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整流晶閘管阻容吸取元件的選擇電容的選擇〔容量通常在0.1~1uF之間耐壓選元件的1.1~1.5倍C=(2.5~5)×103×I式中It

t=0.367IdI 為直流電流值d假設(shè)整流側(cè)承受500A晶閘管,則可以計(jì)算:C=(2.5~5)×103×500=1.25~2.5uF應(yīng)選用2.5uF,1KV的電容器.電阻的選擇(應(yīng)選無(wú)感電阻,通常選5~30Ω,要保證電阻的功率,使之不被過(guò)熱燒毀)R=﹝(2~4)×535﹞÷I =2.14~8.56f選擇R=10ΩP =﹝1.5×(P ×2πf )2×102×R﹞÷2R fv CP =2U(1.5~2.0)fv式中U為三相電壓的有效值.晶閘管阻容電路閱歷參數(shù)晶閘管額定電流1000500200100502010〔A〕電容〔uF〕210.50.250.20.150.1電阻〔Ω〕2510204080100電阻功率P =fCUR 6式中 f——溝通電源頻率U ——晶閘管模塊工作峰值電壓〔;m——與電阻串聯(lián)的電容〔u,其耐壓一般為晶閘管耐壓的1.3倍;總結(jié):阻容吸取電路要盡量靠近晶閘管,引線要短,最好承受無(wú)感電容及安規(guī)電容。1.1~1.5整流晶閘管阻容吸取元件的選擇電容的選擇:If=0.367IdId-直流電流值500A的晶閘管可以計(jì)算C=(2.5-5)×103×500=1.25-2.5μF的電容器電阻的選擇:R=((2-4)×535)/If=2.14-8.5610歐的平方×10的12次方×R)/2Pfv=2u(1.5-2.0)u-三相電壓的有效值五、晶閘管模塊的保護(hù)1、過(guò)電壓保護(hù)VRSM

、VDSM

值以內(nèi)。常用的保護(hù)措施如下:※晶閘管關(guān)斷過(guò)電壓〔換流過(guò)電壓、空穴積蓄效應(yīng)過(guò)電壓〕保護(hù)當(dāng)晶閘管關(guān)斷、正向電流下降到零時(shí),管芯內(nèi)部會(huì)殘留很多載流子,在反向di/dt。V-Ldi/dt,所以也能產(chǎn)生很高的電壓〔或毛刺A、K〔因關(guān)心陰極導(dǎo)線的線徑很細(xì),回路中過(guò)大的電流會(huì)將該線燒斷〕?!鶞贤▊?cè)過(guò)電壓及其保護(hù)方法是并接阻容吸取電路和壓敏電阻。阻發(fā)熱,且體積較大,對(duì)于能量較大的過(guò)電壓不能完全抑制。壓敏電阻是一種非線性元件,它是以氧化鋅為基體的金屬氧化物,有兩個(gè)電100uA其在220V 電路里使用標(biāo)稱470~680V,在380V電路里使用標(biāo)稱780~1000V的AC AC壓敏電阻,由于其吸取電能的功率跟其直徑有關(guān),直徑大的功率就大,一般選用直徑2、過(guò)電流保護(hù)可以馬上切斷可控硅的觸發(fā)脈沖,使可控硅在電流過(guò)零時(shí)換向時(shí)關(guān)斷,但對(duì)于在10/8.3ms〔50/60HZ〕SCR1.57快熔種類較多,質(zhì)量差異較大,選擇時(shí)應(yīng)慎重。6頻的一個(gè)周期〔20ms〕。流〔即有效值〕I 即1.57ITRMS

,同時(shí)要大于流過(guò)晶閘管的實(shí)際通態(tài)方均根電流(即有效值)I。即1.57IRMS

≥ITAV

≥IRMS3、電壓及電流上升率的保護(hù)※電壓上升率〔dv/dt〕晶閘管阻斷時(shí),其陰陽(yáng)極之間相當(dāng)于存在一個(gè)PN結(jié)電容,當(dāng)突加正向陽(yáng)極最大正向電壓上升率必需加以限制。常用方法是在晶閘管兩端并聯(lián)阻容吸取元件?!娏魃仙省瞕i/dt〕PNPN甚至燒毀,所以必需限定晶閘管通態(tài)電流上升率〔di/dt〕。一般是在橋臂中串入電感或鐵淦氧磁環(huán)。4、過(guò)寵保護(hù)PN結(jié)溫度急劇上升,致使器件400Hz導(dǎo)體模塊的電流電壓的額定值選擇同等到重要,千萬(wàn)不行大意!考慮散熱問(wèn)題的總原則是:掌握模塊中管芯的結(jié)溫不超過(guò)產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給定的額定結(jié)溫。通過(guò)掌握模塊底板的溫度〔即殼溫〕PNTj和殼溫Tc存在著肯定的溫度梯度,知道了殼溫也就知道了結(jié)溫,而最高殼〔溫度傳感元件應(yīng)置于模塊底板溫度最高的位置〕。從溫控開(kāi)關(guān)測(cè)量(Tc不超過(guò)75-80℃)可以推斷模塊的工作是否正常。假設(shè)在線路中增加一〔停機(jī)〕,就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結(jié)溫下正常工作?!泊蠹s低幾度〕,因此其實(shí)際掌握溫度應(yīng)低于規(guī)定值。用戶可以依據(jù)實(shí)際狀況和閱歷打算掌握的溫度。六、散熱器的設(shè)計(jì)和選擇1、晶閘管模塊I,通態(tài)峰值電壓VTAV

