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文檔簡(jiǎn)介
第一章常用半導(dǎo)體器件
自測(cè)題
一、判斷下列說(shuō)法是否正確,用“J"和"X”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。
(1)在N型半導(dǎo)體中摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改為P型半導(dǎo)體。()
(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。()
(3)PN結(jié)在無(wú)光照、無(wú)外加電壓時(shí),結(jié)電流為零。()
(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。()
(5)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵-源間的耗盡層承受反向電壓,
才能保證其RGS大的特點(diǎn)。()
(6)若耗盡型N溝道MOS管的U大于零,則其輸入電阻會(huì)明顯變小。
GS
()
解:(1)V(2)X(3)V(4)X(5)V(6)
X
二、選擇正確答案填入空內(nèi)。
(1)PN結(jié)加正向電壓時(shí),空間電荷區(qū)將o
A.變窄B.基本不變C.變
寬
(2)設(shè)二極管的端電壓為U,則二極管的電流方程是o
IeUUr
A.IgeUB.s,C.
4@山廣1)
(3)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在o
A.正向?qū)˙.反向截止C.反向擊
穿
(4)當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí),發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為。
A.前者反偏、后者也反偏B.前
者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏
(5)U=0V時(shí),能夠工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有。
GS---------------------
A.結(jié)型管B.增強(qiáng)型MOS管C.耗盡型MOS管
解:(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC
三、寫出圖所示各電路的輸出電壓值,設(shè)二極管導(dǎo)通電壓『
VT
解:UU=0,U弋一,U弋2V,UU2VO
010203040506
四、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值U=6V,穩(wěn)定電流的最小值I=5mAo求圖所
示電路中u和u各為多少伏:
0102
(a)(b)
解:U=6V,U=5V0
0102
五、某晶體管的輸出特性曲線如圖所示,其集電極最大耗散功率P=200mW,
試畫出它的過(guò)損耗區(qū)。
解:根據(jù)P=200mW可得:U=40V時(shí)I=5mA,U=30V時(shí)1仁,U=20V時(shí)
I=10mA,U’ZlOV時(shí)l=20mA';將各點(diǎn)連'接成曲線:即為臨界在損耗黑,如解
窗所示。臨算過(guò)損耗線島左邊為過(guò)損耗區(qū)。
六、電路如圖所示,V=15V,3=100,U=試問(wèn):
CCBEo
(1)R=50kQ時(shí),u=?
b0
(2)若T臨界飽和,則R^?
b
解:(1)R=50k。時(shí),基極電流、集電
極電流和管壓降分喘為
,V-U“
1=---Bfi-=26
BR
bUA
/=p/=2.6mA
QB
U=V—IR=2V
CECCCC所以輸出電壓u0=u『
2Vo
(2)設(shè)臨界飽和時(shí)U=U=,所以
CESBE
V-U
—FC?ES_=2.86mA
CR
0=g=28.6|iA
V-U
R=-------u&-?45.4kQ
bI
B
七.測(cè)得某放大電路中三個(gè)MOS管的三個(gè)電極的電位如表所示,它們的開啟電
壓也在表中。試分析各管的工作狀態(tài)(截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)),并填入
表內(nèi)。
表
管號(hào)U/VU/VU/VU/V工作狀態(tài)
GS(th)SGD
T4-513
1
T-43310
2
T-4605
3
解:因?yàn)槿还茏泳虚_啟電壓,所以它們均為增強(qiáng)型MOS管。根據(jù)表中所示
各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài),如解表所示。
解表
管號(hào)U/VU/VU/VU/V工作狀態(tài)
GS(th)SGD
T4-513恒流區(qū)
1
T-43310截止區(qū)
2
T-4605可變電阻區(qū)
3
習(xí)題
選擇合適答案填入空內(nèi)。
(1)在本征半導(dǎo)體中加入元素可形成N型半導(dǎo)體,加入元
素可形成P型半導(dǎo)體。A.五價(jià)B.四
價(jià)C.三價(jià)
(2)當(dāng)溫度升高時(shí),二極管的反向飽和電流將0
A.增大B.不變C.減小
(3)工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)I從12口A增大到22NA時(shí),
I從1mA變?yōu)?mA,那么它的B約為B。
c----------------------------------
A.83B.
