光電檢測技術(shù)知識點(diǎn)匯總

1〔光電導(dǎo)〔光生伏特效應(yīng)。2、真空光電器件是一種基于〔外光電〕效應(yīng)的器件，它包括〔光電管〕和〔光電倍增管。構(gòu)造特點(diǎn)是有一個真空管，其他元件都放在真空管中3、光電導(dǎo)器件是基于半導(dǎo)體材料的〔光電導(dǎo)〕效應(yīng)制成的，最典型的光電導(dǎo)器件是〔光敏電阻。4、硅光電二極管在反偏置條件下的工作模式為〔光電導(dǎo)〔光生伏特模式。5、變象管是一種能把各種〔不行見〕輻射圖像轉(zhuǎn)換成為可見光圖像的真空光電成像器件。CCCC〔SSP。CCD電荷轉(zhuǎn)移通道主要有：一是SCCD〔外表溝道電荷耦合器件〕是電荷包存儲在半導(dǎo)體與絕緣體之間的界面，并沿界面?zhèn)鬏?；二是BCCD稱為體內(nèi)溝道或埋溝道電荷耦合器件，電荷包存儲在離半導(dǎo)體外表肯定深度的體內(nèi)，并沿著半導(dǎo)體內(nèi)肯定方向傳輸7、光電技術(shù)室〔光子技術(shù)〕和〔電子技術(shù)〕相結(jié)合而形成的一門技術(shù)。8、場致發(fā)光有〔粉末、薄膜和結(jié)型三種形態(tài)。9、常用的光電陰極有正電子親合勢光電陰極〔PE〕和負(fù)電子親合勢光電陰極〔正電子親和勢材料光電陰極有哪些〔Ag-O-Cs,單堿銻化物，多堿銻化物。10、依據(jù)襯底材料的不同，硅光電二極管可分為〔2DU〕型和〔2CU〕型兩種。11、像增加器是一種能把微弱圖像增加到可以使人眼直接觀看的真空光電成像器件，因此也稱為〔微光管。12、光導(dǎo)纖維簡稱光纖，光纖有〔纖芯〔包層〕及〔外套〕組成。13、光源按光波在時間，空間上的相位特征可分為〔相干〕和〔非相干〕光源。14、光纖的色散有材料色散〔波導(dǎo)色散〕和〔多模色散。1、光纖面板按傳像性能分為〔一般OF〔變放大率的錐形OF〕和〔器。16〔集光力量，打算了能被傳播的光束的半孔徑角1〔外光電〔真空管，其他元件都置于〔真空管。18、依據(jù)襯底材料的不同，硅光電電池可分為2DR〔以P型硅作基底〕型和〔2CR〕型兩種。19、依據(jù)襯底材料的不同，硅光點(diǎn)二、三級管可分為2CU和2DU、3CU和3DU20、為了從數(shù)量上描述人眼對各種波長輻射能的相對敏感度，引入視見函數(shù)V〔f〕,視見函數(shù)有〔明視見函數(shù)〕和〔暗視見函數(shù)。21、PMT由哪幾局部組成？入射窗口D、光子陰極、電子光學(xué)系統(tǒng)、電子倍增系統(tǒng)和光電陽極。2、電子光學(xué)系統(tǒng)的作用是1〕〔2〕使陰極面上各處放射的光電子在電子學(xué)系統(tǒng)的中渡越時間盡可能相等23、PMT光子透過入射窗口入射在光電陰極K上光電陰極K受光照激發(fā)，外表放射光電子光電子被電子光學(xué)系統(tǒng)加速和聚焦后入射到第一倍增極D1上，將放射出比入射電子數(shù)更多的二次電子。入射電子經(jīng)N光電子數(shù)就放大N次.4．經(jīng)過倍增后的二次電子由陽極P收集起來，形成陽極光電流Ip，在負(fù)載RL0。22、PMT的倍增極構(gòu)造有幾種形式個有什么特點(diǎn)？