leap5操作說(shuō)明書模版

Tutorial1

教程1高通密閉箱的設(shè)計(jì)重點(diǎn)單元〔轉(zhuǎn)換器〕模型介紹箱體模型介紹系統(tǒng)曲線和指引曲線介紹參數(shù)曲線介紹單元模型的差異ES程序共同特征本例子介紹ES程序的一些共有特征，能解答很多初次使用箱體設(shè)計(jì)程序中的問(wèn)題。本例子的焦點(diǎn)在于介紹針對(duì)同一單元而使用3種不同類型參數(shù)建立的單元模型〔分別是STD、TSL、LTD，LEAP5支持這3種類型的單元模型〕，并指出它們的仿真力量和差異。

SealedHighpassEnclosure目標(biāo)本設(shè)計(jì)從最根底開(kāi)頭，箱體為簡(jiǎn)潔的使用15英寸低音單元的高通密閉箱。本例不留意怎么選擇特定的低頻響應(yīng) 但固然要按狀況指定箱體尺寸。主要任務(wù)是設(shè)置仿真必需的程序參數(shù)。初始數(shù)據(jù)如下-箱體：高通密閉箱-外形：長(zhǎng)方形-寬度：23英寸-高度：24.75英寸-深度：13.5英寸-:無(wú)-單元:TL1603-:前障板中心ES程序能進(jìn)展廣泛的分析并供給大量的數(shù)據(jù)，同時(shí)會(huì)與真實(shí)的測(cè)量結(jié)果做比照。EnclosureShop 1ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1單元在對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)展仿真前，單元模型必需放在單元庫(kù)文件中，否則我們應(yīng)先建立該單元的條目。本例需要使用的幾個(gè)單元模型已經(jīng)在Tutorial.Ltd庫(kù)文件中。開(kāi)頭設(shè)計(jì)翻開(kāi)EnclosureShop程序，跟著下文中的步驟一步一步來(lái)做。以下操作假定軟件安裝在C:\盤。首先我們建一個(gè)設(shè)計(jì)，然后保存到Tutorial－1文件夾中。選擇File|New菜單.現(xiàn)在可以輸入作者名字等信息選擇Graph|Notes菜單.在Person域中輸入名字,Company中輸入公司名, Project中輸入設(shè)計(jì)名.-點(diǎn)OK.File|SaveAs菜單.Projects-Enclosures\Tutorial-下，文件名為Tutor-1，按上述路徑定位后，輸入文件名，按Save進(jìn)展保存。2 EnclosureShopApplicationManual Tutorial1 SealedHighpassEnclosure現(xiàn)在最大化任一個(gè)圖表窗口。在任一圖表窗口的最大化按鈕上單擊屏幕將會(huì)如以下圖中下方所示，當(dāng)圖表窗口最大化時(shí)，在工具欄處會(huì)消滅一個(gè)圖表按鈕選擇欄，通過(guò)點(diǎn)擊圖表的按鈕〔名字〕，即可在不同曲線之間切換。EnclosureShop 3ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1Transducer CalculateParameters AnalysisEnclosure Parameters 3DLayoutParametersEdit菜單Edit菜單是程序的掌握中樞，該菜單包括五個(gè)子項(xiàng)〔也可以用上圖的工具按鈕來(lái)訪問(wèn)〕，該五項(xiàng)供給任何設(shè)計(jì)中定義參數(shù)的核心功能。最初的參數(shù)定義通常會(huì)按從左至右的挨次來(lái)進(jìn)展。Edit|TransducerParametersTransducerParameters〔單元參數(shù)〕該對(duì)話框供給單元的建立、編輯和庫(kù)治理的功能，分左右兩個(gè)窗口，左窗口顯示庫(kù)文件，同時(shí)右窗口顯示當(dāng)前選擇的庫(kù)中的可用單元。對(duì)話框下方的Graph按鈕可查看某一選定的單元圖表，這些圖表是依據(jù)模型中各種參數(shù)計(jì)算出來(lái)的，左邊的小按鈕可以切換各種類型〔如SPL、IMP等。本例中所用到的三個(gè)單元模型都可以在Tutorial庫(kù)中找到，它們是.15寸單元的三種類型的單元模型。留意：假設(shè)你安裝程序的名目不C盤，則應(yīng)指定單元庫(kù)的文件夾。4 EnclosureShopApplicationManualTutorial1EnclosureShopApplicationManual

