串聯(lián)諧振電路原理分析

串聯(lián)諧振電路原理分析第1頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月內(nèi)容第一部分概述；基本工作原理；拓?fù)涞诙糠址治觯杭俣?；輸入阻抗；電壓電流和功率；電壓和電流?yīng)力分析；第三部分分析：開路和短路運(yùn)行；電壓傳遞函數(shù)；效率（導(dǎo)通/開通/關(guān)斷損耗計(jì)算）；設(shè)計(jì)實(shí)例和討論第2頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月概述ClassDdc-ac諧振逆變電路1959年由Baxandall發(fā)明應(yīng)用于：dc-dc變換器，無線發(fā)射器，電子鎮(zhèn)流器，高頻電焊機(jī)，等等可分為兩類Voltage-sourceinverter電壓型逆變電路前級(jí)由電壓源輸入Current-sourceinverter電流型逆變電路前級(jí)由電流源輸入第3頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月串聯(lián)諧振逆變（SRI）基本電路第4頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月SRI基本電路第5頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月SRI基本電路第6頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月SRI基本電路第7頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月SRI基本電路MOSFET導(dǎo)通電阻rDS=(rDS1+rDS2)/2總寄生電阻r=rDS+rL+rC線路總電阻R=Ri+r=Ri+rDS+rL+rC第8頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月工作原理第9頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月工作原理第10頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月工作原理第11頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月共通問題Ipk=VI/(rDS1+rDS2)假定：VI=200V,rDS1=rDS2=0.5Ω,Ipk=200A第12頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月SRI工作原理-f<f0工作于容性負(fù)載，輸出電流的相位角超前于輸出電壓導(dǎo)通順序：Q1–D1–Q2–D2MOSFET零電壓關(guān)斷MOSFET導(dǎo)通時(shí)的三種不利情況：相對(duì)的MOSFET的反并聯(lián)二極管的反向恢復(fù)MOSFET等效輸出電容的放電密勒效應(yīng)第13頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月SRI工作原理-f<f0當(dāng)電路由D1導(dǎo)通換到Q2導(dǎo)通時(shí)，D1的反向恢復(fù)特性導(dǎo)致很大的瞬間電流，是穩(wěn)態(tài)電流的數(shù)倍（甚至10倍）二極管的電壓由-1V升至Vi，電流又很大，造成很大的反向恢復(fù)損耗MOSFET寄生三極管的二次擊穿，會(huì)導(dǎo)致MOSFET在關(guān)斷時(shí)失效第14頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月f>f0工作于感性負(fù)載，輸出電流的相位角滯后于輸出電壓導(dǎo)通順序：D1–Q1–D2–Q2MOSFET零電壓開通第15頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月電壓型逆變器拓?fù)銼RIPRICLLSPRI第16頁(yè)，課件共17頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第一部分結(jié)束語串聯(lián)諧振電路的歷史串聯(lián)諧振電