模擬電子技術課后習題及答案

第一章常用半導體器件

自測題

一、判斷下列說法是否正確，用“J"和"X”表示判斷結果填入空內(nèi)。

(1)在N型半導體中摻入足夠量的三價元素,可將其改為P型半導體。()

(2)因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。()

(3)PN結在無光照、無外加電壓時，結電流為零。()

(4)處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。()

(5)結型場效應管外加的柵-源電壓應使柵-源間的耗盡層承受反向電壓,

才能保證其RGS大的特點。()

(6)若耗盡型N溝道MOS管的U大于零，則其輸入電阻會明顯變小。

GS

()

解：(1)V(2)X(3)V(4)X(5)V(6)

X

二、選擇正確答案填入空內(nèi)。

(1)PN結加正向電壓時，空間電荷區(qū)將o

A.變窄B.基本不變C.變

寬

(2)設二極管的端電壓為U,則二極管的電流方程是o

IeUUr

A.IgeUB.s,C.

4@山廣1)

(3)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在o

A.正向導通B.反向截止C.反向擊

穿

(4)當晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結電壓和集電結電壓應為。

A.前者反偏、后者也反偏B.前

者正偏、后者反偏

C.前者正偏、后者也正偏

(5)U=0V時，能夠工作在恒流區(qū)的場效應管有。

GS---------------------

A.結型管B.增強型MOS管C.耗盡型MOS管

解：(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC

三、寫出圖所示各電路的輸出電壓值，設二極管導通電壓『

VT

解：UU=0,U弋一，U弋2V,UU2VO

010203040506

四、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值U=6V,穩(wěn)定電流的最小值I=5mAo求圖所

示電路中u和u各為多少伏：

0102

(a)(b)

解：U=6V,U=5V0

0102

五、某晶體管的輸出特性曲線如圖所示,其集電極最大耗散功率P=200mW,

試畫出它的過損耗區(qū)。

解：根據(jù)P=200mW可得：U=40V時I=5mA,U=30V時1仁，U=20V時

I=10mA,U’ZlOV時l=20mA'；將各點連'接成曲線:即為臨界在損耗黑，如解

窗所示。臨算過損耗線島左邊為過損耗區(qū)。

六、電路如圖所示，V=15V,3=100,U=試問:

CCBEo

(1)R=50kQ時，u=?

b0

(2)若T臨界飽和，則R^?

b

解：(1)R=50k。時，基極電流、集電

極電流和管壓降分喘為

,V-U“

1=---Bfi-=26

BR

bUA

/=p/=2.6mA

QB

U=V—IR=2V

CECCCC所以輸出電壓u0=u『

2Vo

(2)設臨界飽和時U=U=,所以

CESBE

V-U

—FC?ES_=2.86mA

CR

0=g=28.6|iA

V-U

R=-------u&-?45.4kQ

bI

B

七.測得某放大電路中三個MOS管的三個電極的電位如表所示，它們的開啟電

壓也在表中。試分析各管的工作狀態(tài)(截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū))，并填入

表內(nèi)。

表

管號U/VU/VU/VU/V工作狀態(tài)

GS(th)SGD

T4-513

1

T-43310

2

T-4605

3

解：因為三只管子均有開啟電壓，所以它們均為增強型MOS管。根據(jù)表中所示

各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài)，如解表所示。

解表

管號U/VU/VU/VU/V工作狀態(tài)

GS(th)SGD

T4-513恒流區(qū)

1

T-43310截止區(qū)

2

T-4605可變電阻區(qū)

3

習題

選擇合適答案填入空內(nèi)。

(1)在本征半導體中加入元素可形成N型半導體,加入元

素可形成P型半導體。A.五價B.四

價C.三價

(2)當溫度升高時，二極管的反向飽和電流將0

A.增大B.不變C.減小

(3)工作在放大區(qū)的某三極管，如果當I從12口A增大到22NA時，

I從1mA變?yōu)?mA,那么它的B約為B。

c----------------------------------

A.83B.