〔2〕盒柵式：特點(diǎn)光電子收集率高，均勻性〔4〕百葉窗式，特點(diǎn)：管子均勻性好，輸出電流大并〔5〕近貼柵網(wǎng)式，特點(diǎn)：極好的均勻性和脈沖線性，抗磁場影響〔6〕微通道板式，特點(diǎn)：響應(yīng)速度快，抗磁場干擾力量強(qiáng)，線性好23、什么是二次電子？并說明二次電子放射過程的三個階段是什么？光電子放射過程的三步驟？為一次電子，從倍增極外表放射的電子為二次電子。二次電子放射3〕電子稱為內(nèi)二次電子。內(nèi)二次電子中初速指向外表的那局部像外表運(yùn)動〔3〕到達(dá)界面的內(nèi)二次電子能量大于外表壘的電子放射到真空中成為二次電子。光電子放射過程的三步驟：(1)物體吸取光子后體內(nèi)的電子被激發(fā)到高能態(tài)；(2)被激發(fā)電子向外表運(yùn)動，在運(yùn)動中因碰撞損失局部能量；(3)抑制外表勢壘逸出金屬外表。24、簡述Si-PIN光電二極管的構(gòu)造特點(diǎn)，并說明Si-PIN管的頻率特性為什么比一般光電二極管好？p6925、簡述常用像增加器的類型？并指出什么是第一、其次和第三代像增加器，第四代像增加器在在第三代根底上突破的兩個技術(shù)是什么？p130答：1)類型：級聯(lián)式像增加器、第2代像增加器〔微通道板像增加器〕、第3器、X射線像增加器。2〕級聯(lián)式像增加器由幾個分立的單極變像管組合成屬于第一代像3〕高增益、低噪聲的無膜MCD；二是NEA光電陰極承受的自動掌握門電流，有利于減小強(qiáng)光下到達(dá)MCD26、什么是光電子技術(shù)?光電子技術(shù)以什么為特征？子學(xué)中的理論模式和電子學(xué)處理方法光學(xué)化為特征：是一門興的綜合性穿插學(xué)科。27、光源的光譜功率分為哪幾種狀況？畫出每種狀況對應(yīng)的分布圖？分為：線狀光譜〔有假設(shè)干條明顯分割的西線組成、帶狀光譜(由一些分開的譜帶組成，沒個譜袋中包含很多連續(xù)譜線)、連續(xù)光譜〔光源發(fā)出的譜線連成一片、混合光譜〔前三種譜線混合而成〕28、熒光屏外表蒸鍍鋁膜的作用是：引走熒光屏上積存的電荷，同時避開光反響，增加放射光的輸出。29、從傳輸模式角度考慮，光纖分為：多模光纖和單模光纖。依據(jù)折射率變化規(guī)律分為階躍型和梯度型31、什么是負(fù)電子親和勢光電陰極？具有哪些優(yōu)點(diǎn)？NEA是指：將半導(dǎo)體外表做處理是外表區(qū)域能彎曲，真空能級降到導(dǎo)帶之下，從而使有效地電子親和勢能變?yōu)樨?fù)值。優(yōu)點(diǎn)：1)量子率高；2〕光譜響應(yīng)率均勻，且光譜響應(yīng)延長到紅外。3〕熱電子放射??；4〕光子的能量集中32、什么是‘胖000’電荷的優(yōu)缺點(diǎn)？“胖0”電荷的引入：降低了勢阱的深度；減小了信號電荷的最大存儲量；降低了CCD的動態(tài)范圍；增大了器件的轉(zhuǎn)移噪聲。P15836、CCD有哪幾局部組成，并說明每局部的作用？為什么說CCD是非穩(wěn)態(tài)器件？CCD能否工作，其電極間距為？p1471)電耦合器件組成：信號輸入局部、電荷轉(zhuǎn)移局部、信號輸出局部。