半導體業(yè)廢水處理流程

半導體業(yè)廢水處理流程第1頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月大綱內容一、半導體的介紹二、晶圓製作流程三、廢水來源四、廢水處理系統五、廢水排放標準六、專責單位及人員的設置七、結論八、Q&A2第2頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月

半導體介於導體與非導體之間物質

（如矽）。矽（Si）是常用的半導體材料，在矽中摻入微量的５價元素(砷)，則大量增加電洞數目，形成ｎ型（負性）；或３價元素(硼)則大量增加電洞數目，就能改變矽的導電特性，形成ｐ型（正性）半導體。不同導電性之半導體若集合一起，可形成各種接面；即可供作電子組件使用。

3何謂半導體?第3頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月半導體產業(yè)範圍

4

依原料、生產/加工至產品產出，半導體產業(yè)大致區(qū)分為半導體材料(含化學品)、光罩、設計(含CAD軟體)、製程、封裝、測試及設備等七個技術領域，第4頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月晶元製造流程薄膜CMP黃光蝕刻乾(Aspen)、濕(SH)離子植入爐管測試封裝Waferstart退火光阻罩幕硬罩幕(氮或氧化物)第5頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月6廠區(qū)廢水來源廠務供應H2O2NH4OHIPA研磨液UPWChemicalCMP機臺CMPACMPBD

AcidD

Base製程廢水Drain第6頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月7HFPOLYETCH3HCLIPAH3PO4NH4OHEGHNO3H2SO4H2O2WET機臺WIDAC

BaseDHFH3PO4C

AcidDNH3D

BaseD

AcidCH2SO4CHF廠務廢水製程廢水純水化學藥劑第7頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月81.依廢水性質及種類的不同，分類收集2.管控重力流排水管路的穩(wěn)定性3.降低錯綜複雜的廢水起二次化學反應之風險

4.主要為製程廢水收集管線排水管分流收集機制第8頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月9四種廢水處理系統

CMP(ChemicalMechanicalPolishing)化學機械研磨HF(氟系廢水)AW

（AcidWater）酸鹼中和廢水MBR

(MembraneBioReactor)一般生活污水處理單元第9頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月10濃酸儲存槽放流水槽有機廢水儲存槽最終中和槽第二中和槽第一中和槽稀酸儲存槽稀鹼儲存槽濃鹼儲存槽薄膜反應生物槽氟酸反應槽濃氟酸儲存槽稀氟酸儲存槽CMP儲存槽氟酸pH調整槽氟酸沉澱槽氟酸混凝槽氟酸最終槽氟酸膠凝槽CMP膠凝槽CMP混凝槽CMP反應槽汙泥脫水槽CMP最終槽CMP沉澱槽汙泥濃縮槽放流汙泥第10頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月11CMP

高污染製程，因過程使用研磨液研磨液包含微細研磨粉體及其他化學物質

(

1）pH緩衝劑（例如：KOH、NH4OH、HNO3或有機酸…等）（2）氧化劑（例如：雙氧水、硝酸鐵、碘酸鉀…等）（3）界面活性劑第11頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月12平坦化:

CMP是利用化學藥劑所提供之化學反應，目的是為將晶圓拋光，因為薄膜沉積時可能不均勻，即晶片上面凸出的介電層漸漸地加以除去的一種平坦化技術。

CMP功能第12頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月CMP流程混凝槽:加入PAC膠凝槽:加入高分子聚合物沉澱槽:分離成上清液和汙泥污泥部份目前壓縮為污泥餅，再送至專業(yè)廠商予以處理。上清液則進入最終槽，調pH值後放流。第13頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月14濃酸儲存槽放流水槽有機廢水儲存槽最終中和槽第二中和槽第一中和槽稀酸儲存槽稀鹼儲存槽濃鹼儲存槽薄膜反應生物槽氟酸反應槽濃氟酸儲存槽稀氟酸儲存槽CMP儲存槽氟酸pH調整槽氟酸沉澱槽氟酸混凝槽氟酸最終槽氟酸膠凝槽CMP膠凝槽CMP混凝槽CMP反應槽汙泥脫水槽CMP最終槽CMP沉澱槽汙泥濃縮槽放流汙泥第14頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月15濃酸儲存槽放流水槽有機廢水儲存槽最終中和槽第二中和槽第一中和槽稀酸儲存槽稀鹼儲存槽濃鹼儲存槽薄膜反應生物槽氟酸反應槽濃氟酸儲存槽稀氟酸儲存槽CMP儲存槽氟酸pH調整槽氟酸沉澱槽氟酸混凝槽氟酸最終槽氟酸膠凝槽CMP膠凝槽CMP混凝槽CMP反應槽汙泥脫水槽CMP最終槽CMP沉澱槽汙泥濃縮槽放流汙泥第15頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月16HF含有高濃度的HF分三個處理程序:反應槽混凝槽膠凝槽第16頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月HF