91C.100

(4)當場效應管的漏極直流電流I。從2mA變?yōu)?mA時，它的低頻跨導

g將__________oA.增大"B.不

變C.減小

解：⑴A,C(2)A(3)C(4)A

1.2能否將的干電池以正向接法接到二極管兩端？為什么？

解：不能。因為二極管的正向電流與其端電壓成指數(shù)關系，當端電壓為

時，管子會因電流過大而燒壞。

解：U,和U,的波形如解圖所示。

1.4電路如圖所示，已知u=5sin3t(V),二極管導通電壓\=。試

畫出U與U的波形，并標出幅值。

i0

解：波形如解上圖所示。

1.5電路如圖5(a)所示，其輸入電壓u和u的波形如圖(b)所示,

IIT9

二極管導通電壓u=。試畫出輸出電壓U的波形，并標出幅值。

D0

解：U。的波形如解圖所示。

(a)(b)

1.6電路如圖所

示，二極管導通電壓U=，常溫下

U-26mV,電容C對交流信號可視為短路；u為正弦波，有效值為MmV。

Ti

試問二極管中流過的交流電流有效值為多少?

^

解：二極管的直流電流1(

^T

O—1

+F

I=(V-U)/R=

DD500AD

%D'Z

其動態(tài)電阻

r%U/I=10Q

DTD

故動態(tài)電流有效值I=u/r

diD

1mA

現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管，它們的穩(wěn)定電壓分別為6V和8V,正向導通電壓為。試問：

(1)若將它們串聯(lián)相接，則可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？

(2)若將它們并聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？

解：(1)兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時可得、、和14V等四種穩(wěn)壓值。

(2)兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時可得和6V等兩種穩(wěn)壓值。

已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓U=6V,穩(wěn)定電流的最小值I=5mA,最大功耗

P=150m肌試求圖所示電曜中電阻R的取值范圍。

4=I5VD/K">=6V

6I6

解：穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流

I=P/U=25mA

ZMZMZ

電阻R的電流為I?I,所以其取值范圍為

u-uZMZmin

A=7yj=036?L8kQ已知圖所示電路中穩(wěn)壓管

的穩(wěn)定電壓Uz=6V,最小穩(wěn)定電流I=5mA,最大穩(wěn)定電流I

Z1?,..,ZminZmax

=25mAo（1）分別計算U為10V、15V、35Vo-------=--------------------O+

三種情況下輸出電壓U的植；1kQ

（2）若U=35V時負載開路，則會出現(xiàn)什么現(xiàn)‘05O（）QD

象?為什么？

解：（1）當U=1OV時，若U=U=6V,則穩(wěn)壓管的電流為4mA,小于其

最小穩(wěn)定電流，所以福壓管未擊穿。敵'R

U=.一J--U?3.33V

0R+R1

L

當U=15V時，穩(wěn)壓管中的電流大于最小穩(wěn)定電流I,所以U=U=

IZmin0Z

6V

同理，當U=35V時，U=U=6V

I0zO

（2）47=（4-Uz）/R=29mA>I=25mA,穩(wěn)壓管將因功耗過大而損壞。

乙ZM

在圖所示電路中，發(fā)光二極管導通電壓口=,正向電流在5?15mA時才能正

常工作。試問：09+r

|（+5V）

（1）開關S在什么位置時發(fā)光二極管才能發(fā)光？

（2）R的取值范圍是多少？

解：（1）S閉合。⑵R的范心）〃=233Q

圍為R=（V-U）//=700。

maxDDmin

電路如圖（）、（）所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓的

1.11abU2=3V,R

取值合適，U的波形如圖（C）所示。試分別畫出U和U的波形。

M,/V,

解：波形如解圖所示

1.12在溫度20C時某晶體管的I映=2UA,試問溫度是60C時1,8r?

解：60℃時ICBO(T=20C)=32UAO

CBO

1.13有兩只晶體管，一只的8=200,1=200nA；另一只的B=100,

I=10uA,其它參數(shù)大致相同。你認為應選用堿只管子？為什么？

CEO

解：選用B=100、I/?"DA=10uA的管pert子，因其B適中、I較小，因而溫

度穩(wěn)定性較另一只管子好。

已知兩只晶體管的電流放大系數(shù)B分別為50和100,現(xiàn)測得放大電路中

這兩只管子兩個電極的電流如圖所示。分別求另一電極的電流，標出其實際方向,

并在圓圈中畫出管子。

(a)(b)

