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《電子工程物理基礎(chǔ)》課后練習(xí)習(xí)題解答學(xué)習(xí)教程《電子工程物理基礎(chǔ)》課后練習(xí)習(xí)題解答學(xué)習(xí)教程#/17歡迎閱讀則P0=NA-Nd=1.01016cm-3I(b)k0TP0Ef=Ev_k0TIn上=EVNV(c)(d)1二二n0q< poq，p二——n icm600K時(shí)，本征激發(fā)不行忽視，由下式解出：12.證明p-n結(jié)反向飽和電流公式可寫為式中，bn/；,"［和1分別為n型和p型半導(dǎo)體電導(dǎo)率，［為本征半導(dǎo)體電導(dǎo)率。4V、提示：電流密度J=Jn+JP［通np0十七Pn0『xp|'_L-_1L分別將愛因斯坦關(guān)系式、nn0Pp0Ji2lLn LpJlWJNa）以及電導(dǎo)率公式代入，并整理即可證明。13.已知電荷散布p（x）為：（1）p（x）0；（2）談）；（3）p（x） 談（x在0~d之間），分別求電場強(qiáng)度（x）及電位V（x），并作圖。提示：利用泊松方程求解。14.試畫出并剖析np異質(zhì)結(jié)和nn異質(zhì)結(jié)的能帶圖。略。 廠「：上二廣

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