信號輸入局部作用：將信號電荷引入到CCD的第一個轉(zhuǎn)移柵下的勢阱中；電荷轉(zhuǎn)移局部作用：將重復(fù)頻率一樣、波形一樣并且彼此間有固定相位關(guān)系的多相時鐘脈沖分組依次加到CCD轉(zhuǎn)移局部的電極分作用：講CCDCCD是利用在電極下SiO2-半導(dǎo)體界面形成的深耗盡層進(jìn)展工作的，所以屬于非穩(wěn)態(tài)器件CCD能否成功工作首先取決于金屬電極排列，需找金屬柵極間的最正確間隙寬度，一般3um37、對于CCD來說電荷注入方式有電注入和光注入，什么是電注入？什么是光注入？p147,148電注入：主要由輸入二極管Id和輸入柵Ig組成?？梢詫⑿盘栯妷恨D(zhuǎn)換為勢阱中等效電荷，應(yīng)用狀況下用電注入。光注入：攝像器件實(shí)行的唯一注入方法〔P148〕光注入過程如下：攝像時間照耀到光敏面以時鐘電壓時，這些代表光信號的少數(shù)載流子就會進(jìn)入到轉(zhuǎn)移柵的勢阱中，完成注入過程。38、畫出ZnCdTep138第1層：ZnSe層屬于N50～100nm；無光電效應(yīng)，其作用是增加對短波靈敏度，減小暗電流的作用；第2層：碲化鋅和碲化鎘的固溶體ZnxCd1-xT，屬于P型半導(dǎo)體，厚～m；光電效應(yīng)主要發(fā)生在該層，x值的大小對靈敏度、暗電流和光譜特性都有較大的影響，x值小，靈敏度高，體內(nèi)暗電流增大，光譜特性的峰值波長向長波方面移動；第3層：無定形三硫化二銻Sb2S3，厚100nm；其作用是減小掃描電子束的電子注入效應(yīng)，減小暗電流和惰性第1223層之間不形成結(jié)。39、畫出CdSep138第1層：沉積在玻璃板上的透亮的導(dǎo)電層SnO2，作信號電極,屬N+；第2N型CdSe層,它與N+型層SnO2構(gòu)成對空穴的阻擋層CdSe層是異質(zhì)結(jié)CdSe靶的基體，厚2微米；是完成光電轉(zhuǎn)換的光敏層，其禁帶寬度為1.7eV，具有良好的光電導(dǎo)特性；第3(CdSeO3)層是由CdSe氧化而成,是一層絕緣體,有利于降低暗電流,但不影響光電靈敏度；第4層：As2S30.2微米；是一個高阻層，禁帶寬度為2.3eV，具有很高的電阻率。其作用是防止電子進(jìn)入靶內(nèi)，形成對電子的阻擋層，并且擔(dān)當(dāng)電荷的積存和儲存。40、什么是MCP？簡述微通道板〔MCP〕的工作原理？p130微通道板是由成千上萬根直徑為15～40μm0.6～1.6mm的微通道排成的二維列陣，簡稱MCP。微通道板〔MCP〕的工作原理：微通道是一根根的玻璃管，內(nèi)壁鍍有高阻值二次放射材料，一端，放射出的二次電子因電場加速轟擊另一端，再放射二次電子，連續(xù)放射二次可得約1041、什么是微通道板〔MCP〕的自飽和效應(yīng)？二代像增加器利用該效應(yīng)解決了什么問題？p130在近聚焦式的MCP位增益中，光電陰極和第一微通道板的間距約為0.3mm，級間電壓為150V，其次微通道板和陰極的間距為1.5mm，級間電壓為300V，外加偏置電壓的變化只轉(zhuǎn)變微通道板上的電壓，可以調(diào)整總增益極的光電在電場作用下，進(jìn)入微通道板輸入端，經(jīng)MCP電子倍增加速后到達(dá)熒光屏上，輸出光學(xué)圖像。42、以p型N溝道MOS電容器為例，說明勢阱存儲電荷的原理〔第七章〕43、什么是光纖面板？簡述光纖面板由哪幾種玻璃組成？每種玻璃的作用？p197可傳遞光學(xué)圖像的光纖器件；光纖面板主要由3種玻璃組成，芯玻璃，玻璃和光吸玻璃芯玻璃：是一種高折射率，是光的通