普通晶閘管相同；ton=td+tr關(guān)斷過程：不同于晶閘管

儲存時(shí)間ts，抽少子使等效晶體管退出飽和。下降時(shí)間tf：由飽和轉(zhuǎn)至放大區(qū)；尾部時(shí)間tt

—?dú)埓孑d流子復(fù)合。toff=ts+tfOt0tiGiAIA90%IA10%IAtttftstdtrt0t1t2t3t4t5t6

圖

GTO的開通和關(guān)斷過程電流波形2.GTO的動態(tài)特性1.3典型全控型器件1.3.1門極可關(guān)斷晶閘管第九頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3.1門極可關(guān)斷晶閘管3.GTO的主要參數(shù)

（2）關(guān)斷時(shí)間toff在幾十us.

（1）開通時(shí)間ton，在幾個us.

許多參數(shù)和普通晶閘管相應(yīng)的參數(shù)意義相同，以下只介紹意義不同的參數(shù)。1.3典型全控型器件（3）最大可關(guān)斷陽極電流IATO—額定電流不少GTO都制造成逆導(dǎo)型，類似于逆導(dǎo)晶閘管，需承受反壓時(shí)，應(yīng)和電力二極管串聯(lián)

。逆導(dǎo)型第十頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3.1門極可關(guān)斷晶閘管1.3典型全控型器件（4）

電流關(guān)斷增益off

off一般很小，只有5左右，這是GTO的一個主要缺點(diǎn)。1000A的GTO關(guān)斷時(shí)門極負(fù)脈沖電流峰值要200A

。

最大可關(guān)斷陽極電流與門極負(fù)脈沖電流最大值IGM之比稱為電流關(guān)斷增益。第十一頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3.2電力晶體管（GTR）電力晶體管:（GiantTransistor巨型晶體管）

耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管。應(yīng)用20世紀(jì)80年代以來，在中、小功率范圍內(nèi)取代晶閘管，但目前又大多被IGBT和電力MOSFET取代。因此不作為重點(diǎn)，只了解基本概念和思想。1.3典型全控型器件第十二頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二與普通的雙極結(jié)型晶體管基本原理是一樣的，多采用NPN。主要特性是耐壓高、電流大、開關(guān)特性好。采用集成電路工藝將許多這種單元并聯(lián)而成。比普通三極管增加了一個低摻雜N區(qū)，提高耐壓能力。1.3.2電力晶體管1.GTR的結(jié)構(gòu)和工作原理1.3典型全控型器件存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，從而流過大電流時(shí)通態(tài)壓降也比較小，從而具有強(qiáng)的流通電流的能力。第十三頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3.2電力晶體管

(1)

靜態(tài)特性共發(fā)射極接法時(shí)的典型輸出特性：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。在電力電子電路中GTR工作在開關(guān)狀態(tài)。在開關(guān)過程中，即在截止區(qū)和飽和區(qū)之間過渡時(shí)，要經(jīng)過放大區(qū)。截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)OIcib3ib2ib1ib1<ib2<ib3Uce圖

共發(fā)射極接法時(shí)GTR的輸出特性2.GTR的基本特性1.3典型全控型器件第十四頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3.2電力晶體管ibIb1Ib2Icsic0090%Ib110%Ib190%Ics10%Icst0t1t2t3t4t5tttofftstftontrtdGTR的開通和關(guān)斷過程電流波形(2)

動態(tài)特性1.3典型全控型器件開關(guān)過程與GTO的異同點(diǎn)：基本相同；開通不能用脈沖觸發(fā)，需用持續(xù)電流驅(qū)動。GTR的開關(guān)時(shí)間在幾微秒以內(nèi)，比晶閘管和GTO都短很多。第十五頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3.2電力晶體管一次擊穿：集電極電壓升高至擊穿電壓時(shí)，Ic迅速增大。不損壞。二次擊穿：一次擊穿發(fā)生后，Ic突然急劇上升，電壓陡然下降。永久損壞，或者工作特性明顯衰變。安全工作區(qū)（SafeOperatingArea——SOA）最高電壓UceM、集電極最大電流IcM、最大耗散功率PcM、二次擊穿臨界線限定。SOAOIcIcMPSBPcMUceUceM3.GTR的二次擊穿現(xiàn)象與安全工作區(qū)二次擊穿功率耗散功率1.3典型全控型器件第十六頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3.3電力場效應(yīng)晶體管分為結(jié)型和絕緣柵型通常主要指絕緣柵型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET）簡稱電力MOSFET（PowerMOSFET）結(jié)型電力場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（StaticInductionTransistor——SIT）

