晶體形貌的形成、控制與應用-以氧化鋅為例

晶體形貌的形成、控制與應用——以氧化鋅為例TheMorphologyofZincOxideCrystal浙江大學材料科學與工程學系張昶目錄前言六棱柱——結晶理論的預言1.1經(jīng)典形核理論1.2晶體形貌理論1——BDFH理論1.3晶體形貌理論2——HP理論1.4六棱柱——晶體形貌理論對氧化鋅晶體結構的預言不同形狀的“鉛筆”——氧化鋅粉體的生長2.1預言與實際2.2“鉛筆”的長大——氧化鋅粉體的生長過程2.2.12.2.22.3“橡皮頭鉛筆”——氧化鋅粉體的外形調(diào)制“花簇”與“扇子”——氧化鋅納米粒子的生長3.1氧化鋅納米粒子的外形3.2氧化鋅納米粒子的生長過程3.2.1基本粒子的形成3.2.2“杉樹”的長大3.2.3分化：“花簇”與“扇子”的形成3.2.4小節(jié)第四章不同形貌的氧化鋅的性能研究4.1不同氧化鋅晶體的形貌及其制備方式4.2不同形貌氧化鋅晶體的微波電磁性能及應用第五章總結附錄一：參考文獻附錄二：中英文名詞對照表前言晶體是內(nèi)部原子排列長程有序，外部形貌規(guī)則而平整的固體。我們該如何了解某種晶體的形貌呢？理論和實踐是人類獲得知識的兩種方式，實踐是檢驗理論的唯一方式。想要知道一種晶體的外形，除了通過做實驗直接觀察，我們還可以通過已有的理論預測。氧化鋅是一種無機材料，在電子、化工等領域均有廣泛應用。它的外形多種多樣，且與性質(zhì)息息相關。如果能控制氧化鋅晶體的外形，我們就能調(diào)制氧化鋅晶體的性質(zhì)。因此，研究氧化鋅晶體的形貌形成對研究和生產(chǎn)有實際的幫助。本篇論文中，我會從一系列的形核與生長理論出發(fā)，預測氧化鋅晶體的外形；然后通過實驗中觀察到的粉體氧化鋅和納米氧化鋅晶體外形，驗證結晶理論；并給出氧化鋅形成這些形狀的機理。最后舉例說明晶體形貌控制在研究和工業(yè)生產(chǎn)中的應用。希望通過本論文的寫作，能鞏固我的晶體生長基礎知識，并對日后的研究和工作提供幫助。圖0-1：豐富多彩的氧化鋅納米晶外形第一章六棱柱——早期結晶理論的預言本章提要：本章先介紹經(jīng)典形核理論，闡述晶體形核與長大的過程。然后再介紹兩個預測晶體形貌的理論：BFDH理論和HP理論。BFDH理論由Bravais等人提出，HP理論再在BFDH理論的基礎上得出，適應性更好。最后用HP理論預測氧化鋅晶體的外形。經(jīng)典形核理論【1】經(jīng)典形核理論（ClassicalNucleationTheory，CNT）指出，晶體的形核與長大是因為體系對某種物質(zhì)處于過飽和狀態(tài)。若溶液的某種溶質(zhì)的濃度持續(xù)增加，溶液的過飽和度超過某一臨界值（S）后，成核就開始進行了。吉布斯在1878年即指出，成核的目的是為了降低體系的吉布斯自由能（△G）。成核進行后，體系的過飽和度和吉布斯自由能開始下降，當S=1時，溶質(zhì)達到了平衡溶解度。這意味著此時結晶與晶體的溶解兩個過程達到了動態(tài)平衡。圖1-1：經(jīng)典成核理論示意圖晶體形貌理論1——BFDH理論【2】二十世紀早期，Bravais,Friedel,DonnayandHarker等人提出了預測晶體形貌的BFDH理論。即晶體生長到最后所保留的晶面為晶面間距大的面。用算式可以表示為：（1）其中MI是外形重要度（MorphologicalImportance），指某晶體的一系列化合物中該晶面作為外露界面的相對頻率。