91C.100
(4)當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏極直流電流I。從2mA變?yōu)?mA時(shí),它的低頻跨導(dǎo)
g將__________oA.增大"B.不
變C.減小
解:⑴A,C(2)A(3)C(4)A
1.2能否將的干電池以正向接法接到二極管兩端?為什么?
解:不能。因?yàn)槎O管的正向電流與其端電壓成指數(shù)關(guān)系,當(dāng)端電壓為
時(shí),管子會(huì)因電流過(guò)大而燒壞。
解:U,和U,的波形如解圖所示。
1.4電路如圖所示,已知u=5sin3t(V),二極管導(dǎo)通電壓\=。試
畫出U與U的波形,并標(biāo)出幅值。
i0
解:波形如解上圖所示。
1.5電路如圖5(a)所示,其輸入電壓u和u的波形如圖(b)所示,
IIT9
二極管導(dǎo)通電壓u=。試畫出輸出電壓U的波形,并標(biāo)出幅值。
D0
解:U。的波形如解圖所示。
(a)(b)
1.6電路如圖所
示,二極管導(dǎo)通電壓U=,常溫下
U-26mV,電容C對(duì)交流信號(hào)可視為短路;u為正弦波,有效值為MmV。
Ti
試問(wèn)二極管中流過(guò)的交流電流有效值為多少?
^
解:二極管的直流電流1(
^T
O—1
+F
I=(V-U)/R=
DD500AD
%D'Z
其動(dòng)態(tài)電阻
r%U/I=10Q
DTD
故動(dòng)態(tài)電流有效值I=u/r
diD
1mA
現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管,它們的穩(wěn)定電壓分別為6V和8V,正向?qū)妷簽?。試?wèn):
(1)若將它們串聯(lián)相接,則可得到幾種穩(wěn)壓值?各為多少?
(2)若將它們并聯(lián)相接,則又可得到幾種穩(wěn)壓值?各為多少?
解:(1)兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時(shí)可得、、和14V等四種穩(wěn)壓值。
(2)兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時(shí)可得和6V等兩種穩(wěn)壓值。
已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓U=6V,穩(wěn)定電流的最小值I=5mA,最大功耗
P=150m肌試求圖所示電曜中電阻R的取值范圍。
4=I5VD/K">=6V
6I6
解:穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流
I=P/U=25mA
ZMZMZ
電阻R的電流為I?I,所以其取值范圍為
u-uZMZmin
A=7yj=036?L8kQ已知圖所示電路中穩(wěn)壓管
的穩(wěn)定電壓Uz=6V,最小穩(wěn)定電流I=5mA,最大穩(wěn)定電流I
Z1?,..,ZminZmax
=25mAo(1)分別計(jì)算U為10V、15V、35Vo-------=--------------------O+
三種情況下輸出電壓U的植;1kQ
(2)若U=35V時(shí)負(fù)載開路,則會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)‘05O()QD
象?為什么?
解:(1)當(dāng)U=1OV時(shí),若U=U=6V,則穩(wěn)壓管的電流為4mA,小于其
最小穩(wěn)定電流,所以福壓管未擊穿。敵'R
U=.一J--U?3.33V
0R+R1
L
當(dāng)U=15V時(shí),穩(wěn)壓管中的電流大于最小穩(wěn)定電流I,所以U=U=
IZmin0Z
6V
同理,當(dāng)U=35V時(shí),U=U=6V
I0zO
(2)47=(4-Uz)/R=29mA>I=25mA,穩(wěn)壓管將因功耗過(guò)大而損壞。
乙ZM
在圖所示電路中,發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓口=,正向電流在5?15mA時(shí)才能正
常工作。試問(wèn):09+r
|(+5V)
(1)開關(guān)S在什么位置時(shí)發(fā)光二極管才能發(fā)光?
(2)R的取值范圍是多少?
解:(1)S閉合。⑵R的范心)〃=233Q
圍為R=(V-U)//=700。
maxDDmin
電路如圖()、()所示,穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓的
1.11abU2=3V,R
取值合適,U的波形如圖(C)所示。試分別畫出U和U的波形。
M,/V,
解:波形如解圖所示
1.12在溫度20C時(shí)某晶體管的I映=2UA,試問(wèn)溫度是60C時(shí)1,8r?