解：答案如解圖所示。

測得放大電路中六只

晶體管的直流電終如圖

所示。在圓圈中畫出管

子，并分別說明它們是

硅管還是褚管。

解：晶體管三個極分別為上、中、下管腳，答案如解表所示。

解表

管號TTTT工T

上ecebcb

中bbbeee

下ceccbc

管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN

材料SiSiSiGeGeGe

1.16電路如圖所示，晶體管導通時U=，8=50。試分析V為0V、

BFBB

IV、三種情況下T的工作狀態(tài)及輸出電壓U的值。

0

解：(1)當V=0時，T截止，u=12Vo

BB0

(2)當V=1V時，因為

BB

V-U

=RRRFQ=60

BQ*UA

I=PI=3mA所以T處于放大狀態(tài)。

CQBQ

u=V-1R=9V

OCCCQC(3)當V=3V時，因為

BB

V-u

RRRFQ=160

BQR

bUA所以T

處于飽和狀，CQ=P/BQ=8mA態(tài)。

u=V-IR<U

OCCCQCBE

電路如圖所示，試問B大于多少時晶體管飽和？

解：取U=U,若管子飽和，則------------o+匕

CESBE(+5、

P>i-=100lOOknlJlk^T

所以，Rc時，I

管子飽和。------kT

電路如圖所示，晶體管的B=50,|U|=,飽和管壓降|U|=；穩(wěn)壓管的穩(wěn)定

電壓U=5V,正向導通電壓U=。試問B：E當u=0V時u=?C當ESu=-5V時u=?

ZDI0I0

解：當u=0時，晶體管截止，穩(wěn)壓管擊穿，u=-U=-5Vo

I0Z

當u=—5V時，晶體管飽和，u=?因為

I0

〃-IJ

|；|=-J-----BE.=480〃A

B9~

b|(-12V)

KJ=BQ=24mA

IkQU

------------o

I

U=1/-17\R<V03——

ECCCIClCCC

+~IOkQ、人。

1.19分別判斷圖所示各

電路中晶體管是否有可能

工作在放大狀態(tài)。

解：(a)可能

(b)可能(c)不能

(d)不能，T的發(fā)射結會

因電流過大而損

壞。(e)可能

已知某結型場效應管的I=2mA,U=-4V,試畫出它的轉移特性曲線和

輸出特性曲線，并近似畫畬DSS予夾斷軌G揚S(o。ff)

解：根據(jù)方程(「限),

DDSS[J

GS(th)

逐點求出確定的U下的i,可近似畫出轉移特性和輸出特性；在輸出特性中,

將各條曲線上U=u"的/連接起來，便為予夾斷線；如解圖所示。

GDGS(off)

已知放大電路中一只N溝道場效應管三個極①、②、③的電位分別為

4V、8V、12V,管子工作在恒流區(qū)。試判斷它可能是哪種管子（結型管、MOS管、

增強型、耗盡型），并說明①、②、③與G、S、D的對應關系。

解：管子可能是增強型管、耗盡型管和結型管，三個極①、②、③與G、

S、D的對應關系如解圖所不。

已知場效應管的輸出特性曲線如圖所示，畫出它在恒流區(qū)的轉移特性曲線。

解：在場效應管的恒流區(qū)作橫坐標的垂線（如解圖（a）所示），讀出其與

各條曲線交點的縱坐標值及Urq值，建立in=f（urq）坐標系，描點，連線，即可

得到轉移特性曲線，如解圖（b）所示。

1.23電路如圖所示，T的輸出特性如圖所示,分析當u=4V、8V、

12V三種情況下場效應管分別工作在什么區(qū)域。

解：根據(jù)圖所示T的輸出特性可知，其開啟電壓為

5V,根據(jù)圖所示電路可知所以u=u。

GSI

當u=4V時，u小于開啟電壓，故T截止。

IGS

當u=8V時，設T工作在恒流區(qū)，根

據(jù)】

輸出特性可知管壓降u內(nèi)-iR^lOV

DDSDDDd

因此，u=u—u七一2V,小于開啟電壓，說明假設成立，即T工作在恒流

區(qū)。當U32V%\由于V=12V,必然使T工作在可變電阻區(qū)

IDD

分別判斷圖所示各電路中的場效應管是否有可能工作在恒流區(qū)。

解：(a)可能(b)不能(c)不能(d)可能

模擬電子技術習題答案

第一早

電路如圖題241所示。（1）利用硅二極管恒壓降模型求電路的k和V。的值;（2）在室溫（300K）

的情況下，利用二極管的小信號模型求V。的變化范圍。

解（1）求二極管的電流和電壓

=)「2^=a°-2xS7)V=8.6xM3A=8.6〃N

DR1x103。

V=2V=2xO.7V=1.4V

OD

（2）求v°的變化范圍

圖題的小信號模型等效電路如圖解2.4.1所示，溫度T=300K。

V_26mV

x3.02C

I8.6mA

D

當％曰2=%時，則

....2r2x3.02。..