特點(diǎn)——用柵極電壓來控制漏極電流驅(qū)動電路簡單，需要的驅(qū)動功率小。開關(guān)速度快，工作頻率高。電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。1.3典型全控型器件第十七頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3.3電力場效應(yīng)晶體管電力MOSFET的種類

按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。

耗盡型——當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道。

增強(qiáng)型——對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道。

電力MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。1.電力MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理1.3典型全控型器件第十八頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3.3電力場效應(yīng)晶體管電力MOSFET的結(jié)構(gòu)導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別。增加了低摻雜N區(qū)，提高耐壓能力；但無電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)。采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，流通電流能力提高；采用多元集成結(jié)構(gòu)，不同的生產(chǎn)廠家采用了不同設(shè)計(jì)。1.3典型全控型器件第十九頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無電流流過。導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS當(dāng)UGS大于UT時(shí)，P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N導(dǎo)電溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電。電力MOSFET的工作原理1.3典型全控型器件1.3.3電力場效應(yīng)晶體管柵極絕緣第二十頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3.3電力場效應(yīng)晶體管

(1)靜態(tài)特性漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性。ID較大時(shí)，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gfs，反映了柵極的控制能力。電力MOSFET的轉(zhuǎn)移特性2.電力MOSFET的基本特性1.3典型全控型器件第二十一頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3.3電力場效應(yīng)晶體管截止區(qū)（對應(yīng)于GTR的截止區(qū)）飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）非飽和區(qū)（對應(yīng)GTR的飽和區(qū)）工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時(shí)器件導(dǎo)通。通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時(shí)的均流有利。電力MOSFET的輸出特性MOSFET的漏極伏安特性：1.3典型全控型器件第二十二頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二開通過程開通延遲時(shí)間td(on)

上升時(shí)間tr開通時(shí)間ton=td(on)+tr關(guān)斷過程關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)下降時(shí)間tf關(guān)斷時(shí)間toff=td(off)+tf(2)

動態(tài)特性1.3典型全控型器件1.3.3電力場效應(yīng)晶體管圖1-PowerMOSFET的開關(guān)過程波形電平驅(qū)動、壓控方式、只有一種載流子導(dǎo)電第二十三頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二

MOSFET的開關(guān)速度和Cin充放電有很大關(guān)系?？山档万?qū)動電路內(nèi)阻減小時(shí)間常數(shù)，加快開關(guān)速度。不存在少子儲存效應(yīng)，關(guān)斷過程非常迅速。開關(guān)時(shí)間在10~100ns之間，工作頻率可達(dá)500kHz以上，是主要電力電子器件中最高的。場控器件，靜態(tài)時(shí)幾乎不需輸入電流。但在開關(guān)過程中需對輸入電容充放電，仍需一定的驅(qū)動功率，但很小。開關(guān)頻率越高，所需要的驅(qū)動功率越大。MOSFET的開關(guān)速度1.3典型全控型器件1.3.3電力場效應(yīng)晶體管第二十四頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二3.電力MOSFET的主要參數(shù)——電力MOSFET電壓定額(1)

漏極電壓UDS

(2)

漏極直流電流ID和漏極脈沖電流幅值IDM——電力MOSFET電流定額(3)

柵源電壓UGS——UGS>20V將導(dǎo)致絕緣層擊穿。除跨導(dǎo)Gfs、開啟電壓UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外還有：

(4)

極間電容——極間電容CGS、CGD和CDS1.3典型全控型器件(5)

通態(tài)電阻Ron越小越好，反映損耗。1.3.3電力場效應(yīng)晶體管第二十五頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3.4

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gateBipolarTransistor）GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)。Bi-MOS器件1986年投入市場，是中高功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件仍在提高電壓和電流容量。GTR和GTO的特點(diǎn)——雙極型，電流驅(qū)動，有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，通流能力很強(qiáng)，開關(guān)速度較低，所需驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜。

MOSFET的優(yōu)點(diǎn)——單極型，電壓驅(qū)動，開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動功率小而且驅(qū)動電路簡單。1.3典型全控型器件第二十六頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理三端器件：柵極G、集電極C和發(fā)射極E圖1-19IGBT的結(jié)構(gòu)、簡化等效電路和電氣圖形符號a)內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖b)簡化等效電路c)電氣圖形符號E1.3典型全控型器件1.3.4