,模塊接觸熱阻R ,殼th(c-h(huán))溫T〔銅底板〕以及環(huán)境溫度Ta,并按P ≈0.9VI或P =IV +C T〔AV〕 TM TAV T〔AV〕 TAV TOI2 R ,求出平均功耗P,則散熱器熱阻R :TRMS TO TAV th(h-a)Rth(h-a)

=〔TC

-Ta〕/PT〔AV〕

—Rth(c-h(huán))〔這是單個(gè)模塊用散熱器熱阻,假設(shè)散熱器上安裝幾個(gè)模塊,則用nP 代T〔AV〕入即可?!城蟪鯮 后,選定散熱器型號(hào)規(guī)格,其熱阻應(yīng)比計(jì)算出的熱阻小,查散th(h-a)熱器的熱阻曲線即可選得適宜散熱器尺寸。2、固態(tài)繼電器配套散熱器的選擇而與其本身的電流等級(jí)大小并不完全全都。發(fā)熱量的計(jì)算公式〔兩種〕1、發(fā)熱量=實(shí)際負(fù)載電流(安培)×1.5/安培三相溝通調(diào)壓模塊,其實(shí)際負(fù)載電流應(yīng)為三相負(fù)載電流之和。/安培以上公式適合于單相全控整流模塊。態(tài)繼電器的寬度。劣狀況下固體繼電器或模塊的底板溫度不超過(guò)75-80℃。電阻器電阻器的命名方法依據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB2470—81的規(guī)定,電阻器的型號(hào)由以下幾局部組成。區(qū)分代號(hào)〔用大寫(xiě)字母表示〕序號(hào)〔用數(shù)字表示〕分類〔多數(shù)用數(shù)字表示,個(gè)別用字母表示,見(jiàn)表2—1〕材料〔用字母表示,見(jiàn)表2—2〕主稱〔用字母表示,R一般電阻,W電位器,M敏感電阻〕表1-1 電阻器的分類代號(hào)及其意義數(shù)字或字母 1代號(hào)

