IGBT模塊結(jié)構(gòu)及老化簡介

第第頁IGBT模塊結(jié)構(gòu)及老化簡介對于工程設(shè)計人員來講，（IGBT）（芯片）的性能，可以從規(guī)格書中很直觀地得到。但是，系統(tǒng)設(shè)計時，這些性能能夠發(fā)揮出來多少，就要看“封裝“了，畢竟夏天穿著棉襖工作任誰也扛不住，因此，對于怕熱的IGBT芯片來講，就是要穿得“涼快”

電動汽車逆變器的應(yīng)用上，國際大廠還是傾向于自主封裝的IGBT，追求散熱效率的同時，以最優(yōu)化空間布局，匹配系統(tǒng)需求。

IGBT制造流程

晶圓生產(chǎn)：包含硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型三個步驟，目前國際主流是8英寸晶圓，部分晶圓廠12英寸產(chǎn)線逐步投產(chǎn)，晶圓尺寸越大，良品率越高，最終生產(chǎn)的單個器件成本越低，市場競爭力越大

芯片設(shè)計：IGBT制造的前期關(guān)鍵流程，目前主流的商業(yè)化（產(chǎn)品）基于Trench-FS設(shè)計，不同廠家設(shè)計的IGBT芯片特點不同，表現(xiàn)在性能上有一定差異

（芯片制造）：芯片制造高度依賴產(chǎn)線設(shè)備和工藝，全球能制造出頂尖（光刻機）的（廠商）不足五家；要把先進的芯片設(shè)計在工藝上實現(xiàn)有非常大的難度，尤其是薄片工藝和背面工藝，目前這方面國內(nèi)還有一些差距

器件封裝：器件生產(chǎn)的后道工序，需要完整的封裝產(chǎn)線，核心設(shè)備依賴進口

IGBT芯片

以（英飛凌）IGBT芯片發(fā)展歷程為例

不同廠商技術(shù)路線略有不同。正所謂班門不弄斧，這部分給大家（推薦）一篇文章：《英飛凌芯片簡史》，很有意思。

IGBT封裝

看圖：

IGBT模塊的典型封裝工序：芯片和DBC焊接綁線——>DBC和銅底板焊接——>安裝外殼——>灌注硅膠——>密封——>終測

1DBC（DirectBondingCopper）

DBC（覆銅陶瓷基板）的作用：絕緣、導(dǎo)熱，銅箔上可以刻蝕出各種圖形，方便走（電流）。

對導(dǎo)熱陶瓷的基本要求是導(dǎo)熱、絕緣和良好的（機械）性能，目前常用的導(dǎo)熱陶瓷材料參數(shù)：

IGBT模塊常用的DBC散熱陶瓷材料是氧化鋁，應(yīng)用最為成熟，為了繼續(xù)提升模塊的散熱性能，部分模塊廠商在高性能產(chǎn)品上采用氮化鋁或氮化硅陶瓷基板，顯著增加散熱效率，提升模塊的功率密度。

2電流路徑

剛開始接觸IGBT模塊的人，打開IGBT或許會有點迷惑，這里簡單普及一下：

對于模塊，為了提升通流能力，一般會采用多芯片并聯(lián)的方式。

3散熱路徑

單面散熱模塊散熱路徑如下圖所示，芯片為發(fā)熱源，通過DBC、銅底板傳導(dǎo)至散熱器。

散熱路徑的熱阻越低越好，除了DBC采用熱導(dǎo)率更高的高導(dǎo)熱陶瓷材料之外，IGBT模塊制造商在焊接工藝上下了不少功夫。目前最成熟的焊接工藝采用的焊料是錫，為了滿足高性能場合的應(yīng)用，部分產(chǎn)品芯片與DBC的焊接部分采用銀燒結(jié)技術(shù)，增強散熱路徑的導(dǎo)熱性和可靠性。對于單管方案，單管與散熱底板的燒結(jié)逐漸成為趨勢。

典型案例：

單管功率模組的散熱原理與模塊類似。Model3的SiC單管與散熱器的焊接采用銀燒結(jié)的方式，與ModelX相比，顯著提高了功率模塊散熱路徑的散熱效率和可靠性。

老化失效

一般采用加速老化試驗對IGBT模塊的可靠性進行驗證，功率循環(huán)（PC）試驗最為常用。功率循環(huán)過程中，芯片結(jié)溫波動時，由于材料膨脹系數(shù)(coefficientofthermalexpansion，C（TE）)不同產(chǎn)生熱應(yīng)力，模塊長期工作在熱循環(huán)沖擊下導(dǎo)致材料疲勞和老化，最終導(dǎo)致模塊失效如鋁引線脫落、焊接層斷裂分層。

1鍵合線失效

一般通過PCsec（秒級功率循環(huán)）試驗來驗證鍵合性能，循環(huán)次數(shù)越多越好，鍵合引線的疲勞老化通過飽和導(dǎo)通壓降Vcesat來評估，循環(huán)過程中，Vcesat會有輕微上升趨勢。焊料層和鍵合引線及鍵合處受到功率循環(huán)產(chǎn)生的熱應(yīng)力的反復(fù)沖擊，導(dǎo)致焊料層因材料疲勞出現(xiàn)裂紋，裂紋生長甚至出現(xiàn)分層(空洞或氣泡)，導(dǎo)致鍵合引線的剝離、翹曲或熔斷。功率模塊中各芯片均通過多根引線并聯(lián)引出。而實際運行中，一根引線的脫落會導(dǎo)致電流重新均流，加速其它引線相繼脫落。

2焊接層疲勞

一般通過PCmin（分鐘級功率循環(huán)）試驗來驗證焊接層性能，焊料層疲勞老化程度與結(jié)-殼熱阻Rthjc正相關(guān)。功率模塊由異質(zhì)材料構(gòu)成多層結(jié)構(gòu)，在熱循環(huán)過程中不同熱膨脹系數(shù)的材料會產(chǎn)生交變應(yīng)力，使材料彎曲變形并發(fā)生蠕變疲勞，從而導(dǎo)致硅芯片與基板之間以及基板與底板之間的焊接層中產(chǎn)生裂紋并逐漸擴散，最終導(dǎo)致失效或分層。

總結(jié)

對于應(yīng)用（工程師）來講，上邊的內(nèi)容重點關(guān)注封裝及老化失效部分，怎么樣根據(jù)系統(tǒng)的需求選擇合適的IGBT模塊，怎么樣通過科學(xué)的散熱設(shè)計把