解:60℃時(shí)ICBO(T=20C)=32UAO
CBO
1.13有兩只晶體管,一只的8=200,1=200nA;另一只的B=100,
I=10uA,其它參數(shù)大致相同。你認(rèn)為應(yīng)選用堿只管子?為什么?
CEO
解:選用B=100、I/?"DA=10uA的管pert子,因其B適中、I較小,因而溫
度穩(wěn)定性較另一只管子好。
已知兩只晶體管的電流放大系數(shù)B分別為50和100,現(xiàn)測(cè)得放大電路中
這兩只管子兩個(gè)電極的電流如圖所示。分別求另一電極的電流,標(biāo)出其實(shí)際方向,
并在圓圈中畫出管子。
(a)(b)
解:答案如解圖所示。
測(cè)得放大電路中六只
晶體管的直流電終如圖
所示。在圓圈中畫出管
子,并分別說(shuō)明它們是
硅管還是褚管。
解:晶體管三個(gè)極分別為上、中、下管腳,答案如解表所示。
解表
管號(hào)TTTT工T
上ecebcb
中bbbeee
下ceccbc
管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN
材料SiSiSiGeGeGe
1.16電路如圖所示,晶體管導(dǎo)通時(shí)U=,8=50。試分析V為0V、
BFBB
IV、三種情況下T的工作狀態(tài)及輸出電壓U的值。
0
解:(1)當(dāng)V=0時(shí),T截止,u=12Vo
BB0
(2)當(dāng)V=1V時(shí),因?yàn)?/p>
BB
V-U
=RRRFQ=60
BQ*UA
I=PI=3mA所以T處于放大狀態(tài)。
CQBQ
u=V-1R=9V
OCCCQC(3)當(dāng)V=3V時(shí),因?yàn)?/p>
BB
V-u
RRRFQ=160
BQR
bUA所以T
處于飽和狀,CQ=P/BQ=8mA態(tài)。
u=V-IR<U
OCCCQCBE
電路如圖所示,試問(wèn)B大于多少時(shí)晶體管飽和?
解:取U=U,若管子飽和,則------------o+匕
CESBE(+5、
P>i-=100lOOknlJlk^T
所以,Rc時(shí),I
管子飽和。------kT
電路如圖所示,晶體管的B=50,|U|=,飽和管壓降|U|=;穩(wěn)壓管的穩(wěn)定
電壓U=5V,正向?qū)妷篣=。試問(wèn)B:E當(dāng)u=0V時(shí)u=?C當(dāng)ESu=-5V時(shí)u=?
ZDI0I0
解:當(dāng)u=0時(shí),晶體管截止,穩(wěn)壓管擊穿,u=-U=-5Vo
I0Z
當(dāng)u=—5V時(shí),晶體管飽和,u=?因?yàn)?/p>
I0
〃-IJ
|;|=-J-----BE.=480〃A
B9~
b|(-12V)
KJ=BQ=24mA
IkQU
------------o
I
U=1/-17\R<V03——
ECCCIClCCC
+~IOkQ、人。
1.19分別判斷圖所示各
電路中晶體管是否有可能
工作在放大狀態(tài)。
解:(a)可能
(b)可能(c)不能
(d)不能,T的發(fā)射結(jié)會(huì)
因電流過(guò)大而損
壞。(e)可能
已知某結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的I=2mA,U=-4V,試畫出它的轉(zhuǎn)移特性曲線和
輸出特性曲線,并近似畫畬DSS予夾斷軌G揚(yáng)S(o。ff)
解:根據(jù)方程(「限),
DDSS[J
GS(th)
逐點(diǎn)求出確定的U下的i,可近似畫出轉(zhuǎn)移特性和輸出特性;在輸出特性中,
將各條曲線上U=u"的/連接起來(lái),便為予夾斷線;如解圖所示。
GDGS(off)
已知放大電路中一只N溝道場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)極①、②、③的電位分別為