2 3 4

6 7 8

G T W D電阻普

普超高高 高

精 高 特

高功 可意器通通頻阻溫密壓殊率調(diào)義電位普普精函特微多器通通密數(shù)殊調(diào)圈表1-2 電阻器的材料代號(hào)及其意義HSHSNJYCI合成有機(jī)實(shí)無(wú)機(jī)實(shí)金屬氧化沉積玻璃釉膜芯芯膜膜膜膜T X號(hào)意義 碳膜 線繞RJ71WSW1A1.1所示。圖1.1 常用電阻器外形圖電阻器的分類及特點(diǎn)薄膜類在玻璃或陶瓷基體上沉積一層碳膜、金屬膜、金屬氧化膜等形成電阻薄膜,膜的厚度一般在幾微米以下。金屬膜電阻〔型號(hào):RJ〕。在陶瓷骨架外表,經(jīng)真空高溫或燒滲工藝蒸發(fā)沉積一層金屬膜或合金膜。其特點(diǎn)是:精度高、穩(wěn)定性好、噪聲低、體積小、高頻特性好。且允許工作環(huán)境溫度金屬氧化膜電阻〔型號(hào):RY〕。在玻璃、瓷器等材料上,通過(guò)高溫以化學(xué)反響形式生成以二氧化錫為主體的金屬氧化層。該電阻器由于氧化膜膜層比較厚,因而具有極好的脈沖、高頻和過(guò)負(fù)荷性能,且耐磨、耐腐蝕、化學(xué)性能穩(wěn)定。但阻值范圍窄,溫度系數(shù)比金屬膜電阻差。碳膜電阻〔型號(hào):RT〕。在陶瓷骨架外表上,將碳?xì)浠衔镌谡婵罩型ㄟ^(guò)高溫蒸發(fā)分解沉積成碳結(jié)晶導(dǎo)電膜。碳膜電阻價(jià)格低廉,阻值范圍寬〔10~10M〕,溫度系數(shù)為負(fù)值。常用額定功率為1/8W~10W,精度等級(jí)為±5%、±10%、±20%,在一般電子產(chǎn)品中大量使用。合金類用塊狀電阻合金拉制成合金線或碾壓成合金箔制成電阻,主要包括:線繞電阻〔型號(hào):RX〕。將康銅絲或鎳鉻合金絲繞在磁管上,并將其外層涂以琺瑯或玻璃釉加以保護(hù)。線繞電阻具有高穩(wěn)定性、高精度、大功率等特點(diǎn)。溫度系數(shù)可做到小10-6/℃,精度高于±0.01%,最大功率可達(dá)200W。但線繞電阻的缺點(diǎn)是自身電感和分布電容比較大,不適合在高頻電路中使用。周密合金箔電阻〔R〕并涂敷環(huán)氧樹(shù)脂保護(hù)層,引線封裝后形成。該電阻器最大特點(diǎn)是具有自動(dòng)補(bǔ)償電阻溫度系數(shù)功能,故精度高、穩(wěn)定性好、高頻響應(yīng)好。這種電阻的精度可達(dá)0.001-年,溫度系數(shù)為±10-6/℃??梢?jiàn)它是一種高精度電阻。合成類將導(dǎo)電材料與非導(dǎo)電材料按肯定比例混合成不同電阻率的材料后制成的電阻。電阻的最突出的優(yōu)點(diǎn)是牢靠性高,但電特性能比較差。常在某些特別的領(lǐng)域內(nèi)使用〔如航空航天工業(yè)、海底電纜等〕。合成類電阻種類比較多,按用途可分為通用型、高阻型和高壓型等。(型號(hào):RI)。以無(wú)機(jī)材料做粘合劑,用印刷燒結(jié)工藝在陶瓷基體上形成電阻膜。該電阻具有較高的耐熱性和耐潮性,常用它制成小型化貼片式電阻。實(shí)芯電阻〔型號(hào):RS〕。用有機(jī)樹(shù)脂和碳粉合成電阻率不同的材料后熱壓而成。體積與一樣功率的金屬膜電阻相當(dāng)4.7~22M,精度等級(jí)為±5%、±10%、±20%。R10M~106M,允許誤差為±5%、±10%。高壓型電阻的阻值范圍為47~1000,耐壓分10kV和35kV兩擋。厚膜電阻網(wǎng)絡(luò)〔電阻排〕。它是以高鋁瓷做基體,綜合掩膜、光刻、燒結(jié)等工藝,在一塊基片上制成多個(gè)參數(shù)性能全都的電阻,連接成電阻網(wǎng)絡(luò),也叫集成電阻。集成電阻的特點(diǎn)是溫度系數(shù)小,阻值范圍寬,參數(shù)對(duì)稱性好。目前已越來(lái)越多的被應(yīng)用在各種電子設(shè)備中。敏感類使用不同材料和工藝制造的半導(dǎo)體電阻,具有對(duì)溫度、光照度、濕度、壓力、磁通量、氣體濃度等非電物理量敏感的性質(zhì),這類電阻叫敏感電阻。利用這些不同類型的電阻,可以構(gòu)成檢測(cè)不同物理量的傳感器。這類電阻主要應(yīng)用于自動(dòng)檢測(cè)和自動(dòng)掌握領(lǐng)域中。常用電阻器的標(biāo)志方法一般電子元器件的標(biāo)注應(yīng)反映出它們的種類直標(biāo)法、文字符號(hào)法和色標(biāo)法三種。直標(biāo)法把元件的主要參數(shù)直接印制在元件的外表上上印有RXYC-50-T-1k5-±1050W,阻值為1.5k,允許誤差為±10%。文字符號(hào)法傳統(tǒng)的電阻器文字符號(hào)標(biāo)注是將電阻器的阻值、精度、功率、材料等用文字符號(hào)在電阻體上表、k、表示,精度用等級(jí)J〔±5%〕、K〔±10%〕、M〔±20%〕,電阻器的材料可通過(guò)外表的顏色予以區(qū)分等。隨著電子元件的不斷小型化,特別是外表安裝元器件SMC和SM〕使得電阻器的體積越來(lái)越小,其元件外表上標(biāo)注的文字符號(hào)也作出了相應(yīng)改革標(biāo)注電阻器的數(shù)值,精度等級(jí)不再表示出來(lái)〔%〕。具體規(guī)定如下:元件外表涂以黑顏色表示電阻器。電阻器的根本標(biāo)注單位是歐姆〔〕,其數(shù)值大小用三位數(shù)字標(biāo)注。對(duì)于十個(gè)根本標(biāo)注單位以上的電阻器,前兩位數(shù)字表示數(shù)值的有效數(shù)字,第三位數(shù)字表示數(shù)值的倍率。如100表示其阻值為10×100=10;223表示其阻值為22×103=22k。對(duì)于十個(gè)根本標(biāo)注單位以下的元件,第一位、第三位數(shù)字表示數(shù)值的有效數(shù)字,其次位用字母“R”表示小數(shù)點(diǎn)。如3R9表示其阻值為3.9。例:由發(fā)光二極管組成的電路如圖2.1.3所示。設(shè)流

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