他們提出這個理論的基本假設是：晶體在某一晶向的生長速率正比于垂直該晶向晶面的面間距，且生長速度快的晶面最終會被淘汰。不管這個假設的可信度如何，至少它向我們直觀地提供了晶體外形的基本描述。晶體形貌理論2——HP理論【2、3】實踐證明，BFDH理論的適應性很差，這主要是因為它只是一個純幾何的模型。1955年，Hartman、Perdok等人提出HP理論，又稱為周期鍵鏈理論（PeriodicBondChainTheory）。該理論指出，晶體中某一晶向的生長速度取決于與該晶向垂直的晶面與其相鄰晶面之間的鍵合的情況。即，晶體生長時，固-液界面向液相的推進速率隨著界面間所形成的強鍵的鍵合能的增加而增加。如圖1-2，以具有簡單正交點陣結構的單原子晶體的晶體生長過程為例。單個原子在由液相進入點陣結構，參與形成晶體時，所形成的的鍵沿著[001],[010],[100]三個晶向；我們將這3個方向的鍵認為是3種強鍵，3個鍵的方向分別沿著P，B，C矢量。那么，形成(001),(010),(100)等{001}晶面族的6個晶面時，晶面與相鄰晶面之間只存在著1種強鍵（P，B或C），我們把相鄰晶面間只存在1種強鍵的面稱為F面，即平坦面。形成{110}晶面族的晶面時，相鄰晶面之間存在2種強鍵（P與B，P與C，或B與C）：以[110]為例，相鄰晶面間的強鍵是[100]、[010]。我們把相鄰晶面間存在2種強鍵的面稱為S面，即臺階面。以此類推，我們把相鄰晶面間存在3種強鍵的面，如{111}晶面族的面，稱為K面，即扭折面。圖1-2：HP理論的晶面劃分晶體生長的時候，K面上附著的強鍵最多，因此生長最快；F面上附著的強鍵最少，因此生長最慢。故最后保留晶面的往往是F面，隱沒消失的晶面通常是K面。該理論是晶體生長領域的一個重大突破，提出該理論的三篇論文被引用超過2000次。結晶理論對氧化鋅晶體形貌的預言【4】下面，我們利用之前介紹的結晶理論，預測六方結構氧化鋅晶體的外形。六方結構的氧化鋅為極性晶體，空間群為。晶體結構中，每個帶有2價正電荷的鋅離子被4個帶2價負電荷的氧離子所包圍。觀察氧化鋅沿著晶向的投影，如圖1-3。由HP理論可以知道，六方結構的氧化鋅晶面族的面均為F面，晶面族的面均為S面，晶面族的面均為K面。根據(jù)1.3節(jié)內(nèi)容，各晶面的生長速度關系為：（2）。由晶面淘汰理論，可以預測該晶體的外形如圖1-4所示，為一個六棱柱的形狀。六棱柱的頂端為晶面，側(cè)面為晶面。圖1-3：氧化鋅晶體沿晶向的投影圖圖1-4：六方氧化鋅的理論外形。第二章不同形狀的鉛筆——氧化鋅粉體的生長本章提要：先介紹Bell實驗室Laudise通過實驗得出的氧化鋅粉體的外形，與1.4節(jié)用結晶理論所得到氧化鋅外形做對比。分析導致兩者不同的原因。最后由氧化鋅粉體形成的機理給出一種調(diào)制氧化鋅粉體外形的方法。2.1預言與實際【5】在1.4節(jié)中，我們利用結晶理論預言了氧化鋅晶體的外形，但這與實際情況相差甚遠。在1959年，Laudise等人利用水熱法制備了微米級的氧化鋅和氧化硫晶體。水熱法的過飽和度較低，析出的晶體具有規(guī)則的多邊形形狀，是研究晶體外形的一個好方法。根據(jù)Laudise的研究，六方結構氧化鋅晶體的形貌應如圖2-1所示：圖2-1：氧化鋅晶體的理想外形實際的氧化鋅粉體外形與圖1-4的理論預測相差甚遠，最大的不同之處在于它在[0001]晶向延展，呈現(xiàn)出各向異性，而非是六棱柱兩個相同的頂端。