模擬電子技術(shù)晶體管三極管應(yīng)用

模擬電子技術(shù)晶體管三極管應(yīng)用第1頁(yè)，課件共11頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月1.3.1三極管極性及材料的測(cè)試鑒別

1.BJT特性及參數(shù)測(cè)試2.BJT極性、材料及管腳鑒別1.3.2三極管技術(shù)參數(shù)1.3.3三極管產(chǎn)品形態(tài)

1.復(fù)合晶體管2.及孿生晶體管3.帶阻尼二極管及保護(hù)電阻的三極管4.晶體管陣列5.光電耦合器1.3.4晶體管應(yīng)用基礎(chǔ)

1.模擬應(yīng)用2.開(kāi)關(guān)應(yīng)用3.半導(dǎo)體器件及集成電路封裝第1章晶體管(3)1.3三極管技術(shù)參數(shù)及測(cè)試應(yīng)用總第三次課作業(yè)1.10,1.11第2頁(yè)，課件共11頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第3頁(yè)，課件共11頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第4頁(yè)，課件共11頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第5頁(yè)，課件共11頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月國(guó)產(chǎn)三極管型號(hào)由四部分組成:第一部分：電極數(shù)，以數(shù)字3表示。第二部分：材料和管子極性，以大寫字母A,B,C,D表示A代表PNP鍺管，B代表NPN鍺管C代表PNP硅管，D代表NPN硅管第三部分：頻率及功率功能，以大寫字母X,G,D,A,TX代表低頻小功率管，G代表高頻小功率管D代表低頻大功率管，A代表高頻大功率管T代表晶體閘流管(可控硅，SCR)。第四部分：參數(shù)規(guī)格，以數(shù)字字母表示。例如，3DG12表示硅材料NPN高頻小功率三極管。BJT型號(hào)命名方法第6頁(yè)，課件共11頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月日產(chǎn)晶體管型號(hào)開(kāi)頭的數(shù)字代表pn結(jié)數(shù)二極管以數(shù)字1開(kāi)頭，三極管以數(shù)字2開(kāi)頭2SC1815是日本產(chǎn)塑封小功率三極管；9012、9013是韓國(guó)產(chǎn)三極管，β≈300倍9012為PNP管，9013為NPN管。常見(jiàn)BJT及其參數(shù)如下3DG12：NPN，β=40~70倍，300mA，50V，700mWfT=150MHz；2SC1815：NPN，100倍以上，150mA，60V，400mW；9013(NPN)，9012(PNP)：β≈300倍，100mA，50V，500mW第7頁(yè)，課件共11頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

1.3.3三極管產(chǎn)品形態(tài)BJT產(chǎn)品形態(tài)很多，這里列出如下。?分立BJT?復(fù)合BJT?孿生BJT?帶阻尼帶保護(hù)的BJT?BJT陣列?集成電路的單元細(xì)胞?BJT與LED組合為光電耦合器第8頁(yè)，課件共11頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第9頁(yè)，