4V、8V、12V,管子工作在恒流區(qū)。試判斷它可能是哪種管子(結(jié)型管、MOS管、
增強(qiáng)型、耗盡型),并說(shuō)明①、②、③與G、S、D的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
解:管子可能是增強(qiáng)型管、耗盡型管和結(jié)型管,三個(gè)極①、②、③與G、
S、D的對(duì)應(yīng)關(guān)系如解圖所不。
已知場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線如圖所示,畫出它在恒流區(qū)的轉(zhuǎn)移特性曲線。
解:在場(chǎng)效應(yīng)管的恒流區(qū)作橫坐標(biāo)的垂線(如解圖(a)所示),讀出其與
各條曲線交點(diǎn)的縱坐標(biāo)值及Urq值,建立in=f(urq)坐標(biāo)系,描點(diǎn),連線,即可
得到轉(zhuǎn)移特性曲線,如解圖(b)所示。
1.23電路如圖所示,T的輸出特性如圖所示,分析當(dāng)u=4V、8V、
12V三種情況下場(chǎng)效應(yīng)管分別工作在什么區(qū)域。
解:根據(jù)圖所示T的輸出特性可知,其開啟電壓為
5V,根據(jù)圖所示電路可知所以u(píng)=u。
GSI
當(dāng)u=4V時(shí),u小于開啟電壓,故T截止。
IGS
當(dāng)u=8V時(shí),設(shè)T工作在恒流區(qū),根
據(jù)】
輸出特性可知管壓降u內(nèi)-iR^lOV
DDSDDDd
因此,u=u—u七一2V,小于開啟電壓,說(shuō)明假設(shè)成立,即T工作在恒流
區(qū)。當(dāng)U32V%\由于V=12V,必然使T工作在可變電阻區(qū)
IDD
分別判斷圖所示各電路中的場(chǎng)效應(yīng)管是否有可能工作在恒流區(qū)。
解:(a)可能(b)不能(c)不能(d)可能
模擬電子技術(shù)習(xí)題答案
第一早
電路如圖題241所示。(1)利用硅二極管恒壓降模型求電路的k和V。的值;(2)在室溫(300K)
的情況下,利用二極管的小信號(hào)模型求V。的變化范圍。
解(1)求二極管的電流和電壓
=)「2^=a°-2xS7)V=8.6xM3A=8.6〃N
DR1x103。
V=2V=2xO.7V=1.4V
OD
(2)求v°的變化范圍
圖題的小信號(hào)模型等效電路如圖解2.4.1所示,溫度T=300K。
V_26mV
x3.02C
I8.6mA
D
當(dāng)%曰2=%時(shí),則
....2r2x3.02。..
Av=AV---d—=±1Vx----------------=±6"/V
。DDR+2r(1000+2x3.02。)
d
vo的變化范圍為儲(chǔ)+絲)~匕一絲),即1406V?L394V。
二極管電路如圖2.4.3所示,試判斷圖中的二極管是導(dǎo)通還是截止,并求出AO兩端電壓VA*Oc。
設(shè)二極管是理想的。
解圖a:將D斷開,以O(shè)點(diǎn)為電位參考點(diǎn),D的陽(yáng)極電位為-6V,陰極電位為-12V,故D
處于正向偏置而導(dǎo)通,VAO=-6V。
圖b:D的陽(yáng)極電位為-15V,陰極電位為-12V,D對(duì)被反向偏置而截止,VAO=-12V。
圖c:對(duì)D1有陽(yáng)極電位為0V,陰極電位為-12V,故D]導(dǎo)通,此后使D?的陰極電位為0V,
而其陽(yáng)極為一15V,故D2反偏截止,VAO=0V。
圖d:對(duì)D1有陽(yáng)極電位為12V,陰極電位為0V,對(duì)D2有陽(yáng)極電位為12V,陰極電位為
-6V.故D2更易導(dǎo)通,此后使丫人=-6V;D1反偏而截止,故VAO=-6V。
試判斷圖題244中二極管是導(dǎo)通還是截止,為什么?