晶面是一個基底，晶面族圍成了一個六個側(cè)面的金字塔結構，整體外形像是一支鉛筆。2.2氧化鋅粉體的生長過程【4,6】接下來，我們詳細地闡述一下氧化鋅晶體從形核到生長整個詳細的過程。2.2水熱法制備氧化鋅的化學反應為：被稱為生長單體（GrowthUnit）,成四面體結構。生長單體之間會發(fā)生脫水反應（如6式），形成二聚體、三聚體等縮合物?？s合物會繼續(xù)和生長單體產(chǎn)生脫水反應，不斷長大(如7式)，直至形成穩(wěn)定的晶體。這種晶體長大模型被稱為生長單體模型(GrowthUnitModel)，由中科院的仲偉卓所提出。因為兩個單體脫水后，氫氧根變成了一個氧離子和一份水，該化合物的氫氧根只存在于表面，等待著與新的反應，脫水。隨著反應的不斷進行，化合物不斷長大，比表面積越來越小，表面露頭的氫氧根越來越少，x：y→1:1，z/x→0，最后的化合物就可以近似認為是ZnO了。2.2.2由2.2.1的闡述可知，氧化鋅晶體的長大過程不是氧離子和鋅離子獨立與晶核成鍵的過程，而是先形成，單體與晶核之間的氫氧根之間發(fā)生脫水反應，隨后成為晶核一部分的過程。因此如果單純地把Zn-O鍵視作強鍵，自然不能運用周期鍵鏈理論。但是依然可以借鑒其基本思想：成強圖2-2：氧化鋅晶體的界面結構圖2-3：氧化鋅晶體立體結構觀察圖2-2、圖2-3，可以發(fā)現(xiàn)氧化鋅晶體是由很多個四面體結構的單體組成的。其頂部顯露的幾何元素為很多個單體的頂點，在側(cè)面顯露的幾何元素為很多個單體的棱，在底部顯露的幾何元素為很多個單體的面。由于顯露部分為尚未脫水的氫氧根，則新單體的加入就是依靠與這些顯露部分反應而進行的。頂部的一個氫氧根可以與3個單體發(fā)生脫水反應，側(cè)面的一個氫氧根可以與2個單體發(fā)生脫水反應，底部的一個氫氧根可以與1個單體發(fā)生脫水反應。因此，生長相同數(shù)量的單體，頂部最快，側(cè)面次之，底部最慢。據(jù)此推斷，氧化鋅各個晶面的生長速度大小關系為：（8）這與圖2-1表示的Laudise等人的研究成果相符。證明了該生長基元模型的正確性。圖2-4是該氧化鋅粉體的投射電鏡圖像。圖2-4：氧化鋅粉體的透射電鏡圖像2.3氧化鋅晶體外形的調(diào)制【4】利用之前所介紹的生長基元模型，我們甚至可以通過改變水熱法實驗條件來改變氧化鋅粉體的外形。如2.2.1如將溶液用NaOH調(diào)配成堿性氛圍，則原有的配體會與NaOH反應：（9）相應的，晶體表面露頭的氫氧根也會與NaOH發(fā)生反應：（10）但是，兩個-ONa是無法完成縮合反應的?，F(xiàn)在的單體要想進入晶格，仍需將單體和晶體表面的-ONa置換為-OH，再脫水縮合。這個反應速度較慢，會延緩界面的推進速率。這就是氫氧根的掩蔽作用（ShieldingEffect）。每個晶面的生長都會受到阻礙，但由于（0001}晶面上的一個露頭鍵要與3個單體反應，需要進行的置換反應更多，故該晶面所受到的掩蔽作用更大。據(jù)此，在堿性條件下生長的氧化鋅粉體外形應該如圖2-5所示，這與實際情況——氧化鋅粉體的電鏡照片（圖2-6）一致，像是一支帶著橡皮頭的鉛筆。圖2-5：堿性條件下生長氧化鋅的理想外形圖2-6：堿性條件下生長氧化鋅的透射電鏡圖花簇與扇子——氧化鋅納米粒子的生長【7】本章提要：給出兩種有趣的納米級氧化鋅晶體的外形，詳細介紹這兩種外形產(chǎn)生的過程與機理。