SealedHighpassEnclosure5SealedHighpassEnclosure Tutorial1在TL1603.LTD這里進(jìn)入單元參數(shù)編輯模式，單元可以在這里被建立、引入、編輯，依據(jù)不同的模型各編輯項(xiàng)的可用狀態(tài)會(huì)轉(zhuǎn)變。Cancel按鈕關(guān)閉編輯模.既然單元庫(kù)中已經(jīng)存在本例子所用的單元，我們臨時(shí)不用建。同時(shí)我們要留意這里選擇的單元模型并不會(huì)馬上使用在我們后面的箱體中，但我們?cè)谶@里必需要選擇包含后面設(shè)計(jì)將使用的單元的庫(kù)文件。核對(duì)目前在左窗口中已經(jīng)選擇Tutorial.LTD文件.Exit按鈕關(guān)閉此對(duì)話框.6 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosureModel菜單模型菜單用于選擇設(shè)計(jì)的箱體模型，其菜單開(kāi)放后和快捷工具按鈕如上，包括了8個(gè)可選類型，其中最終一個(gè)是自定義的模型用于建筑隨便的箱體結(jié)構(gòu)。會(huì)突出顯示，如上圖我們選擇的是高通密閉箱。稍后消滅的箱體參數(shù)對(duì)話框的內(nèi)容將會(huì)隨箱體模型的轉(zhuǎn)變而轉(zhuǎn)變。-核對(duì)我們選擇了SealedHighpassEnclosure.Edit|EnclosureParameters編輯|箱體參數(shù)菜單項(xiàng).該對(duì)話框定義設(shè)計(jì)箱體的參數(shù)，我們可以看到該對(duì)話框分為幾個(gè)方框組：Shell/Chamber 〔外殼、內(nèi)腔〕,Chamber〔內(nèi)腔填充〕, Transducer〔單元〕. 不同的箱體模型對(duì)話框?qū)?huì)有不同的組和內(nèi)容?！病场病?EnclosureShop 7ApplicationManual SealedHighpassEnclosure Tutorial1點(diǎn)黃色的文件夾圖標(biāo).消滅單元選擇對(duì)話框。在左邊窗口選擇Tutorial.LTD.在右邊窗口選擇名稱為TL1603,LTDModel的單元.- 點(diǎn)Ok關(guān)閉.單元名稱和其庫(kù)文件名會(huì)消滅在箱體參數(shù)對(duì)話框中的Transducer〔單元〕方框組中。已選擇的單元其參數(shù)會(huì)全部引入并包含到箱體參數(shù)內(nèi)，因此就算原庫(kù)文件或單元條目刪除掉，該已選擇的單元參數(shù)還是包含在箱體參數(shù)內(nèi)。因此假設(shè)你以后更庫(kù)文件的單元參數(shù)，你或許需要更你的箱體設(shè)計(jì)。Transducer方框組中其余參數(shù)不變，在Chamber方框組中，我們可定義箱體內(nèi)部填充的吸音材料等，在本例中假設(shè)不填充任何材料。Vfill(VolumeFill，填充體積)0.0.8 EnclosureShopApplicationManual Tutorial1 SealedHighpassEnclosure外殼/內(nèi)腔方框組用于調(diào)整箱體的內(nèi)外尺寸，由于本箱體很簡(jiǎn)潔只存在一個(gè)內(nèi)腔，因此它們的規(guī)格是一樣的。我們可以看到該域的數(shù)字為灰色表示不能直接輸入體積，旁邊有一個(gè)小立體方塊，我們可點(diǎn)它來(lái)選擇箱體的物理外形和尺寸。- 點(diǎn)擊小立體方塊.消滅體積參數(shù)對(duì)話框如左圖，shape〔外形〕局部選擇box〔長(zhǎng)方體〕勾選Externaldimensions〔外部尺寸〕點(diǎn)擊Length〔長(zhǎng)度〕按鈕使其單位為In〔英寸〕點(diǎn)擊Volume〔體積〕按鈕令單位為3.53Ft3。-點(diǎn)Ok關(guān)閉.