解圖a:將D斷開,以“地”為電位參考點(diǎn),這時(shí)有
lozn
Vxl5V=1V
A(140+10)ZQ
2kQ5g
VX10V+x15V=3.5V
13(18+2)2(25+5)ZQ
D被反偏而截止。
圖b:將D斷開,以“地”為參考點(diǎn),有
1OZ:Q
Vxl5V=1V
A(140+10UQ
2kQ5g
Vx(-10V)+xl5V=1.5V
B(18+2"。(25+5)kQ
D被反偏而截止。
圖c:將D斷開,以“地”為參考點(diǎn),有
iom
Vxl5V=1V
A(140+10)A:Q
-2m5ZQ
Vx20V+xl5V=O.5V
B(18+2UQ(25+5)&Q
D被正偏而導(dǎo)通。
電路如圖題2.4.7所示,DyD2為硅二極管,當(dāng)v=6sin3tV時(shí),試用恒壓降模型和
折線模型(Vih=0.5V,rD=200Q)分析輸出電壓V。的波形。
解(1)恒壓降等效電路法
當(dāng)OVIVJVO.7V時(shí),DpD2均截止,VO=V.;當(dāng)7V時(shí);D導(dǎo)通,D,截止,V。=
0.7V;當(dāng)qWO.7V時(shí),D,導(dǎo)通,D1截止,v°=-0.7Vo七與v。波形如圖解2.所示。
⑵折線等藪電路如圖解】所示,圖中VjO.5V,%=20指?!惝?dāng)0<1丫1<0.5V時(shí),
DrD?均截止,vo=vi;v^O.5V時(shí),7導(dǎo)通,以截止。產(chǎn)一0.5V時(shí),幺導(dǎo)通,巳截
止。因此,當(dāng)5V時(shí)有
V-V
v=<thr+V
oR+rDth
D
V=..俗一05*x200+0.5VX1.42V
(1000+200)0
同理,VjW—0.5V時(shí),可求出類似結(jié)果。
Y與匕癥形如圖解2.4.7c所示。
mw2*T
二極管電路如圖題2.4.8a所示,設(shè)輸入電壓v,(t)波形如圖b所示,在0<t<5ms
的時(shí)間間隔內(nèi),試?yán)L出v。(t)的波形,設(shè)二極管是理想的。
解V[(t)<6V時(shí),D截止,vo(t)=6V;+(t)26V時(shí),D導(dǎo)通
v(t)-6Vx200+6V=1匕⑺+3V
(200+200)0
圖解2.4.8
電路如圖題2.4.13所示,設(shè)二極管是理想的。(a)畫出它的傳輸特性;(b)若輸入電
ffiv,=v.=20sin?tV,試根據(jù)傳輸特性繪出一周期的輸出電壓V。的波形。
解‘(a)畫傳輸特性
OVV|V12V時(shí),DyD,均截止,v0=V[;
看—12V時(shí),D1導(dǎo)通,口2截止
12g6ZO2小,
v=--------------xv+---------------xl2V=—v+4V
o(6+12)%。/(6+12)%。3/
-10V<V[V0時(shí),DjD2均截止,v0=V];
V]W-10V時(shí),D2導(dǎo)通,D1截止
12AQ6kQ10
v--------------xvx(_]O)V=丸
O(6+12)KlI(6+12)kQT
傳輸特性如圖解2.413中a所示。
(b)當(dāng)Vo=V[=20sin3tV時(shí),V。波形如圖解2.4.13b所示。
MM24|3
兩只全同的穩(wěn)壓管組成的電路如圖題2.5.2所示,假設(shè)它們的參數(shù)V,和正向特性的丫山、
為為已知。試?yán)L出它的傳輸特性。
解當(dāng)IqIV(Vz+Vth)時(shí),DzP均截止,vo=vI;
lvJ2(Vz+V(h)時(shí),DzPDZ2均導(dǎo)通
v-V-V
v二口-----z-----jr+V+V
oR+rdzth
用MX.5.2
傳輸特性如圖解2.5.2所示。
第三章
測(cè)得某放大電路中BJT的三個(gè)電極A、B、C的對(duì)地電位分別為VA=-9V,6V,
Vc=6.2V,試分析A、B、C中哪個(gè)是基極b、發(fā)射極e、集電極c,并說(shuō)明此BJT是NPN
管還是PNP管。
解由于銘B(tài)JT的MDCJgDC0.2V,硅BJT的IV"Q0.7V,已知用DBJT的電極B的丫口=一6
V,電極C的Vc=-6.2V,電極A的VA=-9V,故電極A是集電極。又根據(jù)BJT工作在
放大區(qū)時(shí),必須保證發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏的條件可知,電極B是發(fā)射極,電極C是基極,
