版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
簡單NMOS和CMOS器件平面工藝復(fù)習(xí)：工藝流程圖晶片準備平面工藝封裝測試硅片的類型標志P(100)P(111)N(111)N(100)微電子制造工藝的主要內(nèi)容襯底制備—單晶生長；晶片的切、磨、拋；薄膜技術(shù)—氧化、外延、蒸發(fā)；摻雜技術(shù)—擴散、離子注入；圖形加工—制版、光刻（曝光、腐蝕）熱處理——退火、燒結(jié)、去除光刻膠簡單NMOS和CMOS器件平面工藝SimpleNMOSTechnologyNchannel4-mask1metallayer單晶硅掩膜版Note!0.55:0.45noteselfalignment?SimpleCMOSTechnology4-Metal12-Polysilicon3-Diffusions1-Tub(N-well)CMOSInvertercutlineN-wellMaskActiveMaskPolyMaskN+SelectMaskP+SelectMaskContactMaskMetalMaskOtherCutawayViewsSiO2剖面圖
ULSI技術(shù)中較為典型的雙阱CMOS工藝制造的CMOS集成電路的一部分
標準埋層雙極集成電路工藝制造的集成電路的一部分
外延、氧化、擴散、離子注入、氣相淀積、光刻腐蝕以及金屬化等工藝總結(jié)一下：現(xiàn)代工藝概要雙阱工藝氮化物隔離槽技術(shù)STI（shallowtrenchisolation）USG：外層二氧化硅，防止吸潮，抗氧化氧化物平坦化槽刻蝕氧化物填充SOI工藝埋層SiO2多層技術(shù)化及焊球制備SOD：旋凃絕緣介質(zhì)多芯片模組技術(shù)MCM當前熱點SoC-SystemonaChip系統(tǒng)芯片技術(shù)MEMS-MicroElectroMechanicalSystem
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 作風建設(shè)回頭看自己在崗位上分析材料
- 中學(xué)生新學(xué)期計劃
- 中秋國旗下講話稿400字（7篇）
- 影響學(xué)生學(xué)習(xí)成績的十大壞習(xí)慣
- 美的綠色工業(yè)案例集 2024
- 龍灣區(qū)九年級上學(xué)期語文9月學(xué)科素養(yǎng)考試卷
- 八年級上學(xué)期語文1月期末考試卷
- 冬至的課件教學(xué)課件
- 維修小便池合同（2篇）
- 南京航空航天大學(xué)《電力系統(tǒng)分析》2022-2023學(xué)年期末試卷
- T-CTTS 0019-2023 數(shù)字化實驗室等級評價規(guī)范
- 大學(xué)生職業(yè)生涯規(guī)劃機電一體化
- 吳姓的研究報告
- 財務(wù)法規(guī)知識培訓(xùn)課件
- 骨折修復(fù)的生物學(xué)原理與細胞治療方法
- 外貿(mào)業(yè)務(wù)基礎(chǔ)知識培訓(xùn)
- 現(xiàn)代化現(xiàn)代性現(xiàn)代主義
- 水幕系統(tǒng)設(shè)備維護方案
- 采購計劃制定
- 雙塔精餾正常操作雙塔精餾正常操作
- 振蕩指標MACD（波段操作精解）
評論
0/150
提交評論