Ft3〔立方英尺〕在WallThickness〔板厚〕0.75Depth〔深度〕13.5Width〔寬度〕23Height〔高度〕26.5右方Occupied〔體積占用〕0.2Domain〔放置區(qū)域〕中定義該箱體的外部環(huán)境，這里我們可以指定特定的環(huán)境空間體積。本例子我們選擇InfiniteBaffle〔無(wú)限大障板〕Infinite〔無(wú)限大〕的體積-核對(duì)已選擇InfiniteBaffle.-Volume.Infinite點(diǎn)OK關(guān)閉.點(diǎn)Ok.EnclosureShop 9ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1Edit|AnalysisParameters菜單項(xiàng).該對(duì)話框掌握設(shè)計(jì)中的分析參數(shù)，很多參數(shù)已經(jīng)設(shè)為合理的值，但這里我們更改輸入功率為1W。-在Power/Spk1。-點(diǎn)OK關(guān)閉.現(xiàn)在預(yù)備定義箱體的3D布箱體的三維空間，因此單元和倒相孔的位置、方向和主目標(biāo)仿真點(diǎn)必需先定義好，這些功能可在3D布局參數(shù)對(duì)話框中完成。Edit|LayoutParameters〔布局參數(shù)〕菜單(或按F5).

會(huì)消滅如以下圖的大窗口對(duì)話框，并模擬出一個(gè)三維的空間，其中灰色的大平面象征無(wú)限大障板〔我們?cè)谇懊嫦潴w參數(shù)設(shè)定放置區(qū)域?yàn)闊o(wú)限大障板〕，箱體嵌入障板中心，兩個(gè)圓環(huán)狀箭頭分別表示水平和垂直極指向的路徑，主目標(biāo)位于兩圓環(huán)的交點(diǎn)上。按下鼠標(biāo)左鍵在3D圖內(nèi)拖動(dòng)，我們可以旋轉(zhuǎn)、移動(dòng)觀看角度和方位。在本例子中假設(shè)默認(rèn)的位置已經(jīng)正確，因此不用做任何的改動(dòng)。-點(diǎn)OK關(guān)閉。10 EnclosureShopApplicationManual Tutorial1 SealedHighpassEnclosureEnclosureShop 11ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1現(xiàn)在已經(jīng)定義好分析所需要的全部參數(shù)，使用Edit|Calculate項(xiàng)我們可以分析并獲得需要的結(jié)果和曲線Edit|Calculate(或按F9).分析的過(guò)程在右下角的狀態(tài)欄中顯示，依據(jù)仿真的簡(jiǎn)單程度一般分幾個(gè)過(guò)程。本例中我們將箱體前障板嵌入無(wú)限大平面中，因此前障板邊角的衍射變不用進(jìn)展分析了，因此速度會(huì)很快。分析完畢后，系統(tǒng)曲線并不會(huì)馬上顯示〔指設(shè)計(jì)中〕，我們需要將其展現(xiàn)。Graph|SystemCurves圖表|系統(tǒng)曲線菜單(或按F4).12

系統(tǒng)分析產(chǎn)生的圖表稱為系統(tǒng)曲線，本例子中將產(chǎn)生34條曲線〔其中有很多是極響應(yīng)曲線〕，我們展現(xiàn)全部的曲線。ShowAll按鈕,點(diǎn)OK關(guān)閉.EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosureSPL圖表選擇按鈕.選擇Scale|Auto〔刻度|自動(dòng)〕或Up/Dn上/下菜單來(lái)觀看，屏幕將會(huì)類似以下圖，該圖表中將顯示4條曲線，2條或許位于95DB四周而另兩條高出很多。低的兩條中，其中一條磚紅色的是主仿真點(diǎn)〔即虛擬的測(cè)量MIC〕處的頻率響應(yīng)，另一條則是功率響應(yīng)。本例子中主仿真點(diǎn)為單元軸響，距離為1米-------其實(shí)該點(diǎn)可以放置在空間任一點(diǎn)上，功率響應(yīng)反映輻射在半場(chǎng)空間中的總聲功率。我們可以看到由于單元的指向性，在頻率趨向變高時(shí)總輻射功率變小，而在低頻時(shí)由于輻射無(wú)指向的因此它跟軸響響應(yīng)一樣。同樣我們?cè)谶@兩條曲線中可以看到，中高頻局部由于箱體內(nèi)腔的反射引起了響應(yīng)的波動(dòng)。