且此BJT為PNP管。
<c)
I
試分析圖題3.2.1所示各電路對(duì)正弦交流信號(hào)有無(wú)放大作用。并簡(jiǎn)述理由。(設(shè)各電容的容
抗可忽略)
解圖題3.2.la無(wú)放大作用。因Rb=O,一方面使發(fā)射結(jié)所加電壓太高,易燒壞管子;另一
方面使輸人信號(hào)匕被短路。
圖題3.2.1b有交流放大作用,電路偏置正常,且交流信號(hào)能夠傳輸。
圖題3.2.1c無(wú)交流放大作用,因電容C”隔斷了基極的直流通路。
圖題3.2.id無(wú)交流放大作用,因電源V的極性接反。
CC
測(cè)量某硅BJT各電極對(duì)地的電壓值如下,試判別管子工作在什么區(qū)域。
(a)Vc=6VVn=0.7VVEc=0V
(b)Vc=6VVB=2VVE=1.3V
(c)Vc=6VVB=6VV匚=5.4V
(d)V?=6VVB=4VVE「=3.6V
(o)Vc=3.6VVB=4VVE=3.4V
解(a)放大區(qū),因發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。
(b)放大區(qū),V=(2—1.3)V=0.7V,V..=(6-2)V=4V,發(fā)射結(jié)正偏,集
DRCCD
電結(jié)反偏。
(C)飽和區(qū)。
(d)截止區(qū)。
(e)飽和區(qū)。
設(shè)輸出特性如圖題3.3.I所示的BJT接成圖題3.3.3所示的電路,具基極端上接VBB=3.2
V與電阻RDh=20kQ相串聯(lián),而VV-cc=6V,R「=200Q,求D電路C中的Lt1l、1「和V”D的E.值,設(shè)
=0.7Vo
V-V
解/==—----=0.125加4
BR
b
由題3.3.1已求得B=200,故
/=p/=200x0.125mA=25mA
CB
V=V一/R=W
CECCCC
圖題3.3.6畫出了某固定偏流放大電路中BJT的輸出特性及交、直流負(fù)載線,試求:
(1)電源電壓V“,靜態(tài)電流I-和管壓降V”的值;(2)電阻R、、的值;(3)輸出電
CCDCLbDC
壓的最大不失真幅度;(4)要使該電路能不失真地放大,基極正弦電流的最大幅值是多少?
?mA
50
KtA3.3,6
解(1)由圖3.3.6可知,直流負(fù)載線與橫坐標(biāo)軸的交點(diǎn)即Vcc值的大小,故Vcc=6V。
由Q點(diǎn)的位置可知,%=20NA,IC=1mA,VCE=3V?
V
(2)由基極回路得:Rx=30()kQ
bI
B
V-V
由集一射極回路得R==一^―&=3kO
cI
c
(3)求輸出電壓的最大不失真幅度
由交流負(fù)載線與輸出特性的交點(diǎn)可知,在輸入信號(hào)的正半周,輸出電壓LU從3V到0.8V,
變化范圍為2.2V;在輸入信號(hào)的負(fù)半周,輸出電壓V’F從3V到4.6V,變化范圍為1.6V。
綜合起來(lái)考慮,輸出電壓的最大不失真幅度為1.6V。
(4)基極正弦電流的最大幅值是20HA。
畫出圖題341所示電路的小信號(hào)等效電路,設(shè)電路中各電容容抗均可忽略,并注意標(biāo)出電壓、
電流的正方向。
解圖題所示各電路的小信號(hào)等效電路如圖解3.4.1所示。
P=50,(1)估算Q點(diǎn);
(2)畫出簡(jiǎn)化H參數(shù)小信號(hào)等效電路;(3)估算BJT的朝人電阻%;(4)如輸出端接入4
kQ的電阻負(fù)載,計(jì)算今
解(1)估算Q點(diǎn)
V
?—cc.=40HAI=p/=2mA
BRCB
b
V=V-IR=4V
CECCCC
(2)簡(jiǎn)化的H參數(shù)小信號(hào)等效電路如圖解所示。
⑶求K
r=200Q+(l+p)26mV=200Q+(1+50)26,t,V-=863Q
nI2mA
“、4VBR'B(RII/?)
4)A=-JL=—...L-=-----C---L__?—11A6
vVrr
ihebe
VVV-R-RHr
l=-JJ-=-JL■—i-=A---i——=A------b----lu—
vsvVVvR+RvR+RHr
sisissbb
I、C,N、aJ對(duì)交流信號(hào)可視為短路。(1)寫出靜態(tài)電流Ic及電壓的v-t表達(dá)式;(2)寫出電壓
增益輸人電或Ri.和輸出電阻R。的表達(dá)式;(3)若將電容C、開路,對(duì)電路將會(huì)產(chǎn)生什
么影響?