Av=AV---d—=±1Vx----------------=±6"/V

。DDR+2r(1000+2x3.02。)

d

vo的變化范圍為儲+絲）~匕一絲），即1406V?L394V。

二極管電路如圖2.4.3所示，試判斷圖中的二極管是導通還是截止，并求出AO兩端電壓VA*Oc。

設二極管是理想的。

解圖a：將D斷開，以O點為電位參考點，D的陽極電位為-6V,陰極電位為-12V,故D

處于正向偏置而導通，VAO=-6V。

圖b：D的陽極電位為-15V,陰極電位為-12V,D對被反向偏置而截止，VAO=-12V。

圖c：對D1有陽極電位為0V,陰極電位為-12V,故D］導通，此后使D?的陰極電位為0V,

而其陽極為一15V,故D2反偏截止，VAO=0V。

圖d：對D1有陽極電位為12V,陰極電位為0V,對D2有陽極電位為12V,陰極電位為

-6V.故D2更易導通，此后使丫人=-6V；D1反偏而截止，故VAO=-6V。

試判斷圖題244中二極管是導通還是截止，為什么？

解圖a：將D斷開，以“地”為電位參考點，這時有

lozn

Vxl5V=1V

A(140+10)ZQ

2kQ5g

VX10V+x15V=3.5V

13(18+2)2(25+5)ZQ

D被反偏而截止。

圖b：將D斷開，以“地”為參考點，有

1OZ:Q

Vxl5V=1V

A(140+10UQ

2kQ5g

Vx(-10V)+xl5V=1.5V

B(18+2"。(25+5)kQ

D被反偏而截止。

圖c：將D斷開，以“地”為參考點，有

iom

Vxl5V=1V

A(140+10)A:Q

-2m5ZQ

Vx20V+xl5V=O.5V

B(18+2UQ(25+5)&Q

D被正偏而導通。

電路如圖題2.4.7所示，DyD2為硅二極管，當v=6sin3tV時，試用恒壓降模型和

折線模型(Vih=0.5V,rD=200Q)分析輸出電壓V。的波形。

解(1)恒壓降等效電路法

當OVIVJVO.7V時,DpD2均截止，VO=V.；當7V時；D導通,D,截止，V。=

0.7V；當qWO.7V時，D,導通，D1截止，v°=-0.7Vo七與v。波形如圖解2.所示。

⑵折線等藪電路如圖解】所示，圖中VjO.5V,%=20指?！惝?<1丫1<0.5V時,

DrD?均截止，vo=vi；v^O.5V時，7導通，以截止。產(chǎn)一0.5V時，幺導通，巳截

止。因此，當5V時有

V-V

v=<thr+V

oR+rDth

D

V=..俗一05*x200+0.5VX1.42V

(1000+200)0

同理，VjW—0.5V時，可求出類似結果。

Y與匕癥形如圖解2.4.7c所示。

mw2*T

二極管電路如圖題2.4.8a所示，設輸入電壓v,(t)波形如圖b所示，在0<t<5ms

的時間間隔內(nèi)，試繪出v。(t)的波形，設二極管是理想的。

解V[(t)<6V時，D截止，vo(t)=6V；+(t)26V時，D導通

v(t)-6Vx200+6V=1匕⑺+3V

(200+200)0

圖解2.4.8

電路如圖題2.4.13所示，設二極管是理想的。(a)畫出它的傳輸特性；(b)若輸入電

ffiv,=v.=20sin?tV,試根據(jù)傳輸特性繪出一周期的輸出電壓V。的波形。

解‘(a)畫傳輸特性

OVV|V12V時，DyD,均截止，v0=V[；

看—12V時,D1導通，口2截止

12g6ZO2小，

v=--------------xv+---------------xl2V=—v+4V

o(6+12)%。/(6+12)%。3/

-10V<V[V0時，DjD2均截止，v0=V]；

V]W-10V時，D2導通，D1截止

12AQ6kQ10

v--------------xvx(_]O)V=丸

O(6+12)KlI(6+12)kQT

傳輸特性如圖解2.413中a所示。

(b)當Vo=V[=20sin3tV時，V。波形如圖解2.4.13b所示。

MM24|3

兩只全同的穩(wěn)壓管組成的電路如圖題2.5.2所示，假設它們的參數(shù)V,和正向特性的丫山、

為為已知。試繪出它的傳輸特性。

解當IqIV(Vz+Vth)時,DzP均截止，vo=vI；

lvJ2(Vz+V(h)時，DzPDZ2均導通