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）第二十七頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二N溝道MOSFET與GTR組合——N溝道IGBT。IGBT比VDMOSFET多一層P+注入?yún)^(qū)，從而具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，具有很強(qiáng)的通流能力。簡化等效電路表明，IGBT是GTR與MOSFET組成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，一個由MOSFET驅(qū)動的厚基區(qū)PNP晶體管。RN為晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。1.3典型全控型器件1.3.4

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）第二十八頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二

驅(qū)動原理與電力MOSFET基本相同，場控器件，通斷由柵射極電壓uGE決定。導(dǎo)通：uGE大于開啟電壓UGE(th)時(shí)，MOSFET內(nèi)形成溝道，為晶體管提供基極電流，IGBT導(dǎo)通(電壓驅(qū)動功率小)。通態(tài)壓降：電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小，通態(tài)壓降減小。關(guān)斷：柵射極間施加反壓或不加信號時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，IGBT關(guān)斷。IGBT的原理1.3典型全控型器件1.3.4

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）第二十九頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二a)b)O有源區(qū)正向阻斷區(qū)飽和區(qū)反向阻斷區(qū)ICUGE(th)UGEOICURMUFMUCEUGE(th)UGE增加2.IGBT的基本特性

(1)

IGBT的靜態(tài)特性圖1-20IGBT的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性a)轉(zhuǎn)移特性b)輸出特性1.3典型全控型器件1.3.4

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）與MOS管的異同點(diǎn)。第三十頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二ttt10%90%10%90%UCEIC0O0UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftontfi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICM圖1-21IGBT的開關(guān)過程IGBT的開通過程

開通延遲時(shí)間td(on)

電流上升時(shí)間tr

開通時(shí)間tonuCE的下降過程分為tfv1和tfv2兩段。

tfv1——IGBT中MOS單獨(dú)工作的電壓下降過程；(2)

IGBT的動態(tài)特性1.3典型全控型器件tfv2——MOSFET和PNP晶體管同時(shí)工作的電壓下降過程。第三十一頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.3.4

絕緣柵雙極晶體管圖1-21IGBT的開關(guān)過程關(guān)斷延遲時(shí)間td(off）電流下降時(shí)間關(guān)斷時(shí)間toff電流下降時(shí)間又可分為tfi1和tfi2兩段。tfi1——IGBT器件內(nèi)部的MOSFET的關(guān)斷過程，iC下降較快。tfi2——IGBT內(nèi)部的PNP晶體管的關(guān)斷過程，iC下降較慢。拖尾電流。IGBT的關(guān)斷過程ttt10%90%10%90%UCEIC0O0UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftontfi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICM1.3典型全控型器件第三十二頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二3)IGBT的主要參數(shù)——正常工作溫度下允許的最大功耗。(3)

最大集電極功耗PCM——包括額定直流電流IC和1ms脈寬最大電流ICP。

(2)

最大集電極電流ICM——由內(nèi)部PNP晶體管的擊穿電壓確定。(1)

最大集射極間電壓UCES1.3典型全控型器件(4)

最大柵極電壓UGS——UGS>20V將導(dǎo)致絕緣層擊穿。1.3.4

絕緣柵雙極晶體管第三十三頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二IGBT的特性和參數(shù)特點(diǎn)可以總結(jié)如下：開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小。相同電壓和電流定額時(shí)，安全工作區(qū)比GTR大，且具有耐脈沖電流沖擊能力。通態(tài)壓降比VDMOSFET低。輸入阻抗高，輸入特性與MOSFET類似。與MOSFET和GTR相比，耐壓和通流能力還可以進(jìn)一步提高，同時(shí)保持開關(guān)頻率高的特點(diǎn)。IGBT往往與反并聯(lián)的快速二極管封裝在一起，制成模塊，成為逆導(dǎo)器件。

1.3典型全控型器件1.3.4

絕緣柵雙極晶體管第三十四頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.4其他新型電力電子器件1.4.1MOS控制晶閘管MCT1.4.2靜電感應(yīng)晶體管SIT1.4.3靜電感應(yīng)晶閘管SITH1.4.4集成門極換流晶閘管IGCT1.4.5基于寬禁帶半導(dǎo)體材料的電力電子器件第一章電力電子器件第三十五頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.4.1MOS控制晶閘管MCTMCT結(jié)合了二者的優(yōu)點(diǎn)：承受極高di/dt和du/dt，快速的開關(guān)過程，開關(guān)損耗小。高電壓，大電流、高載流密度，低導(dǎo)通壓降。其關(guān)鍵技術(shù)問題沒有大的突破，亦未能投入實(shí)際應(yīng)用。MCT（MOSControlledThyristor）