解(1)1c及的表達(dá)式
Cc
V=V-7(/?+/?)
CECCC23
(2)4了、Ri.和Ro的表達(dá)式
:P(RIIR)
A=---2...-
VY
be
R=R\\rRxR
i1beO2
(3)J開路后,將使電壓增益的大小增加
:13KH+R)11/?]
A=------2---3----J
vr
be
同時(shí)Ro也將增加,R~R+Ro
023
如圖題352所示的偏置電路中,熱敏電阻R,具有負(fù)溫度系數(shù)、問(wèn)能否起到穩(wěn)定工作點(diǎn)的作
圖跑3.5.2
W圖題3.所示電路能穩(wěn)定Q點(diǎn),過(guò)程如下:
TTv
圈題b所示電路不能穩(wěn)定Q點(diǎn),因?yàn)?/p>
T?5
電路如圖354所示,設(shè)B=100,試求:⑴Q點(diǎn);⑵電壓增益%和42'%;
(3)輸入電阻Ri;(4)輸出電阻R.和R。,
解(1)求Q點(diǎn)
D
V=——M—V?4.3V
BR+Rcc
b\b2
1^1=—u----Bi-=1.8〃?A
cER
e
V=V一/(/?+/?)=2.8V
CECCCce
『*=18附
⑵求%及Ri
26mV圖題3.5.4
r+(1+P)x1.66ZQ
behh
E
R=R\\RII[r+(1+P)R]=8.2%Q
ib\h2hee
VV__pRR
(3)A=—ai_—Ql_---0.79
v"r+(l+p)7?R+R
viyV
sbeeis
■VVVpz?R
A=優(yōu)==—____________A_______a0.8
V2VVVr+(1+B)ER+R
sisbe(is
(4)求R.和%、
RaR=2Ml
oic
R
021+P
共基極電路如圖題3.6.3所示。射極電路里接入
一恒流源,設(shè)。=100,R=0,R=8。試確
sL
定電路的電壓增益、輸入電阻和輸出電阻。
26/??V
解r=r+(l+p)——“2.8ZC
bebb,I
1.0I
其中Lc=l.OlmAo
A=K";268
vr
R=x28c
i1+P
RxR=7.5心o
0c
某放大電路中的數(shù)幅頻特性如圖題3.7.1所示。(1)試求該電路的中頻電壓增益IAI,
VVM
上限頻率fM下限L頻率4;(2)當(dāng)輸人信號(hào)的L頻率fuH/或f=f”時(shí),該電路實(shí)際的電壓增益
是多少分貝?
解(1)由圖題3.7.1可知,中頻電壓增益1=1000,上限頻率人fH=108HZ,下
VMH
限頻率£=10汨Z。
一放大電路的增益函數(shù)為
A(s)=10
5+271X10
試?yán)L出它的幅頻響應(yīng)的波特圖,并求出中頻增益、下限頻率i和上限頻率%以及增益下降到1
時(shí)的頻率。
解對(duì)于實(shí)際頻率而言,可用s=/2兀/代人原增益?zhèn)鬟f函數(shù)表達(dá)式,得
1
A=10次.1=10
W+27lX1°^^07(一學(xué)g?加
由此式可知,中頻增益IAIVJ1=10,f=10HZ,LH=106HZ。其幅頻響應(yīng)的波特圖如圖解所
示。增益下降到1時(shí)的頻率為IHZ及l(fā)OMHZo
H*3.7.3
一高頻BJT,在Ic=1.5mA時(shí),測(cè)出其低頻H參數(shù)為:&Q,B0=50,特征頻率0=100MHz,
c=3pF,試求混合n型參數(shù)g、J、廠,、C
bcmbebhbeQ
g=-==57.69x10-3S=57.69m5
mr26mV
r-=866.7Qr-r—r=233.3C
腔gbebebe
c上j=92p//R=4-=2MHz
be2%pp
電路如圖3.5.1所示(射極偏置電路),設(shè)在它的輸人端接一內(nèi)阻Rs=5KQ
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