SPL0H,0VSPLPwrEnclosureShop 13ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1使用刻度上移可以看到較高的兩條曲線，綠色的那條曲線〔接近130db〕為內(nèi)腔響應(yīng)而接近117DB的那條為單元近場(chǎng)響應(yīng)。留意內(nèi)腔引起的急劇的首次反射〔550HZ四周〕影響了其余全部的響應(yīng)曲線。ES會(huì)供給每一個(gè)腔體的響應(yīng)和每一個(gè)單元、倒相孔的近場(chǎng)響應(yīng)并將它們按規(guī)章進(jìn)展疊加得到主目標(biāo)和功率響應(yīng)。通常為了避開(kāi)混亂我們還會(huì)依據(jù)需要關(guān)閉一些曲線。分別點(diǎn)Impedance〔阻抗〕,Excursion〔位移Velocity〔速度Acceleration〔加速度圖表按鈕.同樣會(huì)供給針對(duì)每一個(gè)單元或倒相孔的曲線，下幾頁(yè)的圖是分析的一些結(jié)果。InternalChamber SpkrNear14 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosureEnclosureShop 15ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial116 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosure點(diǎn)極軸響應(yīng)圖表選擇按鈕.如以下圖所示，留意這里實(shí)際上包括了水平和垂直兩組，由于放置區(qū)域是無(wú)限大障板，因此他們是對(duì)稱的而且水平和垂直是一樣的。無(wú)限大障板引起的效應(yīng)也很明顯，在障板后部完全沒(méi)有聲輻射，全部的輻射只消滅在障板前半局部。面外形影響。同時(shí)極軸響應(yīng)也可以規(guī)格化到它們的軸響響應(yīng)上，這也是一種比較通用的觀看極響應(yīng)的方法，具體可以在分析參數(shù)中設(shè)置。EnclosureShop 17ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1與實(shí)際測(cè)量的的比照LMS系統(tǒng)進(jìn)展測(cè)量，測(cè)量的結(jié)果位于Tutorial-ES間的相關(guān)性。Utilities|ImportCurveData〔有用工具|導(dǎo)入曲線數(shù)據(jù)菜單〕.

消滅如左圖的對(duì)話框，可以導(dǎo)入SPL曲線.Tutorial-1文件夾引曲線條目〕為#1直軸數(shù)據(jù)〕為SPL，單位為dB.執(zhí)行〕按鈕.現(xiàn)在導(dǎo)入阻抗數(shù)據(jù)IMP_Sealed文件-GuideCurveentry#5-設(shè)置LeftVerticaldataImp，單位為L(zhǎng)in/Log.點(diǎn)Execute按鈕.現(xiàn)在導(dǎo)入加速度曲線點(diǎn)選Ams_Sealed文件,選擇GuideCurveentry為#7,設(shè)置LeftVert為Accel.點(diǎn)Execute按鈕.現(xiàn)在導(dǎo)入速度曲線點(diǎn)選Vms_Sealed文件,選擇entry為#8, Execute按鈕.現(xiàn)在導(dǎo)入位移數(shù)據(jù).點(diǎn)選Xms_Sealed文件,選擇entry為#9, 設(shè)置LeftVert為Excur.點(diǎn)Execute按鈕.Exit關(guān)閉對(duì)話框.18 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosure選擇Graph|GuideCurves圖表|指引曲線菜單項(xiàng).指引曲線庫(kù)將類似以下圖所示Ok關(guān)閉該對(duì)話框.Acceleration圖表選擇按鈕.如下頁(yè)圖所示，將顯示2條加速度曲線，它們?cè)谡麄€(gè)頻率范圍內(nèi)顯示出極好的全都性，特別是在200HZ以下格外吻合，但在500HZ四周消滅了一系列的谷值，這是反映該段頻率四周內(nèi)腔引起了駐波由于本箱體并沒(méi)有采用內(nèi)部阻尼材料。在更高的頻率上振膜已經(jīng)不再類似活塞運(yùn)動(dòng)了。Velocity圖表選擇按鈕.