氧化鋅納米粒子的外形仲偉卓等人已經(jīng)成功總結了氧化鋅粉體的外形（圖2-4、圖2-6）——普通的鉛筆和帶橡皮頭的鉛筆。雖然比起早期結晶理論所欲言的氧化鋅晶體外形（圖3）——簡單的六棱柱要顯得那么要特殊一點，還是非常單調(diào)的形狀。BettinaLudi等人在苯甲醇體系下合成了納米級的氧化鋅粒子，并用投射電鏡研究其動力學過程，發(fā)現(xiàn)了氧化鋅納米粒子在微觀世界下存在著一些十分奇異和有趣的形態(tài)——納米花簇和納米扇子結構（Bouquet-orFan-likeStructure）（圖3-1、圖3-2）。圖3-1：氧化鋅納米花簇圖3-2：氧化鋅納米扇子氧化鋅納米粒子的形成過程那么，為什么氧化鋅納米粒子與氧化鋅粉體有著截然不同的外形特征，甚至呈現(xiàn)出這樣十分復雜的晶體結構呢？其實，納米顆粒的結晶不能用經(jīng)典理論描述，它的結晶分為聚集和自組裝兩步。我們接下來就詳細闡明氧化鋅納米粒子的生長過程。基本粒子的形成無論是納米花還是納米扇子，都是圓盤狀的氧化鋅基本粒子（PrimaryParticles）所組成的（圖3-3）。這里的基本粒子不同于2.2中所介紹的生長單體，基本粒子實質(zhì)上類似于小晶體，內(nèi)部包含長程有序的氧化鋅晶體結構,是在反應剛開始時，由單體發(fā)生水解聚合而成的。如果把納米粒子的生長比作造房子的話，生長單體（苯甲醇體系下的生長單體化學式見圖3-4，由一個復雜的有機化學反應產(chǎn)生，這里不作描述）相當于泥沙，基本粒子相當于磚頭，最后的納米結構相則當于大樓。建筑工人先把泥沙做成一模一樣的磚頭，再用磚頭建造出不同外形的房子。圖3-3：基本粒子（圓盤狀物體）構成了聚集體圖3-4：甲苯體系下的單體需要注意的是，即便是基本粒子，它的外形也與第二章的氧化鋅粉體有所不同：外形為球狀或圓盤狀，在晶向而非[0001]晶向延展。這是由于苯甲醇的極性很強，會在基本粒子表面吸附（基本粒子自身也存在電偶極矩），在(0001)晶面上的吸附量尤其大，因此阻礙了基本粒子沿著[0001]晶向的生長。最終導致了當前的外形。此外，在納米體系中，晶體生長的速控步并非單純的擴散(Diffusion)或單純的結合（Integration）。研究表明，納米氧化鋅粒子的生長與其尺寸關系密切。尺寸越大，生長越慢。對于一個固定的體系，納米粒子尺寸若大于一定閾值，則停止生長。因此氧化鋅晶體不會持續(xù)長大成粉體，而是進入下一步的反應——團聚?！吧紭洹钡拈L大根據(jù)量子力學計算，II-VI族半導體化合物晶體，比如氧化鋅納米晶，電偶極矩很強，達到91.49D。此外又由于氧化鋅納米晶粒子分散地懸浮在苯甲醇中，整個體系的介電常數(shù)很小，這會導致納米晶之間很強的偶極矩-偶極矩相互作用。從而，納米晶之間會相互吸引并發(fā)生碰撞。這些碰撞有些是不可逆的有效碰撞，有些是可逆的無效碰撞。發(fā)生有效碰撞的條件是兩個納米晶粒子的存在一定的晶體取向關系，有效碰撞的結果是兩個基本粒子實現(xiàn)有取向的接觸（OrientedAttachment）。2個基本粒子形成有取向的接觸后，第3、第4個粒子會繼續(xù)與該聚集體發(fā)生碰撞，聚集體越長越大，最后會形成一個杉樹形（FirTree）的聚集體，如圖3-5、圖3-6。圖3-5：杉樹狀聚集體模型圖圖3-6：杉樹狀聚集體電鏡照片杉樹狀聚集體的產(chǎn)生大約在反應3-5分鐘時出現(xiàn)。