芯片工藝流程-課件

芯片工藝流程芯片工藝流程芯片工藝流程芯片工藝流程芯片工藝流程芯片工藝流程芯片工藝流程芯片工藝流程臥式4爐管擴(kuò)散/氧化爐擴(kuò)散/氧化進(jìn)爐實景圖芯片工藝流程立式擴(kuò)散/氧化爐擴(kuò)散/氧化進(jìn)爐實景圖芯片工藝流程擴(kuò)散工序作業(yè)現(xiàn)場芯片工藝流程先進(jìn)光刻曝光設(shè)備芯片工藝流程現(xiàn)場用光刻曝光設(shè)備芯片工藝流程檢查用顯微鏡芯片工藝流程清洗淀積/生長隔離層勻膠（SiO2Si3N4

金屬…）-HMDS噴淋（增加Si的粘性）-勻光刻膠芯片工藝流程前烘對版勻膠-對每個圓片必須按要求對版-用弧光燈將光刻版上的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上。-增加黏附作用-促進(jìn)有機(jī)溶劑揮發(fā)芯片工藝流程顯影/漂洗堅膜腐蝕-硬化光刻膠。-增加與硅片的附著性。-將圓片進(jìn)行顯影/漂洗，不需要的的光刻膠溶解到有機(jī)溶劑。去膠-干法腐蝕/濕法腐蝕芯片工藝流程光刻工藝過程芯片工藝流程芯片工藝流程初級離子氣體被吸收到硅片表面芯片工藝流程初級離子氣體在硅片表面分解芯片工藝流程玻璃的解吸芯片工藝流程芯片工藝流程芯片工藝流程芯片工藝流程芯片工藝流程蒸發(fā)原理示意圖芯片工藝流程濺射原理示意圖芯片工藝流程芯片工藝流程芯片工藝流程芯片工藝流程擴(kuò)散層外延層單晶片擴(kuò)散片外延片芯片工藝流程sio2外延層芯片工藝流程sio2外延層芯片工藝流程sio外延層2芯片工藝流程sio外延層2雜質(zhì)注入芯片工藝流程sio外延層2基區(qū)芯片工藝流程sio外延層2基區(qū)芯片工藝流程sio外延層2基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)芯片工藝流程sio外延層2基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)芯片工藝流程sio外延層2基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)芯片工藝流程sio外延層2基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)芯片工藝流程sio外延層2基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)芯片工藝流程sio外延層2基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)芯片工藝流程sio外延層2基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)芯片工藝流程sio外延層2基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)芯片工藝流程sio外延層2基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)芯片工藝流程AL外延層基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)芯片工藝流程AL外延層基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)芯片工藝流程AL外延層基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)芯片工藝流程SiO外延層基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)2芯片工藝流程SiO外延層基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)2芯片工藝流程SiO外延層基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)2芯片工藝流程SiO外延層基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)2測試系統(tǒng)芯片工藝流程SiO外延層基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)2減薄和拋光部分芯片工藝流程SiO外延層基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)2芯片工藝流程SiO外延層基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)2芯片工藝流程SiO外延層基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)2測試系統(tǒng)芯片工藝流程N(yùn)型片投片和編批一次氧化基區(qū)光刻干氧氧化硼離子注入基區(qū)擴(kuò)散發(fā)射區(qū)光刻發(fā)射區(qū)磷預(yù)淀積發(fā)射區(qū)擴(kuò)散