太陽能電池片生產(chǎn)工藝流程

太陽能電池片生產(chǎn)工藝流程第1頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月生產(chǎn)工藝---清洗和表面腐蝕第2頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月生產(chǎn)工藝---制絨第3頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月表面絨面化

由于硅片用P型（100）硅片，可利用氫氧化鈉溶液對單晶硅片進行各向異性腐蝕的特點來制備絨面。當各向異性因子>10時（所謂各向異性因子就是（100）面與（111）面單晶硅腐蝕速率之比），可以得到整齊均勻的金字塔形的角錐體組成的絨面。絨面具有受光面積大，反射率低的特點?？商岣邌尉Ч杼栯姵氐亩搪冯娏鳎瑥亩岣咛栯姵氐墓怆娹D(zhuǎn)換效率。第4頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月金字塔形角錐體的表面積S0等于四個邊長為a正三角形S之和

由此可見有絨面的受光面積比光面提高了倍即1.732倍。絨面受光面積第5頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月

當一束強度為E0的光投射到圖中的A點，產(chǎn)生反射光Φ1和進入硅中的折射光Φ2。反射光Φ1可以繼續(xù)投射到另一方錐的B點，產(chǎn)生二次反射光Φ3和進入半導體的折射光Φ4；而對光面電池就不產(chǎn)生這第二次的入射。經(jīng)計算可知還有11%的二次反射光可能進行第三次反射和折射，由此可算得絨面的反射率為9.04%。絨面反射率第6頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月生產(chǎn)工藝---擴散第7頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月生產(chǎn)工藝---表面成膜第8頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月等離子化學氣相沉積(PEVCD)PEVCD被使用來在硅片上沉積氮化硅材料，是在300-900℃的溫度下通過化學反應產(chǎn)生Si3N4的過程。典型的化學反應為：SiH4+NH3→Si3N4+NH3+N2多晶硅太陽電池廣泛使用PECVD淀積SiN,由于PECVD淀積SiN時,不光是生長SiN作為減反射膜,同時生成了大量的原子氫,這些氫原子能對多晶硅片具有表面鈍化和體鈍化的雙重作用,可用于大批量生產(chǎn)高效多晶硅太陽電池,為上世紀末多晶硅太陽電池的產(chǎn)量超過單晶硅太陽電池立下汗馬功勞。隨著PECVD在多晶硅太陽電池成功,引起人們將PECVD用于單晶硅太陽電池作表面鈍化的愿望。

第9頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月生產(chǎn)工藝---制備電極（1）第10頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月生產(chǎn)工藝---制背電極（2）第11頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月生產(chǎn)工藝---背表面鈍化第12頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月五、生產(chǎn)設備—清洗設備第13頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月生產(chǎn)設備—擴散爐第14頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月生產(chǎn)設備—刻蝕第15頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月生產(chǎn)設備—PECVD第16頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月生產(chǎn)設備—測試儀第17頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月生產(chǎn)設備—烘干爐第18頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月生產(chǎn)設備—快燒爐第19頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月五、生產(chǎn)環(huán)境及其它

第20頁，課件共21頁，創(chuàng)作于2023年2月太陽能電池生產(chǎn)最主要的材料是單晶硅片或多晶硅片。

其它輔料包括:

化學液（NaOH、IPA、乙醇、銘酸、HF）

特氣（CF4、SiH4、NH3）

大宗氣體（CDA、N2、O2）

水（PCW、DI）單晶硅的制絨工藝：是通過NaOH和乙醇反應，在硅片上形成減反織構，增強電池對光線的吸收能力。多晶硅的制絨工藝：是加入鉻酸和氫氟酸，利用鉻酸的強氧化性將切割后硅片上的污物清除，并產(chǎn)生SiO2和C2O3，達到在