如下頁(yè)圖所示，將顯示2條速度曲線，同樣它們?cè)谡麄€(gè)頻率范圍內(nèi)顯示出極好的全都性，特別是在200HZ以下格外吻合，內(nèi)腔在500HZ四周引起了駐波，在格外高的頻率上，得到的已經(jīng)是設(shè)備和加速計(jì)本身的本底噪音。EnclosureShop 19ApplicationManual SealedHighpassEnclosure Tutorial1SimulationSimulationMeasurementMeasurementSimulation20 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosure點(diǎn)Excursion.200HZ以下格外接近，內(nèi)腔的諧振消滅在500HZ四周。Impedance.模擬和實(shí)際測(cè)量的阻抗曲線如下頁(yè)的以下圖所示，整個(gè)頻率范圍內(nèi)都格外接〔500-1000HZ間〕點(diǎn)SPL圖表選擇按鈕.大量的曲線消滅在SPL圖表內(nèi)，為更好進(jìn)展比照，我們可以單獨(dú)看模擬和實(shí)際測(cè)量的每一種SPL曲線。Graph|SystemCurves菜單項(xiàng).#2,#28,#29號(hào)曲線，點(diǎn)OK關(guān)閉對(duì)話框Graph|GuideCurves菜單項(xiàng).#2,#3號(hào)曲線，點(diǎn)OK關(guān)閉對(duì)話框。當(dāng)調(diào)整好刻度后，軸向響應(yīng)的比照方下頁(yè)的上圖所示，在格外低的頻率下測(cè)量結(jié)果中包含了噪音干擾，該測(cè)量在倉(cāng)庫(kù)進(jìn)展，因此整個(gè)頻率范圍內(nèi)都消滅了小量反射的影響，但總體走向是格外全都的。Graph|SystemCurves菜單項(xiàng).取消勾選#1并勾選#29號(hào)曲線，點(diǎn)OK關(guān)閉對(duì)話框Graph|GuideCurves菜單項(xiàng).取消勾選#1,勾選#3號(hào)曲線，點(diǎn)OK關(guān)閉對(duì)話框EnclosureShop 21ApplicationManual SealedHighpassEnclosure Tutorial1MeasurementMeasurementSimulationMeasurementSimulation22 EnclosureShopApplicationManual Tutorial1 SealedHighpassEnclosureOn-AxisOn-AxisResponseMeasurementSimulationNear-FieldResponseMeasurementSimulationEnclosureShop 23ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1當(dāng)調(diào)整好刻度后，近場(chǎng)響應(yīng)的比照方上頁(yè)的以下圖所示，測(cè)量結(jié)果是將測(cè)量MIC格外靠近振膜外表〔0.1英寸〕來(lái)獲得的，在高頻段測(cè)量結(jié)果變得無(wú)規(guī)章，同時(shí)我們也可以看到內(nèi)腔諧振影響了500-1000HZ的近場(chǎng)測(cè)量結(jié)果，無(wú)論如何兩者250HZ以下是格外全都的。Graph|SystemCurves菜單項(xiàng).#29#28號(hào)曲線，點(diǎn)OK關(guān)閉對(duì)話框Graph|GuideCurves菜單項(xiàng).取消勾選#3勾選#2號(hào)曲線，點(diǎn)OK關(guān)閉對(duì)話框當(dāng)調(diào)整好刻度后，內(nèi)腔體響應(yīng)的比照方以下圖所示，測(cè)量MIC放置在腔體內(nèi)以獲得測(cè)量結(jié)果，我們可以看到在腔體內(nèi)發(fā)生了巨大的反射，模擬的結(jié)果對(duì)這些反射進(jìn)展了恰當(dāng)?shù)谋硎?。ChamberResponseMeasurementSimulation24 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosureTSL模型的分析3TSL模型來(lái)看看。首先我們保持此用LTD模型的文件，然后將使用TSL模型后的文件另外保存。File|Save(或按CTRL-S)File|SaveAs菜單項(xiàng)Tutor-1_TSL.led，點(diǎn)OK保存。