此后，基本粒子仍然會源源不斷地與聚集體在c軸方向進行有取向的接觸，使得聚集體的電偶極矩進一步增加。此外，基本粒子一般在聚集體的中部或尾部聚集，互相之間又成一定角度，這使得杉樹狀聚集體不斷變長、長大，同時又與最初的“小杉樹”保持著一定幾何上的相似關系。分化：花簇和扇子的形成在反應進行到7-120分鐘時，最引人注目的變化就是花簇和扇子結構的產(chǎn)生了。扇子結構的產(chǎn)生要快于花簇結構。反應約10分鐘后，杉樹的上半部分開始變得光滑。因為這一部分的氧化鋅溶解后又在相鄰基本粒子之間的接觸部位——頸（Bottleneck）處沉積。然后相鄰的基本粒子有相互之間連接形成納米棒的趨勢，此時的結構被稱作準扇子結構（Pre-fans），見圖3-7（左）。像扇子結構一樣，形成花簇結構也要先形成準花簇結構（Pre-bouquet）這樣的中間體，見圖3-7（右）。圖3-7：準扇子結構（左）和準花簇結構模型（右）BettinaLudi等人認為，結構更致密、內(nèi)部原子排列更有序的杉樹狀聚集體最終才可能形成準花簇結構。只有這樣，杉樹頂部才能演化出花簇結構的花莖部分?；ㄇo部分是花簇結構和扇子結構最主要的區(qū)別。此后，準扇子結構和準花簇結構就連續(xù)地轉(zhuǎn)變?yōu)樯茸咏Y構和花簇結構。主要就是層層堆積的基本粒子轉(zhuǎn)變?yōu)榧{米棒和納米棒的伸長過程。基本粒子之間的晶界變得不明顯，球狀粒子的接觸點——頸部的半徑越來越大，最后變地和粒子的半徑一樣大。從電鏡圖（圖3-8（右））上看，粒子之間原有的晶界消失了，實現(xiàn)了晶體接觸。此時，整個結構看起來就像是一簇納米棒，而不是一團粒子的堆積體了（圖3-8（左））。此時，納米棒的伸展方向又回到了[0001]方向。圖3-8：納米棒的形成整個反應在2小時后基本達到終點（雖然一天后，納米棒仍有少量伸長），花簇結構和扇子結構的比例保持恒定。反應2小時時，扇子結構和花簇結構的尺度在42.8nm~72.8nm之間分布。小節(jié)圖3-9給出了花簇結構和扇子結構形成的整個過程。圖3-9：花簇和扇子結構的形成圖示第四章不同形貌的氧化鋅的性能研究【8】本章提要：本文前三章介紹了不同形貌氧化鋅的形成過程和機理。這啟示我們可以通過控制氧化鋅的晶體外形來調(diào)制其性能。本章介紹了不同形貌氧化鋅納米晶的微波電磁性能。4.1不同氧化鋅晶體的形貌及其制備方式將陳化處理后的鋅粉與碳粉混合后，在馬弗爐中950℃-1100℃高溫加熱并保溫一段時間后冷卻至室溫，即可得到氧化鋅晶須。氧化鋅晶須的外形為四角狀，內(nèi)部結構為六方纖鋅礦結構。晶須外觀形貌平滑,所得產(chǎn)物均為四角狀,針部長約20～50μm,基部直徑為0.8～1.5μm,長徑比為10～15,每兩根相鄰針間夾角近似109將硬脂酸加熱熔融后加入硝酸鋅，加熱蒸干后得到干凝膠。將干凝膠煅燒后得到蓬松的泡沫狀產(chǎn)物。700℃圖4-1：四角狀氧化鋅晶須【9】圖4-2：氧化鋅納米晶【10】4.2不同形貌氧化鋅晶體的微波電磁性能及應用對氧化鋅晶須、氧化鋅納米晶和體相氧化鋅的介電常數(shù)和磁導率進行測量（圖4-3、圖4-4）。氧化鋅的介電常數(shù)和磁導率是復數(shù)，復數(shù)的虛部代表晶體介電損耗或磁損耗的能力。圖4-3：氧化鋅晶須、納米晶與體材料的石蠟混合物的介電損耗曲線圖4-4：氧化鋅晶須、納米晶與體材料的石蠟混合物的磁損耗曲線由上表可以看到四腳狀氧化鋅晶須與納米氧化鋅晶體的磁導率虛部非常小,而其介電常數(shù)的虛部較大。