缺陷對晶體影響教學(xué)課件_第1頁
缺陷對晶體影響教學(xué)課件_第2頁
缺陷對晶體影響教學(xué)課件_第3頁
缺陷對晶體影響教學(xué)課件_第4頁
缺陷對晶體影響教學(xué)課件_第5頁
已閱讀5頁,還剩87頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

第二章晶體結(jié)構(gòu)與晶體中的缺陷本章內(nèi)容:1.典型結(jié)構(gòu)類型2硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)3晶體結(jié)構(gòu)缺陷重點:點缺陷的定義分類2缺陷反應(yīng)方程式的寫法3固熔體的分類及影響因素硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)難點缺陷對晶體結(jié)構(gòu)和性能的影響金剛石結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu):立方晶系,立方面心格子,碳原子位于立方面心所有結(jié)點位置和交替分布在立方體的四個小立方體內(nèi),C-C鍵為共價鍵2、性能特點4硬度最高∞導(dǎo)熱性極好;半導(dǎo)體性能應(yīng)用:金潮右品休結(jié)構(gòu)9高硬切割材料和磨料∞鉆井鉆頭、集成電路中散熱片、高溫半導(dǎo)體材料。石墨結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu):立方晶系,c原子成層排列,每一層c成六方環(huán)排列。同一層內(nèi)c原子之間為共價鍵,而層間的c原子以分子鍵相連。2、性能硬度低、易加工;熔點高;有潤滑感導(dǎo)電性能良好應(yīng)用之高溫坩堝、發(fā)熱體、電極;潤滑劑。:百墨品體同質(zhì)多晶:化學(xué)式組成相同的物質(zhì)在不同的熱力條件下結(jié)晶成結(jié)構(gòu)不同晶體的現(xiàn)象。NaCl結(jié)構(gòu)1、結(jié)構(gòu):晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系描述晶體結(jié)構(gòu)的方法中坐標(biāo)系的方法:給出單位晶胞中各個質(zhì)點的空間坐標(biāo)以球體緊密堆積的方法描述體結(jié)構(gòu)。以配位多面體及其連接方式述晶體結(jié)構(gòu)四、CsCl結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu):立方晶系,Z=1,立方原始格子,配位數(shù)都是8,C

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論