集成電子學(xué)習(xí)題2011試卷_第1頁(yè)
集成電子學(xué)習(xí)題2011試卷_第2頁(yè)
集成電子學(xué)習(xí)題2011試卷_第3頁(yè)
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學(xué) 姓 學(xué)學(xué) 姓 學(xué) 共2小時(shí)課程名 集成電子 教 學(xué)時(shí)50 學(xué)分考核日期年 月日（學(xué)生填寫(xiě) (25分)柵氧化層的可靠性，主要從三個(gè)方面加以考慮，即 ）和 在MOSFET反型層中，溫度增大，庫(kù)倫散射 、聲子散 ）；表面有效電場(chǎng)增大，散 、聲子散射 ，表面散射 對(duì)于n-MOSFET，襯底偏置是襯底相對(duì)源加（）電壓，隨著襯底偏置增加，閾值電壓（。亞閾區(qū)的n-MOSFET可以看作是（，亞閾區(qū)是（）電流導(dǎo)電， MOSFET，載流子速度飽和將使漏電流（）；載流子速度過(guò)沖將使漏電流（；反型層電容將使漏電流（；溝道長(zhǎng)度調(diào)制將使漏電流（ ）；（2）表示（）；（3）表 ）；（4）表示（ ）；（5）表示（（6） ）；（7）表示（ 3．(20分)4．(20分)SOIMOSFET的亞閾值泄MOSFET飽和漏電流與柵壓的關(guān)系示意圖，試解釋?zhuān)?a)兩實(shí)線(xiàn)在橫坐標(biāo)的截距代表什么？為什么會(huì)有差異？(b)兩實(shí)線(xiàn)的斜率代表什么？產(chǎn)生差異的原因在5．(15分 分析討

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