17半導體產業(yè)使用許多化學藥劑，其中在蝕刻機臺需要大量的HF，用來清洗、刻畫晶片、爐管清洗...等，因為HF是強酸，可溶解矽石，接著這些水排出，即是含高濃露HF廢水進入前三個程序前，先將HF廢水分為濃HF跟稀HF，接著加入NaOH或H2SO4調整pH值，為符合放流標準反應槽:加入CaCl2使Ca跟F-產生CaF2沉澱，減少F離子濃度?；炷?加入PAC(混凝劑)膠凝槽:加入高分子聚合物形成膠羽沉澱第17頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月18濃酸儲存槽放流水槽有機廢水儲存槽最終中和槽第二中和槽第一中和槽稀酸儲存槽稀鹼儲存槽濃鹼儲存槽薄膜反應生物槽氟酸反應槽濃氟酸儲存槽稀氟酸儲存槽CMP儲存槽氟酸pH調整槽氟酸沉澱槽氟酸混凝槽氟酸最終槽氟酸膠凝槽CMP膠凝槽CMP混凝槽CMP反應槽汙泥脫水槽CMP最終槽CMP沉澱槽汙泥濃縮槽放流汙泥第18頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月AW處理單元不含HF廢液之製程廢水最大宗之製程廢水特性：一般酸鹼廢水→pH值0~14（pH：代表H+濃度指數）來源複雜→實施『酸、鹼』及『高濃度、低濃度』分流收集

第19頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月AW在晶圓製程中的來源氧化層:HCl

目的:為了使矽跟氧做結合，形成SiO2，需使用HCl有更好的結合性濕式蝕刻:硝酸或是醋酸目的:去除多餘的光阻劑

Si+HNO3+6HF→H2SiF6+HNO2+H2O+H2第20頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月AW在晶圓製程中的來源晶片清洗廢水：

H2SO4、H2O2、NH4OH、HCl。濕式蝕刻廢水：

NH4F、HNO3、H2O2、HCl、H2SO4、HAc、H3PO4、HBr、Al、Si。純水設備再生廢水：

NaOH、HCl、H2O2。濕式洗滌塔廢水：洗滌廢氣所含之污染質。第21頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月22濃酸儲存槽放流水槽有機廢水儲存槽最終中和槽第二中和槽第一中和槽稀酸儲存槽稀鹼儲存槽濃鹼儲存槽薄膜反應生物槽氟酸反應槽濃氟酸儲存槽稀氟酸儲存槽CMP儲存槽氟酸pH調整槽氟酸沉澱槽氟酸混凝槽氟酸最終槽氟酸膠凝槽CMP膠凝槽CMP混凝槽CMP反應槽汙泥脫水槽CMP最終槽CMP沉澱槽汙泥濃縮槽放流汙泥第22頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月23MBR進流薄膜模組放流為一結合生物處理單元與薄膜分離單元的處理技術，不僅發(fā)揮生物處理溶解性有機物形成膠羽，亦結合薄膜分離系統有效固液分離的特點，符合嚴格的放流水標準。

主要是回收供沖廁用水、景觀、澆灌、灑水、地板清洗之用水。

第23頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月中部科學工業(yè)園區(qū)污水下水道

納管水質標準水量5500

(CMD)

Hg

0.005(mg/L)氫離子濃度6~9

6-Cr

0.5(mg/L)水溫35℃

Pb

1.0(mg/L)化學需氧量500

(mg/L)

Ni

1.0

(mg/L)懸浮固體300

(mg/L)

Zn

5.0

(mg/L)氰化物1.0(mg/L)

Cd

0.03

(mg/L)

As

0.5(mg/L)

T-Cr

2.0(mg/L)

Cu

3.0(mg/L)第24頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月環(huán)境保護專責單位或人員設置及管理辦法25第25頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月何時設置專責單位?26問題討論:第26頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月27

公私場所、事業(yè)或污水下水道系統有下列情形之一者，應設置環(huán)境保護專單位（以下簡稱專責單位）

(第六條)

一、中央主管機指定公告應設置空氣污染防制專單位之公私場所。二、廢（污）水產生量每日在五千立方公尺以上者三、廢（污）水產生量每日在一千立方公尺以上未滿五千立方公尺且含物質之一超過放流水標準者

第27頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月28專責單位分為下列二類

(第二條)

一、空氣污染防制專責單位。

二、廢（污）水處理專責單位。

在同一處所內，得合併設置不同類之專責單位。第28頁，課件共31頁，創(chuàng)作于2023年2月29專責單位，每一類應至少包括下列員額

(第八條)一、主管一人。二、甲級專責人員一人