全球領(lǐng)先的GaN RF供應(yīng)商如何煉成？Qorvo的GaN優(yōu)勢(shì)圖解

全球領(lǐng)先的GaNRF供應(yīng)商如何煉成？Qorvo的GaN優(yōu)勢(shì)圖解Qorvo是全球領(lǐng)先的GaNRF供應(yīng)商，自1999年起就一直在推動(dòng)GaN研究和創(chuàng)新，提供經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)的GaN電路可靠性和緊湊型、高效率產(chǎn)品。近幾年GaN技術(shù)商用趨勢(shì)越發(fā)明顯，從下一代的國(guó)防和航天應(yīng)用，到有線電視(CATV)、VSAT、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)(PtP)、基站基礎(chǔ)設(shè)施，QorvoGaN產(chǎn)品和技術(shù)優(yōu)勢(shì)盡顯。為了驗(yàn)證適用于毫米波FWA陣列的GaNFEM概念，Qorvo開(kāi)發(fā)了新型GaN-on-SiC毫米波前端模塊，實(shí)現(xiàn)更高效強(qiáng)大的基站，同時(shí)為新興5G無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施奠定基礎(chǔ)。Qorvo的毫米波5GFEM關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)眾多，包括更小的外形尺寸，結(jié)合PA、LNA和開(kāi)關(guān)，滿足相位陣列柵格間距的要求，同時(shí)雙通道能夠?qū)崿F(xiàn)雙極化，提高放大器功率和效率，從而降低能量損耗，提高整體功率輸出，實(shí)現(xiàn)更高效的散熱，在28GHz和39GHz頻率實(shí)現(xiàn)5G。減少天線陣列所需組件數(shù)量，支持更高的相位陣列EIRP水平，采用更高效強(qiáng)大的基站技術(shù)，優(yōu)化當(dāng)前和未來(lái)無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施。作為GaN-on-SiC技術(shù)的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，Qorvo從超過(guò)15年的研究，以及久經(jīng)驗(yàn)證的市場(chǎng)可靠性中吸取經(jīng)驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)更高效的通信方式，協(xié)助連接和保護(hù)我們的世界。在國(guó)防和有線行業(yè)，GaN-on-SiC解決方案供應(yīng)量全球第一！此外，QorvoGaNRF產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)更小的尺寸并具備更高的可靠性，廣泛用于民用船舶、航空和基礎(chǔ)設(shè)施雷達(dá)系統(tǒng)中。美國(guó)國(guó)防部用MRL來(lái)衡量供應(yīng)商把產(chǎn)品順利地從工廠轉(zhuǎn)移到現(xiàn)場(chǎng)的能力，涉及運(yùn)營(yíng)成熟度、技術(shù)發(fā)展水平以及質(zhì)量和制造管理。Qorvo是達(dá)到制造成熟度（MRL）9級(jí)的首家GaN供應(yīng)商。Qorvo一直推動(dòng)GaN產(chǎn)品的下一代系統(tǒng)創(chuàng)新(從直流到Ka頻段)，提供可靠的性能、低維護(hù)和長(zhǎng)運(yùn)行壽命。Qorvo的所有GaN產(chǎn)品在200°C條件下的平均無(wú)故障時(shí)間（MTTF）均超過(guò)107小時(shí)，還是能承受高加速應(yīng)力測(cè)試（HAST）的器件。此項(xiàng)測(cè)試在10