此外，四腳狀氧化鋅晶須的介電損耗性能大于納米氧化鋅晶體的介電損耗型性能。利用氧化鋅晶須的介電損耗性能，可以聯(lián)想到用它來研發(fā)微波損耗材料。微波損耗材料可以用于隱形飛機、導彈、艦船外殼的制作，因為微波損耗材料可以吸收雷達所發(fā)射波段的電磁波，使其無法偵測到，在軍事上有重要的應用。圖4-5：隱形飛機（左）及其原理（右）【11】第五章總結本論文先探討了經(jīng)典形核理論和BDFH理論、HP理論——預測晶體外形的2個理論。BDFH理論完全從幾何角度出發(fā)，與實際不符。HP理論從成鍵角度出發(fā)，較為符合實際。用HP理論預測氧化鋅晶體的外形，得到了一個六棱柱結構。這與實際情況不符。氧化鋅粉體的外形為鉛筆狀。這是因為氧化鋅粉體的形成過程是單體之間脫水聚合的過程，不是Zn-O鍵的形成過程。最終粉體的外形與一個露頭的氫氧根和多少個單體成鍵有關。通過改變體系的PH值，可控制粉體的外形。氧化鋅納米顆粒的外形為花簇狀或者扇子狀，與氧化鋅粉體很不同。這是由于生長單體形成基本粒子后因苯甲醇的吸附導致進一步長大受阻，基本粒子再通過有取向的接觸形成杉樹狀聚集體，聚集體再經(jīng)過物質(zhì)輸運和單體并入最終長大分化為不同形狀所造成的結果。不同的氧化鋅晶體有著不同的性能。四角狀氧化鋅晶須的介電損耗要遠遠高于顆粒狀的氧化鋅納米晶。這可以被應用于微波損耗材料，用來制造隱形飛機。附錄一：參考文獻【1】NucleationofCrystalsfromSolution:ClassicalandTwo-StepModels；AccountsofChemicalResearch;DENIZERDEMIRetal..【2】OnthePredictionofCrystalMorphology.I.TheHartman-PerdokTheoryRevisited;Acta.Cryst.;R.EEGR1MBERGENetal.【3】晶體生長的物理基礎閔乃本【4】HYDROTHERMALSYNTHESISOFZIKCOXIDEAKDZINCSULFIDE1；R.A.Laudise【5】Growthmechanismandgrowthhabitofoxidecrystals;JournalofCrystalGrowth;Wen-JunLietal.【6】負離子配位多面體生長基元的理論模型與晶粒形貌;人工晶體學報;李汶軍等【7】Mechanisticaspectsofmolecularformationandcrystallizationofzincoxidenanoparticlesinbenzylalcohol；Nanoscale；BettinaLudietal.【8】ElectromagneticcharacteristicsofdifferentshapeZnOcomposite；JournalofAeronauticsandAstronautics;LiuJianHuaetal圖片鏈接：【9】/?p=1029【10】/suggestions-for-developing-a-prem-proposal/zno-nanocrystals-2/【11】/photo/EuoVE4po2Fvs331zFBWWAg==/3100446868468328224.jpg附錄二：中英文詞匯對照表第一章：經(jīng)典形核理論（ClassicalNucleationTheory，CNT）外形重要度（MorphologicalImportance）第二章：周期鍵鏈理論（PeriodicBondChainTheory）生長單體（GrowthUnit）生長單體模型(GrowthUnitModel)掩蔽作用（ShieldingEffect）第三章：花簇和扇子結構（Bouquet-orFan-likeStructure）基本粒子（PrimaryParticles）擴散(Diffusion)結合（Integration）有取向的接觸（OrientedAttachment）頸（Bottleneck）準扇子結構（Pre-fans）準花簇結構（Pre-bouquet）杉樹狀（FirTree）基于C8051F單片機直流電動機反饋控制系統(tǒng)的設計與研究基于單片機的嵌入式Web服務器的研究MOTOROLA單片機MC68HC（8）05PV8/A內(nèi)嵌EEPROM的工藝和制程方法及對良率的影響研究基于模糊控制的電阻釬焊單片機溫度控制系統(tǒng)的研制基于MCS-51系列單片機的通用控制模塊的研究基于單片機實現(xiàn)的供暖系統(tǒng)最佳啟停自校正（STR）調(diào)節(jié)器單片機控制的二級倒立擺系統(tǒng)的研究基于增強型51系列單片機的TCP/IP協(xié)議棧的實現(xiàn)基于單片機的蓄電池自動監(jiān)測系統(tǒng)基于32位嵌入式單片機系統(tǒng)的圖像采集與處理技術的研究基于單片機的作物營養(yǎng)診斷專家系統(tǒng)的研究基于單片機的交流伺服電機運動控制系統(tǒng)研究與開發(fā)基于單片機的泵管內(nèi)壁硬度測試儀的研制基于單片機的自動找平控制系統(tǒng)研究基于C8051F040單片機的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)基于單片機的液壓動力系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)測儀開發(fā)模糊Smith智能控制方法的研究及其單片機實現(xiàn)一種基于單片機的軸快流CO〈,2〉激光器的手持控制面板的研制基于雙單片機沖床數(shù)控系統(tǒng)的研究基于CYGNAL單片機的在線間歇式濁度儀的研制基于單片機的噴油泵試驗臺控制器的研制基于單片機的軟起動器的研究和設計基于單片機控制的高速快走絲電火花線切割機床短循環(huán)走絲方式研究基于單片機的機電產(chǎn)品控制系統(tǒng)開發(fā)基于PIC單片機的智能手機充電器基于單片機的實時內(nèi)核設計及其應用研究基于單片機的遠程抄表系統(tǒng)的設計與研究基于單片機的煙氣二氧化硫濃度檢測儀的研制基于微型光譜儀的單片機系統(tǒng)單片機系統(tǒng)軟件構件開發(fā)的技術研究基于單片機的液體點滴速度自動檢測儀的研制基于單片機系統(tǒng)的多功能溫度測量儀的研制基于PIC單片機的電能采集終端的設計和應用基于單片機的光纖光柵解調(diào)儀的研制氣壓式線性摩擦焊機單片機控制系統(tǒng)的研制基于單片機的數(shù)字磁通門傳感器基于單片機的旋轉(zhuǎn)變壓器-數(shù)字轉(zhuǎn)換器的研究基于單片機的光纖Bragg光柵解調(diào)系統(tǒng)的研究單片機控制的便攜式多功能乳腺治療儀的研制基于C8051F020單片機的多生理信號檢測儀基于單片機的電機運