輸出電阻最小的電路課件

第5章放大器基礎(chǔ)本章內(nèi)容為電工電子技術(shù)課程重點(diǎn)教學(xué)內(nèi)容讀者學(xué)完本章應(yīng)重點(diǎn)理解PN結(jié)的單向?qū)щ娦?三極管的電流控制特點(diǎn);掌握半導(dǎo)體二極管、三極管的模型;能利用三極管的直流、交流小信號(hào)模型分析簡(jiǎn)單的三極管應(yīng)用電路;深入理解放大的實(shí)質(zhì)及利用三極管構(gòu)成小信號(hào)放大器的一般原則;掌握三極管放大電路的三種基本組態(tài)及其特性,進(jìn)而理解工程實(shí)用放大器電路組成原理及特點(diǎn);理解場(chǎng)效應(yīng)管的電壓控制特點(diǎn),對(duì)照三極管理解場(chǎng)效應(yīng)管的外特性、模型及其應(yīng)用第5章第1部分在本次課中,我們將介紹本征、雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性;PN結(jié)的形成及其特性;二極管及其模型。相關(guān)知識(shí)點(diǎn)與學(xué)習(xí)目標(biāo)本課涉及“PN結(jié)的引入及其特點(diǎn)、半導(dǎo)體二極管”2個(gè)知識(shí)點(diǎn),通過(guò)本課學(xué)習(xí),應(yīng)理解PN結(jié)的單向?qū)щ娦?掌握二極管的模型及其應(yīng)用方法本征半導(dǎo)體9…9·9共價(jià)鍵半導(dǎo)體器件是組成各種電子電路的基礎(chǔ)。純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體。晶體結(jié)構(gòu)如右圖由于價(jià)電子被原子核束縛,若不能從外部獲取價(jià)電子被原子核能量,擺脫原子核的束所屬原子(正離縛,則不具有導(dǎo)電特性核束縛子)二.本征半導(dǎo)體具有微常得束原稱(chēng)獲的在位為價(jià)電子被原子核本征激發(fā)(解釋)。如上圖所屬原子(正離本征激發(fā)使本征半導(dǎo)體具有核束縛子)微弱的導(dǎo)電性為什么關(guān)心空穴?空穴的移動(dòng)t=t2t=t3Figure2.4Movementofelectronthroughcrystal雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性常溫下,本征半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入微量導(dǎo)電性能很微弱的,口的雜質(zhì)(其它元素的原難以達(dá)到實(shí)用目的子),就成為雜質(zhì)半導(dǎo)體,其導(dǎo)電性能大大增強(qiáng)在硅或鍺的晶體中摻入少量五價(jià)元素原子,這種雜質(zhì)半導(dǎo)體中電子濃度大大高于空穴濃度,主要依靠電子導(dǎo)電,故稱(chēng)為電子半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體(解釋)電子為多數(shù)載流子(簡(jiǎn)稱(chēng)多空穴為少數(shù)載流子(簡(jiǎn)稱(chēng)少子)(本征半導(dǎo)體的兩種載流子)在硅或鍺晶體中摻入三價(jià)元素原子,這種雜質(zhì)半導(dǎo)體中空穴濃度大大高于電子濃度,主要依靠空穴導(dǎo)電,故稱(chēng)為空穴半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體(解釋)空穴是多數(shù)載流子,電子是少數(shù)載流子(本征半導(dǎo)體的兩種載流子)pn結(jié)AnodeFigure2.16pnjunction四.PN結(jié)對(duì)一塊半導(dǎo)體采用不同的雜工藝,使其一側(cè)成為e°9感°到半導(dǎo)體,而另一側(cè)成6N型半導(dǎo)體,則可成為⊙ess∵l電性能可控制的半導(dǎo)體耗盡層空間電荷區(qū)多數(shù)載流子由于濃度