微生物驗證自發(fā)突變?nèi)齻€經(jīng)典實驗

關(guān)于微生物驗證自發(fā)突變?nèi)齻€經(jīng)典實驗第1頁，講稿共17頁，2023年5月2日，星期三基因突變一、基因突變簡稱突變，指細(xì)胞內(nèi)（或病毒粒內(nèi)）遺傳物質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)或數(shù)量突然發(fā)生的可遺傳的變化。（一）類型1、根據(jù)表型劃分第2頁，講稿共17頁，2023年5月2日，星期三突變類型自發(fā)突變

誘發(fā)突變低劑量多因素突變互變異構(gòu)效應(yīng)物理誘變化學(xué)誘變定向培育和馴化第3頁，講稿共17頁，2023年5月2日，星期三微生物基因突變的特點自發(fā)性：沒有人為誘變因素可自發(fā)產(chǎn)生稀有性：突變率比較低，范圍10-6~10-9獨立性：某基因突變率不受別的基因影響。多基因同時突變幾率極低?？烧T變性：誘變劑可提高突變率穩(wěn)定性：突變后新性狀是穩(wěn)定的、可遺傳的。規(guī)律性：特定性狀具有較穩(wěn)定的突變率的規(guī)律?？赡嫘裕阂吧屯蛔冃驼蛲蛔兓貜?fù)突變第4頁，講稿共17頁，2023年5月2日，星期三不對應(yīng)性：突變的性狀與引起突變的原因（環(huán)境）之間無直接的關(guān)系。兩種觀點：抗生素、紫外線或高溫誘變產(chǎn)生相對應(yīng)的突變性狀（非自發(fā)性）。認(rèn)為突變是通過生物對某特定環(huán)境(例如化學(xué)藥物、抗生素和高溫等)的適應(yīng)而產(chǎn)生的，這種環(huán)境正是突變的誘因，所產(chǎn)生的抗性性狀是與該環(huán)境因素相對應(yīng)的，并認(rèn)為這就是環(huán)境因素對生物體的“馴化”、“馴養(yǎng)”、“蒙導(dǎo)”或“定向變異”?？股?、紫外線或高溫淘汰原有非突變個體（自發(fā)性）。抗性突變是可以自發(fā)產(chǎn)生的，即使誘發(fā)產(chǎn)生，其產(chǎn)生的性狀與誘變因素間也是不對應(yīng)的，即最終適應(yīng)了的化學(xué)藥物等不良因素并非誘變因素，而僅僅是一種用于篩選的環(huán)境而已。

第5頁，講稿共17頁，2023年5月2日，星期三基因突變的自發(fā)性和不對應(yīng)性的證明突變是通過適應(yīng)而產(chǎn)生的，突變的原因與性狀間是相對應(yīng)的。

突變是自發(fā)的，與環(huán)境是不相對應(yīng)的。

PK第6頁，講稿共17頁，2023年5月2日，星期三微生物突變的自發(fā)性和不對應(yīng)性證明取敏感于噬菌體的E.coli指數(shù)期的肉湯培養(yǎng)物，用新鮮培養(yǎng)稀釋成濃度為103/mL的細(xì)菌懸液，然后在甲、乙兩試管各裝10mL。

1、變量實驗（1）實驗內(nèi)容：E.coli對于phageT1的抗性變異波動實驗。第7頁，講稿共17頁，2023年5月2日，星期三接著把甲管中的菌液先分裝在50支小試管中(每管0.2mL)，保溫24-36h。

微生物突變的自發(fā)性和不對應(yīng)性證明第8頁，講稿共17頁，2023年5月2日，星期三把各小管的菌液分別倒在50個預(yù)先涂滿噬菌體T1的平板上，經(jīng)培養(yǎng)后分別計算各皿上所產(chǎn)生的抗噬菌體的菌落數(shù)。

微生物突變的自發(fā)性和不對應(yīng)性證明第9頁，講稿共17頁，2023年5月2日，星期三乙管中的10mL菌不經(jīng)分裝先整管保溫24—36h，然后分成50份分別倒在同樣涂滿T1的平板上，經(jīng)同樣培養(yǎng)后，也分別計算各皿上所產(chǎn)生的抗噬菌體菌落數(shù)

。

微生物突變的自發(fā)性和不對應(yīng)性證明第10頁，講稿共17頁，2023年5月2日，星期三結(jié)果：在來自甲管的50皿中，各皿出現(xiàn)的抗性菌落數(shù)相差極大，而來自乙管的則各皿上抗性菌落數(shù)基本相同

。

微生物突變的自發(fā)性和不對應(yīng)性證明第11頁，講稿共17頁，2023年5月2日，星期三結(jié)論：E．coli抗噬菌體性狀的產(chǎn)生，并非由所抗的環(huán)境因素(即噬菌體T1)誘導(dǎo)出來的，而是在它接觸T1前，在某次細(xì)胞分裂過程中自發(fā)產(chǎn)生的

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微生物突變的自發(fā)性和不對應(yīng)性證明第12頁，講稿共17頁，2023年5月2日，星期三2、涂布實驗（1）實驗內(nèi)容：第13頁，講稿共17頁，2023年5月2日，星期三（2）實驗原理：若抗性是在接觸噬菌體以后產(chǎn)生的，那么噴噬菌體以前的重新涂布無非使細(xì)菌所處的位置發(fā)生改變，而不會因為涂布大大地改變細(xì)菌對于噬菌體的反應(yīng)，因此兩組培養(yǎng)皿上出現(xiàn)的抗性菌落數(shù)應(yīng)相等；若抗性發(fā)生在接觸噬菌體以前，那么在噴上噬菌體以前某些菌落中的抗性突變型細(xì)菌已經(jīng)分裂若干次，在不經(jīng)重新涂布的培養(yǎng)皿上形成一個菌落，在重新涂布的培養(yǎng)皿上出現(xiàn)若干菌落。（3）結(jié)果：重新涂布的培養(yǎng)皿上出現(xiàn)的抗性菌落多余未經(jīng)重新涂布的。（4）結(jié)論：抗性突變的發(fā)生在接觸噬菌體之前。第14頁，講稿共17頁，2023年5月2日，星期三3、影印培養(yǎng)實驗（1）實驗內(nèi)容：第15頁，講稿共17頁，2023年5月2日，星期三（2）實驗原理：通過蓋印章的方式，在未接觸抗性因素的條件下篩選出的抗性突變株。由于實驗過程中沒有接觸過抗性因素，所以直接證明了基因突變的自發(fā)性。（3）結(jié)果：得到越