動控制系統(tǒng)設計Pico專用單片機核的可測性設計研究基于MCS-51單片機的熱量計基于雙單片機的智能遙測微型氣象站MCS-51單片機構建機器人的實踐研究基于單片機的輪軌力檢測基于單片機的GPS定位儀的研究與實現(xiàn)基于單片機的電液伺服控制系統(tǒng)用于單片機系統(tǒng)的MMC卡文件系統(tǒng)研制基于單片機的時控和計數(shù)系統(tǒng)性能優(yōu)化的研究基于單片機和CPLD的粗光柵位移測量系統(tǒng)研究單片機控制的后備式方波UPS提升高職學生單片機應用能力的探究基于單片機控制的自動低頻減載裝置研究基于單片機控制的水下焊接電源的研究基于單片機的多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)基于uPSD3234單片機的氚表面污染測量儀的研制基于單片機的紅外測油儀的研究96系列單片機仿真器研究與設計基于單片機的單晶金剛石刀具刃磨設備的數(shù)控改造基于單片機的溫度智能控制系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)基于MSP430單片機的電梯門機控制器的研制基于單片機的氣體測漏儀的研究基于三菱M16C/6N系列單片機的CAN/USB協(xié)議轉(zhuǎn)換器基于單片機和DSP的變壓器油色譜在線監(jiān)測技術研究基于單片機的膛壁溫度報警系統(tǒng)設計基于AVR單片機的低壓無功補償控制器的設計基于單片機船舶電力推進電機監(jiān)測系統(tǒng)基于單片機網(wǎng)絡的振動信號的采集系統(tǒng)基于單片機的大容量數(shù)據(jù)存儲技術的應用研究基于單片機的疊圖機研究與教學方法實踐基于單片機嵌入式Web服務器技術的研究及實現(xiàn)基于AT89S52單片機的通用數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)基于單片機的多道脈沖幅度分析儀研究機器人旋轉(zhuǎn)電弧傳感角焊縫跟蹤單片機控制系統(tǒng)基于單片機的控制系統(tǒng)在PLC虛擬教學實驗中的應用研究基于單片機系統(tǒng)的網(wǎng)絡通信研究與應用基于PIC16F877單片機的莫爾斯碼自動譯碼系統(tǒng)設計與研究基于單片機的模糊控制器在工業(yè)電阻爐上的應用研究基于雙單片機沖床數(shù)控系統(tǒng)的研究與開發(fā)基于Cygnal單片機的μC/OS-Ⅱ的研究基于單片機的一體化智能差示掃描量熱儀系統(tǒng)研究基于TCP/IP協(xié)議的單片機與Internet互聯(lián)的研究與實現(xiàn)變頻調(diào)速液壓電梯單片機控制器的研究基于單片機γ-免疫計數(shù)器自動換樣功能的研究與實現(xiàn)基于單片機的倒立擺控制系統(tǒng)設計與實現(xiàn)單片機嵌入式以太網(wǎng)防盜報警系統(tǒng)基于51單片機的嵌入式Internet系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)單片機監(jiān)測系統(tǒng)在擠壓機上的應用MSP430單片機在智能水表系統(tǒng)上的研究與應用基于單片機的嵌入式系統(tǒng)中TCP/IP協(xié)議棧的實現(xiàn)與應用單片機在高樓恒壓供水系統(tǒng)中的應用\t