EnclosureParameters體參數(shù)對(duì)話框以轉(zhuǎn)變箱體使用的單元Edit|EnclosureParameters菜單項(xiàng)點(diǎn)小文件夾按鈕.在右窗口選擇TL1603,TSLModel.點(diǎn)Ok按鈕再點(diǎn)Ok關(guān)閉箱體參數(shù)對(duì)話框既然我們更改了單元，就必需重進(jìn)入3D布局對(duì)話框〔就算箱體構(gòu)造和單元布局不轉(zhuǎn)變的狀況下也必需進(jìn)入〕，這是由于振膜模型是在布局對(duì)話框里建立的。Edit|LayoutParameters(F5).點(diǎn)OK(ENTER).現(xiàn)在可以用的TSL模型來(lái)進(jìn)展分析了.Edit|Calculate(F9).EnclosureShop 25ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1我們的主要興趣在軸響響應(yīng)上，因此我們可關(guān)閉掉當(dāng)前的腔體響應(yīng)并顯示軸向及測(cè)量曲線。Graph|SystemCurves菜單項(xiàng).取消勾選#28勾選#1號(hào)曲線，點(diǎn)OK關(guān)閉對(duì)話框。Graph|GuideCurves菜單項(xiàng).取消勾選#2勾選#1#1號(hào)曲線，點(diǎn)OK關(guān)閉對(duì)話框。當(dāng)調(diào)整好刻度后，比照方以下圖所示，可能不太明顯的是，模擬結(jié)果中70HZ的隆起有點(diǎn)變低了，測(cè)量結(jié)果比模擬的結(jié)果高了一點(diǎn)，其他的結(jié)果則類似承受LTD模型，下一個(gè)阻抗曲線的比照?qǐng)D更能直觀地反映接近諧振頻率四周的不同。26 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosureImpedance.以下圖的阻抗比照更能反映使用TSL模型后測(cè)量和模擬結(jié)果的差異，在諧振頻率四周的模擬結(jié)果比實(shí)際測(cè)量的低了不少，但中高頻還是比較吻合的。明顯地LTD和TSL模型之間的不同發(fā)生在諧振頻率四周，它們之間的轉(zhuǎn)變反映了它們準(zhǔn)確模擬Rms的力量。TSLRmsRms原定義是在28HZ〔自由場(chǎng)諧振頻率〕時(shí)的值，但當(dāng)單元安裝到密閉箱后諧振頻率上升至55HZ，但28HZ和55HZ時(shí)的等效Rms值并不一樣，因此產(chǎn)生了阻抗的誤差由于懸LTD模型更能正確反映Rms。EnclosureShop 27ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1STD模型的分析現(xiàn)在我們看看STD模型，這其實(shí)就是標(biāo)準(zhǔn)通用的揚(yáng)聲器低頻模型。TSL模型的文件，現(xiàn)在承受STD模型后我們保存為另外的文件名。File|Save(CTRL-S)File|SaveAs菜單項(xiàng)轉(zhuǎn)變文件名為Tutor-1_STD.led。點(diǎn)OKEnclosureParameters體參數(shù)對(duì)話框以轉(zhuǎn)變箱體使用的單元Edit|EnclosureParameters菜單項(xiàng)點(diǎn)小文件夾按鈕.在右窗口選擇TL1603,STDModel.點(diǎn)Ok按鈕再點(diǎn)Ok關(guān)閉箱體參數(shù)對(duì)話框既然我們更改了單元，就必需重進(jìn)入3D布局對(duì)話框〔就算箱體構(gòu)造和單元布局不轉(zhuǎn)變的狀況下也必需進(jìn)入〕，這是由于振膜模型是在布局對(duì)話框里建立的。Edit|LayoutParameters(F5).點(diǎn)OK關(guān)閉現(xiàn)在可以用的STD模型來(lái)進(jìn)展分析了Edit|Calculate(F9).28 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosure以下圖的阻抗比照了反映使用STD模型后測(cè)量和模擬結(jié)果的差異，在整個(gè)頻率范圍內(nèi)都消滅了較大的差異。標(biāo)準(zhǔn)的STD模型缺乏準(zhǔn)確反映磁路阻抗的力量，由于其承受了固定的音圈電感Levc和固定的音圈電阻Re