v-V-V

v二口-----z-----jr+V+V

oR+rdzth

用MX.5.2

傳輸特性如圖解2.5.2所示。

第三章

測得某放大電路中BJT的三個電極A、B、C的對地電位分別為VA=-9V,6V,

Vc=6.2V,試分析A、B、C中哪個是基極b、發(fā)射極e、集電極c,并說明此BJT是NPN

管還是PNP管。

解由于銘B(tài)JT的MDCJgDC0.2V,硅BJT的IV"Q0.7V,已知用DBJT的電極B的丫口=一6

V,電極C的Vc=-6.2V,電極A的VA=-9V,故電極A是集電極。又根據(jù)BJT工作在

放大區(qū)時，必須保證發(fā)射結正偏、集電結反偏的條件可知，電極B是發(fā)射極，電極C是基極,

且此BJT為PNP管。

<c)

I

試分析圖題3.2.1所示各電路對正弦交流信號有無放大作用。并簡述理由。(設各電容的容

抗可忽略)

解圖題3.2.la無放大作用。因Rb=O,一方面使發(fā)射結所加電壓太高，易燒壞管子；另一

方面使輸人信號匕被短路。

圖題3.2.1b有交流放大作用，電路偏置正常，且交流信號能夠傳輸。

圖題3.2.1c無交流放大作用，因電容C”隔斷了基極的直流通路。

圖題3.2.id無交流放大作用，因電源V的極性接反。

CC

測量某硅BJT各電極對地的電壓值如下，試判別管子工作在什么區(qū)域。

(a)Vc=6VVn=0.7VVEc=0V

(b)Vc=6VVB=2VVE=1.3V

(c)Vc=6VVB=6VV匚=5.4V

(d)V?=6VVB=4VVE「=3.6V

(o)Vc=3.6VVB=4VVE=3.4V

解(a)放大區(qū)，因發(fā)射結正偏,集電結反偏。

(b)放大區(qū)，V=(2—1.3)V=0.7V,V..=(6-2)V=4V,發(fā)射結正偏，集

DRCCD

電結反偏。

(C)飽和區(qū)。

(d)截止區(qū)。

(e)飽和區(qū)。

設輸出特性如圖題3.3.I所示的BJT接成圖題3.3.3所示的電路，具基極端上接VBB=3.2

V與電阻RDh=20kQ相串聯(lián)，而VV-cc=6V,R「=200Q,求D電路C中的Lt1l、1「和V”D的E.值，設

=0.7Vo

V-V

解/==—----=0.125加4

BR

b

由題3.3.1已求得B=200,故

/=p/=200x0.125mA=25mA

CB

V=V一/R=W

CECCCC

圖題3.3.6畫出了某固定偏流放大電路中BJT的輸出特性及交、直流負載線，試求：

(1)電源電壓V“，靜態(tài)電流I-和管壓降V”的值；(2)電阻R、、的值；(3)輸出電

CCDCLbDC

壓的最大不失真幅度；(4)要使該電路能不失真地放大，基極正弦電流的最大幅值是多少？

?mA

50

KtA3.3,6

解（1）由圖3.3.6可知，直流負載線與橫坐標軸的交點即Vcc值的大小，故Vcc=6V。

由Q點的位置可知，％=20NA,IC=1mA,VCE=3V?

V

（2）由基極回路得：Rx=30（）kQ

bI

B

V-V

由集一射極回路得R==一^―&=3kO

cI

c

（3）求輸出電壓的最大不失真幅度

由交流負載線與輸出特性的交點可知,在輸入信號的正半周，輸出電壓LU從3V到0.8V,

變化范圍為2.2V；在輸入信號的負半周，輸出電壓V’F從3V到4.6V,變化范圍為1.6V。

綜合起來考慮，輸出電壓的最大不失真幅度為1.6V。

（4）基極正弦電流的最大幅值是20HA。

畫出圖題341所示電路的小信號等效電路，設電路中各電容容抗均可忽略，并注意標出電壓、

電流的正方向。

解圖題所示各電路的小信號等效電路如圖解3.4.1所示。

P=50,（1）估算Q點；

（2）畫出簡化H參數(shù)小信號等效電路；（3）估算BJT的朝人電阻%;（4）如輸出端接入4

kQ的電阻負載，計算今

解（1）估算Q點

V

?—cc.=40HAI=p/=2mA

BRCB

b

V=V-IR=4V

CECCCC

(2)簡化的H參數(shù)小信號等效電路如圖解所示。

⑶求K

r=200Q+(l+p)26mV=200Q+(1+50)26，t，V-=863Q

nI2mA

“、4VBR'B(RII/?)