——MOSFET與晶閘管的復(fù)合1.4其他新型電力電子器件第三十六頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.4.2靜電感應(yīng)晶體管SIT多子導(dǎo)電的器件，工作頻率與電力MOSFET相當(dāng)，甚至更高，功率容量更大，因而適用于高頻大功率場合。在雷達(dá)通信設(shè)備、超聲波功率放大、脈沖功率放大和高頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域獲得應(yīng)用。缺點(diǎn)：柵極不加信號時(shí)導(dǎo)通，加負(fù)偏壓時(shí)關(guān)斷，稱為正常導(dǎo)通型器件，使用不太方便。通態(tài)電阻較大，通態(tài)損耗也大，因而還未在大多數(shù)電力電子設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用。SIT（StaticInductionTransistor）——結(jié)型感應(yīng)晶體管,本質(zhì)上也還是MOS管。1.4其他新型電力電子器件第三十七頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.4.3靜電感應(yīng)晶閘管SITH可看作是SIT和GTO的復(fù)合，工作原理和SIT類似。SITH是兩種載流子導(dǎo)電的雙極型器件，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，通態(tài)壓降低、通流能力強(qiáng)。其很多特性與GTO類似，但開關(guān)速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。

SITH一般也是正常導(dǎo)通型。此外，電流關(guān)斷增益較小，且工藝復(fù)雜，因而其應(yīng)用范圍還有待拓展。SITH（StaticInductionThyristor）——場控晶閘管（FieldControlledThyristor—FCT）1.4其他新型電力電子器件第三十八頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.4.4集成門極換流晶閘管IGCT20世紀(jì)90年代后期出現(xiàn)，容量與GTO相當(dāng)，開關(guān)速度快10倍，功耗也大為降低。可省去GTO復(fù)雜的緩沖電路，但驅(qū)動功率仍很大。目前正在與IGBT等新型器件激烈競爭，試圖最終取代GTO在大功率場合的位置。IGCT（IntegratedGate-CommutatedThyristor）1.4其他新型電力電子器件新半導(dǎo)體材料做成的器件：具有更好的性能。重點(diǎn)是SiC，目前已有SiC肖特基二極管產(chǎn)品。第三十九頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二1.5功率集成電路與集成電力電子模塊20世紀(jì)80年代中后期開始，模塊化趨勢，將多個器件封裝在一個模塊中，稱為功率模塊。可縮小裝置體積，降低成本，提高可靠性。對工作頻率高的電路，可大大減小線路電感，從而簡化對保護(hù)和緩沖電路的要求。將器件與邏輯、控制、保護(hù)、傳感、檢測、自診斷等信息電子電路制作在同一芯片上，稱為功率集成電路（PowerIntegratedCircuit——PIC）?；靖拍畹谝徽码娏﹄娮悠骷谒氖摚菜氖彭?，編輯于2023年，星期二第一章電力電子器件智能功率模塊第四十一頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二不可控器件(PowerDiode)——不能用控制信號來控制其通斷,因此也就不需要驅(qū)動電路（如大功率二極管）。半控型器件（Thyristor）

——通過控制信號可以控制其導(dǎo)通而不能控制其關(guān)斷。（晶閘管及其派生器件，GTO除外）全控型器件（IGBT,MOSFET)——通過控制信號既可控制其導(dǎo)通又可控制其關(guān)斷，又稱自關(guān)斷器件。（其他器件，如IGBT等）1.6

電力電子器件的分類按照器件能夠被控制的程度，分為以下三類：第一章電力電子器件第四十二頁，共四十九頁，編輯于2023年，星期二脈沖觸發(fā)型

——通過在控制端施加一個電壓或電流的脈沖信號來實(shí)現(xiàn)器件的開通或者關(guān)斷的控制。(半控器件)電平控制型

——必須通過持續(xù)在控制端和公共端之間施加一定電平的電壓或電流信號來使器件開通并維持在導(dǎo)通狀態(tài)或者關(guān)斷并維持在阻斷狀態(tài)。按照驅(qū)動信號的波形分類（電力二極管除外）第一章