4)A=-JL=—...L-=-----C---L__?—11A6

vVrr

ihebe

VVV-R-RHr

l=-JJ-=-JL■—i-=A---i——=A------b----lu—

vsvVVvR+RvR+RHr

sisissbb

I、C,N、aJ對交流信號可視為短路。（1）寫出靜態(tài)電流Ic及電壓的v-t表達式；（2）寫出電壓

增益輸人電或Ri.和輸出電阻R。的表達式；（3）若將電容C、開路，對電路將會產(chǎn)生什

么影響？

解（1）1c及的表達式

Cc

V=V-7(/?+/?)

CECCC23

(2)4了、Ri.和Ro的表達式

：P(RIIR)

A=---2...-

VY

be

R=R\\rRxR

i1beO2

(3)J開路后，將使電壓增益的大小增加

:13KH+R)11/?]

A=------2---3----J

vr

be

同時Ro也將增加，R~R+Ro

023

如圖題352所示的偏置電路中，熱敏電阻R,具有負溫度系數(shù)、問能否起到穩(wěn)定工作點的作

圖跑3.5.2

W圖題3.所示電路能穩(wěn)定Q點，過程如下：

TTv

圈題b所示電路不能穩(wěn)定Q點，因為

T?5

電路如圖354所示，設B=100,試求：⑴Q點；⑵電壓增益%和42'%；

（3）輸入電阻Ri；（4）輸出電阻R.和R。，

解（1）求Q點

D

V=——M—V?4.3V

BR+Rcc

b\b2

1^1=—u----Bi-=1.8〃?A

cER

e

V=V一/(/?+/?)=2.8V

CECCCce

『*=18附

⑵求％及Ri

26mV圖題3.5.4

r+(1+P)x1.66ZQ

behh

E

R=R\\RII[r+(1+P)R]=8.2%Q

ib\h2hee

VV__pRR

(3)A=—ai_—Ql_---0.79

v"r+(l+p)7?R+R

viyV

sbeeis

■VVVpz?R

A=優(yōu)==—____________A_______a0.8

V2VVVr+(1+B)ER+R

sisbe(is

(4)求R.和%、

RaR=2Ml

oic

R

021+P

共基極電路如圖題3.6.3所示。射極電路里接入

一恒流源，設。=100，R=0,R=8。試確

sL

定電路的電壓增益、輸入電阻和輸出電阻。

26/??V

解r=r+(l+p)——“2.8ZC

bebb,I

1.0I

其中Lc=l.OlmAo

A=K"；268

vr

R=x28c

i1+P

RxR=7.5心o

0c

某放大電路中的數(shù)幅頻特性如圖題3.7.1所示。(1)試求該電路的中頻電壓增益IAI,

VVM

上限頻率fM下限L頻率4；(2)當輸人信號的L頻率fuH/或f=f”時，該電路實際的電壓增益

是多少分貝？

解(1)由圖題3.7.1可知，中頻電壓增益1=1000,上限頻率人fH=108HZ,下

VMH

限頻率￡=10汨Z。

一放大電路的增益函數(shù)為

A(s)=10

5+271X10

試繪出它的幅頻響應的波特圖，并求出中頻增益、下限頻率i和上限頻率%以及增益下降到1

時的頻率。

解對于實際頻率而言，可用s=/2兀/代人原增益?zhèn)鬟f函數(shù)表達式，得

1

A=10次.1=10

W+27lX1°^^07(一學g?加

由此式可知，中頻增益IAIVJ1=10,f=10HZ,LH=106HZ。其幅頻響應的波特圖如圖解所

示。增益下降到1時的頻率為IHZ及l(fā)OMHZo

H*3.7.3

一高頻BJT,在Ic=1.5mA時，測出其低頻H參數(shù)為：&Q，B0=50,特征頻率0=100MHz,

c=3pF,試求混合n型參數(shù)g、J、廠，、C

bcmbebhbeQ

g=-==57.69x10-3S=57.69m5

mr26mV

r-=866.7Qr-r—r=233.3C

腔gbebebe

c上j=92p//R=4-=2MHz

be2%pp

電路如圖3.5.1所示（射極偏置電路）,設在它的輸人端接一內(nèi)阻Rs=5KQ